CN103218076A - 一种内嵌式触摸屏及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种内嵌式触摸屏及显示装置，将至少一条栅极信号线作为触控扫描线，在阵列基板位于相邻列的像素单元之间设置触控读取线，并在位于触控扫描线和触控读取线所限定区域内设置触控单元；每个触控单元由光感子单元，触控电极以及触控信号控制子单元组成；光感子单元通过触控电极与触控信号控制子单元相连，光感子单元输出到触控信号控制子单元的控制信号随着外部光线以及触控电极耦合电容的变化而变化；触控信号控制子单元分别与触控扫描线和触控读取线相连，触控信号控制子单元在触控扫描线传递电信号时，将经过控制信号调制的触控感测信号通过触控读取线输出。相对于单一的电容式触摸屏，可以提高触摸屏的触摸灵敏度。

Description

一种内嵌式触摸屏及显示装置
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种内嵌式触摸屏及显示装置。
背景技术
随着显示技术的飞速发展，触摸屏（Touch Screen Panel）已经逐渐遍及人们的生活中。目前，触摸屏按照工作原理可以分为：电阻式、电容式、红外线式、表面声波式、电磁式、振波感应式以及受抑全内反射光学感应式等。触摸屏按照组成结构可以分为：触摸传感外挂式（双层）、触摸传感在覆盖面（单层）、触摸传感在面板上面、触摸传感在面板内部（内嵌）。其中，触摸传感在面板内部的结构既可以减薄触摸屏整体的厚度，又可以大大降低触摸屏的制作成本，受到各大面板厂家青睐。
目前，主要通过电阻式、电容式或光学式的传感方式，实现触摸传感在面板内部的设计。其中，电阻传感式属于低端传感技术，制作出的产品一般寿命较短；电容传感式主要适合于中小尺寸，即10寸以下的触摸屏；而光学传感式在屏幕的尺寸上不受限制，制作出的产品寿命较长，且相对稳定，但是光学传感式触摸屏需要依赖于光环境，在没有光的情况下无法实现触控操作。
发明内容
本发明实施例提供了一种内嵌式触摸屏及显示装置，用以实现高触摸灵敏度的触摸屏。
本发明实施例提供的一种内嵌式触摸屏，包括具有栅极信号线的阵列基板，且在所述阵列基板上设有呈矩阵排列的多个像素单元；
阵列基板中的至少一条栅极信号线作为触控扫描线；
所述阵列基板具有位于相邻列的像素单元之间的触控读取线；
所述阵列基板具有位于所述触控扫描线和触控读取线所限定区域内的触控单元；其中，
每个触控单元由光感子单元，触控电极以及触控信号控制子单元组成；所述光感子单元通过所述触控电极与所述触控信号控制子单元相连，所述光感子单元输出到所述触控控制子单元的控制信号随着外部光线以及触控电极耦合电容的变化而变化；所述触控信号控制子单元分别与所述触控扫描线和触控读取线相连，所述触控信号控制子单元在所述触控扫描线传递电信号时，将经过所述控制信号调制的触控感测信号通过所述触控读取线输出。
本发明实施例提供的一种显示装置，包括本发明实施例提供的内嵌式触摸屏。
本发明实施例的有益效果包括：
本发明实施例提供的一种内嵌式触摸屏及显示装置，将阵列基板中的至少一条栅极信号线作为触控扫描线，在阵列基板位于相邻列的像素单元之间设置触控读取线，并在位于触控扫描线和触控读取线所限定区域内设置触控单元；其中，每个触控单元由光感子单元，触控电极以及触控信号控制子单元组成；光感子单元通过触控电极与触控信号控制子单元相连，光感子单元输出到触控信号控制子单元的控制信号随着外部光线以及触控电极耦合电容的变化而变化；触控信号控制子单元分别与触控扫描线和触控读取线相连，触控信号控制子单元在触控扫描线传递电信号时，将经过控制信号调制的触控感测信号通过触控读取线输出。由于调制触控感测信号的控制信号会随着外部光线以及触控电极耦合电容的变化而变化，相对于单一的电容式触摸屏，在有环境光的情况下，可以提高触摸屏的触摸灵敏度；并且相对于单一的光学传感式触摸屏，在无环境光的情况下，也可以实现触控操作，减少了触摸屏对光环境的依赖。
附图说明
