CN103207638A - 性能、热能及功率管理系统及其方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种性能、热能及功率管理系统及其方法。其中，所述的性能、热能及功率管理系统应用于集成电路，该系统包括性能电路、感应模块、存储器及性能、热能及功率控制器，其中，该性能电路具有可调节设置，且该性能电路用于当接收到供应电压时，仿真该集成电路的多个操作；感应模块用于测量该性能电路的特性；存储器用于存储关于该集成电路的特性数据；以及性能、热能及功率控制器用于根据该特性数据将该性能电路设置为特定配置；及根据该性能电路的该特性调整该供应电压的位准。本发明提供的性能、热能及功率管理系统可通过动态调整电压实现优化的热能或功率等性能。

Description

性能、热能及功率管理系统及其方法
技术领域
本发明有关于一种性能、热能及功率管理系统，更具体地，有关于一种性能、热能及功率管理系统及其方法。
背景技术
随着半导体制造技术的进步，电路元件的体积趋于越来越小。场效应晶体管（field effect transistor）通常在制造集成电路（integrated circuit,IC）上扮演重要角色。在电子元件中，IC可具有不同的功能且操作于不同频率。一般来说，所有的IC及/或给定IC的所有部分可接收均匀（uniform）的电位。然而，随着客户需求的提升，电子装置必须具有更小的体积、更快的操作速度以及更低的功耗，以提升应用上的便利性，例如延长无线通信装置内电池的使用寿命。通过提供根据应用需求优化的电压来操作不同IC或操作单个IC中不同的部分，可在不提供额外电压的情况下对电子装置中单个或多个IC达到省电的效果。
在产品测试（production testing）的过程中可确定在给定用途下供应至IC的电压。然而，环境变化和制造上的误差可能会改变IC的操作特性，甚至影响对给定IC的产品测试的过程。例如，IC在特定操作中，其频率可能会随着温度而改变。与此同时，晶体管强度和性能差异可能衍生出不同的特性值，进而影响到给定用途下不同IC的操作频率。
此外，由于对半导体装置的开关操作，构成半导体装置的半导体材料会逐渐耗损(age)。而随着IC的半导体材料逐渐耗损，其中的晶体管可能会受到有害影响。例如PMOS晶体管会受到负偏压温度不稳定性(Negative BiasedTemperature Instability,NBTI)的影响，导致开启PMOS晶体管时所需的直流闸极-源极电压（DC gate-to-source voltage）更大。又例如，NMOS晶体管可能会受到热载流子注入（Hot Carrier Injection,HCI）效应的影响而拉高电压转换速率(slew rate)，从而导致在固定偏压下开关切换更慢。由于上述损耗效应，IC的晶体管需要更高位准（level）的电压才能在进行产品测试时以相同性能进行操作。
因此，非常需要提出一种可对IC的性能、热能特性及功率（performance,thermal and power,PTP）进行优化的管理系统。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种性能、热能及功率管理系统及其方法。
本发明提供一种性能、热能及功率管理系统，应用于集成电路，该性能、热能及功率管理系统包括：性能电路，具有可调节设置，且该性能电路用于当接收到供应电压时，仿真该集成电路的多个操作；感应模块，用于测量该性能电路的特性；存储器，用于存储关于该集成电路的特性数据；以及性能、热能及功率控制器，用于根据该特性数据将该性能电路设置为特定配置；及根据该性能电路的该特性调整该供应电压的位准。
