KR20070117735A - 온도관련 데이터의 출력 옵션을 변경할 수 있는 반도체메모리 장치 - Google Patents

온도관련 데이터의 출력 옵션을 변경할 수 있는 반도체메모리 장치 Download PDF

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KR20070117735A
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Abstract

온도동작 조건이 서로 다르거나 서로 다른 요구처에도 적응적으로 판매할 수 있도록 하기 위해 온도관련 데이터의 출력 옵션을 변경할 수 있는 반도체 메모리 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치는, 상기 반도체 메모리 장치의 칩 내에 장착되며 온도관련 데이터를 각기 대응되는 온도 출력단을 통해 출력하는 온도 센서와; 상기 온도 센서로부터 출력되는 온도관련 데이터에 응답하여 설정된 작업을 제어하는 내부제어회로와; 상기 온도 출력단 마다 연결되며, 인가되는 퓨즈 옵션 제어신호 또는 프로그래머블 로직신호에 응답하여 상기 온도관련 데이터의 출력을 블로킹 또는 패싱하는 스위칭부를 구비함에 의해, 웨이퍼 레벨에서 제1 설정모드로 설정된 출력모드를 제2 설정모드로 변경할 수 있는 효과가 있다. 그러므로, 사용처나 사용조건에 제한을 거의 받지 않아 호환성 있는 반도체 메모리 장치를 제공하는 이점이 제공된다.
반도체 메모리 장치, 디램, 퓨즈 옵션, 온도관련 데이터,

Description

온도관련 데이터의 출력 옵션을 변경할 수 있는 반도체 메모리 장치{semiconductor memory device capable of changing output option for internal temperature data}
도 1은 통상적인 온도센서 관련 회로구성도
도 2는 본 발명의 실시예에 따라 퓨즈옵션 변경을 위한 스위칭 회로의 일예도
도 3은 도 2에 적용되는 온도센서의 회로도
도 4는 3에 따른 온도센서의 온도 대 전류 특성을 보여주는 그래프
본 발명은 반도체 메모리 장치에 적용되는 온도 센싱에 관한 것으로, 특히 다이나믹 랜덤 억세스 메모리(DRAM)와 같은 휘발성 반도체 메모리 장치에서의 온도관련 데이터의 출력 옵션 변경기술에 관한 것이다.
CPU들, 메모리들, 및 게이트 어레이들 등과 같이 집적회로 칩으로 구현되는 다양한 반도체 장치들(devices)은 휴대용 퍼스널 컴퓨터들, PDA, 서버들, 또는 워크스테이션들과 같은 다양한 전기적 제품(electrical products)내로 합체되어진다. 그러한 전기적 제품들이 전원절약을 위한 슬립 모드(sleep mode)에 있을 경우에 대부분의 회로 콤퍼넌트들은 턴 오프 상태로 된다. 그러나, 휘발성 메모리에 속하는 디램(DRAM)은 메모리 셀에 저장된 데이터를 계속적으로 보존하기 위해 자체적으로 메모리 셀의 데이터를 리프레쉬하여야 한다. 그러한 셀프 리프레쉬 동작의 필요에 기인하여 디램에서는 셀프 리프레쉬 전력이 소모된다. 보다 저전력을 요구하는 바테리 오퍼레이티드 시스템(battery operated system)에서 전력 소모를 줄이는 것은 매우 중요하며 크리티컬(critical)하다.
셀프 리프레쉬에 필요한 전력소모를 줄이는 시도중 하나는 리프레쉬 주기를 온도에 따라 변화시키는 것이다. 디램에서의 데이터 보유 타임은 온도가 낮아질수록 길어진다. 따라서, 온도 영역을 복수개의 영역들로 분할하여 두고 낮은 온도 영역에서는 리프레쉬 클럭의 주파수를 상대적으로 낮추어 주면 전력의 소모는 줄어들 것임에 틀림없다. 여기서, 디램의 내부온도를 알기 위해서는 저전력 소모를 갖는 내장형 온도센서가 필요하다.
도 1은 통상적인 온도센서 관련 회로구성도이다. 도면을 참조하면, 온도센서(20)는 온도센서 인에이블 신호(10)에 의해 인에이블되고, 트리밍 어드레스(11)에 응답하여 온도값이 트리밍된다. 상기 온도센서(20)는 온도센서(TCSR) 동작전압(12)을 동작전압 제공부로부터 받아 동작한다. 상기 온도센서(20)는 반도체 메모리 장치의 칩 내부에 장착되어 칩 내부의 온도를 온도 센싱 메커니즘에 따라 센싱 하고, 센싱된 온도관련 데이터를 패드들(30,31,32)을 통해 칩의 외부로 출력하거나, 셀프리프레쉬 주기 제어부(40)로 제공한다. 도 1의 경우에는 복수의 온도관련 데이터(TA~TN)가 상기 셀프 리프레쉬 주기 제어부(40)로 인가되는 것을 예로 든 것이다.
