CN103267548A - 一种电压装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种电压装置，其包括调制单元、放大单元以及尾电流电阻，放大单元的输入端通过尾电流电阻接地，调制单元调制放大单元，以使装置保持在一个状态上工作。通过以上方式，本发明能够减少装置噪声，也减小装置面积，节约成本。

Description

一种电压装置

技术领域

本发明涉及偏置装置，尤其涉及一种电压装置。

背景技术

请参见图1，图1是现有技术中电压装置图。如图1所示，现有技术中电压装置10包括运算放大器101以及电阻102、103，运算放大器101的反相输入端连接至电阻102和电阻103之间，电阻102的一端接地，电阻102的另一端与电阻103的一端连接，电阻103的另一端与运算放大器101的输出端连接。该装置10应用在麦克风偏置装置(MICBIAS)中，其中，麦克风偏置装置要求输出很低的噪声（如小于3uV）和输出电压在1.9-2.3V范围内，并且能提供较大的电流(如大于3mA)，以及输出电压随温度的变化小于5%。现有技术中装置10通过在运算放大器101的同相输入端输入一个非常低噪声的参考电压Vref来达到麦克风偏置装置的上述要求，优选通过设置一大电容来实现，以在运算放大器101的同相输入端输入参考电压Vref，此时麦克风偏置装置相当于一个缓冲器(buffer)。但是，大电容的体积大，需要占用麦克风偏置装置较大的空间，增加麦克风偏置装置的成本。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是在于提供一种电压装置，能够降低成本，并且输出具有低噪声、低温度系数以及稳定的参考电压。

为实现上述目的，本发明提供一种电压装置，其包括调制单元、放大单元以及尾电流电阻，放大单元的输入端通过尾电流电阻接地，调制单元调制放大单元，以使装置保持在一个状态上工作。

其中，装置还包括第一电阻、第二电阻以及第三电阻，第一电阻的一端与放大单元的同相输入端连接，第一电阻的另一端接地，第二电阻的一端与放大单元的同相输入端连接，第二电阻和第三电阻串联连接在放大单元的同相输入端和放大单元的输出端之间，以形成正反馈环；放大单元的反相输入端与放大单元的输出端连接，以形成负反馈环。

其中，放大单元包括第一级镜像补偿单元和第二级镜像补偿单元，第一级镜像补偿单元和第二级镜像补偿单元并联在放大单元的同相输入端、放大单元的反相输入端以及放大单元的输出端之间。

其中，调制单元包括第一调制单元和第二调制单元，第一调制单元和第二调制单元分别与放大单元并联连接。

其中，第一调制单元包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管以及第四MOS管，第一MOS管的源极、第二MOS管的栅极、第三MOS管的源极以及第四MOS管的源极与第一参考电压连接，第三MOS管的栅极、第四MOS管的栅极以及第二MOS管的漏极与第一MOS管的漏极连接，第二MOS管的漏极接地，第一MOS管的栅极、第三MOS管的漏极以及第四MOS管的漏极与放大单元连接。

其中，第二调制单元包括第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管以及第九MOS管，第五MOS管的源极、第六MOS管的源极以及第七MOS管的源极与第一参考电压连接，第五MOS管的栅极以及第六MOS管的栅极与第六MOS管的漏极连接，第九MOS管的漏极与第六MOS管的漏极连接，第七MOS管的栅极接地，第七MOS管的漏极、第八MOS管的漏极、第八MOS管的栅极以及第九MOS管的栅极连接，第八MOS管的源极接地，第五MOS管的漏极和第九MOS管的栅极与放大单元连接。

其中，第一MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管以及第七MOS管均为P型MOS管，第二MOS管、第八MOS管以及第九MOS管均为N型MOS管。

其中，放大单元包括三个稳定状态，第一稳定状态为正常状态，第二稳定状态为放大单元的输出电压为零，第三稳定状态为放大单元的输出电压低于第一稳定状态的输出电压，调制单元与放大单元耦接，以使装置工作在第一稳定状态。

