CN103247633A - 电路基板、制造电路基板的方法以及光电装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种电路基板、制造电路基板的方法以及光电装置。该电路基板包括在绝缘基板上的多个器件、与器件一一对应连接的多个导电层和提供在器件和导电层之间的绝缘层。绝缘层包括覆盖器件的第一绝缘层、在第一绝缘层上形成的第二绝缘层和每个在厚度方向上贯穿第一和第二绝缘层的多个接触孔。第一和第二绝缘层的侧面在每个接触孔内部的至少部分中彼此接触。每个导电层沿着第二绝缘层的上表面、接触孔侧面的至少第一和第二绝缘层的侧面彼此接触的一部分和接触孔的底部表面延伸。

Description

电路基板、制造电路基板的方法以及光电装置
技术领域
本发明涉及电路基板以及制造该电路基板的方法，该电路基板包括诸如玻璃基板的绝缘基板，在该玻璃基板上提供驱动电路以驱动像素。本发明还涉及包括该电路基板的光电装置。
背景技术
在有源矩阵类型面板中，薄膜晶体管（TFT）在像素电路中用作开关器件。TFT与像素电极和信号配线形成在诸如玻璃基板的绝缘基板上（例如，见日本未审查专利申请公开No.2011-145441）。
发明内容
例如，在上述面板中，由诸如SiN的无机材料制成的第一绝缘层和由诸如丙烯酸的树脂材料制成的第二绝缘层提供在TFT和像素电极之间。第一绝缘层完全覆盖TFT，并且第二绝缘层具有用作上表面的平坦表面，在该平坦表面上形成像素电极。像素电极通过贯穿绝缘层的接触孔连接到TFT的漏极电极。当像素电极是薄层的形式时，像素电极形成为沿着接触孔的内表面（侧面和底部表面）延伸。然而，因为第一绝缘层和第二绝缘层在形成接触孔时的分开的工艺中被分开蚀刻，所以在第一绝缘层中开口和第二绝缘层中开口的边界处会产生楼梯状台阶，并且该楼梯状台阶会导致在像素电极中产生台阶切口。
类似地，在诸如电极和配线的导电层形成于其中的电路基板中，可能沿着贯穿多个堆叠层的接触孔的侧面产生这样的台阶切口。
考虑到上述点设计了本发明，并且所希望的是提供电路基板，在该电路基板中在接触孔的侧面处几乎不发生由台阶切口引起的断开，还希望提供制造该电路基板的方法以及包括该电路基板的光电装置。
根据本发明实施例的电路基板包括多个器件、与多个器件一一对应连接的多个导电层以及提供在器件和导电层之间的绝缘层，该多个器件、多个导电层和绝缘层提供在绝缘基板上。绝缘层包括覆盖器件的第一绝缘层和在第一绝缘层上形成的第二绝缘层。绝缘层还包括每一个在第一绝缘层和第二绝缘层的厚度方向上贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的多个接触孔。第一绝缘层的侧面和第二绝缘层的侧面在接触孔的每一个的内部的至少部分中彼此接触。导电层形成为使导电层的每一个沿着第二绝缘层的上表面、接触孔的对应一个的侧面的至少第一绝缘层的侧面和第二绝缘层的侧面彼此接触的一部分和接触孔的底部表面延伸。
根据本发明另一个实施例的光电装置包括光电面板，该光电面板包括电路基板。光电装置的电路基板具有与上述电路基板相同的元件。
在根据本发明实施例的电路基板和光电装置中，每一个在第一绝缘层和第二绝缘层的厚度方向上贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的多个接触孔提供在器件和导电层之间。第一绝缘层的侧面和第二绝缘层的侧面在接触孔的每一个内部的至少部分中彼此接触。因此，不包括楼梯状台阶的连续侧面提供在每一个接触孔内部的至少部分中。
根据本发明再一个实施例的制造电路基板的方法包括：
（A）在绝缘基板上形成多个器件之后，形成覆盖器件的第一绝缘层和覆盖第一绝缘层的第二绝缘层，
（B）在形成贯穿第二绝缘层的第一开口之后，形成具有第二开口的抗蚀剂层，第一开口底部表面的全部或部分以及第一开口侧面的部分通过该第二开口暴露，
（C）采用抗蚀剂层作为掩模通过选择性地蚀刻第一绝缘层和第二绝缘层，然后移除抗蚀剂层，在第一绝缘层中形成第三开口，该第三开口接触第一开口侧面的至少部分，并且通过该第三开口暴露器件的对应一个的部分，以及
（D）形成导电层，使得导电层的每一个沿着第二绝缘层的上表面、其中第一开口侧面和第三开口侧面彼此接触的部分和器件暴露于第三开口的底部表面的部分延伸。
