CN103254802A - 一种抗光伏组件潜在电势诱导衰减的eva封装胶膜 - Google Patents
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- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 title abstract description 5
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 claims description 48
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 claims description 47
- QUAMTGJKVDWJEQ-UHFFFAOYSA-N octabenzone Chemical compound OC1=CC(OCCCCCCCC)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 QUAMTGJKVDWJEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N tert-Butyl hydroperoxide Substances CC(C)(C)OO CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- -1 (nonyl phenyl) phosphorous acid ester Chemical class 0.000 claims description 19
- RYAIMSPHUVXLQI-UHFFFAOYSA-N 4-(aminomethyl)-2-(benzotriazol-2-yl)phenol Chemical compound NCC1=CC=C(O)C(N2N=C3C=CC=CC3=N2)=C1 RYAIMSPHUVXLQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229950002083 octabenzone Drugs 0.000 claims description 13
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 12
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylpropan-2-ylperoxy)propan-2-ylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)(C)OOC(C)(C)C1=CC=CC=C1 XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 4
- CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N sebacic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCCC(O)=O CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- KGUHNPYZVOXLMM-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2,6,6-tetramethylpiperidin-4-yl)hexane-1,6-diamine Chemical compound CC1(C)CC(C(N)CCCCCN)CC(C)(C)N1 KGUHNPYZVOXLMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RKMGAJGJIURJSJ-UHFFFAOYSA-N 2,2,6,6-Tetramethylpiperidine Substances CC1(C)CCCC(C)(C)N1 RKMGAJGJIURJSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FUDSTWAOSUDFKD-UHFFFAOYSA-N 3-Desmethyl-5-deshydroxyscleroin Chemical compound OC1=C(O)C(OC)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 FUDSTWAOSUDFKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910014497 Ca10(PO4)6(OH)2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 101100283604 Caenorhabditis elegans pigk-1 gene Proteins 0.000 claims description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 2
