CN103262101B - 用于将射频识别电路集成到挠性电路中的系统和方法 - Google Patents

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Abstract

提供了用于将RFID电路集成到挠性电路（150）中的系统和方法。RFID集成电路（120）能够嵌入挠性电路（150）的介电层（170）内或挠性电路的介电层（170）与导电层（180）之间。另外或可替换地，RFID天线可以集成到挠性电路的导电层中。可替换地，RFID电路的集成电路和天线两者都可以不通过挠性电路提供而是耦合集成电路和天线的RFID连接器可以被集成到挠性电路中。

Description

用于将射频识别电路集成到挠性电路中的系统和方法
背景技术
射频识别(“RFID”)电路通常被用于识别和跟踪各种目标。例如，电子设备(例如，便携式媒体播放器)可以包括通过挠性电路耦合的两个或多个电子组件，常常也包括集成到所述电子组件之一中的RFID电路。然而，这种RFID电路通常占用电子组件的宝贵空间。而且，这种RFID电路的无线电波通信常常导致可能影响电子组件的操作的射频(“RF”)干扰。这可能降低这种电子设备的工作效率。
发明内容
公开了用于将RFID电路集成到挠性电路中的系统和方法。挠性电路的一些部分可以对由RFID电路辐射的信号提供RF屏蔽。
附图说明
考虑下述结合附图进行的详细说明，本发明的以上及其他方面、其性质和各种特征将变得更明显，附图中，相同的附图标记指代相同的部分，其中：
图1A是根据本发明一些实施例的具有集成到挠性电路中的RFID电路的系统的示例性俯视图；
图1B是根据本发明一些实施例沿着图1A的线IB-IB取得的图1A的系统的示例性水平剖视图；
图2是根据本发明一些实施例的具有集成到挠性电路中的RFID电路的另一系统的示例性俯视图；
图3是根据本发明一些实施例的具有集成到挠性电路中的RFID电路的又一系统的示例性俯视图；
图4是根据本发明一些实施例的具有集成到挠性电路中的RFID电路的又一系统的示例性俯视图；以及
图5是根据本发明一些实施例的将RFID电路集成到挠性电路中的示例性处理的流程图。
具体实施方式
提供了用于将RFID电路集成到挠性电路中的系统和方法。RFID集成电路能够嵌入到挠性电路的介电层内或嵌入到挠性电路的介电层与导电层之间。另外或可替换地，RFID天线可以集成到挠性电路的导电层中。此外，可以在挠性电路之外提供RFID电路的天线和集成电路两者，但是，可以将耦合集成电路和天线的RFID连接器集成到挠性电路中。
可以提供穿过挠性电路的绝缘通孔以将挠性电路的其他部分与RFID电路辐射的RF信号屏蔽开。RFID电路可以位于这样的绝缘通孔与挠性电路一侧之间，使得RF信号可以穿过挠性电路的该侧而辐射出去。
图1A是根据本发明一些实施例的可以包括集成到挠性电路150中的RFID电路110的系统100的示例性俯视图。挠性电路150可以是任何合适类型的挠性电路，可以是弧形的、弯曲的、或筒状的，并且可以能够经其传导一个或多个信号，包括但不限于，单面挠性电路、双接触(doubleaccess)或背裸挠性电路、浮雕式挠性电路、双面挠性电路、多层挠性电路、刚挠电路、聚合物厚膜挠性电路，以及它们的任意组合。RFID电路110可以是能够传送和/或处理RF信号的任何合适类型的RFID电路，包括但不限于，有源RFID电路、无源RFID电路、电池辅助无源(“BAP”)RFID电路，以及它们的任意组合。
如图1A所示，系统100也可以包括可以通过挠性电路150耦合到一起的第一电子组件192和第二电子组件198。例如，挠性电路150的第一端152可以耦合到第一电子组件192，并且，挠性电路150的第二端158可以耦合到第二电子组件198。组件192和198的每一个都可以是能够经由挠性电路150传送一个或多个信号的任何合适的电子组件，包括但不限于，处理组件、存储器组件、用户输入/输出(“I/O”)接口、在其上一个或多个其他电子组件可以相互连接的电路板、换能器、通信电路，以及它们的任意组合。