本发明再提供一种操作于性能、热能及功率管理系统的方法，其中，该性能、热能及功率管理系统应用于集成电路，且该操作于性能、热能及功率管理系统的方法包括：提供具有可调整配置的性能电路，以当接收到供应电压时，仿真该集成电路的多个操作；提供关于该集成电路的特性数据；根据该特性数据将该性能电路设置为特定配置；以及根据该性能电路的特性调整该供应电压的位准。
本发明提供的性能、热能及功率管理系统可通过动态调整电压实现优化的热能或功率等性能。
附图说明
图1为根据本发明实施例PTP管理系统100的功能方块图；
图2为根据本发明实施例性能电路20中可调式PTP检测器的示意图；
图3为根据本发明实施例PTP管理系统100执行DVFS校正的示意图；
图4为根据本发明实施例PTP管理系统100执行温度补偿调整的示意图；
图5为根据本发明实施例PTP管理系统100执行直流偏移校正的示意图；
图6为根据本发明实施例PTP管理系统100执行损耗校正的示意图。
具体实施方式
在说明书及后续的权利要求当中使用了某些词汇来指称特定的元件。所属领域技术人员应可理解，制造商可能会用不同的名词来称呼同样的元件。本说明书及后续的权利要求并不以名称的差异来作为区别元件的方式，而是以元件在功能上的差异来作为区别的基准。在通篇说明书及后续的权利要求当中所提及的「包括」为开放式的用语，故应解释成「包括但不限定于」。此外，「耦接」一词在此包括任何直接及间接的电气连接手段。因此，若文中描述第一装置耦接于第二装置，则代表该第一装置可直接连接于该第二装置，或通过其他装置或连接手段间接地连接至该第二装置。
请参考图1，图1为根据本发明实施例PTP管理系统100的功能方块图。PTP管理系统100可应用于功率管理集成电路(Power Management IntegratedCircuit,PMIC)，且具有一或多个可在PMIC中适应性重设大小的电压位准。此外，PTP管理系统100也可应用于一或多个PMIC。在本实施例中，PTP管理系统100通过为给定用途提供所需的最小电压以实现省电。在此“给定用途”一词用于描述PMIC预定功能的一个用途，例如应用于消费电子装置。
如图1所示，PTP管理系统100包括PTP控制器12、可变电源（power supply）14、存储器16、感应模块（sensing module）18及性能电路20。PTP控制器12用于控制可变电源14、存储器16及性能电路20的操作。可变电源14可用于提供一或多个电压(在下文称为VDD)至一或多个PMIC。在图1中，可变电源14设置为具有单一输出电压VDD。然而，可变电源14亦可设置为具有多个输出。此外，在图1的示例中，PTP管理系统100并不限于包括单个可变电源14，也可包括多个电源，且其中每个电源由PTP控制器12分别独立配置。
在本实施例中，存储器16可为电熔丝（efuse）、闪存或其他类型的存储器。感应模块18可包括一或多种传感器，例如电压传感器、温度传感器、工作负载传感器（workload sensor）或可靠度传感器（reliability sensor），感应模块18用于测量性能电路20的特性。性能电路20可包括一或多个PTP检测器（PTPdetector），且每个PTP检测器由PTP控制器12分别独立配置。性能电路20具有可调节设置，且用于当接收到供应电压时，仿真该IC的操作。
请参考图2，图2为根据本发明实施例性能电路20中可调式PTP检测器的示意图。如图2所示，PTP检测器可包括多个环型振荡器（ring oscillator）RO1至RO12。环型振荡器RO1至RO12中每个环型振荡器由逻辑元件组成，例如以NAND闸（NAND gate）、NOR闸（NOR gate）、反相器（invertor）、或其他逻辑元件组成，或由上述逻辑元件的组合而组成。图2中环型振荡器的配置及数量仅用于举例，并非用于限定本发明的范畴。每个环型振荡器可根据供应电压在可变频率间作振荡，而其中供应电压可为VDD，或者由可变电源14(图2中未示)或其他电源所提供的其他电压。PTP控制器12可设置每个PTP检测器的配置以调整各个PTP检测器的特性（例如NBTI、HCI感应功能）。每个PTP检测器可用于根据PMIC的给定用途所需的目标性能(例如频率)来设置电压VDD，其中，PMIC的给定用途可特定地关于切换NMOS元件、切换PMOS元件或切换上述二种元件的组合。