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011964 heteropoly acid Substances 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 abstract 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000006708 antioxidants Nutrition 0.000 abstract 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 abstract 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 abstract 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 14
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 11
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 10
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 229910001410 inorganic ion Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 238000003490 calendering Methods 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000037427 ion transport Effects 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
- H01L31/0481—Encapsulation of modules characterised by the composition of the encapsulation material
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Abstract
本发明公开一种抗光伏组件潜在电势诱导衰减（PID）的EVA封装胶膜，该胶膜主要用于光伏组件封装领域。所述抗光伏组件潜在电势诱导衰减的EVA封装胶膜，由以重量份计的以下原料：乙烯-醋酸乙烯酯共聚物100份、引发剂0.2-1.5份、抗氧剂0.1-0.5份、紫外光吸收剂0.1-0.5份、光稳定剂0.1-0.5份、增粘剂0.1-1.0份、金属离子捕捉剂0.1-1份制备而成。本发明所述的抗光伏组件潜在电势诱导衰减（PID）的EVA封装胶膜通过在普通EVA封装胶膜中添加金属离子捕捉剂，降低金属离子的迁移率，从根源上提高光伏组件的抗PID特性，并且方法简单，成本低廉，有利于光伏产品的进一步普及。
Description
技术领域
本发明涉及一种EVA胶膜，具体涉及一种抗光伏组件潜在电势诱导衰减（PID）的EVA封装胶膜，该胶膜主要用于光伏组件封装领域。
背景技术
PID的全称是潜在电势诱导衰减（Potential-induced degradation），该现象最早由Sunpower于2005年发现。它是指组件在高电压作用下使得玻璃、封装材料之间存在漏电流，大量电荷聚集在电池片表面，使得电池片表面的钝化效果恶化，导致光伏组件的光电转换效率大幅下降，严重时下降幅度能达到80-90%。
从电池片功率衰减机理来讲，目前主要认为有三个原因：其一是光伏阵列的正向偏压会导致带正电的载流子穿过玻璃，通过接地边框流向地面，使得在电池片表面剩下带负电的载流子，从而导致前表面n+/n层的n+区域出现衰减现象。其二由于离子迁移发生在活性层内，使电池片的半导体结性能发生衰减并造成分流。其三是由于封装过程中出现的湿气会造成电池片栅线或焊带电解腐蚀导致串联电阻升高从而影响电池片产生电流损耗增大，导致光电转换功率下降。综合以上几个衰减机理，主要原因仍是组件中的金属离子迁移，主要有Na+、Ca2+、Ag+、Cu2+等等。
引起光伏组件PID的外部条件主要是高电压、潮湿、高温，在这种条件下，光伏组件内因腐蚀或物料自带的自由活动的金属离子较多，同时在潮湿、电压的作用下，其迁移率会增加，从而在这种环境下PID现象特别明显。由于光伏系统、组件以及电池片对光伏组件的PID程度均有所影响，可以采用优化光伏 组件阵列排布方式、减少组件的湿漏电流、优化电池片的结构方式来提高光伏组的抗PID特性，但这些改进成本较高，不利于光伏行业目前降低成本的发展趋势。
