CN103257254B - 一种探针尖端及其制作方法 - Google Patents
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- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 15
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 abstract description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 abstract description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009396 hybridization Methods 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
本发明公开了一种探针尖端及其制作方法,该探针尖端采用石墨烯加工而成。本发明最尖可达一个碳原子宽度,且可根据需要增大宽度一直到宏观尺寸。由于石墨烯的特性,这种尖端具有超高的电导率、强度、韧性、热导率和耐电流强度能力。本发明与传统的金属探针尖端相比,尖端更尖,同时强度和韧性更好。与碳纳米管探针尖端相比,本发明的尖端机械性能与其相当,但更容易加工、尖端宽度容易调节、且电导率更高。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件与纳米结构电学特性测试领域,具体来说涉及一种探针尖端及其制作方法。
背景技术
石墨烯是碳材料家族中的新成员,是碳原子以六方晶格形成二维薄膜材料,其中各碳原子之间以sp2杂化形成的σ键相连接,因此石墨烯的强度很高,同时具有非常优异的热学与电学性能。在石墨烯中,载流子具有非常高的本征迁移率,低温迁移率高达200000cm2/Vs,室温迁移率也高达27000cm2/Vs。石墨烯的热导率在3080到5300W/mK之间,远高于金刚石的室温热导率(1000~2300W/mK),石墨烯还能承受比Cu高6个数量级的电流密度。同时由于石墨烯具有平面结构,非常适合应用现有的半导体工业的平面工艺进行加工。
因此,本申请人希望提供一种石墨烯探针尖端及其制备方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种探针尖端及其制作方法,该探针尖端比传统的硅探针尖端更尖,同强度和韧性更好。与碳纳米管探针尖端相比,本发明的尖端机械性能与其相当,但更容易加工、尖端宽度容易调节、且电导率更高。
为了实现上述目的,本发明的技术方案如下:
一种探针尖端,其特征在于,所述探针尖端采用石墨烯加工而成。
一种探针尖端的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
A、利用CVD法制备晶圆级单层石墨烯薄膜;
B、在该石墨烯薄膜的一侧涂上光刻胶,另一侧金属化,得到一侧带有光刻胶层、另一侧带有金属化层的石墨烯薄膜;
C、将一侧带有光刻胶、另一侧金属化过的石墨烯薄膜用等离子体刻蚀成尖端结构状;
D、将尖端结构状的石墨烯薄膜卷绕成探针状,卷绕时要保证刻蚀出来的尖端位于探针的前端,同时光刻胶位于内表面,金属化层位于外表面;
E、腐蚀外表面的金属金属化层并去掉光刻胶层。
在本发明的一个优选实施例中,在完成步骤E之后,对探针尖端进行清洗和退火处理。
本发明最尖可达一个碳原子宽度,且可根据需要增大宽度一直到宏观尺寸。由于石墨烯的特性,这种尖端具有超高的电导率、强度、韧性、热导率和耐电流强度能力。本发明与传统的硅探针尖端相比,尖端更尖,同强度和韧性更好。与碳纳米管探针尖端相比,本发明的尖端机械性能与其相当,但更容易加工、尖端宽度容易调节、且电导率更高。
本发明的特点可参阅本案图式及以下较好实施方式的详细说明而获得清楚地了解。
附图说明
图1为本发明的石墨烯薄膜的示意图。
图2为尖端结构状石墨烯薄膜的示意图。
图3为卷绕成探针状的石墨烯薄膜的示意图。
图4为探针尖端的直流I-V特性示意图。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施例进一步阐述本发明。
一种探针尖端,探针尖端采用石墨烯加工而成。
该探针尖端的制作方法,包括以下步骤:
1、利用CVD法生长在200nm镍衬底上的直径为10cm晶圆大小单层石墨烯薄膜;
2、在该石墨烯薄膜的一侧涂上PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)光刻胶,然后将整体放入水性氯化铁(FeCl3)溶液(1M)中5-10分钟取出,完全腐蚀镍层;
3、在石墨烯薄膜没有光刻胶的一侧,用蒸发工艺形成40nmTi+80nmAu,作为金属电极;得到一侧带有光刻胶层110、另一侧带有金属化层120的石墨烯薄膜100,如图1所示;
4、将一侧带有光刻胶、另一侧金属化过的石墨烯薄膜用等离子体刻蚀成尖端结构状(如图2所示);尖端宽度可根据需要进行控制,最小宽度为单个碳原子宽度。
5、将尖端结构状的石墨烯薄膜卷绕成探针状,卷绕时要保证刻蚀出来的尖端位于探针的前端,同时光刻胶位于内表面,金属化层位于外表面;如图3所示;
6、卷绕完成后,整体放入盐酸溶液,常温下反应40分钟,探针尖端的Ti和Au电极被完全腐蚀掉;
7、通过等离子去胶机去掉探针尖端的光刻胶层。