在一些实施例中，系统100可以是包括RFID电路110、挠性电路150、以及第一电子组件192和第二电子组件198之一或这两者的单个电子设备。例如，系统100可以是具有耦合到挠性电路的至少一个电子组件的任何合适的电子设备，包括任何便携、移动、手持、或小型消费电子设备。可替换地，这样的电子设备可以完全不是便携的。示例性电子设备可以包括但不限于，媒体播放器(例如，加州库比蒂诺的苹果公司提供的iPodTM)、媒体录制器、收音机、医疗设备、家庭用具、交通车辆装置、乐器、计算器、蜂窝电话(例如，苹果公司提供的iPhoneTM)、其他无线通信设备、个人数字助理、遥控器、寻呼机、计算机(例如，台式机、膝上型计算机、平板计算机、服务器等)、监视器、电视、立体声设备、机上盒、机顶盒、调制解调器、路由器、打印机，以及它们的组合。可替换地，系统100可以包括RFID电路110和挠性电路150并且有或没有第一电子组件192和/或第二电子组件198，它们各自可以是不在单个电子设备中提供的不同电子组件。
现在参照图1B，图1B是沿着图1A的线1B-IB取得的系统100的水平剖视图，挠性电路150可以包括一个或多个导电层和一个或多个介电层的堆叠。例如，如图所示，挠性电路150可以包括定位为沿着第一介电层170的顶部表面172的顶部导电层160。介电层170可以是能够为导电层160提供基础的挠性绝缘体。例如，介电层170可以由任何合适的绝缘材料构成，例如聚酰亚胺(“PI”)(例如，KaptonTM聚酰亚胺膜)、聚酯(“PET”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“PEN”)、聚醚酰亚胺(“PEI”)、聚氨酯、各种含氟聚合物(″FEP″)和/或共聚物中的任何一个，以及它们的组合。而且，介电层170可以具有任何合适的厚度dt。例如，厚度dt可以在5微米到150微米的范围内。在一些实施例中，厚度dt可以在20微米到60微米的范围内，而在其他实施例中，厚度dt可以在25微米到55微米的范围内。可以理解，介电层170的厚度dt可以是广泛不同的，并且不限于这些例子。
顶部导电层160可以是导电元件，从那里提供一个或多个电路信号路径。例如，导电层160可以由任何合适的导电材料构成，例如铜(“CU”)、金(“AU”)、或铝(“AL”)，所述导电材料可能经过或可能不经过各种类型的处理，例如退火或电镀。而且，导电层160可以具有任何合适的厚度ct。例如，厚度ct可以在5微米到50微米的范围内。在一些实施例中，厚度ct可以在10微米到30微米的范围内，而在其他实施例中，厚度ct可以在12微米到28微米的范围内。可以理解，导电层160的厚度ct可以是广泛不同的，并且不限于这些例子。
在一些实施例中，如图1B所示，例如，可以在顶部导电层160的至少一部分与第一介电层170的顶部表面172的至少一部分之间提供粘结层169。可以使用可将导电层160和介电层170维持在固定关系的任何合适的粘结剂来提供粘结层169。粘结层169可以具有任何合适的厚度at。例如，厚度at可以在5微米到50微米的范围内。在一些实施例中，厚度at可以在10微米到30微米的范围内，而在其他实施例中，厚度at可以在12微米到28微米的范围内。可以理解，粘结层169的厚度at可以是广泛不同的，并且不限于这些例子。在其他实施例中，挠性电路150可以不包括粘结层169。
虽然挠性电路150可以是只具有单个导电层160和单个介电层170的单面挠性电路，但是在其他实施例中，挠性电路150可以包括任何合适数量的导电层和任何合适数量的介电层的堆叠。例如，如图1B所示，挠性电路150也可以包括定位为沿着第一介电层170的底部表面178的底部导电层180。底部导电层180可以是任何合适的导电层以及可以与顶部导电层160相似。在一些实施例中，可以在底部导电层180的至少一部分与第一介电层170的底部表面178的至少一部分之间提供粘结层189。粘结层189可以是任何合适的粘结剂并且可以与粘结层169相似。而且，在一些实施例中，挠性电路150除了包括多个导电层，还可以包括多个介电层。例如，虽然没有在图1B中示出，但是挠性电路150可以包括位于顶部导电层160之上的或底部导电层180之下的第二介电层。