对于EVA胶膜来说，提高其体积电阻可以降低组件的湿漏电流，对改善组件的抗PID性能有一定作用，改善成本也低，但由于影响组件PID的因素是多方面的，仅仅改善其体积电阻的帮助始终受到局限。目前，在光伏行业领域，是急需一种解决光伏组件PID的低成本高效技术来加速光伏产业的发展。
发明内容
为克服现有技术的缺陷，本发明的目的在于提供一种抗光伏组件潜在电势诱导衰减（PID）的EVA封装胶膜，通过改进普通的EVA封装胶膜，捕捉光伏组件中有害的金属离子，以最低成本从根源上解决组件的PID问题。
为实现上述目的本发明所采用的技术方案如下：
一种抗光伏组件潜在电势诱导衰减的EVA封装胶膜，其由以重量份计的以下原料制备：
所述的引发剂为叔丁基过氧化乙酯酸、叔丁基过氧化碳酸-2-乙基己酯、过 氧化二异丙苯、2,5-二叔丁基过氧化-2,5-二甲基己烷、叔丁基过氧化异丙苯中的一种或两种以上混合。其中较佳的是叔丁基过氧化碳酸-2-乙基己酯。
所述的抗氧剂为三（壬基苯基）亚磷酸酯、三（2,4-二叔丁基苯基）亚磷酸酯、2,2，-亚甲基-双-（4-甲基-6-叔丁基苯酚）、3,5-二特丁基-4-羟基苯丙酸十八酯、四-（4-羟基-3,5-特丁基苯基丙酸）季戊四醇酯中的一种或两种以上混合。其中较佳的是三（壬基苯基）亚磷酸酯。
所述的紫外光吸收剂为二羟基-4-甲氧基二苯甲酮、2-（2’-羟基-5’-甲基苯基）苯并三唑、2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮、3,5二叔丁基-4-羟基苯甲酸-2,4-二叔丁基苯酯，其中较佳的是2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮中的一种或两种以上混合。
所述的光稳定剂为受阻胺类光稳定剂，选自N,N，-双(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-1,6-己二胺、癸二酸双-2,2,6,6-四甲基哌啶醇酯、双（2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基）癸二酸酯、2-（2’-羟基-5’-甲基苯基）-苯并三氮唑，其中较佳的是2-（2’-羟基-5’-甲基苯基）-苯并三氮唑中的一种或两种以上混合。
所述的增粘剂为硅烷偶联剂，选自γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、3―氨丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三（β-甲氧基乙氧基）硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷中的一种或两种以上混合。其中较佳的是乙烯基三（β-甲氧基乙氧基）硅烷。
离子捕捉剂的种类较多，主要由有机粒子捕捉剂和无机离子捕捉剂。本发明所采用的金属离子捕捉剂为无机离子捕捉剂或者有机的离子捕捉剂中的一种。但是由于有机离子捕捉剂的耐热性较差，一般在100℃以下使用较好，而且不耐有机溶剂，用途受到限制；而无机离子捕捉剂耐热性强，100℃以上仍可使用，对熔融树脂的耐受性高，具有强抗氧化性，在传统的一些电子行业也有使用，将其加入到环氧树脂的封装材料中，可以有效捕捉Na+、Cl-、Br-、Cu2+、 Ag+等杂质离子，防止环氧树脂的配线和电极被腐蚀，可以提高这些材料的耐腐蚀性。因此在本发明中效果较好的粒子捕捉剂为无机离子捕捉剂中硅铝酸盐、水合氧化物、多价金属酸性盐、杂多酸中的一种。优选的，本发明采用的金属离子捕捉剂具体为Sb2O5·2H2O，Bi2O3·nH2O、Zr(HPO4)2·H2O、Ti(HPO4)2·H2O、(NH4)3Mo12(PO4)40·nH2O、Ca10(PO4)6(OH)2、MgAl(CO3)(OH)·nH2O中的一种。其中效果最佳的是Zr(HPO4)2·H2O或MgAl(CO3)(OH)·nH2O。有机离子捕捉剂的基本机理如式1所示，本发明中所采用的无机离子捕捉剂捕捉机理如式2所示。
阳离子捕捉机理：Ｒ-OH＋M+→R－OM＋H+
阴离子捕捉机理：Ｒ-OH＋A—→R－A＋OH—
Ｒ-OH＋A—＋H+→R-OH2·A
式1：有机离子捕捉机理（基本反应）
Zr(HPO4)2·H2O+2Na+→Zr(Na PO4)2·H2O+2H+
Zr(HPO4)2·H2O+Cu2+→Zr(Cu PO4)2·H2O+2H+
MgAl(CO3)(OH)·nH2O+Cl—→MgAl(CO3)Cl·nH2O+OH—
式2：无机离子捕捉剂捕捉机理
本发明将离子捕捉剂创造性的运用在光伏行业的EVA封装胶膜中，通过捕捉有害的金属离子，来减少金属离子的迁移率，减弱其对电池片的影响，从而最终防止光伏组件的潜在电势诱导衰减。