在根据本发明实施例的上述方法中，在第一绝缘层和第二绝缘层的厚度方向上贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的成对的第一开口和第三开口（在下文将称为“接触孔”）提供在器件和导电层之间。第一开口的侧面和第三开口的侧面在接触孔的至少部分中彼此接触。因此，不包括楼梯状台阶的连续侧面提供在每一个接触孔的内部的至少部分中。
根据本发明的实施例，在电路基板、制造电路基板的方法和光电装置中，不包括楼梯状台阶的连续侧面可提供在每个接触孔的内部的至少部分中，并且因此可允许在接触孔的侧面处几乎不发生由台阶切口导致的断开的构造。
附图说明
图1是示出根据本发明第一实施例的电路基板截面构造的截面图；
图2A和2B是每一个示出图1的接触孔示例截面构造的截面图；
图2C是图1的接触孔示例平面构造的平面图；
图3A和3B是每一个示出图1的接触孔的另一个示例截面构造的截面图；
图3C是图1的接触孔的另一个示例平面构造的平面图；
图4是示出制造图1的电路基板的示例工艺的截面图；
图5是示出图4工艺的后续示例工艺的截面图；
图6是示出图5工艺的后续示例工艺的截面图；
图7A和7B是每一个示出图6开口的示例平面构造的平面图；
图8是示出图6工艺的后续示例工艺的截面图；
图9是示出图8工艺的后续示例工艺的截面图；
图10A是示出图9工艺的后续示例工艺的截面图；
图10B是图10A中由虚线围绕的部分的放大图；
图11是示出根据比较示例制造电路基板的示例工艺的截面图；
图12是示出图11的开口的示例平面构造的平面图；
图13是示出图11工艺的后续示例工艺的截面图；
图14是示出图13的接触孔的示例平面构造的平面图；
图15是示出图13工艺的后续工艺的示例的截面图；
图16是图15的接触孔的下部的示例构造的放大图；
图17是示出根据本发明第二实施例的显示装置的整体构造的示意图；
图18是示出图17的显示面板示例截面构造的截面图；
图19是示出根据本发明第三实施例的成像装置全部构造的示意图；
图20是示出图19的成像面板示例截面构造的截面图；以及
图21是示出根据显示装置应用示例的电子装置外观的透视图。
具体实施方式
下文，将参照附图详细描述实施本发明的实施例。应注意描述将按以下顺序给出：
1.第一实施例（电路基板）
2.第二实施例（显示装置）
3.第三实施例（成像装置）
4.应用示例（电子装置）
<1.第一实施例>
[构造]
图1是示出根据本发明第一实施例的电路基板10的示例截面构造的截面图。电路基板10用于诸如显示装置或者光接收装置的光电装置，并且例如包括在绝缘基板11上的多个薄膜晶体管（TFT）12、与TFT12一一对应连接的多个电极15以及提供在TFT12和电极15之间的绝缘层（保护膜13和平坦化层14）。应注意TFT12对应于本发明中“器件”的具体示例，并且电极15对应于本发明中“导电层”的具体示例。另外，保护膜13对应于本发明中“第一绝缘层”的具体示例，并且平坦化层14对应于本发明中“第二绝缘层”的具体示例。
绝缘基板11是在制造工艺中于其上形成TFT12等的基板，并且例如是玻璃基板或树脂基板。例如，TFT12的每一个包括栅极电极12A、覆盖栅极电极12A和绝缘基板11的栅极绝缘膜12B以及半导体层12C，半导体层12C设置成与栅极电极12A相对且栅极绝缘膜12B插入半导体层12C与栅极电极12A之间。半导体层12C在垂直于栅极电极12A的方向上延伸，并且例如由a-Si和n+Si制成。例如，TFT12还包括与半导体层12C一端接触的漏极电极12D和与半导体层12C另一端接触的源极电极12E。
保护膜13是覆盖漏极电极12D和源极电极12E的钝化膜，并且例如由诸如SiN的无机材料制成。平坦化层14是绝缘层，该绝缘层是具有作为上表面的平坦表面的厚膜，并且例如由诸如光敏树脂（具体而言，光敏丙烯酸树脂）的树脂材料制成。
例如，电极15提供为允许电压从TFT12侧施加到光电装置（未示出），该光电装置形成为接触电极15的表面。例如，电极15用作显示面板的像素电极或者光接收面板的像素电极。当电极15用作显示面板的像素电极时，光电装置构造为包括液晶层。另一方面，当电极15用作成像面板的像素电极时，光电装置构造为包括光接收装置。以下将描述电极15形成为沿着平坦化层14的平坦表面的一部分和接触孔16内表面（侧面和底部表面）的全部延伸，并且以薄层的形式形成。应注意，作为示例，图1示出了电极15形成为沿着平坦化层14的上表面的一部分和接触孔16内表面（侧面和底部表面）的全部延伸的情况。