通过使用动态电压频率调节（Dynamic Voltage and Frequency Scaling,DVFS）机制，可配置PTP管理系统100通过执行DVFS校正（calibration）、温度补偿调整、损耗校正及直流偏移校正（DC offset calibration），从而使PMIC达到优化的热能及功率性能。DVFS校正的目的在于补偿不同PMIC的芯片制造上的差异，并确定在室温（room temperature）下操作给定PMIC时的优化初始电压VO。温度补偿调整的目的在于防止PMIC因为温度变化偏离目标性能，并确定相对应的补偿电压ΔVTEMP。直流偏移校正的目的在于确定补偿电压ΔVDC，以补偿PMIC的电阻或误差所产生的电压降(voltage drop)。而损耗校正的目的在于确定补偿电压ΔVAGE，以补偿PMIC由于损耗效应而造成的性能下降。因此电压VDD可适应性地设置为（VO+ΔVTEMP+ΔVDC+ΔVAGE），以对PMIC的热能及功率性能进行优化。对于PTP管理系统100的详细操作将在后续段落中说明。
请参考图3，图3为根据本发明实施例PTP管理系统100执行DVFS校正的示意图。在产品测试中可获取特定PMIC的一或多个特性参数。例如，通过在室温下测试多个相似的PMIC，可求出最小电压VMIN（PMIC在给定用途下所需的最小电压）与操作频率之间的特性关系。然后可将特性数据（例如PMIC的电压-频率关系）存储在存储器16中。
在图3所示的实施例中，横轴代表频率，纵轴代表电压。曲线SS、TT、FF分别代表以慢性硅(slow silicon)、典型硅(typical silicon)、快性硅(fast silicon)制成的电子装置在室温及特定频率下操作分别所需的最小电压。上述慢性硅、典型硅、快性硅指经不同材质的硅而制造的硅元件，分别具有较慢、中等、较快的反应特性。由于慢性硅制成的元件性能最差，因此会限制电子装置的最大操作频率和最大操作电压：在固定电压下，此最大操作频率会限制快性硅组成的电子装置实际上可达到的运作性能；在固定频率下，快性硅组成的电子装置仅需较低电压，而此最大操作电压会增加快性硅组成的电子装置的功率损耗。对存储在存储器16中的曲线SS、TT、FF的数据执行线性近似运算，可得到一组特性参数。因此，PTP控制器12可取得对应于给定PMIC的软件所请求的操作频率的特性参数。此外，可同时或在不同时间点设置用于不同用途的多个初始电压。因此，每当PTP控制器12设置初始电压VO时，PTP控制器12可从存储器16存储的特性数据中取得所需的一或多个特性参数，从而可在不受制造误差影响的情况下，将PMIC的功率损耗最小化。
请参考图4，图4为根据本发明实施例PTP管理系统100执行温度补偿调整的示意图。在产品测试中可得到特定PMIC的一或多个特性参数。例如，通过在不同温度下测试多个相似的PMIC，可求出最小电压VMIN（PMIC在给定用途下所需的最小电压）与操作温度之间的关系。然后可将特性数据（例如PMIC的电压-频率-温度关系）存储在存储器16中。
在图4所示的实施例中，横轴代表感应模块18中的热传感器测量的温度，纵轴代表电压调整量ΔVTEMP。曲线TF1～TF4分别代表操作在频率F1至F4下，对应给定温度的电压调整量ΔVTEMP，其中F1>F2>F3>F4。因此，PTP控制器12可取得对应于给定PMIC的软件所请求的操作频率及测量温度的特性参数ΔVTEMP，故可通过对VO调整一个ΔVTEMP的量的方式来调整电压VDD，以补偿环境变化。