本发明中的EVA胶膜的厚度可根据需要在0.1-1.0mm之间调节，通常光伏组件封装用厚度约为0.45mm，该胶膜在封装过程中交联，一般采用流延法或压延制得，具体步骤为：将乙烯-醋酸乙烯酯共聚物同其它功能助剂经过混料、熔融挤出、流延成膜，最后收卷制得成品。
本发明的有益效果在于：本发明所述的抗光伏组件潜在电势诱导衰减（PID）的EVA封装胶膜通过在普通EVA封装胶膜中添加金属离子捕捉剂，降低金属离 子的迁移率，从根源上提高光伏组件的抗PID特性，并且方法简单，成本低廉，有利于光伏产品的进一步普及。
下面结合具体的实施方式对本发明作进一步详细说明。
具体实施方式
以下是本发明部分具体实施例
实施例1
在100质量份醋酸乙烯含量为28%的EVA原料中加入0.2份叔丁基过氧化碳酸-2-乙基己酯，0.5份三（壬基苯基）亚磷酸酯，0.1份2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮，0.5份2-（2’-羟基-5’-甲基苯基）-苯并三氮唑，0.1份乙烯基三（β-甲氧基乙氧基）硅烷，0.1份Zr(HPO4)2·H2O，经过混料机混合均匀，投入流延机里，在80℃，经过塑化挤出、拉伸、牵引、收卷制成厚度约为0.45mm的EVA胶膜。
实施例2
在100质量份醋酸乙烯含量为33%的EVA原料中加入1.5份叔丁基过氧化碳酸-2-乙基己酯，0.1份三（壬基苯基）亚磷酸酯，0.5份2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮，0.1份2-（2’-羟基-5’-甲基苯基）-苯并三氮唑，1.0份乙烯基三（β-甲氧基乙氧基）硅烷，1份Zr(HPO4)2·H2O，经过混料机混合均匀，投入流延机里，在80℃，经过塑化挤出、拉伸、牵引、收卷制成厚度约为0.45mm的EVA胶膜。
实施例3
在100质量份醋酸乙烯含量为28%的EVA原料中加入1.0份叔丁基过氧化碳酸-2-乙基己酯，0.3份三（壬基苯基）亚磷酸酯，0.3份2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮，0.2份2-（2’-羟基-5’-甲基苯基）-苯并三氮唑，0.5份乙烯基三（β-甲 氧基乙氧基）硅烷，0.3份Zr(HPO4)2·H2O，经过混料机混合均匀，投入流延机里，在80℃，经过塑化挤出、拉伸、牵引、收卷制成厚度约为0.45mm的EVA胶膜。
实施例4
在100质量份醋酸乙烯含量为28%的EVA原料中加入1.0份叔丁基过氧化碳酸-2-乙基己酯，0.3份三（壬基苯基）亚磷酸酯，0.3份2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮，0.2份2-（2’-羟基-5’-甲基苯基）-苯并三氮唑，0.5份乙烯基三（β-甲氧基乙氧基）硅烷，0.3份MgAl(CO3)(OH)·nH2O，经过混料机混合均匀，投入流延机里，在80℃，经过塑化挤出、拉伸、牵引、收卷制成厚度约为0.45mm的EVA胶膜。
实施例5
在100质量份醋酸乙烯含量为33%的EVA原料中加入1.0份引发剂叔丁基过氧化碳酸-2-乙基己酯，0.3份三（壬基苯基）亚磷酸酯，0.3份2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮，0.2份2-（2’-羟基-5’-甲基苯基）-苯并三氮唑，0.5份乙烯基三（β-甲氧基乙氧基）硅烷，1份MgAl(CO3)(OH)·nH2O，经过混料机混合均匀，投入流延机里，在80℃，经过塑化挤出、拉伸、牵引、收卷制成厚度约为0.45mm的EVA胶膜。
实施例6
在100质量份醋酸乙烯含量为28%的EVA原料中加入1.0份引发剂叔丁基过氧化碳酸-2-乙基己酯，0.3份三（壬基苯基）亚磷酸酯，0.3份2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮，0.2份2-（2’-羟基-5’-甲基苯基）-苯并三氮唑，0.5份乙烯基三（β-甲氧基乙氧基）硅烷，0.1份MgAl(CO3)(OH)·nH2O经过混料机混合均匀，投入流延机里，在80℃，经过塑化挤出、拉伸、牵引、收卷制成厚度约为0.45mm 的EVA胶膜。
实施例7
在100质量份醋酸乙烯含量为28%的EVA原料中加入1.0份引发剂叔丁基过氧化碳酸-2-乙基己酯，0.3份三（壬基苯基）亚磷酸酯，0.3份2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮，0.2份2-（2’-羟基-5’-甲基苯基）-苯并三氮唑，0.5份乙烯基三（β-甲氧基乙氧基）硅烷，0.2份Zr(HPO4)2·H2O，0.2份MgAl(CO3)(OH)·nH2O经过混料机混合均匀，投入流延机里，在80℃，经过塑化挤出、拉伸、牵引、收卷制成厚度约为0.45mm的EVA胶膜。