电路基板10还包括每一个在厚度方向上贯穿保护膜13和平坦化层14的多个接触孔16。接触孔16的每一个在对应的一个TFT12的漏极电极12D的正上方形成。应注意，尽管图1中未示出，但是接触孔16也可形成在TFT12的源极电极12E的正上方。保护膜13和平坦化层14暴露于接触孔16的侧面，并且TFT12的漏极电极12D暴露于接触孔16的底部表面。保护膜13对应于接触孔16的部分称为开口16B，并且开口16B形成接触孔16的下部。另一方面，平坦化层14对应于接触孔16的部分称为开口16A，并且开口16A形成接触孔16的上部。
图2A和2B的每一个是示出接触孔16和接触孔16附近部分的示例截面构造的截面图。图2C是示出当从垂直于绝缘基板11的方向上看接触孔16的侧面和底部表面时接触孔16的示例平面构造的平面图。应注意，图2A的截面构造对应于沿着图2C的线IIA-IIA剖取的截面构造，并且图2B的截面构造对应于沿着图2C的线IIB-IIB剖取的截面构造。
保护膜13的侧面13B和平坦化层14的侧面14B暴露于接触孔16的侧面。当从垂直于绝缘基板11的方向上看时，侧面13B的形状为具有小宽度的环形形状，并且侧面13B在其内侧接触漏极电极12D。当从垂直于绝缘基板11的方向上看时，侧面14B的形状为具有大于侧面13B宽度的较大宽度的环形形状，并且侧面14B在其内侧接触侧面13B。就是说，侧面13B和侧面14B以环形形状彼此接触，并且在侧面13B和侧面14B的边界处没有楼梯状台阶。在侧面13B和侧面14B彼此接触的部分中，侧面13B的倾斜角和侧面14B的倾斜角可以彼此相同，或者可彼此不同。然而，在任何情况下，侧面13B和侧面14B的每一个关于绝缘基板11的倾斜角不为90度。这是因为在形成保护膜13中对应于接触孔16下部的开口16B的制造工艺中，通过同时蚀刻平坦化层14与保护膜13形成了侧面13B和侧面14B彼此接触的部分，以下将详细描述。
接触孔16不限制于图2A至2C中所示的构造，而是可具有图3A至3C中所示的构造。应注意图3A和3B是每一个示出接触孔16和接触孔16附近部分的另一个示例截面构造的截面图。图3C是当从垂直于绝缘基板11的方向上看接触孔16的侧面和底部表面时，示出接触孔16的平面构造的另一个示例的平面图。应注意图3A的截面构造对应于沿着图3C的线IIIA-IIIA剖取的截面构造，并且图3B的截面构造对应于沿着图3C的线IIIB-IIIB剖取的截面构造。
保护膜13的侧面13B、平坦化层14的侧面14B和保护膜13的上表面暴露于接触孔16的侧面。当从垂直于绝缘基板11的方向上看时，侧面13B具有小宽度的环形形状，并且在其内侧接触漏极电极12D。另外，当从垂直于绝缘基板11的方向上看时，侧面13B具有环形形状，该环形形状具有纵向（longitudinal direction）和横向（lateral direction）。侧面13B的宽度（具体而言，当从垂直于绝缘基板11的方向上看时，侧面13B的宽度）在其延伸在纵向上的部分中大于在其延伸在横向上的部分中。就是说，侧面13B在其延伸在纵向上的部分中的倾斜角比在其延伸在横向上的部分中的倾斜角更平缓。
当从垂直于绝缘基板11的方向上看时，侧面14B具有环形形状，该环形形状的宽度大于侧面13B的环形形状的宽度，并且该侧面14B在其内侧接触侧面13B（具体而言，侧面13B在纵向上延伸的部分）和保护膜13的上表面。另外，当从垂直于绝缘基板11的方向上看时，侧面14B具有环形形状，该环形形状具有纵向和横向。侧面14B在纵向上延伸的部分平行于侧面13B在纵向上延伸的部分。侧面14B在纵向上延伸的部分和侧面13B在纵向上延伸的部分彼此接触。侧面14B在横向上延伸的部分平行于侧面13B在横向上延伸的部分。侧面14B在横向上延伸的部分和侧面13B在横向上延伸的部分彼此不接触，并且保护膜13的上表面暴露于侧面14B在横向上延伸的部分与侧面13B在横向上延伸的部分之间的部分中。
在图2A至2C示例和图3A到3C示例的每一个中，侧面13B和侧面14B在接触孔16的内部的至少部分中彼此接触。电极15形成为沿着接触孔16侧面的其中侧面13B和侧面14B彼此接触的部分、平坦化层14的上表面位于接触孔16外部的部分和接触孔16的底部表面延伸。