其中，装置与麦克风偏置装置连接，以向麦克风偏置装置提供电压，其中，麦克风偏置装置包括数字逻辑单元、多个MOS管以及麦克风，麦克风通过MOS管与放大单元的输出端连接，数字逻辑单元与MOS管的栅极连接，以控制MOS管断开或导通。

区别于现有技术，本发明通过设置调制单元、放大单元以及尾电流电阻，放大单元的输入端通过尾电流电阻接地，调制单元与放大单元耦接，以使装置工作在一个状态上，利用尾电流电阻实现尾电流，能够减少装置噪声，也减小装置面积，节约成本。

附图说明

图1是现有技术中电压装置图；

图2是本发明第一实施例的电压装置的装置图；

图3是本发明第二实施例的电压装置的装置图；

图4是图3中装置输出的参考电压与温度的关系图；

图5是图3的放大单元的输出端设置电压源的电流与电压的关系图；

图6是图3的放大单元耦接第一调制单元后流经电压源的电流与电压的关系图；

图7是图3的放大单元耦接第二调制单元后流经电压源的电流与电压的关系图；

图8是图3中电压装置应用在麦克风偏置装置的装置图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

请参见图2，图2是本发明第一实施例的电压装置的装置图。如图2所示，本实施例所揭示的电压装置20包括：运算放大器201、电压源202、电阻R1以及电阻R2。其中，电压源202优选为恒流源。

在本实施例中，运算放大器201的同相输入端203与电压源202的负极连接，运算放大器201的反相输入端204与电压源202的正极连接，电阻R2的一端与运算放大器201的同相输入端203连接，电阻R2的另一端接地，电阻R1的一端与运算放大器201的同相输入端203连接，电阻R1的另一端与运算放大器201的输出端205连接，并且运算放大器201的反相输入端204与运算放大器201的输出端205连接。其中，运算放大器201的同相输入端203、电阻R1、电阻R2以及运算放大器201的输出端205形成正反馈环，运算放大器201的反相输入端204和运算放大器201的输出端205形成负反馈环，当负反馈环的增益大于正反馈环的增益时，因此本实施例所揭示的电压装置20能够产生一个稳定的参考电压V1。

以下详细说明本实施所揭示的电压装置20的工作原理。

在本实施例中，通过在运算放大器201的反相输入端204和同相输入端203设置电压源202，以使运算放大器201的反相输入端204和同相输入端203存在电压差来产生参考电压V1。其中，电压源202的电压为Vos，即运算放大器201的反相输入端204和同相输入端203之间的电压差为Vos。当运算放大器201相当于无穷大的电阻时，则装置20输出的参考电压V1=（R1+R2）/R1*Vos，因此通过调整电阻R1和电阻R2的比值，装置20输出满足用户需求的参考电压V1。此外，负反馈环的的增益大于正反馈环的增益，装置20能够实现稳定的输出。

区别现有技术，本实施例所揭示的装置20通过在运算放大器201的反相输入端204和同相输入端203设置电压源202，以输出稳定的参考电压V1，避免使用大电容，进而降低成本。

请参见图3，图3是本发明第二实施例的电压装置的装置图。如图3所示，本实施例所揭示的电压装置30包括放大单元301、尾电流电阻R7、调制单元302、第一电阻R3、第二电阻R4以及第三电阻R5。

在本实施例中，放大单元301的反相输入端303与放大单元301的输出端305连接，以形成负反馈环。放大单元301的同相输入端304与第一电阻R3的一端连接，第一电阻R3的另一端接地，第二电阻R4的一端与第一电阻R3的一端连接，第二电阻R4的另一端与第三电阻R5的一端连接，第三电阻R5的另一端与放大单元301的输出端305连接，其中，放大单元301的同相输入端304、第一电阻R3、第二电阻R4、第三电阻R5以及放大单元301的输出端305形成正反馈环。在本实施例中，当负反馈环的增益大于正反馈环增益，装置30在放大单元301的输出端305产生一参考电压Vout。