8、为了进一步改善探针尖端的性能,需要对该探针尖端进行清洗和退火处理。将探针尖端置于硝酸溶液中浸泡10min,用氮气吹干后再用丙酮清洗,然后在空气中250℃下退火处理2h。经过上述处理后,探针尖端的薄膜方阻降低到30Ω/sq,其直流I-V特性如图4所示。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明的范围内。本发明要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。
Claims (2)
1.一种探针尖端的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
A、利用CVD法制备晶圆级单层石墨烯薄膜;
B、在该石墨烯薄膜的一侧涂上光刻胶,另一侧金属化,得到一侧带有光刻胶层、另一侧带有金属化层的石墨烯薄膜;
C、将一侧带有光刻胶、另一侧金属化过的石墨烯薄膜用等离子体刻蚀成尖端结构状;
D、将尖端结构状的石墨烯薄膜卷绕成探针状,卷绕时要保证刻蚀出来的尖端位于探针的前端,同时光刻胶位于内表面,金属化层位于外表面;
E、腐蚀外表面的金属金属化层并去掉光刻胶层。
2.根据权利要求1所述的探针尖端的制作方法,其特征在于,在完成步骤E之后,对探针尖端进行清洗和退火处理。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210032921.7A CN103257254B (zh) | 2012-02-15 | 2012-02-15 | 一种探针尖端及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210032921.7A CN103257254B (zh) | 2012-02-15 | 2012-02-15 | 一种探针尖端及其制作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103257254A CN103257254A (zh) | 2013-08-21 |
CN103257254B true CN103257254B (zh) | 2015-11-25 |
Family
ID=48961286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210032921.7A Expired - Fee Related CN103257254B (zh) | 2012-02-15 | 2012-02-15 | 一种探针尖端及其制作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103257254B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10732201B2 (en) * | 2014-04-13 | 2020-08-04 | Infineon Technologies Ag | Test probe and method of manufacturing a test probe |
CN103924209B (zh) * | 2014-04-30 | 2016-04-06 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 直接在针尖表面共形覆盖石墨烯的方法 |
CN104874911B (zh) * | 2015-05-27 | 2016-10-12 | 四川大学 | 一种微探针尖端成形激光加工系统 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102353817A (zh) * | 2011-06-30 | 2012-02-15 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 导电原子力显微镜的探针以及采用此探针的测量方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5186831B2 (ja) * | 2007-08-09 | 2013-04-24 | 富士通株式会社 | グラフェンを用いた電子デバイスの製造方法 |
KR101068668B1 (ko) * | 2009-09-09 | 2011-09-28 | 한국과학기술원 | 그래핀 산화물을 이용한 바이오 센서, 센싱 방법 및 그 시스템 |
-
2012
- 2012-02-15 CN CN201210032921.7A patent/CN103257254B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102353817A (zh) * | 2011-06-30 | 2012-02-15 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 导电原子力显微镜的探针以及采用此探针的测量方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
化学分散法制备石墨烯及结构表征;黄桂荣等;《炭素技术》;20091231;第28卷(第4期);10-15 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103257254A (zh) | 2013-08-21 |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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