[制造方法]
接下来，将参照图4至10描述制造电路基板10的示例方法。首先，在绝缘基板11上顺序形成TFT12、保护膜13以及平坦化层14（图4）。然后，开口16A（第一开口）通过蚀刻（湿蚀刻）形成为贯穿平坦化层14（图5）。例如，尽管图5中未示出，但是在保护膜13上施加未固化状态的光敏丙烯酸树脂后，在要形成开口16A的部分中设置掩模，用紫外线辐射光敏树脂和掩模以部分固化光敏树脂，然后，通过蚀刻（湿蚀刻）移除光敏树脂没有暴露于紫外线的部分，因此形成具有开口16A的平坦化层14。
然后，形成具有开口18A（第二开口）的抗蚀剂层18（图6），开口16A底部表面的全部或部分以及开口16A侧面的部分通过该开口18A暴露。在形成中，当开口18A形成为暴露开口16A底部表面的全部和开口16A侧面的接触开口16A底部表面的环形形状部分的全部时，开口16A的侧面（平坦化层14的侧面14B）和开口16A的底部表面（保护膜13的上表面）以环形形状彼此接触（图7A）。
另一方面，当开口18A形成为只暴露开口16A底部表面的部分和开口16A侧面的接触开口16A底部表面的环形形状部分的部分时，开口16A的侧面（平坦化层14的侧面14B）和开口16A的底部表面（保护膜13的上表面）以直线形状彼此接触（图7B）。在此情况下，通过后续蚀刻工艺在抗蚀剂层18中提供开口18A，以便当从垂直于绝缘基板11的方向上看时，侧面13B和侧面14B的每一个具有环形形状，该环形形状具有纵向和横向，并且侧面13B在纵向上延伸的部分与侧面14B在纵向上延伸的部分彼此接触（图7B）。
然后，采用抗蚀剂层18作为掩模，选择性蚀刻（干蚀刻）保护膜13以及平坦化层14，因此在保护膜13中形成开口16B（第三开口），该开口16B接触开口16侧面（平坦化层14的侧面14B）的至少部分，并且TFT12的部分（漏极电极12D）通过其暴露（图8）。此后，移除抗蚀剂层18（图9）。
然后形成电极15。具体而言，电极15形成为沿着平坦化层14的上表面、其中开口16A的侧面和开口16B的侧面彼此接触的部分和暴露于开口16B底部表面的TFT12的部分（漏极电极12D）延伸（图10A）。作为示例，应注意图10A示出了电极15形成为沿着平坦化层14的上表面和开口16的内表面（侧面和底部表面）的全部延伸的情况。因此，完成电路基板10。
在图10A中由虚线围绕的部分（即，接触孔16的底部表面）中，如图10B的放大图所示，侧面13B和侧面14B彼此接触，并且在侧面13B和侧面14B的边界处没有楼梯状台阶。因此，在电极15中侧面13B和侧面14B的边界处没有产生台阶切口（stepped cut）。
[优点]
接下来，将参照比较示例描述电路基板10和制造其的方法的优点。
图11至16是示出根据比较示例制造电路基板的工艺的示意图。如图11和12中所示，在图5中所示的工艺之后，当开口118A形成为使得抗蚀剂层118到达开口16A的底部表面时，抗蚀剂层118的侧面118B不与平坦化层14的侧面14B接触，但与保护膜13的上表面接触。在上述状态下，如果用抗蚀剂层118作为掩模干蚀刻保护膜13，不仅保护膜13的侧面13B和平坦化层14的侧面14B，而且保护膜13的上表面也会暴露于接触孔160的侧面，如图13和14所示。此外，在此情况下，保护膜13的侧面13B的倾斜角在接触孔160的侧面处是非常陡的。就是说，在侧面13B和侧面14B的边界处产生楼梯状台阶。结果，如图15所示，当电极119形成为沿着平坦化层14的上表面和接触孔160的内表面延伸时，在电极119中保护膜13的侧面13B和漏极电极12D的边界处产生台阶切口，如图15中由虚线围绕的部分的放大图（图16）所示。
另一方面，根据本发明的实施例，每一个在厚度方向上贯穿保护膜13和平坦化层14的多个接触孔16提供在TFT12和电极15之间。保护膜13的侧面13B和平坦化层14的侧面14B在接触孔16内部的至少部分中彼此接触。如上所述，这是因为在保护膜13中形成对应于接触孔16的下部的开口16B的制造工艺中，通过同时蚀刻（干蚀刻）平坦化层14与保护膜13形成其中侧面13B和侧面14B彼此接触的部分。因此，不包括楼梯状台阶的连续侧面提供在接触孔16内部的至少部分中。因此，由台阶切口引起的断开几乎不发生在接触孔16的侧面处。
<2.第二实施例>
[构造]