在本实施例中，放大单元301包括第一级镜像补偿单元和第二级镜像补偿单元。其中，第一级镜像补偿单元包括P型MOS管MP1、P型MOS管MP2、P型MOS管MP3、P型MOS管MP4、N型MOS管MN3、N型MOS管MN4、N型MOS管MN5以及N型MOS管MN6；第二级镜像补偿单元包括P型MOS管MP5、P型MOS管MP6、P型MOS管MP7、P型MOS管MP8、N型MOS管MN7、N型MOS管MN8、N型MOS管MN9以及N型MOS管MN10。此外，放大单元301还包括N型MOS管MN1、N型MOS管MN2、N型MOS管MN11、N型MOS管MN12、P型MOS管MP9、P型MOS管MP10、P型MOS管MP11、P型MOS管MP12、电阻R6以及电容C1。

在本实施例中，第一级镜像补偿单元和第二级镜像补偿单元并联在放大单元301的同相输入端304、放大单元301的反相输入端303以及放大单元301的输出端305之间。其中，N型MOS管MN1的栅极为放大单元301的同相输入端304，N型MOS管MN2的栅极为放大单元301的反相输入端303，P型MOS管MP9的漏极为放大单元301的输出端305。

在本实施例中，P型MOS管MP1的源极、P型MOS管MP2的源极、P型MOS管MP5的源极、P型MOS管MP6的源极、P型MOS管MP9的源极、P型MOS管MP11的源极以及P型MOS管MP12的源极均与第一参考电压VDD连接，P型MOS管MP1的栅极与P型MOS管MP2的栅极、P型MOS管MP5的栅极、P型MOS管MP6的栅极以及P型MOS管MP12的栅极连接，P型MOS管MP1的漏极与P型MOS管MP3的源极连接，P型MOS管MP3的栅极与P型MOS管MP4的栅极、P型MOS管MP7的栅极、P型MOS管MP8的栅极、P型MOS管MP10的栅极以及P型MOS管MP11的栅极连接，P型MOS管MP3的漏极与N型MOS管MN5的漏极连接，N型MOS管MN5的栅极与N型MOS管MN6的栅极、N型MOS管MN8的栅极、N型MOS管MN9的栅极以及N型MOS管MN10的栅极连接，N型MOS管MN5的源极与N型MOS管MN3的漏极连接，N型MOS管MN3的栅极与N型MOS管MN4的栅极以及N型MOS管MN7的栅极连接，N型MOS管MN3的源极、N型MOS管MN4的源极、N型MOS管MN7的源极以及N型MOS管MN9的源极均接地。P型MOS管MP2的漏极与P型MOS管MP4的源极连接，P型MOS管MP4的漏极与N型MOS管MN6的漏极连接，P型MOS管MP4的漏极还与P型MOS管MP1的栅极连接，N型MOS管MN6的源极与N型MOS管MN4的漏极连接。P型MOS管MP5的漏极与P型MOS管MP7的源极连接，P型MOS管MP7的漏极与N型MOS管MN8的漏极连接，N型MOS管MN8的漏极还与N型MOS管MN7的栅极连接，N型MOS管MN8的源极与N型MOS管MN7的漏极连接。P型MOS管MP6的漏极与P型MOS管MP8的源极连接，P型MOS管MP8的漏极与N型MOS管MN10的漏极连接，N型MOS管MN10的漏极还与N型MOS管MN10的栅极连接，N型MOS管MN10的源极与N型MOS管MN9的漏极连接。P型MOS管MP9的栅极与P型MOS管MP3的漏极连接，P型MOS管MP9的漏极与第三电阻R5的另一端连接，电阻R6的一端与P型MOS管MP9的栅极连接，电阻R6的另一端与电容C1的一端连接，电容C1的另一端与P型MOS管MP9的漏极连接。P型MOS管MP11的漏极与P型MOS管MP10的源极连接，P型MOS管MP10的漏极与P型MOS管MP10的栅极以及N型MOS管MN11的漏极连接，N型MOS管的MN11的栅极与N型MOS管MN12的栅极以及N型MOS管MN12的漏极连接，N型MOS管MN11的源极和N型MOS管MN12的源极接地，P型MOS管MP12的漏极与N型MOS管MN12的漏极连接。N型MOS管MN1的漏极与P型MOS管MP1的漏极连接，N型MOS管MN1的栅极连接至第一电阻R3与第二电阻R4之间，N型MOS管MN1的源极与尾电流电阻R7的一端连接，尾电流电阻R7的另一端接地，N型MOS管MN2的漏极与P型MOS管MP2的漏极连接，N型MOS管MN2的栅极与P型MOS管MP9的漏极连接，N型MOS管MN2的源极与尾电流电阻R7的一端连接。