图1为本发明实施例提供的内嵌式触摸屏的结构示意图之一；
图2为本发明实施例提供的内嵌式触摸屏的结构示意图之二；
图3a至图3c为本发明实施例提供的触控单元的具体电路示意图；
图4为与图3a所示的电路图对应的电路时序图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明实施例提供的内嵌式触摸屏及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。
本发明实施例提供的一种内嵌式触摸屏，包括：具有栅极信号线GateN（N=1，2，3……）的阵列基板1，且在阵列基板1上设有呈矩阵排列的多个像素单元01，具体如图1所示，其中DataN表示阵列基板上的数据信号线；
阵列基板1中的至少一条栅极信号线GateN作为触控扫描线（例如图1中Gate2和Gate4作为触控扫描线）；
阵列基板1具有位于相邻列的像素单元01之间的触控读取线Read outN（N=1，2，3……）；
阵列基板1具有位于触控扫描线Gate2和Gate4和触控读取线Read out1和Read out2所限定区域内的触控单元02（图1中未示出触控单元的具体结构）；其中，
每个触控单元由光感子单元，触控电极以及触控信号控制子单元组成；光感子单元通过触控电极与触控信号控制子单元相连，光感子单元输出到触控信号控制子单元的控制信号随着外部光线以及触控电极耦合电容的变化而变化；触控信号控制子单元分别与触控扫描线和触控读取线相连，触控信号控制子单元在触控扫描线传递电信号时，将经过控制信号调制的触控感测信号通过触控读取线输出。
进一步地，如图2所示，在本发明实施例提供的上述触摸屏中，在与阵列基板相对设置的彩膜基板上一般具有用于屏蔽电场的屏蔽层；该屏蔽层至少在与触控单元对应区域为开口区域，即在屏蔽层对应触控单元的区域无图案，无图案的区域为图2中虚线框所示，当然还可以根据需要在屏蔽层中的其他区域设置开口区域，在此不做限定。外部光线可以从该开口区域照射到触控单元中的光感子单元处，且手指会通过该开口区域与触控电极之间形成电容。
一般地，触摸屏的触控精度通常在毫米级，而阵列基板的显示精度通常在微米级，可以看出，触控屏所需的触控扫描线和触控读取线比阵列基板显示所需的驱动线（数据信号线和栅极信号线）要少的多，因此，在本发明实施例提供的触摸屏中，在设定触控读取线和触控扫描线时，一般可以将各触控扫描线之间的间距设置为相同，各触控读取线之间的间距设置为相同。
最佳地，可以将各触控扫描线之间的间距与各触控读取线之间的间距设置为相同，以统一触摸屏的触控精度。
进一步地，在阵列基板中实现位于相邻列的像素单元之间的触控读取线时，可以将各触控读取线与阵列基板中的数据信号线同层设置且相互绝缘，即在制备各数据信号线的同时制备出与其相互绝缘的触控读取线，这样，在制备阵列基板时不需要增加额外的制备工序，只需要通过一次构图工艺即可形成数据信号线和触控读取线的图形，能够节省制备成本，提升产品附加值。当然可以分别制备触控读取线和数据信号线，在此不做限定。
具体地，本发明实施例提供的上述触摸屏，在触控扫描线和触控读取线所限定区域内设置触控单元时，可以采用金属或透明导电氧化物作为触控电极的材料。
并且，触控电极可以与阵列基板中的像素电极或公共电极材料相同、同层制备且需要保证两者相互绝缘；触控单元也可以与阵列基板中的晶体管器件的源漏极材料相同、同层制备且保证两者相互绝缘，在此不作赘述。
并且，由于每个触控单元都仅在触控扫描线和触控读取线所限定区域内设置，为保证触摸屏的开口率，每个触控单元的触控面积会设置的比较小，这不利于提高触控灵敏度。因此，较佳地，在本发明实施例提供的触摸屏中，还可以包括：与触控电极电性相连且位于相邻像素单元之间的间隙处的至少一个触控子电极。这样，可以在保证触摸屏的开口率的基础上，尽量增加每个触控单元的触控面积，以提高触控感应的灵敏度。