图17是示出根据本发明第二实施例的显示装置1的整体构造的示意图。显示装置1包括上述电路基板10。例如，显示装置1包括显示面板20、从后面照明显示面板20的背光30和控制显示面板20的控制电路40。应注意，显示装置1对应于本发明中“光电装置”的具体示例，并且显示面板20对应于本发明中“光电面板”的具体示例。
显示面板20调制从背光30中发出的光以显示图像。显示面板20包括将多个显示像素21设置成矩阵的像素区域20A，以及形成为围绕像素区域20A的框架区域20B。框架区域20B包括信号线驱动电路22和扫描电路23作为用以驱动显示像素21的驱动电路。框架区域20B还包括信号配线24，该信号配线24将信号线驱动电路22和扫描电路23电连接到控制电路40。显示面板20构造为通过信号线驱动电路22和扫描电路23有源（active）驱动显示像素21，因此根据从外部接收的图像信号显示图像。
这里的显示像素21对应于在显示面板20上构成屏幕的最小单元的点。例如，当显示面板20是有彩色显示面板时，显示像素21对应于每一个发出红色、绿色或蓝色的单色光的子像素，并且当显示面板20是单色显示面板时，显示像素21对应于每一个发出白色光的像素。
例如，显示像素21的每一个包括液晶层（以下将描述的液晶层26）、像素电极（以下将描述的像素电极15）和相对电极（以下将描述的相对电极29），以及连接到像素电极的转换器件，其中像素电极和相对电极提供为允许电压施加到液晶层。转换器件由TFT（上述的TFT12）形成。所形成的相对电极是片状电极，使得在整个像素区域20A之上延伸并且用作显示像素21共享的公用电极。
显示面板20包括沿着行延伸的多个扫描线SCL1和沿着列延伸的多个信号线DTL1。显示像素21提供在对应于信号线DTL1和扫描线SCL1的交叉的位置。信号线DTL1的每一个连接到信号线驱动电路22的输出端（未示出），并且例如还连接到显示像素21的对应一个中的TFT（上述的TFT12）的源极或漏极。扫描线SCL1的每一个连接到扫描电路23的输出端（未示出），并且例如还连接到显示像素21的对应一个中的TFT（上述的TFT12）的栅极。
图18是示出显示面板20的示例截面构造的截面图。显示面板20包括根据第一实施例的电路基板10、相对基板25和插入基板（电路基板10和相对基板25）之间的液晶层26。应注意，尽管图18中未示出，但是显示面板20还包括电路基板10下侧的偏光片和相对基板25上侧的另一个偏光片。例如，相对基板25包括在保护基板27的下表面上的滤色器28和相对电极29，该保护基板27由玻璃基板或透明树脂等形成。滤色器28包括在其与作为像素电极的电极15相对的部分中的滤光部分28A和在其的其他部分中的黑色矩阵28B。
例如，控制电路40提供为在帧存储器中为每一帧（对于一帧的每一显示）储存和保持所提供的图像信号。例如控制电路40也具有控制提供为驱动显示面板20的信号线驱动电路22和扫描电路23的功能，使得信号线驱动电路22和扫描电路23彼此协力操作。例如控制电路40构造为通过信号配线24将扫描定时控制信号提供到扫描电路23。此外，例如控制电路40构造为根据帧存储器中保持的图像信号和显示定时控制信号通过信号配线24将用于一条水平线的图像信号提供到信号线驱动电路22。
例如信号线驱动电路22设置为将由控制电路40提供的用于一条水平线的图像信号或者对应其的信号提供给显示像素21。具体而言，信号线驱动电路22设置为通过信号线DTL1提供图像信号或者与其对应的信号给通过扫描电路23选取的构成一条水平线的显示像素21。
扫描电路23提供为选择性地扫描用于每一个像素行的显示像素21。例如扫描电路23具有选择显示像素21的功能，其中显示像素21是根据由控制电路40提供的扫描定时控制信号用于显示的驱动目标。例如扫描电路23构造为将选择脉冲通过扫描线SCL1施加到显示像素21，以选择像素区域20A中多个显示像素21中的一行作为用于显示的驱动目标。然后，根据由信号线驱动电路22提供的信号为显示像素21的每行执行一个水平线的显示。因此，扫描电路23以时钟分享方式顺序为每一个水平线执行扫描以执行整个像素区域20A的显示。
[优点]
接下来，将描述显示装置1的优点。在显示装置1中，作为显示面板20的电路基板，使用第一实施例的电路基板10。因此，由台阶切口引起的电极15的断开可几乎不发生在接触孔16中。结果，例如甚至当显示面板20通过形成具有进一步减小的宽度的接触孔16而形成为甚至更高清晰度的显示面板时，也可以实现高产率。