여기서, N(N은 1 이상의 자연수)개의 온도관련 데이터는 요구하는 업체별로 모두 다 필요하기도 하고 한 개만 필요하기도 한다. 이에 대한 대처를 위해, 반도체 메이커에서는 온도센서(20)의 로직 내부에서 각 출력별로 퓨즈를 마련하여 두고, 그에 맞게 해당되는 퓨즈를 커팅하는 것에 의해 트리밍을 행하게 된다. 문제는 요구하는 특정 업체별 조건에 맞도록 일단 퓨즈 커팅을 하면 다른 조건의 업체에는 공급을 할 수 없다는 것이다. 즉, 같은 용량의 반도체 메모리라고 하더라도 온도센서의 출력 조건이 서로 다르게 고정되어 있으므로 혼용이 불가하게 된다. 그러한 경우에 업체에서 요구하지 않는 조건을 갖는 반도체 메모리 장치는 폐기되거나 악성 재고로 남게 되는 문제가 있다.
최근에 모바일 디램의 경우 전류 감소와 리프레쉬 보증을 목적으로 온도 센서의 사용이 보편화되었고, 두 개 이상의 온도 정보를 가지는 경우에 온도 센서의 동작은 실제 몇 개의 온도정보를 지원하느냐에 따라 공급처가 달라지게 되었다. 현재의 기술로서는 퓨즈를 커팅하여 일단 공급처가 지정되면 온도 정보의 개수 변동을 조절할 수 가 없다.
예를 들면, 현재 128 메가비트 디램인 경우에 웨이퍼 비즈니스를 진행하고 있는 A사,B사,C사의 경우에 온도 센서의 온도 정보를 서로 다르게 제어하여 공급하 고 있다. A사 및 B사의 경우에는 45도씨 온도 정보 하나만의 제공을 요구하므로 이에 따른 퓨즈커팅을 적용하고 있는데 비해, C사의 경우에는 45도씨와 80도씨의 온도 정보를 함께 요구하므로 온도 정보를 2개 사용하도록 하는 퓨즈커팅을 적용한다. 그러한 경우에 C사의 경우와 같이 미리 온도 정보 2개의 지원을 퓨즈로 픽스한 경우에는 온도 정보 1개만 제공할 수 있는 A사나 B 사로의 공급 전환이 불가능하다. 결국, 웨이퍼 레벨에서 전 공정이 완료된 상태에서는 공급 전환을 할 수 없는 제약이 발생되고 있다.
만약, C사 생산 물량의 차질 및 악성 제공이 발생하는 경우, 종래의 기술로서는 B사로 물량 전환이 플렉시블하게 될 수 없는 단점으로 인해 C사의 어플리케이션 물량 및 악성 재고는 폐기를 할 수 밖에 없는 문제가 발생한다.
본 발명의 목적은 상기한 종래의 문제점들을 해결할 수 있는 반도체 메모리 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 온도동작 조건이 서로 다르거나 서로 다른 요구처에도 적응적으로 판매할 수 있도록 하기 위해 온도관련 데이터의 출력 옵션을 변경할 수 있는 반도체 메모리 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 하나 또는 복수의 온도 데이터를 요구하는 요구처에 플렉시블하게 적응될 수 있는 반도체 메모리 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 웨이퍼 레벨에서 퓨즈 커팅에 의해 고정적으로 출 력되는 온도 데이터의 개수가 복수개라고 하더라도 패키지 이후의 레벨에서 온도 데이터의 개수를 감소시킬 수 있는 기능을 갖는 반도체 메모리 장치를 제공함에 있다.
상기한 목적들의 일부를 달성하기 위한 본 발명의 실시예적 양상에 따라, 온도동작 조건이 서로 다르거나 서로 다른 요구처에도 적응적으로 판매할 수 있도록 하기 위해 온도관련 데이터의 출력 옵션을 변경할 수 있는 반도체 메모리 장치는, 상기 반도체 메모리 장치의 칩 내에 장착되며 온도관련 데이터를 각기 대응되는 온도 출력단을 통해 출력하는 온도 센서와; 상기 온도 센서로부터 출력되는 온도관련 데이터에 응답하여 설정된 작업을 제어하는 내부제어회로와; 상기 온도 출력단 마다 연결되며, 인가되는 퓨즈 옵션 제어신호 또는 프로그래머블 로직신호에 응답하여 상기 온도관련 데이터의 출력을 블로킹 또는 패싱하는 스위칭부를 구비한다.