挠性电路150也可以包括一个或多个可以穿过介电层的至少一部分的导电通孔。例如，导电通孔174可以穿过介电层170的一部分，并且可以在沿着挠性电路150的长度(例如，在端152和158之间)的各个位置处电耦合到顶部导电层160和/或底部导电层180的一个或多个不同部分以用于沿着导电层连接迹线。
如图1B所示，RFID电路110可以包括RFID集成电路120、RFID天线140、和可以将集成电路120和天线140耦合在一起的RFID连接器130。RFID集成电路120可以是用于存储和/或处理信息、调制和/或解调RF信号、以及任何其他特定功能的任何合适的电路。RFID天线140可以是用于接收和/或发送RF信号的任何合适的天线(例如，隙缝天线、环形天线等)，而RFID连接器130可以是用于在集成电路120和天线140之间传送RF信号的任何合适的连接器(例如，一个或多个导线、迹线、通孔等)。集成电路120、连接器130和天线140中的至少一者可以被集成到挠性电路150中。
RFID电路110的RFID集成电路120的至少一部分可以集成到挠性电路150的任何一部分中。例如，如图1B所示，可以在介电层170中提供口袋173并且RFID集成电路120的至少一部分可以位于口袋173中。在一些实施例中，口袋173可以是通过钻孔或其他方式而形成在介电层170的顶部表面172中的，以使得口袋173可以通过顶部表面172中的开口露出。可替换地，口袋173可以不在介电层170的顶部表面172中的开口处露出，而是可以位于介电层170的顶部表面172与底部表面178之间并且所有的面被介电层170包围。可替换地，在一些实施例中，虽然没有在图1B中示出，但是RFID集成电路120的至少一部分可以被集成到导电层160或粘结层169中。
RFID电路110的天线140的至少一部分可以集成到挠性电路150任何部分中。例如，也如图1B所示，天线140可以集成到导电层160中。天线140的至少一部分可以通过使用任何合适的工艺而形成于导电层160中，这些工艺包括但不限于，冲压、蚀刻、掩模压印(例如，负像掩模压印)、光刻，以及它们的组合。可替换地，在一些实施例中，虽然没有在图1B中示出，但是RFID天线140的至少一部分可以集成到介电层170或粘结层169中。
RFID电路110的连接器130的至少一部分可以集成到挠性电路150的任何一部分中。例如，也如图1B所示，可以在导电层160和/或介电层170中提供连接器130的至少一部分。连接器130可以在集成电路120和天线140之间延伸。因此，如图1B所示，如果集成电路120的至少一部分位于介电层170的口袋173中并且天线140的至少一部分集成到导电层160中，则连接器130随后可以从集成电路120延伸出去，穿出介电层170的口袋173，穿过粘结层169，进入导电层160，并向天线140延伸。
虽然在图1B中示出RFID电路110的集成电路120、连接器130和天线140都被包括在挠性电路150的同一水平剖视面中，但是这些RFID组件的任何一个都可以在沿着挠性电路150长度的与这些RFID组件的任何其他一个的位置不同的位置处被集成到挠性电路150中。例如，虽然集成电路120可以如图1B所示地沿着挠性电路150定位(即，图1A的沿着挠性电路150的位置151)，但是天线140可以改为定位为沿着挠性电路150更靠近端158(即，图1A的沿着挠性电路150的位置159)。在这样一个实施例中，连接器130可以以任何合适的方式沿着挠性电路150在位置151的集成电路120和位置159的天线140之间延伸(例如，在介电层170、粘结层169、和/或导电层160的各个部分内)。