<3.第三实施例>
[构造]
图19是示出根据本发明第三实施例的成像装置2的整体构造的示意图。成像装置2包括上述的电路基板10。例如成像装置2包括成像面板50和用以控制成像面板50的控制电路60。应注意，成像装置2对应于本发明中“光电装置”的具体示例，并且成像面板50对应于本发明中“光电面板”的具体示例。
成像面板50包括其中多个光接收像素51设置成矩阵的像素区域50A，和形成为围绕像素区域50A的框架区域50B。框架区域50B包括用以驱动光接收像素51且作为驱动电路的扫描电路53，还包括用以检测来自光接收像素51的输出的检测电路52。框架区域50B还包括将检测电路52和扫描电路53电连接到控制电路60的信号配线54。成像面板50构造为，当光接收像素51由扫描电路53顺次选择时，根据光能量的大小，将从光接收像素51输出的信号作为图像信号输出到外部。
例如光接收像素51的每一个包括光接收器件（以下将描述的光接收器件56）、像素电极（以下将描述的像素电极15）、相对电极（以下将描述相对电极58）以及连接到像素电极的转换器件，像素电极和相对电极提供为允许电压施加到光接收器件。转换器件由TFT（上述的TFT12）形成。相对电极是为每一个像素列形成的条状电极且用作在每一个像素列中共享的公用电极。
成像面板50包括沿着行延伸的多个扫描线SCL2和沿着列延伸的多个检测线DTL2。光接收像素51提供在与检测线DTL2和扫描线SCL2的交叉对应的位置处。检测线DTL2的每一个连接到检测电路52的输出端（未示出），例如还连接到对应一个光接收像素51中的TFT（上述的TFT12）的源极或漏极。扫描线SCL2的每一个连接到扫描电路53的输出端（未示出），例如还连接到对应一个光接收像素51中的TFT（上述的TFT12）的栅极。
图20是示出成像面板50示例截面构造的截面图。成像面板50包括第一实施例的电路基板10、相对基板55、插入基板（电路基板10和相对基板55）之间的光接收器件56和嵌入以填充围绕光接收器件56的部分的嵌入式层59。例如相对基板55包括在由玻璃基板或透明树脂等形成的保护基板57的下表面上的相对电极58。尽管图20中未示出，但是例如相对基板55还包括黑色矩阵，黑色矩阵在其上不形成光接收装置56的部分中。
[优点]
接下来将描述成像装置2的优点。在成像装置2中，作为成像面板50的电路基板，使用第一实施例的电路基板10。因此，由台阶切口引起的电极51的断开可几乎不在接触孔16中发生。结果，例如甚至当成像面板50通过形成具有进一步减少的宽度的接触孔16而形成为甚至更高清晰度的成像面板时，也可以实现高产率。
<4.应用示例>
以下将描述第二实施例的显示装置1的应用示例。图21是示意性地示出根据本应用示例的电子装置100示例构造的透视图。如图21所示，电子装置100是移动电话，例如包括主体部分111和显示部分112，显示部分112提供为相对于主体部分111可开启和可关闭。主体部分111包括操作按钮115和话筒部分（mouthpiece portion）116。显示部分112包括显示装置113和听筒部分117。显示装置113构造为在显示屏幕114上为电话通信显示各种显示。电子装置100包括控制显示装置113操作的控制单元（未示出）。控制单元提供为控制电子装置100全部的控制单元的部分，或者作为在主体部分111或显示部分112中来自其的分离的控制单元。
显示装置113具有与第二实施例的显示装置1相同的构造。因此，例如作为显示装置113，高清晰度显示装置可以以低成本安装在显示部分112中。
应注意，除上述移动电话外，可应用第二实施例的显示装置1的电子装置的示例包括个人计算机、液晶电视机、取景型或监视器直视型录像机、汽车导航系统、寻呼机、电子记事本、电子计算器、文字处理器、工作站、视频电话系统和POS终端等。
此外，例如，本发明可采取以下构造。
（1）一种电路基板，包括：
多个器件，
多个导电层，与器件一一对应连接，以及
绝缘层，提供在器件和导电层之间，
器件、导电层和绝缘层提供在绝缘基板上，
其中绝缘层包括覆盖器件的第一绝缘层、在第一绝缘层上形成的第二绝缘层和每一个在其厚度方向上贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的多个接触孔，