在本实施例中，第三电阻R5优选为可调电阻，N型MOS管MN1优选为native device（耗尽型MOS管），N型MOS管MN2优选为IOdevice（增强型MOS管）。其中，N型MOS管MN1阈值电压小于零，N型MOS管MN2的阈值电压约为600mV。此外，为了减少装置30的噪声，尾电流通过尾电流电阻R7来实现。

在本实施例中，放大单元301的主要MOS管的尺寸关系为：

MP1=MP2=N1*MP5=N1*MP6；

MP3=MP4=N2*MP7=N2*MP8；

MN5=MN6=N2*MN8=N2*MN10；

MN3=MN4=N2*MN7；

其中，N1和N2为系数。因此，放大单元301的主要MOS管的电流关系为：

I（MP1）=I（MP2）=N1*I（MP5）=N1*I（MP6）；

I（MN3）=I（MN4）=N2*I（MN7）=N2*I（MP5）；

I（MN1）=I（MN2）=（N1-N2）*I（MP5）；

I（MN2）=（Vout-Vgs2）/R7/2=（Vout*R3/（R3+R4+R5）-Vgs1）/R7/2；

其中，Vgs1为N型MOS管MN1的栅极与源极之间的电压，Vgs2为N型MOS管MN2的栅极与源极之间的电压，R7为尾电流电阻R7的阻值，R3为第一电阻R3的阻值，R4为第二电阻R4的阻值，R5为第三电阻R5的阻值。

请参见图4，图4是图3中装置输出的参考电压与温度的关系图。如图4所示，通过调整N型MOS管MN1和N型MOS管MN2的尺寸，以使装置30具有良好的温度系数，装置30能够输出稳定的参考电压Vout。

在本实施例中，放大单元301存在有三个稳定状态。第一个稳定状态为正常状态，第二个稳定状态为输出的电压为零，第三个稳定状态输出的电压比正常状态输出的参考电压Vout低很多。其中，放大单元301工作在第一稳定状态时，装置30输出稳定的参考电压Vout。放大单元30工作在第二稳定状态时，N型MOS管MN1和N型MOS管MN2断开，没有电流流经尾电流电阻R7，此时P型MOS管MP1-MP8和N型MOS管MN5-MN10均关断，P型MOS管MP9无法启动，没有电流流经电阻R3-R5，因此装置30输出的参考电压Vout为零。放大单元301工作在第三稳定状态时，装置30输出的电压低于Vout。

在本实施例中，通过在放大单元301的输出端305加上一个电压源来描述放大单元301的三个稳定状态，电压源的电压范围选取为-0.5V-3.2V，并检测流过电压源的电流。如图5所示，图5是流过电压源的电流与电压源的电压的关系图，其中，横坐标为电压源的电压值，纵坐标为流过电压源的电流值。流过电压源的电流为0mA的状态，并且在图中从上往下穿越的状态为稳定工作的状态，如状态A、B、C，从下往上穿越的状态都是无法稳定工作的状态，如状态D、F。流过电压源的电流为正时，电压源正在接收电流，即放大单元301的输出端305向外吐出电流，此时状态向电压升高的方向运动（即向右运动）。流过电压源的电流为负时，电压源向放大单元301的输出端305吐出电流，此时状态向电压降低的方向运动（即向左运动）。