RFID电路110(例如，RFID标签)可以辐射RF信号以与外部RFID询问器或阅读器通信。为了将这些RF信号可能导致的对于挠性电路150的其他信令(例如，沿着导电通孔174和/或导电层160和180的部分)的任何RF干扰减小到最小，可以提供一个或多个绝缘通孔。例如，如图1B所示，可以提供在挠性电路150的顶部和底部之间穿过其至少一部分的第一绝缘通孔154。绝缘通孔154可以是任何合适的绝缘体，例如(例如，利用铜)经电镀的或未经电镀的通孔，所述通孔能够防止RFID电路110的至少一些RF信号干扰挠性电路150的其他部分。例如，绝缘通孔154可以从顶部导电层160延伸，穿过介电层170，到底部导电层180，从而将挠性电路150分成“RFID数据”部分153和“挠性数据”部分155。绝缘通孔154可以将挠性数据部分155与沿着图1B的箭头R的方向的来自RFID电路110的至少一些RF辐射屏蔽开。因此，来自RFID电路110的RF辐射可以沿着图1B的箭头L的方向从挠性电路150的一侧辐射出。当然，RFID电路110也可以将RF沿着箭头U的方向从挠性电路150的顶部辐射出和/或将RF沿着箭头D的方向从挠性电路的底部辐射出。
在一些实施例中，RFID电路110可以包括耦合到集成电路120的多个RFID天线或多个天线部分。例如，如图1B所示，RFID电路110也可以包括第二天线部分140a，第二天线部分140a可以经由第二连接器部分130a耦合到集成电路120。第二天线部分140a可以位于挠性电路150的任何合适的一个层或多个层，包括天线140所在的层或不同的层。如图1B所示，第二天线部分140a可以集成到底部导电层180中。例如，第一天线部分140和第二天线部分140a可以是环形天线的接触部分。可替换地，第一天线部分140和第二天线部分140a各自可以是不同的天线。例如，第一天线140可以是隙缝天线而第二天线140a可以是环形天线。
除了RFID电路110，附加的RFID电路可以被集成到挠性电路150中。例如，如图1B所示，第二RFID电路110′可以被集成到挠性电路150中。第二RFID电路110′可以与RFID电路110基本上相似，并且可以包括RFID集成电路120′、RFID连接器130′、和RFID天线140′。在一些实施例中，RFID集成电路120′不是位于介电层170的口袋内，而是可以位于介电层170的底部表面178与粘结层189之间，或如果没有提供粘结层则位于底部表面178与导电层180之间。
在一些实施例中，第二绝缘通孔156可以设置为穿过挠性电路150的顶部和底部之间的至少一部分，并且其可以与绝缘通孔154相似。例如，绝缘通孔156可以从顶部导电层160延伸，穿过介电层170，到底部导电层180，从而将挠性电路150分成RFID数据部分157和挠性数据部分155。这样的绝缘通孔可以防止来自RFID电路110′的至少一些RF辐射在图1B的箭头L的方向上朝向挠性电路150的挠性数据部分155辐射。因此，来自RFID电路110′的RF辐射可以沿着图1B的箭头R的方向从挠性电路150一侧辐射出。当然，RFID电路110′也可以沿着箭头U的方向将RF从挠性电路150的顶部辐射出和/或沿着箭头D的方向将RF从挠性电路的底部辐射出。
为了提高来自于RFID电路的RF的辐射，导电层的至少一部分可以不跨越挠性电路150的整个宽度而延伸。例如，如图1B所示，顶部导电层160可以不延伸经过绝缘通孔156而进入RFID数据部分157中(例如，顶部导电层160可以不延伸到与RFID电路110′的至少一部分临近的位置)。导电层160的一部分可以被移除或根本从不提供，这样它不会邻近RFID电路110′地延伸。RFID数据部分157中没有导电层160可以有助于RFID电路110′至少在箭头U的方向将RF辐射到挠性电路150外。
在其他实施例中，只有RFID电路的一部分可以被集成到挠性电路中，而RFID电路的另外一部分可以不通过挠性电路提供。例如，如图2所示，系统200可以与系统100相似，但是，不是将RFID集成电路集成到挠性电路中，而是，系统200可以在挠性电缆之外提供RFID集成电路。系统200可以包括RFID电路210，RFID电路210具有可以集成到挠性电路250中的RFID天线240和可以在第一电子组件292上提供的RFID集成电路220。RFID电路210也可以包括耦合RFID集成电路220和RFID天线240的RFID连接器230。例如，RFID连接器230可以从RFID天线240延伸出去，穿过挠性电路250(例如，穿过挠性电路250的一个或多个导电层和/或一个或多个介电层)，然后从挠性电路250向外延伸出去到RFID集成电路220。