바람직 하기로, 상기 온도 센서는 적어도 2가지 온도에 대한 온도관련 데이터를 생성하며, 상기 내부제어회로는 상기 온도관련 데이터에 따라 센싱된 온도가 조절 기준온도보다 높은지 낮은 지에 따라 셀프 리프레쉬의 주기를 조절하기 위한 셀프 리프레쉬 주기 제어부이거나, 상기 온도관련 데이터에 따라 센싱된 온도가 조절 기준온도보다 높은지 낮은 지에 따라 어레이 전압 레벨을 조절하기 위한 전압 조절부일 수 있다.
또한, 상기 프로그래머블 로직신호는 상기 장치와 연결된 외부의 메모리 콘트롤러에서 제공되는 모드 레지스터 세트 명령일 수 있으며, 상기 프로그래머블 로직신호는 상기 장치와 연결된 외부의 메모리 콘트롤러에서 제공되는 확장 모드 레 지스터 세트 명령일 수 있다. 상기 온도 센서는 밴드 갭 레퍼런스 타입을 갖는 반도체 온도센서일 수 있다.
또한, 바람직하기로, 상기 온도관련 데이터는 이전의 데이터 억세스 동작 모드에서 비활성화 상태로 있던 데이터 출력 버퍼를 통해서도 외부로 출력되며, 상기 퓨즈 옵션 제어신호는 패키지 레벨에서 퓨징 가능한 일렉트릭 퓨즈에 의해 생성될 수 있다.
상기한 본 발명의 구성에 따르면, 웨이퍼 레벨에서 제1 설정모드로 설정된 출력모드를 제2 설정모드로 변경할 수 있는 효과가 있다. 그러므로, 사용처나 사용조건에 제한을 거의 받지 않아 호환성 있는 반도체 메모리 장치를 제공한다.
상기한 본 발명의 목적들 및 타의 목적들, 특징, 그리고 이점들은, 첨부된 도면들을 참조하여 이하에서 기술되는 본 발명의 상세하고 바람직한 실시예들의 설명에 의해 보다 명확해질 것이다. 도면들 내에서 서로 동일 내지 유사한 부분들은 설명 및 이해의 편의상 동일 내지 유사한 참조부호들로 기재됨을 주목하여야 한다.
본 발명의 경우에는, 모바일 디램에서 온도센서의 사용이 보편화되고 내부의 셀프 리프레쉬 주기 제어뿐만 아니라 외부로의 온도 정보출력이 제공되는 등의 응용이 늘고 있고 하나의 온도가 아니라 여러 구간의 온도에 대한 정보를 요구하는 추세이므로, 이에 부응할 수 있는 반도체 메모리 장치를 제공하기 위하여 도 2에서 보여지는 바와 같이, 온도관련 데이터 출력단에 스위칭부를 각기 설치한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따라 퓨즈옵션 변경을 위한 스위칭 회로의 일예도이다. 도면을 참조하면, 온도센서(21)는 반도체 메모리 장치의 칩 내에 장착되며 온도관련 데이터(TA-TN)를 각기 대응되는 온도 출력단을 통해 출력한다. 셀프 리프레쉬 주기 제어부(40)로서 나타난 내부제어회로는 상기 온도센서(21)로부터 출력되는 온도관련 데이터에 응답하여 설정된 작업을 제어한다. 상기 스위칭부(55,56)는 상기 온도 출력단 마다 연결되며, 인가되는 퓨즈 옵션 제어신호(FUSE A(TCSR_FUSE_CON_A),(FUSE N(TCSR_FUSE_CON_N) 또는 프로그래머블 로직신호(MRS A(TCSR_MRS_CON_A),(MRS N(TCSR_MRS_CON_N)에 응답하여 상기 온도관련 데이터의 출력을 블로킹 또는 패싱한다. 상기 스위칭부(55)는 하나의 트랜스미션 게이트(50)와 인버터(51)로 구성되고, 상기 스위칭부(56)도 하나의 트랜스미션 게이트(52)와 인버터(53)로 구성될 수 있다. 예컨대 2개의 온도 데이터가 출력되도록 미리 퓨즈 커팅된 반도체 제품이 있을 경우에, 상기 스위칭부(55,56)중 설정된 하나의 스위칭부를 오프상태로 제어하면, 1개의 온도 데이터를 필요로 하는 업체로 즉각 판매를 할 수 있게 되는 것이다.