以下详细描述通过调制单元302与放大单元303耦接，调制单元302调制放大单元303，以使装置30稳定工作在正常的状态。

在本实施例中，调制单元302包括第一调制单元306和第二调制单元307，第一调制单元306和第二调制单元307分别与放大单元301并联连接。其中，第一调制单元306包括第一MOS管MP13、第二MOS管MN13、第三MOS管MP14以及第四MOS管MP15；第二调制单元307包括第五MOS管MP18、第六MOS管MP17、第七MOS管MP16、第八MOS管MN14以及第九MOS管MN15。优选地，第一MOS管MP13、第三MOS管MP14、第四MOS管MP15、第五MOS管MP18、第六MOS管MP17以及第七MOS管MP16均为P型MOS管，第二MOS管MN13、第八MOS管MN14以及第九MOS管MN15均为N型MOS管。即，第一MOS管MP13为P型MOS管MP13，第二MOS管MN13为N型MOS管MN13，第三MOS管MP14为P型MOS管MP14，第四MOS管MP15为P型MOS管MP15，第五MOS管MP18为P型MOS管MP18，第六MOS管MP17为P型MOS管MP17，第七MOS管MP16为P型MOS管MP16，第八MOS管MN14为N型MOS管MN14，第九MOS管MN15为N型MOS管MN15。

在本实施例中，放大单元301与第一调制单元306耦接。其中，P型MOS管MP13的源极、P型MOS管MP14的源极以及P型MOS管MP15的源极与第一参考电压VDD连接，P型MOS管MP13的栅极与P型MOS管MP1的栅极连接，P型MOS管MP13的漏极与N型MOS管MN13的漏极、P型MOS管MP14的栅极以及P型MOS管MP15的栅极连接，N型MOS管MN13的栅极与第一参考电压VDD连接，N型MOS管MN13的源极接地，P型MOS管MP14的漏极与N型MOS管MN8的漏极连接，P型MOS管MP15的漏极与N型MOS管MN10的栅极连接。此时，放大单元301加上第一自动启动装置306，使得放大单元301不存在第二个稳定状态。其工作原理是：放大单元301的反相输入端303和同相输入端304之间存在压差V2，N型MOS管MN13相当于一个很大的电阻，当P型MOS管MP1的栅极端电压和P型MOS管MP2的栅极电压大于第一参考电压VDD与V2的压差时，P型MOS管MP13关断，P型MOS管MP13没有电流流过，P型MOS管MP14的栅极电压和P型MOS管MP15的栅极电压均为0，P型MOS管MP14的栅极和P型MOS管MP15导通，电流流过P型MOS管MP14和P型MOS管MP15分别注入Vbn1和Vbn2，即电流分别注入N型MOS管MN8和N型MOS管MN10，此时，N型MOS管MN3-MN6全部导通，P型MOS管MP1的栅极电压、P型MOS管MP2的栅极电压、P型MOS管M5的栅极电压、P型MOS管MP6的栅极电压、P型MOS管MP9的栅极电压以及P型MOS管MP13的栅极电压均被拉低，放大单元301工作在第一个稳定状态，以离开Vout=0的状态（即第二个稳定状态）。当P型MOS管MP13的栅极电压被拉低时，P型MOS管MP13导通流过电流，N型MOS管MN11为一个很大的电阻，P型MOS管MP14的栅极电压和P型MOS管MP15的栅极电压增大，导致P型MOS管MP14和P型MOS管MP15关断，此时，放大单元301工作在第三个稳定状态。在放大单元301的输出端305加上电压源，电压源的电压范围-0.5V-3.2V，流过电压源的电流与电压源的电压的关系图，如图6所示。其中，状态A1为第三个稳定状态，状态B1为第一个稳定状态，状态C1为不稳定的状态。