对比例1
在100质量份醋酸乙烯含量为28%的EVA原料中加入1.0份引发剂叔丁基过氧化碳酸-2-乙基己酯，0.3份三（壬基苯基）亚磷酸酯，0.3份2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮，0.2份2-（2’-羟基-5’-甲基苯基）-苯并三氮唑，0.5份乙烯基三（β-甲氧基乙氧基）硅烷，经过混料机混合均匀，投入流延机里，在80℃，经过塑化挤出、拉伸、牵引、收卷制成厚度约为0.45mm的EVA胶膜。
对比例2
在100质量份醋酸乙烯含量为33%的EVA原料中加入1.0份引发剂叔丁基过氧化碳酸-2-乙基己酯，0.3份三（壬基苯基）亚磷酸酯，0.3份2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮，0.2份2-（2’-羟基-5’-甲基苯基）-苯并三氮唑，0.5份乙烯基三（β-甲氧基乙氧基）硅烷，经过混料机混合均匀，投入流延机里，在80℃，经过塑化挤出、拉伸、牵引、收卷制成厚度约为0.45mm的EVA胶膜。
性能测试
1.透光率
按ASTMD-1003测试EVA封装胶膜的透光率。
试验方法：按超白载玻片/EVA/超白载玻片结构在140℃，抽气6min、加压1min(1bar)、加压15min下制得样品，在分光光度计上测试其透光率。
2.光伏组件PID测试
按IEC62804系统偏压耐受测试，对光伏组件进行PID测试。
试验方法：采用实施例中的EVA在相同工艺以及其它物料相同下制备晶硅组件，在85℃、85%的湿度下，外加1000V的负电压，测试96h，对比测试前后组件的功率衰减。
性能测试结果见表1。
表1：实施例的性能测试结果
从表1的性能测试结果来看，实施例6和实施例7均为普通EVA封装胶膜，没有添加金属离子捕捉剂，其PID测试中光伏组件功率衰减较大，均超过了25%。其它实施例中均添加了金属离子捕捉剂，相对而言，光伏组件功率衰减均有所改善，并且不同的金属离子捕捉剂对光伏组件的PID影响不一，复合使用这些金属离子会有更好的效果。另外由于添加的是无机金属离子捕捉剂，其添加量过大会影响EVA封装胶膜的透光率，因此综合透光率和抗PID效果，实施例9 有比较好的效果，其透光率与常规EVA封装胶膜差别不大，同时组件电势诱导衰减仅为1.7%。
综上所述，本发明中所涉及到的一种抗光伏组件潜在电势诱导衰减的EVA封装胶膜，通过添加金属离子捕捉剂来从根源上解决电池片功率的衰减，该方法成本低，效果明显，能够提高中国光伏企业的核心竞争力，使太阳能产业的得到进一步发展。
上述实施方式仅为本发明的优选实施方式，不能以此来限定本发明保护的范围，本领域的技术人员在本发明的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本发明所要求保护的范围。
Claims (9)
1.一种抗光伏组件潜在电势诱导衰减的EVA封装胶膜，其特征在于：其由以重量份计的以下原料制备而成：
乙烯-醋酸乙烯酯共聚物 100份
引发剂 0.2-1.5份
抗氧剂 0.1-0.5份
紫外光吸收剂 0.1-0.5份
光稳定剂 0.1-0.5份
增粘剂 0.1-1.0份
金属离子捕捉剂 0.1-1份。
2.根据权利1所述的抗光伏组件潜在电势诱导衰减的EVA封装胶膜，其特征在于：所述的引发剂为叔丁基过氧化乙酯酸、叔丁基过氧化碳酸-2-乙基己酯、过氧化二异丙苯、2,5-二叔丁基过氧化-2,5-二甲基己烷、叔丁基过氧化异丙苯中的一种或两种以上混合。
3.根据权利1所述的抗光伏组件潜在电势诱导衰减的EVA封装胶膜，其特征在于：所述的抗氧剂为三（壬基苯基）亚磷酸酯、三（2,4-二叔丁基苯基）亚磷酸酯、2,2，-亚甲基-双-（4-甲基-6-叔丁基苯酚）、3,5-二特丁基-4-羟基苯丙酸十八酯、四-（4-羟基-3,5-特丁基苯基丙酸）季戊四醇酯中的一种或两种以上混合。
4.根据权利1所述的抗光伏组件潜在电势诱导衰减的EVA封装胶膜，其特征在于：所述的紫外光吸收剂为二羟基-4-甲氧基二苯甲酮、2-（2’-羟基-5’-甲基苯基）苯并三唑、2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮、3,5二叔丁基-4-羟基苯甲酸-2,4-二叔丁基苯酯，其中较佳的是2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮中的一种或两种以上混合。
5.根据权利1所述的抗光伏组件潜在电势诱导衰减的EVA封装胶膜，其特征在于：所述的光稳定剂为受阻胺类光稳定剂，选自N,N，-双(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)-1,6-己二胺、癸二酸双-2,2,6,6-四甲基哌啶醇酯、双（2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基）癸二酸酯、2-（2’-羟基-5’-甲基苯基）-苯并三氮唑。