本发明实施例提供的上述内嵌式触摸屏，在阵列基板中设置的每个触控单元由光感子单元、触控电极以及触控信号控制子单元组成，光感子单元输出的控制信号经过触控电极后输入到触控信号控制子单元，该控制信号会随着外部光线以及触控电极耦合电容的变化而变化；具体地，无论在有无外部光线照射的情况下，无触摸发生时的控制信号都会小于有触摸发生时的控制信号，并且，在无触摸发生时，有外部光线照射时的控制信号会小于无外部光线照射时的控制信号。另外，输入到触控控制子单元的控制信号越大，触控信号控制子单元输出到触控读取线的触控感测信号也越大。因此，相对于单一的电容式触摸屏，在有外部光线照射的情况下，可以提高触摸屏的触摸灵敏度；并且，相对于单一的光学传感式触摸屏，在无外部光线照射的情况下，也可以实现触控操作，减少了触摸屏对光环境的依赖。
具体地，本发明实施例提供的上述触摸屏中的每个触控单元中包括的光感子单元，在具体实施时，可以是一个感光晶体管，该感光晶体管的工作原理为：在无外部光线照射的情况下，在该感光晶体管的栅极加载一定的正压，该感光晶体管的活性层中载流子密度会增加，感光晶体管处于开启状态，若感光晶体管的源极与漏极之间有电压差，则源极和漏极之间产生电流；在该感光晶体管的栅极加载一定的负压，该感光晶体管的活性层中载流子密度会减小，感光晶体管处于关闭状态，感光晶体管的源极与漏极之间有无电压差都不会产生电流。
而在有外部光线照射的情况下，即使在该感光晶体管的栅极加载一定的负压，该感光晶体管的活性层中部分电子也会受光子激发由价带跃迁至导带形成载流子，从而增加活性层中载流子密度，若感光晶体管的源极与漏极之间有电压差，则源极和漏极之间产生电流。
下面通过具体实例对本发明实施例提供的上述触摸屏的阵列基板中设置的光感子单元的具体结构进行详细的说明。
实例一：
在阵列基板设置位于阵列基板中相邻像素单元之间的多条光感扫描线以及多条光感信号线。在具体实施时，光感扫描线和光感信号线可以设置在相邻行的像素单元之间的间隙处。并且，为了简化阵列基板上的布线，可以将光感扫描线具体设置为阵列基板中的至少一条不同于触控扫描线的栅极信号线。例如，图3a中的Gate1和Gate2是两条相邻的栅极信号线，可以将Gate2作为触控扫描线，将Gate2的上一行Gate1作为光感扫描线，Precharge为光感信号线。当然在具体实施时，也可以将Gate2的下一行Gate3作为光感扫描线使用，在此不做限定。
进一步地，如图3a所示，光感子单元03包括感光晶体管M1；其中，感光晶体管M1的栅极与光感扫描线Gate1相连，感光晶体管M1的源极与光感信号线Precharge相连，感光晶体管M1的漏极与触控电极04相连，即图3a中的节点A；光感信号线Precharge在感光晶体管M1开启时，传输控制信号到触控电极04。
实例二：
在阵列基板设置位于阵列基板中相邻像素单元之间的多条光感扫描线。在具体实施时，光感扫描线可以设置在相邻行的像素单元之间的间隙处。并且，为了简化阵列基板上的布线，可以将光感扫描线具体设置为阵列基板中的至少一条不同于触控扫描线的栅极信号线。例如，图3b中Gate1和Gate2是两条相邻的栅极信号线，可以将Gate2作为触控扫描线，将Gate2的上一行Gate1作为光感扫描线。当然在具体实施时，也可以将Gate2的下一行Gate3作为光感扫描线使用，在此不做限定。。
如图3b所示，光感子单元03包括感光晶体管M1；其中，感光晶体管M1的栅极和源极与光感扫描线Gate1相连，感光晶体管M1的漏极与触控电极04相连，即图3b中的节点A。
实例三：
在阵列基板设置位于阵列基板中相邻像素单元之间的多条光感扫描线。在具体实施时，光感扫描线可以设置在相邻行的像素单元之间的间隙处。并且，为了简化阵列基板上的布线，可以将光感扫描线具体设置为阵列基板中的至少一条不同于触控扫描线的栅极信号线。例如，图3c中的Gate1和Gate2是两条相邻的栅极信号线，可以将Gate2作为触控扫描线，将Gate2的上一行Gate1作为光感扫描线。当然在具体实施时，也可以将Gate2的下一行Gate3作为光感扫描线使用，在此不做限定。