请参考图5，图5为根据本发明实施例PTP管理系统100执行直流偏移校正的示意图。通过测量在不同配置下的性能电路20的交叉电压（crossovervoltage）可取得一或多个特性参数。当装置在其交叉电压下操作时，操作频率是最不受温度影响的。此外，也可将特性数据（例如在不同配置下的性能电路20的交叉电压）存储于存储器16中。
在图5的实施例中，横轴代表性能电路20的不同配置，性能电路20在不同配置下具有不同的NBTI感应能力和HCI感应能力；纵轴代表操作频率最不受温度影响时的交叉电压VCO。当在PMIC中测量直流偏移时，将性能电路20设置为使PMIC的电压与交叉电压VCO最为匹配(match)的特定配置。在此特定配置下，调整供应至性能电路20的电压以达到目标频率，从而取得直流偏移电压ΔVDC。因此，PTP控制器12可通过对VO调整一个ΔVDC的量的方式来调整电压VDD，从而可准确补偿PMIC的电阻或误差所产生的电压降。
请参考图6，图6为根据本发明实施例PTP管理系统100执行损耗校正的示意图。如图6所示，性能电路20包括两个PTP检测器D1及D2，且PTP检测器D1及D2可包括NBTI检测装置（NBTI-sensitivedevice）（例如NBTI感应环型振荡器）或HCI检测装置（HCI-sensitive device）（例如HCI感应环型振荡器）。虽然PTP检测器D1和D2在电路结构上相同，但PTP检测器D1、D2分别由电源PS1、PS2来提供电压。在进行使用寿命(Operating Life Test,OLT)的测试时，在短时间内模拟具有加速的温度和电压交替的长时间工作环境，在PMIC的开机期间由电源PS1供电而电力开启（power on）非损耗性PTP检测器D1，然后，在完成初始化之后（即开机期间结束后）由电源PS1电力关闭非损耗性PTP检测器D1。而损耗性PTP检测器D2是根据PMIC的操作所基于的系统时钟通过电源PS2供电而被电力开启。在图6所示的实施例中，PTP检测器D1和D2分别具有电源PS1和PS2，然而本领域技术人员应理解，也可设置PTP检测器D1、D2由PTP控制器12所控制的可变电源14进行供电，以根据不同的时序信号（timing signal）来提供对应的多个电力开启区间(power-on period)。
在图6所示的实施例中，感应模块可测量非损耗性PTP检测器D1的非损耗性能（例如非损耗电压），并测量损耗检测器D2的损耗性能（例如损耗电压）。可根据非损耗性能与损耗性能之间的差值来计算损耗补偿电压VAGE。因此，PTP控制器12可通过对VO调整一个ΔVAGE的量的方式来调整电压VDD，以补偿因PMIC的半导体材质所产生的损耗效应。
本发明提出的PTP管理系统用于执行DVFS校正、温度补偿调整、损耗校正以及直流偏移校正。可根据芯片间制造差异为供应至PMIC的电压VDD设置初始值，并根据温度变化、直流偏移及/或损耗效应动态调整电压VDD。因此，本发明提出的PTP管理系统可实现PMIC的优化的热能及功率性能。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (26)

1.一种性能、热能及功率管理系统，应用于集成电路，该性能、热能及功率管理系统包括：
性能电路，具有可调节设置，且该性能电路用于当接收到供应电压时，仿真该集成电路的多个操作；
感应模块，用于测量该性能电路的特性；
存储器，用于存储关于该集成电路的特性数据；以及
性能、热能及功率控制器，用于根据该特性数据将该性能电路设置为特定配置；及根据该性能电路的该特性调整该供应电压的位准。