与系统100类似，系统200也可以包括耦合到挠性电路250的第一端252的第一电子组件292和耦合到挠性电路250的第二端258的第二电子组件298。组件292和298的每一个可以是能够经由挠性电路250传送一个或多个信号的任何合适的电子组件，并且第一电子组件292可以是能够支持RFID集成电路220的任何合适的组件。例如，第一电子组件292可以是处理组件、存储器组件、电路板，或诸如此类。而且，与系统100类似，系统200可以是包括RFID电路210、挠性电路250、以及第一电子组件292和第二电子组件298之一或这两者的单个电子设备。可替换地，系统200可以包括RFID电路210、挠性电路250和第一电子组件292，并且有或没有第二电子组件298，它们的每一个都可以是不在单个电子设备中提供的不同的电子组件。
可以在挠性电路之外独立于挠性电路的位置处提供RFID集成电路，而不是在耦合到挠性电路的电子组件上提供RFID集成电路。例如，也如图2所示，系统200可以包括第二RFID电路210′，第二RFID电路210′可以与RFID电路210相似，不同在于第二RFID电路210′的RFID集成电路220′可以不在耦合到挠性电路250的电子组件上提供。而是，可以在不耦合到挠性电路250的第三组件299上提供的RFID连接器230′可以从RFID天线240′延伸出去，穿过挠性电路250(例如，穿过挠性电路250的一个或多个导电层和/或一个或多个介电层)，然后从挠性电路250向外延伸出去到RFID集成电路220′。第三组件299可以是与第一电子组件292相似的电子组件，或第三组件299可以根本不是电子的，而是例如，可以是电子设备的外壳组件。
在又一其他实施例中，不是在挠性电路之外提供RFID集成电路，而是，RFID集成电路可以集成到挠性电路中并且RFID天线可以在挠性电路之外提供。例如，如图3所示，虽然系统300可以与系统100相似，但是，不是将RFID天线集成到挠性电路中，而是，系统300可以在挠性电缆之外提供RFID天线。系统300可以包括RFID电路310，RFID电路310具有可以集成到挠性电路350中的RFID集成电路320和在第二电子组件398上提供的RFID天线340。RFID电路310也可以包括耦合RFID集成电路320和RFID天线340的RFID连接器330。例如，RFID连接器330可以从RFID集成电路320延伸出去，穿过挠性电路350(例如，穿过挠性电路350的一个或多个导电层和/或一个或多个介电层)，然后从挠性电路350向外延伸出去到RFID天线340。
与系统100类似，系统300也可以包括耦合到挠性电路350的第一端352的第一电子组件392和耦合到挠性电路350的第二端358的第二电子组件398。组件392和398的每一个都可以是能够经由挠性电路350传送一个或多个信号的任何合适的电子组件，并且第二电子组件398可以是能够支持RFID天线340的任何合适的组件。例如，第二电子组件398可以是处理组件、存储器组件、电路板，或诸如此类。在一些实施例中，第二电子组件398可以是其他类型的天线，例如BluetoothTM天线。而且，与系统100类似，系统300可以是包括RFID电路310、挠性电路350、以及第一电子组件392和第二电子组件398之一或这两者的单个电子设备。可替换地，系统300可以包括RFID电路310、挠性电路350和第二电子组件398，并且有或没有第一电子组件392，它们的每一个都可以是不在单个电子设备中提供的不同的电子组件。