如图3c所示，光感子单元03包括感光晶体管M1以及第一晶体管T1；其中，感光晶体管M1的栅极与光感扫描线Gate1相连，感光晶体管M1的漏极与触控电极04相连，即图3c中的节点A，感光晶体管M1的源极与第一晶体管T1的漏极相连；第一晶体管T1的源极和栅极与光感扫描线Gate1相连。在具体实施时，可以通过调节第一晶体管T1的长宽比调节输入到感光晶体管M1源极的电压。
具体地，本发明实施例提供的上述触摸屏中的每个触控单元中包括的触控信号控制子单元05，在具体实施时，如图3a-图3c所示，可以具体包括：第二晶体管T2和第三晶体管T3；其中，
第二晶体管T2的栅极与触控电极04相连，第二晶体管T2的源极与恒压信号线或公共电极Vcom相连，第二晶体管T2的漏极与第三晶体管T3的源极相连，第三晶体管T3的漏极与触控读取线Read out相连，第三晶体管T3的栅极与触控扫描线Gate2相连。其中，恒压信号线上的电压是恒定的。
值得注意的是，与第二晶体管T2的源极相连的公共电极Vcom在具体实施时，可以指与像素电极相对的透明公共电极，也可以指采用金属材料制备的公共电极线，在此不做限定。
在与第二晶体管T2的栅极相连的触控电极04通过光感子单元03加载触控信号时，第二晶体管T2处于线性工作状态，第二晶体管T2栅极的控制信号越大，公共电极Vcom上的触控感测信号通过第二晶体管T2的源极和漏极，流向第三晶体管T3的源极的电流也就越大。
在与第三晶体管T3的栅极相连的触控扫描线Gate2加载高电平时，第三晶体管T3处于完全开启状态，第三晶体管T3源极的触控感测信号不受影响直接输出到与第三晶体管T3漏极相连的触控读取线Read out上。
因此，从上面的分析可知，输入到触控信号控制子单元05的控制信号越大，触控信号控制子单元05输出到触控读取线Read out的触控感测信号也就越大，而控制信号会随着外部光线以及触控电极04耦合电容的变化而变化，那么可以通过检测触控读取线Read out上电流的大小来判断是否有触控发生。
下面结合如图4所示的时序图，以实例一的图3a所示的结构为例，对本发明实施例提供的触摸屏的具体工作原理进行简要介绍。
在第一时段T1，光感扫描线Gate1为高电平Vgh，光感信号线Precharge为高电平Vpre，感光晶体管M1处于开启状态，光感信号线Precharge将控制信号Vpre经过感光晶体管M1输出到节点A，节点A的电位为VA=Vpre。
在第二时段T2，光感扫描线Gate1和光感信号线Precharge同时转为低电平Vgl，触控扫描线Gate2从低电平Vgl转为高电平Vgh，这时第三晶体管T3的栅极为高电平，第二晶体管T2的栅极有A点的电位VA控制，T2处在线性工作区第三晶体管T3处于开启状态，此时触控感测信号从公共电极Vcom流向触控读取线Read out，节点A的电位VA越高，流向触控读取线Read out的触控感测信号越大，反之，VA越小，触控感测信号就越小。此时，节点A的电位分以下三种情况：
第一种：在无外部光线照射的情况下，无触摸发生时，由于没有外部光线照射感光晶体管M1，因此，感光晶体管M1的活性层中的载流子可以忽略，由节点A流向光感信号线Precharge的漏电流可以忽略。节点A的电位变化只受到光感扫描线Gate1和触控扫描线Gate2电位翻转的影响，此时节点A的电位VA=Vpre-ΔVA，其中，
ΔVA=ΔVA1+ΔVA2
ΔVA1=Cgs1*(Vgh-Vgl)/(Cgs1+Cx+Cgs2)ΔVA2=Cx*(Vgl-Vgh)/(Cgs1+Cx+Cgs2)
ΔVA1+ΔVA2=(Cgs1-Cx)*(Vgh-Vgl)/(Cgs1+Cx+Cgs2)
其中，Cx=Cgd2*Cgs3/(Cgd2+Cgs3)
式中Cgs1表示感光晶体管M1的栅极和源极之间的寄生电容，Cgs2表示第二晶体管T2的栅极和源极之间的寄生电容，Cgd2表示第二晶体管T2的栅极和漏极之间的寄生电容,Cgs3表示第三晶体管T3的栅极和源极之间的寄生电容。以上的电容都可以视为触控电极的耦合电容。