2.如权利要求1所述的性能、热能及功率管理系统，其特征在于：
该特性数据包括该集成电路根据给定用途操作在预设温度下的电压-频率关系；以及
该性能、热能及功率控制器更用于根据该电压-频率关系计算特定电压以在特定频率下及预设室温下操作该集成电路，并根据该特定电压调整该供应电压的该位准。
3.如权利要求2所述的性能、热能及功率管理系统，其特征在于：
该特性数据更包括该集成电路根据该给定用途操作在多个预设温度下的电压-频率-温度关系；
该感应模块更用于检测该集成电路的温度变化；以及
该性能、热能及功率控制器更用于根据该电压-频率-温度关系计算在该特定频率下对应该温度变化的特定补偿电压，且根据该特定电压及该特定补偿电压调整该供应电压的该位准。
4.如权利要求3或7所述的性能、热能及功率管理系统，其特征在于：
该特性数据更包括该性能电路在多个配置下的多个交叉电压；
该感应模块更用于测量集成电路电压；以及
该性能、热能及功率控制器更用于根据匹配于该集成电路电压的交叉电压设置该性能电路。
5.如权利要求4所述的性能、热能及功率管理系统，其特征在于：
该特性数据更包括该性能电路的非损耗电压与损耗电压之间的电压差；
该感应模块更用于测量该性能电路的该非损耗电压与该损耗电压；以及
该性能、热能及功率控制器更用于根据该电压差设置该性能电路。
6.如权利要求5所述的性能、热能及功率管理系统，其特征在于：
该性能电路包括具有相同电路结构的第一性能、热能及功率检测器及第二性能、热能及功率检测器；
该性能、热能及功率控制器更用于在该集成电路的开机期间电力开启该第一性能、热能及功率检测器，以及在该集成电路的该开机期间结束后电力关闭该第一性能、热能及功率检测器；且根据该集成电路的操作所基于的系统时钟电力开启该第二性能、热能及功率检测器；以及
该感应模块更用于自该第一性能、热能及功率检测器测量该非损耗电压，并自该第二性能、热能及功率检测器测量该损耗电压。
7.如权利要求1所述的性能、热能及功率管理系统，其特征在于，该性能、热能及功率管理系统更包括根据给定用途将该供应电压的该位准设置为预设值，其中：
该特性数据包括该集成电路根据该给定用途操作在多个预设温度下的电压-频率-温度关系；
该感应模块更用于检测该集成电路的温度变化；以及
该性能、热能及功率控制器更用于根据该电压-频率-温度关系计算在特定频率下该对应温度变化的特定补偿电压，且根据该特定补偿电压调整该供应电压的该位准。
8.如权利要求3或7所述的性能、热能及功率管理系统，其特征在于：
该特性数据更包括该性能电路在多个配置下的多个交叉电压；
该感应模块更用于测量集成电路电压；以及
该性能、热能及功率控制器更用于根据匹配于该集成电路电压的交叉电压设置该性能电路。
9.如权利要求8所述的性能、热能及功率管理系统，其特征在于：
该特性数据更包括该性能电路的非损耗性能与损耗性能；
该感应模块更用于测量该性能电路的该非损耗性能与该损耗性能；以及
该性能、热能及功率控制器更用于根据电压差来设置该性能电路，而该电压差为根据该非损耗性能与该损耗性能之间的差值所计算出。
10.如权利要求9所述的性能、热能及功率管理系统，其特征在于：
该性能电路包括具有相同电路结构的第一性能、热能及功率检测器及第二性能、热能及功率检测器；
该性能、热能及功率控制器更用于在该集成电路的开机期间电力开启该第一性能、热能及功率检测器，以及在该集成电路的该开机期间结束后电力关闭该第一性能、热能及功率检测器；且根据该集成电路的操作所基于的系统时钟电力开启该第二性能、热能及功率检测器；以及
该感应模块更用于测量该第一性能、热能及功率检测器的该非损耗性能，及测量该第二性能、热能及功率检测器的该损耗性能。