不是在耦合到挠性电路的电子组件上提供RFID天线，而是可以在挠性电路之外独立于挠性电路的位置处提供RFID天线。例如，也如图3所示，系统300可以包括第二RFID电路310′，第二RFID电路310′可以与RFID电路310相似，不同在于第二RFID电路310′的RFID天线340′可以不在耦合到挠性电路350的电子组件上提供。而是，可以在不耦合到挠性电路350的第三组件399上提供的RFID连接器330′可以从RFID集成电路320′延伸出去，穿过挠性电路350(例如，穿过挠性电路350的一个或多个导电层和/或一个或多个介电层)，然后从挠性电路350向外延伸出去到RFID天线340′。第三组件399可以是与第二电子组件398相似的电子组件，或第三组件399可以根本不是电子的，而是例如，可以是电子设备的外壳组件。
在又一其他实施例中，不是将RFID集成电路和RFID天线的至少一个集成到挠性电路中，而是，RFID集成电路和RFID天线的每一个都可以在挠性电路之外提供并且通过集成到挠性电路中的RFID连接器互相耦合。例如，如图4所示，虽然系统400可以与系统100类似，但是，不是将RFID集成电路和RFID天线集成到挠性电路中，而是，系统400可以提供在挠性电缆之外的RFID集成电路和RFID天线以及集成到挠性电缆中的RFID连接器。系统400可以包括RFID电路410和挠性电路450。RFID电路410可以包括可以在第一电子组件492上提供的RFID集成电路420和可以在第二电子组件498上提供的RFID天线440。RFID电路410也可以包括耦合RFID集成电路420和RFID天线440的RFID连接器430。RFID连接器430可以被集成到挠性电路450中。例如，RFID连接器430可以从RFID集成电路420延伸出去，进入挠性电路450，穿过挠性电路450(例如，穿过挠性电路450的一个或多个导电层和/或一个或多个介电层)，然后从挠性电路450向外部延伸出去到RFID天线440。
与系统100类似，系统400也可以包括耦合到挠性电路450的第一端452的第一电子组件492和耦合到挠性电路450的第二端458的第二电子组件498。组件492和498的每一个可以是能够经由挠性电路450传送一个或多个信号的任何合适的电子组件，第一电子组件492可以是能够支持RFID集成电路420的任何合适的组件，并且第二电子组件498可以是能够支持RFID天线440的任何合适的组件。例如，第一电子组件492可以是电路板，并且第二电子组件498可以是BluetoothTM天线。而且，与系统100类似，系统400可以是包括RFID电路410、挠性电路450、第一电子组件492和第二电子组件498的单个电子设备。可替换地，系统400的组件可以是不同的并且不是在单个电子设备中提供的。而且，如关于图2的RFID集成电路220′和图3的RFID天线340′所描述的，RFID集成电路420和RFID天线440′之一或这两者可以在挠性电路450之外独立于挠性电路450的位置(没有示出)提供，而不是在耦合到挠性电路450的电子组件上提供。
图5示出用于形成挠性电路的示例性处理500的流程图。处理500可以在步骤502开始，沿着第一介电层的第一表面安置第一导电层，并且，在步骤540，将RFID电路的至少第一部分集成到第一导电层和第一介电层的至少一者中。在一些实施例中，RFID电路的第一部分可以是RFID集成电路。集成RFID集成电路可以包括将RFID集成电路安置在第一导电层与第一介电层的第一表面之间，或在那两个层中的一个与连接那两个层的粘结层之间。可替换地，集成RFID集成电路可以包括在第一介电层中形成口袋以及将RFID集成电路的至少一部分安置在口袋内。在一些实施例中，RFID电路的第一部分可以是RFID天线。集成RFID天线可以包括将天线的至少一部分成形、冲压、蚀刻、掩模压印、和/或光刻到第一导电层中。在一些实施例中，所有的RFID电路可以被集成到第一导电层和第一介电层的至少一个中。
应当理解的是，图5的过程500中示出的步骤仅仅是示例性的。可以在不偏离本发明的范围的情况下，对这些步骤中的任意一个进行移除、修改或组合，并且可以添加任何额外的步骤以及可以改变某些步骤的顺序。