在实际设计中，由于感光晶体管M1作为感光器件，其尺寸要较大；而第二晶体管T2和第三晶体管T3作为控制晶体管，为尽量减小对开口率的影响，它们的尺寸较小。因此Cx<Cgs1，即Cgs1-Cx为正值，ΔVA1+ΔVA2也为正值，因此VA<Vpre。
第二种：在触摸发生时，无论有无外部光线照射，都会因为手指遮挡，而无外部光线照射感光晶体管M1，因此，感光晶体管M1的活性层中的载流子可以忽略，由节点A流向光感信号线Precharge的漏电流可以忽略。但是由于触摸发生，手指会与触控电极04形成电容Ct，此时节点A的电位为VA’=Vpre-ΔVA’，其中，
ΔVA’=ΔVA1’+ΔVA2’
ΔVA1’=Cgs1*(Vgh-Vgl)/(Cgs1+Cx+Cgs2+Ct)，
ΔVA2’=Cx*(Vgl-Vgh)/(Cgs1+Cx+Cgs2+Ct)
ΔVA1’+ΔVA2’=(Cgs1-Cx)*(Vgh-Vgl)/(Cgs1+Cx+Cgs2+Ct)
其中，Cx=Cgd2*Cgs3/(Cgd2+Cgs3)
式中Cgs1表示感光晶体管M1的栅极和源极之间的寄生电容，Cgs2表示第二晶体管T2的栅极和源极之间的寄生电容，Cgd2表示第二晶体管T2的栅极和漏极之间的寄生电容，Cgs3表示第三晶体管T3的栅极和漏极之间的寄生电容，Ct表示手指与触控电极04之间形成的电容。以上的电容都可以视为触控电极的耦合电容。
在实际设计中，由于感光晶体管M1作为感光器件，其尺寸要较大；而第二晶体管T2和第三晶体管T3作为控制晶体管，为尽量减小对开口率的影响，它们的尺寸较小。因此Cx<Cgs1，即Cgs1-Cx为正值，ΔVA1’+ΔVA2’为正值，因此VA’<Vpre。
比较可以看出，ΔVA’<ΔVA，因此VA’>VA，即在无外部光线照射情况下，在有触摸发生时，节点A的电位相对于无触控发生时更高，第二晶体管T2的栅极电压也更高，在触控发生时，流向触控读取线Read out的触控感测信号的电流也就更大。
第三种：在有外部光线照射的情况下，无触摸发生时，由于有外部光线照射感光晶体管M1，因此，感光晶体管M1的活性层中产生载流子。在光感扫描线Gate1电位翻转即由高电位变为低电位的瞬间，节点A的电位VA’’=VA，但是随着时间的增加，节点A的电位会降低（由于感光晶体管M1中的载流子，使电流从电位较高的节点A流向电位较低的光感信号线Precharge）。
比较可以看出，在Gate2为高电平的时段，VA’>VA>VA’’，因此，在无外部光线照射情况下，在有触摸发生时，节点A的电位相对于无触控发生时更高，第二晶体管T2的栅极电压也更高，在触控发生时，流向触控读取线Read out的触控感测信号的电流也就更大。
并且，在有外部光线照射情况下相对于无外部光线照射情况下，触控读取信号线Read out上电流的差异更加明显，从而本发明实施例提供的触摸屏相对于单一的电容式触摸屏的触摸灵敏度也更高。在无外部光线照射的情况下，触控发生时，触控读取线Read out上的电流也会发生变化，相对于单一的光学传感式触摸屏，减少了对光环境的依赖。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述内嵌式触摸屏，该显示装置可以是显示器、手机、电视、笔记本、一体机等，对于显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。
本发明实施例提供的一种内嵌式触摸屏及显示装置，将阵列基板中的至少一条栅极信号线作为触控扫描线，在阵列基板位于相邻列的像素单元之间设置触控读取线，并在位于触控扫描线和触控读取线所限定区域内设置触控单元；其中，每个触控单元由光感子单元，触控电极以及触控信号控制子单元组成；光感子单元通过触控电极与触控信号控制子单元相连，光感子单元输出的控制信号随着外部光线以及触控电极耦合电容的变化而变化；触控信号控制子单元分别与触控扫描线和触控读取线相连，触控信号控制子单元在触控扫描线传递电信号时，将经过控制信号调制的触控感测信号通过触控读取线输出。由于调制触控感测信号的控制信号会随着外部光线以及触控电极耦合电容的变化而变化，相对于单一的电容式触摸屏，在有环境光的情况下，可以提高触摸屏的触摸灵敏度；并且相对于单一的光学传感式触摸屏，在无环境光的情况下，也可以实现触控操作，减少了触摸屏对光环境的依赖。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种内嵌式触摸屏，包括具有栅极信号线的阵列基板，且在所述阵列基板上设有呈矩阵排列的多个像素单元；其特征在于，