11.如权利要求1所述的性能、热能及功率管理系统，其特征在于，该性能、热能及功率管理系统更包括根据给定用途将该供应电压的该位准设置为预设值，其中：
该特性数据更包括该性能电路在多个配置下的多个交叉电压；
该感应模块更用于测量集成电路电压；以及
该性能、热能及功率控制器更用于根据匹配于该集成电路电压的交叉电压设置该性能电路。
12.如权利要求11所述的性能、热能及功率管理系统，其特征在于：
该特性数据更包括该性能电路的非损耗性能与损耗性能；
该感应模块更用于测量该性能电路的该非损耗性能与该损耗性能；以及
该性能、热能及功率控制器更用于根据电压差来设置该性能电路，而该电压差为根据该非损耗性能与该损耗性能之间的差值所计算出。
13.如权利要求12所述的性能、热能及功率管理系统，其特征在于：
该性能电路包括具有相同电路结构的第一性能、热能及功率检测器及第二性能、热能及功率检测器；
该性能、热能及功率控制器更用于在该集成电路的开机期间电力开启该第一性能、热能及功率检测器，以及在该集成电路的该开机期间结束后电力关闭该第一性能、热能及功率检测器；且根据该集成电路的操作所基于的系统时钟电力开启该第二性能、热能及功率检测器；以及
该感应模块更用于测量该第一性能、热能及功率检测器的该非损耗性能，及测量该第二性能、热能及功率检测器的该损耗性能。
14.如权利要求1所述的性能、热能及功率管理系统，其特征在于，该性能、热能及功率管理系统更包括根据给定用途将该供应电压的该位准设置为预设值，其中：
该特性数据更用于该性能电路，且该特性数据包括该性能电路的非损耗性能与损耗性能；
该感应模块更用于测量该性能电路的该非损耗性能与该损耗性能；以及
该性能、热能及功率控制器更用于根据电压差来设置该性能电路，而电压差为根据该非损耗性能与该损耗性能之间的差值所计算出。
15.如权利要求14所述的性能、热能及功率管理系统，其特征在于：
该性能电路包括具有相同电路结构的第一性能、热能及功率检测器及第二性能、热能及功率检测器；
该性能、热能及功率控制器更用于在该集成电路的开机期间电力开启该第一性能、热能及功率检测器，以及在该集成电路的该开机期间结束后电力关闭该第一性能、热能及功率检测器；且根据该集成电路的操作所基于的系统时钟电力开启该第二性能、热能及功率检测器；以及
该感应模块更用于测量该第一性能、热能及功率检测器的该非损耗性能，及测量该第二性能、热能及功率检测器的该损耗性能。
16.一种操作于性能、热能及功率管理系统的方法，其中，该性能、热能及功率管理系统应用于集成电路，且该操作于性能、热能及功率管理系统的方法包括：
提供具有可调整配置的性能电路，以当接收到供应电压时，仿真该集成电路的多个操作；
提供关于该集成电路的特性数据；
根据该特性数据将该性能电路设置为特定配置；以及
根据该性能电路的特性调整该供应电压的位准。
17.如权利要求16所述的操作于性能、热能及功率管理系统的方法，其特征在于，该操作于性能、热能及功率管理系统的方法更包括：
当该集成电路根据给定用途操作在预设温度下时，通过取得该集成电路的电压-频率关系以提供关于该集成电路的该特性数据；
根据该电压-频率关系计算特定电压以在特定频率下及预设室温下操作该集成电路；以及
根据该特定电压调整该供应电压的该位准。
18.如权利要求16所述的操作于性能、热能及功率管理系统的方法，其特征在于，该操作于性能、热能及功率管理系统的方法更包括：
当该集成电路根据该给定用途操作在多个预设温度下时，通过取得该集成电路的电压-频率-温度关系以提供关于该集成电路的特性数据；
检测该集成电路的温度变化；
根据该电压-频率-温度关系计算在该特定频率下对应该温度变化的特定补偿电压；以及
根据该特定电压及该特定补偿电压调整该供应电压的该位准。
19.如权利要求17所述的操作于性能、热能及功率管理系统的方法，其特征在于，更包括：