虽然已经描述了用于将RFID电路集成到挠性电路中的系统和方法，但是应该理解，在不偏离本发明的精神和范围的情况下，可以作出许多更改。也应该理解，这里所使用的诸如“上”和“下”，“左”和“右”、“顶部”和“底部”等之类的各种方向性和朝向性的术语只是为了方便，使用这些词语并不意味着固定的或绝对的方向性或朝向性限制。
所描述的本发明的实施例是出于说明而非限制的目的而给出的。

Claims (21)

1.一种电子系统，包括：
挠性电路，包括
第一导电层和第二导电层，
位于第一导电层和第二导电层之间的介电层，和
与第一导电层、第二导电层和介电层中的每一者相邻的绝缘通孔；以及
位于挠性电路内的射频识别RFID电路，该RFID电路包括：
至少部分地位于所述介电层内的集成电路，
位于第一导电层和第二导电层中的每一个内的一天线，以及
与所述绝缘通孔分离的并将集成电路耦合到每个天线的连接器。
2.如权利要求1所述的电子系统，其中：
第一导电层定位为沿着所述介电层的第一表面；
集成电路：
或者位于所述介电层中的口袋内，
或者位于第一导电层与所述介电层之间；并且
第二导电层定位为沿着所述介电层的第二表面，第二表面与所述介电层的第一表面相对。
3.如权利要求1所述的电子系统，其中每个天线不被集成到所述绝缘通孔中。
4.如权利要求1所述的电子系统，其中每个天线位于绝缘通孔与挠性电路一侧之间。
5.如权利要求1所述的电子系统，其中：
第一导电层定位为沿着所述介电层的第一表面；并且
第二导电层定位为沿着所述介电层的第二表面，第二表面与所述介电层的第一表面相对。
6.如权利要求5所述的电子系统，其中，集成电路：
或者位于所述介电层中的口袋内；
或者位于第一导电层与所述介电层之间。
7.如权利要求1所述的电子系统，其中集成电路不被集成到所述绝缘通孔中。
8.如权利要求1所述的电子系统，其中：
第一导电层定位为沿着所述介电层的第一表面；以及
连接器的第一部分至少是以下之一：
位于所述介电层内；
位于第一导电层内；以及
位于所述介电层与第一导电层之间。
9.如权利要求1所述的电子系统，其中集成电路和每个天线不被集成到所述绝缘通孔中。
10.如权利要求1所述的电子系统，还包括：
第一电子组件；以及
经由挠性电路耦合到第一电子组件的第二电子组件。
11.如权利要求10所述的电子系统，其中：
连接器的至少第一部分被集成到挠性电路中。
12.如权利要求10所述的电子系统，其中：
连接器的至少第一部分被集成到挠性电路中；
集成电路被集成到挠性电路中；以及
至少一个天线在第二电子组件上提供。
13.如权利要求10所述的电子系统，其中：
连接器的至少第一部分被集成到挠性电路中；
至少一个天线被集成到挠性电路中；以及
集成电路连接到第一电子组件。
14.如权利要求10所述的电子系统，其中第一电子组件包括电路板。
15.如权利要求10所述的电子系统，其中第二电子组件包括换能器。
16.如权利要求10所述的电子系统，还包括单个电子设备，其中单个电子设备包括：
挠性电路；
RFID电路；
第一电子组件；以及
第二电子组件。
17.一种形成挠性电路的方法，所述方法包括：
沿着介电层的表面安置一导电层；
形成与所述导电层和所述介电层相邻的绝缘通孔；
将射频识别RFID电路的至少一部分集成到所述导电层和所述介电层中的至少一者中，其中RFID电路的所述部分是集成电路，并且其中集成包括在所述导电层与所述介电层的所述表面之间安置集成电路；以及
使用在所述导电层和所述介电层之间延伸的连接器将所述RFID电路的天线连接到所述集成电路，其中，所述连接器与所述绝缘通孔是分离的。
18.如权利要求17所述的方法，其中集成包括：
在所述介电层中形成一口袋；以及
将集成电路的至少一部分安置在口袋中。
19.如权利要求17所述的方法，其中集成包括将天线的至少一部分冲压到所述导电层中。
20.如权利要求17所述的方法，其中集成包括将天线的至少一部分蚀刻、掩模压印和光刻到所述导电层中的至少一者。
21.如权利要求17所述的方法，还包括：
将所述导电层的第一部分耦合到第一电子组件；以及
将所述导电层的第二部分耦合到第二电子组件。
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