阵列基板中的至少一条栅极信号线作为触控扫描线；
所述阵列基板具有位于相邻列的像素单元之间的触控读取线；
所述阵列基板具有位于所述触控扫描线和触控读取线所限定区域内的触控单元；其中，
每个触控单元由光感子单元，触控电极以及触控信号控制子单元组成；所述光感子单元通过所述触控电极与所述触控信号控制子单元相连，所述光感子单元输出到所述触控信号控制子单元的控制信号随着外部光线以及触控电极耦合电容的变化而变化；所述触控信号控制子单元分别与所述触控扫描线和触控读取线相连，所述触控信号控制子单元在所述触控扫描线传递电信号时，将经过所述控制信号调制的触控感测信号通过所述触控读取线输出。
2.如权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，所述阵列基板具有位于所述阵列基板中相邻像素单元之间的多条光感扫描线以及多条光感信号线；
所述光感子单元包括感光晶体管；其中，所述感光晶体管的栅极与所述光感扫描线相连，所述感光晶体管的源极与所述光感信号线相连，所述感光晶体管的漏极与所述触控电极相连，所述光感信号线在所述感光晶体管开启时，传输所述控制信号到所述触控电极。
3.如权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，所述阵列基板具有位于所述阵列基板中相邻像素单元之间的多条光感扫描线；
所述光感子单元包括感光晶体管；其中，所述感光晶体管的栅极和源极与所述光感扫描线相连，所述感光晶体管的漏极与所述触控电极相连。
4.如权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，所述阵列基板具有位于所述阵列基板中相邻像素单元之间的多条光感扫描线；
所述光感子单元包括感光晶体管以及第一晶体管；其中，所述感光晶体管的栅极与所述光感扫描线相连，所述感光晶体管的漏极与所述触控电极相连，所述感光晶体管的源极与第一晶体管的漏极相连；所述第一晶体管的源极和栅极与所述光感扫描线相连。
5.如权利要求2-4任一项所述的触摸屏，其特征在于，所述光感扫描线为阵列基板中的至少一条不同于触控扫描线的栅极信号线。
6.如权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，所述触控信号控制子单元包括：第二晶体管和第三晶体管；其中，
所述第二晶体管的栅极与所述触控电极相连，所述第二晶体管的源极与恒压信号线或公共电极相连，所述第二晶体管的漏极与所述第三晶体管的源极相连，所述第三晶体管的漏极与所述触控读取线相连，所述第三晶体管的栅极与所述触控扫描线相连。
7.如权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，各所述触控读取线与所述阵列基板中的数据信号线同层设置且相互绝缘。
8.如权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，所述触控电极与所述阵列基板中的像素电极或公共电极材料相同、同层设置且相互绝缘。
9.如权利要求1-4、6-8任一项所述的触摸屏，其特征在于，还包括：与所述触控电极电性相连且位于相邻像素单元之间的间隙处的至少一个触控子电极。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的触摸屏。
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