测量该性能电路在多个配置下的多个交叉电压和集成电路电压；以及
根据匹配于该集成电路电压的交叉电压设置该性能电路。
20.如权利要求19所述的操作于性能、热能及功率管理系统的方法，其特征在于，该操作于性能、热能及功率管理系统的方法更包括：
在该集成电路的开机期间电力开启该第一性能、热能及功率检测器，以及在该集成电路的该开机期间结束后电力关闭该第一性能、热能及功率检测器；
根据该集成电路的操作所基于的系统时钟电力开启该第二性能、热能及功率检测器；以及
测量该第一性能、热能及功率检测器的非损耗性能，并测量该第二性能、热能及功率检测器的损耗性能；
根据该非损耗性能与该损耗性能之间的差值计算出电压差；及
根据该电压差设置该性能电路。
21.如权利要求16所述的操作于性能、热能及功率管理系统的方法，其特征在于，该操作于性能、热能及功率管理系统的方法更包括：
根据给定用途将该供应电压的该位准设置为预设值；
当该集成电路根据该给定用途操作在多个预设温度下时，通过取得该集成电路的电压-频率-温度关系以提供关于该集成电路的该特性数据；
检测该集成电路的温度变化；
根据该电压-频率-温度关系计算在该特定频率下对应该温度变化的特定补偿电压；以及
根据该特定补偿电压调整该供应电压的该位准。
22.如权利要求21所述的操作于性能、热能及功率管理系统的方法，其特征在于，该操作于性能、热能及功率管理系统的方法更包括：
测量该性能电路在多个配置下的多个交叉电压和集成电路电压；以及
根据匹配于该集成电路电压的交叉电压设置该性能电路。
23.如权利要求22所述的操作于性能、热能及功率管理系统的方法，其特征在于，该操作于性能、热能及功率管理系统的方法更包括：
在该集成电路的开机期间电力开启该第一性能、热能及功率检测器，以及在该集成电路的该开机期间结束后电力关闭该第一性能、热能及功率检测器；
根据该集成电路的操作所基于的系统时钟电力开启该第二性能、热能及功率检测器；以及
测量该第一性能、热能及功率检测器的非损耗性能，并测量该第二性能、热能及功率检测器的损耗性能；
根据该非损耗性能与该损耗性能之间的差值来计算电压差；以及
根据该电压差设置该性能电路。
24.如权利要求16所述的操作于性能、热能及功率管理系统的方法，其特征在于，该操作于性能、热能及功率管理系统的方法更包括：
根据给定用途将该供应电压的该位准设置为预设值；
测量该性能电路在多个配置下的多个交叉电压；以及
根据匹配于该集成电路电压的交叉电压设置该性能电路。
25.如权利要求24所述的操作于性能、热能及功率管理系统的方法，其特征在于，该操作于性能、热能及功率管理系统的方法更包括：
在该集成电路的开机期间电力开启该第一性能、热能及功率检测器，以及在该集成电路的该开机期间结束后电力关闭该第一性能、热能及功率检测器；
根据该集成电路的操作所基于的系统时钟电力开启该第二性能、热能及功率检测器；
测量该第一性能、热能及功率检测器的非损耗性能，并测量该第二性能、热能及功率检测器的损耗性能；
根据该非损耗性能与该损耗性能之间的差值来计算电压差；以及
根据该电压差设置该性能电路。
26.如权利要求16所述的操作于性能、热能及功率管理系统的方法，其特征在于，更包括：
根据给定用途将该供应电压的该位准设置为预设值；
在该集成电路的开机期间电力开启该第一性能、热能及功率检测器，以及在该集成电路的该开机期间结束后电力关闭该第一性能、热能及功率检测器；
根据该集成电路的操作所基于的系统时钟电力开启该第二性能、热能及功率检测器；
测量该第一性能、热能及功率检测器的非损耗性能，并测量该第二性能、热能及功率检测器的损耗性能；
根据该非损耗性能与该损耗性能之间的差值来计算电压差；及
根据该电压差设置该性能电路。
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