6.根据权利1所述的抗光伏组件潜在电势诱导衰减的EVA封装胶膜，其特征在于：所述的增粘剂为硅烷偶联剂，选自γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、3―氨丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三（β-甲氧基乙氧基）硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷。
7.根据权利1所述的抗光伏组件潜在电势诱导衰减的EVA封装胶膜，其特征在于：所述的金属离子捕捉剂为硅铝酸盐、水合氧化物、多价金属酸性盐、杂多酸中的一种，或者是苯乙烯以及丙烯酸基的有机的离子捕捉剂中的一种。
8.根据权利7所述的抗光伏组件潜在电势诱导衰减的EVA封装胶膜，其特征在于：所述金属离子捕捉剂为Sb2O5·2H２O，Bi2O3·nH2O、Zr(HPO4)2·H2O、Ti(HPO4)2·H2O、(NH4)3Mo12(PO4)40·nH2O、Ca10(PO4)6(OH)2、MgAl(CO3)(OH)·nH2O中的一种。
9.根据权利1-8任一项所述的抗光伏组件潜在电势诱导衰减的EVA封装胶膜，其特征在于：所述EVA封装胶膜的厚度为0.1-1.0mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201310089748.9A CN103254802B (zh) | 2013-03-19 | 2013-03-19 | 一种抗光伏组件潜在电势诱导衰减的eva封装胶膜 |
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| CN103254802A true CN103254802A (zh) | 2013-08-21 |
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ID=48959031
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| CN201310089748.9A Active CN103254802B (zh) | 2013-03-19 | 2013-03-19 | 一种抗光伏组件潜在电势诱导衰减的eva封装胶膜 |
Country Status (1)
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Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105009305A (zh) * | 2014-01-20 | 2015-10-28 | 东洋油墨Sc控股株式会社 | 太阳能电池密封材料用树脂组合物、太阳能电池密封材料用母料以及太阳能电池密封材料 |
| CN105038624A (zh) * | 2015-08-05 | 2015-11-11 | 乐凯胶片股份有限公司 | 一种光伏用eva封装胶膜 |
| CN105086097A (zh) * | 2014-05-09 | 2015-11-25 | 杜邦公司 | 可交联的乙烯/乙酸乙烯酯共聚物的组合物及包含该组合物的太阳能电池封装材料 |
| CN105304740A (zh) * | 2015-10-12 | 2016-02-03 | 友达光电股份有限公司 | 光伏转换模块 |
| CN106601850A (zh) * | 2016-12-31 | 2017-04-26 | 江苏鹿山光电科技有限公司 | 一种抗蜗牛纹的封装膜及其制造方法 |
| CN107078172A (zh) * | 2014-07-14 | 2017-08-18 | 恩基科技股份有限公司 | 用于增强可靠性的涂层材料和方法 |
| CN107148676A (zh) * | 2014-12-26 | 2017-09-08 | 材料概念有限公司 | 太阳能电池模组及其制造方法 |
| CN107841256A (zh) * | 2016-09-19 | 2018-03-27 | 阿特斯(中国)投资有限公司 | 抗pid型光伏eva封装胶膜及其制备方法 |
| CN108034372A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-05-15 | 杭州福斯特应用材料股份有限公司 | 一种抗电势诱导衰减的光伏封装材料eva胶膜 |
| CN109705442A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-05-03 | 宁波能之光新材料科技股份有限公司 | 一种含伊/蒙粘土的光伏封装薄膜用抗pid功能母粒及其制备方法 |