其中第一绝缘层的侧面和第二绝缘层的侧面在每个接触孔内部的至少部分中彼此接触，并且
其中该多个导电层形成为使得该多个导电层的每一个沿着该第二绝缘层的上表面、对应一个该接触孔的侧面的至少该第一绝缘层的侧面和该第二绝缘层的侧面彼此接触的一部分和该接触孔的底部表面延伸。
（2）根据（1）的电路基板，
其中第一绝缘层的侧面和第二绝缘层的侧面以环形形状彼此接触。
（3）根据（1）的电路基板，
其中当从垂直于绝缘基板的方向上看时，第一绝缘层的侧面和第二绝缘层的侧面的每个具有环形形状，该环形形状具有纵向和横向，并且
其中第一绝缘层的侧面沿着纵向延伸的部分和第二绝缘层的侧面沿着纵向延伸的部分彼此接触。
（4）根据（1）至（3）任一项的电路基板，
其中导电层形成为导电层的每一个沿着接触孔的对应一个的侧面的全部和底部表面的全部延伸。
（5）根据（1）至（4）任一项的电路基板，
其中器件是薄膜晶体管（TFT），并且
其中导电层是像素电极。
（6）根据（5）的电路基板，
其中接触孔形成为使接触孔的每一个位于对应一个TFT的源极电极或漏极电极正上方，并且
其中导电层接触源极电极或漏极电极。
（7）根据（1）至（6）任一项的电路基板，
其中第一绝缘层由无机材料制成，并且
其中第二绝缘层由树脂材料制成。
（8）根据（1）的电路基板，
其中第一绝缘层的侧面和第二绝缘层的侧面彼此接触的部分，在于第一绝缘层中形成对应于每个接触孔的下部的开口的制造工艺中，通过同时蚀刻第一绝缘层与第二绝缘层而形成。
（9）一种光电装置包括：
光电面板，包括电路基板，
其中电路基板包括多个器件、与器件一一对应连接的多个导电层和提供在器件和导电层之间的绝缘层，器件、导电层和绝缘层提供在绝缘基板上,
其中绝缘层包括覆盖器件的第一绝缘层、在第一绝缘层上形成的第二绝缘层和在其厚度方向上每个贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的多个接触孔，
其中第一绝缘层的侧面和第二绝缘层的侧面在接触孔的每一个内部的至少部分中彼此接触，并且
其中导电层形成为使导电层的每一个沿着第二绝缘层的上表面、接触孔的对应一个的侧面的至少部分和接触孔的底部表面延伸，其中接触孔的对应一个的侧面的至少部分中第一绝缘层的侧面和第二绝缘层的侧面彼此接触。
（10）一种制造电路基板的方法，该方法包括：
在绝缘基板上形成多个器件之后，形成覆盖多个器件的第一绝缘层和覆盖第一绝缘层的第二绝缘层，
在形成贯穿第二绝缘层的第一开口之后，形成抗蚀剂层，该抗蚀剂层具有第二开口，第一开口底部表面的全部或部分和第一开口的侧面的部分通过该第二开口被暴露，
采用抗蚀剂层作为掩模，通过选择性地蚀刻第一绝缘层和第二绝缘层，然后移除抗蚀剂层，在第一绝缘层中形成第三开口，该第三开口接触第一开口侧面的至少部分，并且器件的对应一个的部分通过该第三开口被暴露，以及
形成导电层，使导电层的每一个沿着第二绝缘层的上表面、第一开口侧面和第三开口侧面彼此接触的部分和器件的暴露于第三开口底部表面的部分延伸。
（11）根据（10）的方法，
其中在具有第二开口的抗蚀剂层的形成中，该第二开口形成为使得第一开口底部表面的全部和第一开口侧面的与第一开口底部表面接触的环形形状部分的全部被暴露。
（12）根据（10）的方法，
其中在具有第二开口的抗蚀剂层的形成中，该第二开口形成为使得仅第一开口底部表面的部分和第一开口侧面的与第一开口底部表面接触的环形形状的部分被暴露。
（13）根据（12）的方法，
其中在具有第二开口的抗蚀剂层的形成中，该第二开口提供在抗蚀剂层中，从而通过在第三开口形成中执行的蚀刻，使得当从垂直于绝缘基板的方向看时，第一开口侧面和第三开口侧面的每一个具有环形形状，且该环形形状具有纵向和横向，并且第一开口侧面沿着纵向延伸的部分和第三开口侧面沿着纵向延伸的部分彼此接触。
本申请包含于2012年2月8日提交日本专利局的日本优先权专利申请JP2012-024894中公开的相关主题事项，其全部内容通过引用结合于此。
本领域的技术人员应当理解的是，在所附权利要求或其等同方案的范围内，根据设计需要和其他因素，可以进行各种修改、结合、部分结合和替换。

Claims (13)

1.一种电路基板，包括：
多个器件；
多个导电层，与该多个器件一一对应连接；以及
绝缘层，提供在该多个器件和该导电层之间，
该多个器件、该多个导电层和该绝缘层提供在绝缘基板上，