在本实施例中，放大单元301进一步与第二调制单元307耦接。其中，P型MOS管MP16的源极、P型MOS管MP17的源极以及P型MOS管MP18的源极与第一参考电压VDD连接，P型MOS管MP16的栅极接地，P型MOS管MP16的漏极与N型MOS管MN14的漏极连接，N型MOS管MN14的漏极还与N型MOS管MN14的栅极以及N型MOS管MN15的栅极连接，N型MOS管MN14的源极接地，P型MOS管MP17的栅极与P型MOS管MP18的栅极连接，P型MOS管MP17的漏极与N型MOS管MN15的漏极以及P型MOS管MP17的栅极连接，P型MOS管MP18的漏极连接至第二电阻R4和第三电阻R5之间，N型MOS管MN15的源极与N型MOS管MN1的源极连接。此时，放大单元301进一步加上第二调制单元307，以使放大单元301不存在第三个稳定状态，仅工作在第一个稳定状态。其工作原理是：N型MOS管MN14和P型MOS管MP16对N型MOS管MN15实现偏置，当N型MOS管MN15的源极电压较低时，N型MOS管MN15导通，通过P型MOS管MP17和P型MOS管MP18将电流镜像到第一电阻R3、第二电阻R4以及第三电阻R5，以将放大单元301的输出端305的电压和N型MOS管MN1的栅极电压拉高，进而放大单元301远离第三个稳定状态。此时，N型MOS管MN1和N型MOS管MN2流过的电流增大，P型MOS管MP9的栅极电压降低，放大单元301的输出端305的输出电流增大，提高放大单元301输出的参考电压Vout，这样会有更多的电流流过N型MOS管MN1和N型MOS管MN2，形成正反馈。当放大单元301工作在第一个稳定状态时，N型MOS管MN15的源极电压到达1V，N型MOS管MN15关断，第二调制单元307停止工作。在放大单元301的输出端305加上电压源，流经电压源的电流与电压源的电压的关系图，如图7所示，此时，放大单元301仅工作在第一个稳定状态，即正常状态。

请再参见图8，图8是图3中电压装置应用在麦克风偏置装置的装置图。如图8所示，放大单元301的反相输入端303为电压装置30的反相输入端，放大单元301的同相输入端304为电压装置30的同相输入端，放大单元301的输出端305为电压装置30的输出端。其中，放大单元301的反相输入端303分别与P型MOS管MP19的漏极、P型MOS管MP20的漏极、N型MOS管MN16的漏极以及N型MOS管MN17的漏极连接，P型MOS管MP19的栅极与数字逻辑单元308的VREF2_ENB连接，P型MOS管MP20的栅极与数字逻辑单元308的VREF1_ENB连接，N型MOS管MN16的栅极与数字逻辑单元308的VREF2_EN连接，N型MOS管MN17的栅极与数字逻辑单元308的VREF1_EN连接。放大单元301的输出端305分别与P型MOS管MP21的漏极和P型MOS管MP22的漏极连接，P型MOS管MP21的栅极与数字逻辑单元308的VREF1_ENB连接，P型MOS管MP22的栅极与数字逻辑单元308的VREF2_ENB连接，P型MOS管MP19的源极和N型MOS管MN16的源极均与P型MOS管MP22的源极连接，P型MOS管MP20的源极和N型MOS管MN17的源极均与P型MOS管MP21的源极连接。放大单元301的同相输入端304连接至第一电阻R3和第二电阻R4之间，第二电阻R4的另一端分别与P型MOS管MP23的漏极、P型MOS管MP24的漏极以及P型MOS管MP18的漏极连接，P型MOS管MP23的栅极与数字逻辑单元308的VREF1_ENB连接，P型MOS管MP23的源极与电阻R8的一端连接，电阻R8的另一端与P型MOS管MP21的源极连接，P型MOS管MP24的栅极与数字逻辑单元308的VREF2_ENB连接，P型MOS管MP24的源极与电阻R9的一端连接，电阻R9的另一端与P型MOS管MP22的源极连接。P型MOS管MP21的源极还与电阻R11的一端连接，电阻R11的另一端与麦克风310的正极连接，麦克风310的负极通过电阻R12接地；P型MOS管MP22的源极还与电阻R10的一端连接，电阻R10的另一端与麦克风309的正极连接，麦克风309的负极接地。其中，第一参考电压VDD的电压值为3.2V。