| CN109705773A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-05-03 | 乐凯胶片股份有限公司 | 聚烯烃胶膜和太阳能电池 |
| CN111477707A (zh) * | 2020-04-27 | 2020-07-31 | 江苏东鋆光伏科技有限公司 | 一种采用透明塑料背板的双面光伏组件及其制备工艺 |
| CN112251166A (zh) * | 2020-10-21 | 2021-01-22 | 苏州赛伍应用技术股份有限公司 | 一种具有不同预交联度的封装胶膜及其制备方法 |
| CN112680126A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-04-20 | 浙江祥隆科技有限公司 | 一种高抗pid封装胶膜及其制备方法 |
| CN112898920A (zh) * | 2019-11-19 | 2021-06-04 | 杭州福斯特应用材料股份有限公司 | 用于形成抗pid封装胶膜的组合物、抗pid封装胶膜及太阳能组件 |
| WO2021232511A1 (zh) | 2020-05-20 | 2021-11-25 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种降低湿热衰减的阻隔型光伏焊带 |
| WO2021238116A1 (zh) * | 2020-05-28 | 2021-12-02 | 明冠新材料股份有限公司 | 一种光伏双玻组件封装专用抗pid的poe胶膜及其制备方法 |
| CN113956822A (zh) * | 2021-11-05 | 2022-01-21 | 明冠新材料股份有限公司 | 一种无溢胶的高反射率eva胶膜及其制备方法 |
| CN114686123A (zh) * | 2022-05-18 | 2022-07-01 | 嘉兴市海睿新材料有限公司 | 一种紫外光反应热熔胶黏剂组合物及其制备方法 |
| CN115537142A (zh) * | 2022-08-30 | 2022-12-30 | 杭州师范大学 | 一种钠离子阻隔膜及其制备方法 |
| CN116396688A (zh) * | 2023-02-13 | 2023-07-07 | 杭州东光科技有限公司 | 一种光伏组件用抗pid型eva胶膜及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010053018A1 (ja) * | 2008-11-04 | 2010-05-14 | 株式会社ブリヂストン | 接着シート、及びこれを用いた太陽電池 |
| CN102604557A (zh) * | 2012-03-22 | 2012-07-25 | 中山大学 | 一种太阳能光伏组件用eva封装胶膜及其制备方法 |
| CN102762652A (zh) * | 2010-02-18 | 2012-10-31 | 株式会社普利司通 | 太阳能电池用密封膜以及使用其的太阳能电池 |
-
2013
- 2013-03-19 CN CN201310089748.9A patent/CN103254802B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010053018A1 (ja) * | 2008-11-04 | 2010-05-14 | 株式会社ブリヂストン | 接着シート、及びこれを用いた太陽電池 |
| CN102762652A (zh) * | 2010-02-18 | 2012-10-31 | 株式会社普利司通 | 太阳能电池用密封膜以及使用其的太阳能电池 |
| CN102604557A (zh) * | 2012-03-22 | 2012-07-25 | 中山大学 | 一种太阳能光伏组件用eva封装胶膜及其制备方法 |
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105009305A (zh) * | 2014-01-20 | 2015-10-28 | 东洋油墨Sc控股株式会社 | 太阳能电池密封材料用树脂组合物、太阳能电池密封材料用母料以及太阳能电池密封材料 |
| CN105086097A (zh) * | 2014-05-09 | 2015-11-25 | 杜邦公司 | 可交联的乙烯/乙酸乙烯酯共聚物的组合物及包含该组合物的太阳能电池封装材料 |
| CN107078172A (zh) * | 2014-07-14 | 2017-08-18 | 恩基科技股份有限公司 | 用于增强可靠性的涂层材料和方法 |
| CN107148676B (zh) * | 2014-12-26 | 2020-07-03 | 材料概念有限公司 | 太阳能电池模组及其制造方法 |