其中该绝缘层包括覆盖该多个器件的第一绝缘层、在该第一绝缘层上形成的第二绝缘层和每一个在该第一绝缘层和该第二绝缘层的厚度方向上贯穿该第一绝缘层和该第二绝缘层的多个接触孔，
其中该第一绝缘层的侧面和该第二绝缘层的侧面在该多个接触孔的每一个的内部的至少一部分中彼此接触，并且
其中该多个导电层形成为使得该多个导电层的每一个沿着该第二绝缘层的上表面、对应一个该接触孔的侧面的至少该第一绝缘层的侧面和该第二绝缘层的侧面彼此接触的一部分和该接触孔的底部表面延伸。
2.根据权利要求1所述的电路基板，
其中该第一绝缘层的侧面和该第二绝缘层的侧面以环形形状彼此接触。
3.根据权利要求1所述的电路基板，
其中当从垂直于该绝缘基板的方向上看时，该第一绝缘层的侧面和该第二绝缘层的侧面的每一个均具有环形形状，且该环形形状具有纵向和横向，并且
其中该第一绝缘层的侧面的沿着该纵向延伸的部分和该第二绝缘层的侧面的沿着该纵向延伸的部分彼此接触。
4.根据权利要求1所述的电路基板，
其中该多个导电层形成为使该多个导电层的每一个沿着对应的一个该接触孔的整个侧面和整个底部表面延伸。
5.根据权利要求1所述的电路基板，
其中该多个器件的每一个是薄膜晶体管，并且
其中该多个导电层的每一个是像素电极。
6.根据权利要求5所述的电路基板，
其中该接触孔形成为使该接触孔的每一个位于对应的一个该薄膜晶体管的源极电极或漏极电极正上方，并且
其中该多个导电层的每一个接触该源极电极或该漏极电极。
7.根据权利要求1所述的电路基板，
其中该第一绝缘层由无机材料制成，并且
其中该第二绝缘层由树脂材料制成。
8.根据权利要求1所述的电路基板，
其中在于该第一绝缘层中形成与该接触孔的每一个的下部对应的开口的制造工艺中，该第一绝缘层的侧面和该第二绝缘层的侧面彼此接触的部分通过同时蚀刻该第一绝缘层和该第二绝缘层而形成。
9.一种光电装置包括：
光电面板，包括电路基板，
其中该电路基板包括多个器件、与该多个器件一一对应连接的多个导电层和提供在该多个器件和该多个导电层之间的绝缘层，该多个器件、该多个导电层和该绝缘层提供在绝缘基板上,
其中该绝缘层包括覆盖该多个器件的第一绝缘层、在该第一绝缘层上形成的第二绝缘层和每一个在该第一绝缘层和该第二绝缘层的厚度方向上贯穿该第一绝缘层和该第二绝缘层的多个接触孔，
其中该第一绝缘层的侧面和该第二绝缘层的侧面在该接触孔的每一个的内部的至少部分中彼此接触，并且
其中该多个导电层形成为使该多个导电层的每一个沿着该第二绝缘层的上表面、对应一个该接触孔的侧面的至少第一绝缘层的侧面和该第二绝缘层的侧面彼此接触的一部分和该接触孔的底部表面延伸。
10.一种制造电路基板的方法，包括：
在绝缘基板上形成多个器件之后，形成覆盖该多个器件的第一绝缘层和覆盖该第一绝缘层的第二绝缘层；
在形成贯穿该第二绝缘层的第一开口之后，形成具有第二开口的抗蚀剂层，该第一开口的底部表面的全部或部分和该第一开口的侧面的部分通过该第二开口暴露；
采用抗蚀剂层作为掩模通过选择性蚀刻该第一绝缘层和该第二绝缘层，在该第一绝缘层中形成第三开口，该第三开口接触该第一开口的侧面的至少部分，并且对应一个该多个器件的一部分通过该第三开口被暴露，然后移除该抗蚀剂层；以及
形成多个导电层，使得该多个导电层的每一个沿着该第二绝缘层的上表面、其中该第一开口的侧面和该第三开口的侧面彼此接触的部分和器件暴露于该第三开口底部表面的部分延伸。
11.根据权利要求10所述的方法，
其中在具有该第二开口的该抗蚀剂层的形成中，该第二开口形成为该第一开口底部表面的全部和该第一开口的侧面的接触该第一开口底部表面的环形形状部分的全部被暴露。
12.根据权利要求10所述的方法，
其中在具有该第二开口的该抗蚀剂层的形成中，该第二开口形成为仅暴露该第一开口底部表面的部分和该第一开口的侧面的接触该第一开口底部表面的环形形状的部分。
13.根据权利要求12所述的方法，
其中在具有该第二开口的该抗蚀剂层的形成中，该第二开口提供在该抗蚀剂层中，从而通过在该第三开口的形成中执行蚀刻，当从垂直于该绝缘基板的方向看时，该第一开口的侧面和该第三开口的侧面的每一个具有环形形状，且该环形形状具有纵向和横向，并且该第一开口的侧面的在该纵向上延伸的部分和该第三开口的侧面的在该纵向上延伸的部分彼此接触。
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