以下详细说明麦克风偏置装置的工作原理。

当数字逻辑单元308的VREF1_ENB输出信号时，控制P型MOS管MP20、P型MOS管MP21以及P型MOS管MP23导通，此时放大单元301的输出端305输出一参考电压VRRF1给麦克风310，以使麦克风310工作。

当数字逻辑单元308的VREF2_ENB输出信号时，控制P型MOS管MP19、P型MOS管MP22以及P型MOS管MP24导通，此时放大单元301的输出端305输出一参考电压VRRF2给麦克风309，以使麦克风309工作。

区别于现有技术，本实施例所揭示的装置30不需要额外的电压源和大电容，并且利用尾电流电阻R7实现尾电流，降低装置30的噪声，减少装置30的面积，节约成本，此外，本实施所揭示的装置30还利用调制单元302，以使装置30在正常状态输出稳定的参考电压。

以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (9)

1.一种电压装置，其特征在于，所述装置包括调制单元、放大单元以及尾电流电阻，所述放大单元的输入端通过所述尾电流电阻接地，所述调制单元调制所述放大单元，以使所述装置保持在一个状态上工作。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括第一电阻、第二电阻以及第三电阻，所述第一电阻的一端与所述放大单元的同相输入端连接，所述第一电阻的另一端接地，所述第二电阻的一端与所述放大单元的同相输入端连接，所述第二电阻和所述第三电阻串联连接在所述放大单元的同相输入端和所述放大单元的输出端之间，以形成正反馈环；所述放大单元的反相输入端与所述放大单元的输出端连接，以形成负反馈环。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述放大单元包括第一级镜像补偿单元和第二级镜像补偿单元，所述第一级镜像补偿单元和所述第二级镜像补偿单元并联在所述放大单元的同相输入端、所述放大单元的反相输入端以及所述放大单元的输出端之间。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述调制单元包括第一调制单元和第二调制单元，所述第一调制单元和所述第二调制单元分别与所述放大单元并联连接。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述第一调制单元包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管以及第四MOS管，所述第一MOS管的源极、所述第二MOS管的栅极、所述第三MOS管的源极以及所述第四MOS管的源极与第一参考电压连接，所述第三MOS管的栅极、所述第四MOS管的栅极以及所述第二MOS管的漏极与所述第一MOS管的漏极连接，所述第二MOS管的漏极接地，所述第一MOS管的栅极、所述第三MOS管的漏极以及所述第四MOS管的漏极与所述放大单元连接。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第二调制单元包括第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管以及第九MOS管，所述第五MOS管的源极、所述第六MOS管的源极以及所述第七MOS管的源极与所述第一参考电压连接，所述第五MOS管的栅极以及所述第六MOS管的栅极与所述第六MOS管的漏极连接，所述第九MOS管的漏极与所述第六MOS管的漏极连接，所述第七MOS管的栅极接地，所述第七MOS管的漏极、所述第八MOS管的漏极、所述第八MOS管的栅极以及所述第九MOS管的栅极连接，所述第八MOS管的源极接地，所述第五MOS管的漏极和所述第九MOS管的栅极与所述放大单元连接。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述第一MOS管、所述第三MOS管、所述第四MOS管、所述第五MOS管、所述第六MOS管以及所述第七MOS管均为P型MOS管，所述第二MOS管、所述第八MOS管以及所述第九MOS管均为N型MOS管。

8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述放大单元包括三个稳定状态，第一稳定状态为正常状态，第二稳定状态为所述放大单元的输出电压为零，第三稳定状态为所述放大单元的输出电压低于所述第一稳定状态的输出电压，所述调制单元与所述放大单元耦接，以使所述装置工作在所述第一稳定状态。

9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置与麦克风偏置装置连接，以向所述麦克风偏置装置提供电压，其中，所述麦克风偏置装置包括数字逻辑单元、多个MOS管以及麦克风，所述麦克风通过所述MOS管与所述放大单元的输出端连接，所述数字逻辑单元与所述MOS管的栅极连接，以控制所述MOS管断开或导通。

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