| CN107148676A (zh) * | 2014-12-26 | 2017-09-08 | 材料概念有限公司 | 太阳能电池模组及其制造方法 |
| CN105038624A (zh) * | 2015-08-05 | 2015-11-11 | 乐凯胶片股份有限公司 | 一种光伏用eva封装胶膜 |
| CN105304740A (zh) * | 2015-10-12 | 2016-02-03 | 友达光电股份有限公司 | 光伏转换模块 |
| CN107841256A (zh) * | 2016-09-19 | 2018-03-27 | 阿特斯(中国)投资有限公司 | 抗pid型光伏eva封装胶膜及其制备方法 |
| CN106601850A (zh) * | 2016-12-31 | 2017-04-26 | 江苏鹿山光电科技有限公司 | 一种抗蜗牛纹的封装膜及其制造方法 |
| CN108034372A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-05-15 | 杭州福斯特应用材料股份有限公司 | 一种抗电势诱导衰减的光伏封装材料eva胶膜 |
| CN108034372B (zh) * | 2017-12-27 | 2020-06-23 | 杭州福斯特应用材料股份有限公司 | 一种抗电势诱导衰减的光伏封装材料eva胶膜 |
| CN109705442A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-05-03 | 宁波能之光新材料科技股份有限公司 | 一种含伊/蒙粘土的光伏封装薄膜用抗pid功能母粒及其制备方法 |
| CN109705442B (zh) * | 2018-12-14 | 2021-09-07 | 宁波能之光新材料科技股份有限公司 | 一种含伊/蒙粘土的光伏封装薄膜用抗pid功能母粒及其制备方法 |
| CN109705773A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-05-03 | 乐凯胶片股份有限公司 | 聚烯烃胶膜和太阳能电池 |
| CN112898920A (zh) * | 2019-11-19 | 2021-06-04 | 杭州福斯特应用材料股份有限公司 | 用于形成抗pid封装胶膜的组合物、抗pid封装胶膜及太阳能组件 |
| CN111477707A (zh) * | 2020-04-27 | 2020-07-31 | 江苏东鋆光伏科技有限公司 | 一种采用透明塑料背板的双面光伏组件及其制备工艺 |
| CN111477707B (zh) * | 2020-04-27 | 2021-08-06 | 江苏东鋆光伏科技有限公司 | 一种采用透明塑料背板的双面光伏组件及其制备工艺 |
| WO2021232511A1 (zh) | 2020-05-20 | 2021-11-25 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种降低湿热衰减的阻隔型光伏焊带 |
| WO2021238116A1 (zh) * | 2020-05-28 | 2021-12-02 | 明冠新材料股份有限公司 | 一种光伏双玻组件封装专用抗pid的poe胶膜及其制备方法 |
| CN112251166A (zh) * | 2020-10-21 | 2021-01-22 | 苏州赛伍应用技术股份有限公司 | 一种具有不同预交联度的封装胶膜及其制备方法 |
| CN112680126A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-04-20 | 浙江祥隆科技有限公司 | 一种高抗pid封装胶膜及其制备方法 |
| CN113956822A (zh) * | 2021-11-05 | 2022-01-21 | 明冠新材料股份有限公司 | 一种无溢胶的高反射率eva胶膜及其制备方法 |
| CN114686123A (zh) * | 2022-05-18 | 2022-07-01 | 嘉兴市海睿新材料有限公司 | 一种紫外光反应热熔胶黏剂组合物及其制备方法 |
| CN115537142A (zh) * | 2022-08-30 | 2022-12-30 | 杭州师范大学 | 一种钠离子阻隔膜及其制备方法 |
| CN116396688A (zh) * | 2023-02-13 | 2023-07-07 | 杭州东光科技有限公司 | 一种光伏组件用抗pid型eva胶膜及其制备方法 |
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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