이와 같이, 웨이퍼 레벨에서 한번 퓨징되었다고 해서 실망할 필요가 없이 간단한 회로의 추가 구현에 의해, 외부의 메모리 콘트롤러에서 엠알에스 신호를 주거나 혹은 전류의 흐름에 의해 퓨징이 되는 일렉트릭 퓨즈를 삽입하여 두고 패키지 레벨에서 트리밍을 행하면 종래의 문제점들이 말끔이 해결되는 것이다. 간단한 회로의 추가만에 의해 종래의 골치아픈 문제를 싹 해결하는 것이 정말 훌륭한 발명이 아니던가!
이하에서는 첨족 같지만, 도 3과 도 4를 참조하여 온도센서에 대한 설명이 진행될 것이다.
먼저, 도 3은 도 2에 적용되는 온도센서의 회로이고, 도 4는 3에 따른 온도센서의 온도 대 전류 특성을 보여주는 그래프이다.
도 3을 참조하면, 통상적인 밴드 갭 레퍼런스(band-gap reference)회로를 이용한 온도 감지기의 회로구성이 보여진다. 도 3을 참조하면, 온도감지기(100)는 전류 미러 타입으로 구성된 차동증폭기(DA)와, 온도의 증가에 따라 전류가 감소하는 감소 저항(R1)단(terminal)과, 온도의 증가에 따라 전류가 증가하는 증가 저항(R)단과, 테스트 온도(ORef)와 감지온도(OT1)를 서로 비교한 결과를 비교출력신호(OUT)로서 출력하는 비교기(OP1)를 포함한다. 여기서, 상기 차동증폭기(DA)의 브렌치(A)와 브렌치(B)에 각기 접속되는 접합다이오드들(D2,D1)은 서로 동일하며, 피형 모오스 트랜지스터들(MP1,MP2,MP3)의 사이즈 비율은 1:1:1이고, 엔형 모오스 트랜지스터들(MN1,MN2,MN3)의 사이즈 비율도 1:1:1이다. 여기서 사이즈는 채널 길이(L)와 게이트 폭(W)의 곱을 가리킨다.
상기 도 3에 도시된 온도감지기의 동작은 다음과 같다. 상기 차동증폭기(DA)내의 피형 모오스 트랜지스터들(MP1,MP2)과 엔형 모오스 트랜지스터들(MN1,MN2)의 전류 미러동작에 의해, IO:Ir=1:1의 전류가 흐르고, 브렌치(A)와 브렌치(B)에 나타나는 전압은 서로 동일한 레벨로 된다.
통상적인 접합 다이오드에서 턴온 구간에서의 전류 식은 I=Is{e(VD/VT)-1} ≒Is*e(VD/VT)로 된다. 여기서, Is 는 역방향 포화 전류이고, VD 는 다이오드 전압 이고, VT는 kT/q로서 써멀 전압(thermal voltage)을 가리킨다.
브렌치(A)와 브렌치(B)에 나타나는 전압은 서로 동일하므로, VA = VB = VD1 = VD2 + Ir*R 이 되고, IO = Is*e(VD1/VT)⇒ VD1 = VT*ln(IO/Is)로 된다.
또한, Ir = Is*e(VD2/VT)⇒ VD2 = VT*ln(Ir/Is) = VT*ln(M*IO/Is)이므로, VT*ln(IO/Is) = VT*ln(M* IO/Is) + Ir*R 이된다. 여기서, M은 다이오드 D1과 D2의 사이즈 비를 가리킨다.
따라서, Ir = VT*ln(M)/R 이 되므로, 브렌치(A)에는 온도에 비례하는 전류가 흐르게 된다. 또한, I1과 IO에 비슷한 영역의 전류가 흐르도록 하면 브렌치(C)의 전압 VC는 VB의 값과 거의 같게 되고, VB = VD1 = VT*ln(IO/Is) 로 나타난다.
보통 VT에 비해 역방향 포화전류 Is는 온도 증가에 따라 훨씬 크게 증가하므로 다이오드 전압은 온도에 따라 감소하는 특성을 갖는다. 즉, VC가 온도 증가에 따라 감소하므로 I1은 온도에 따라 감소한다.
그러므로, 상기 저항 R1의 값을 튜닝하면 도 4에서 보여지는 바와 같은 특정온도(T1)에서 Ir와 I1의 값이 크로스(cross)되게 할 수 있다. 결국, 상기 도 3의 온도감지기(100)는 특정온도(T1)에서 트립 포인트(trip point)를 갖도록 설계된 온도감지기로서 기능한다. 도 4는 온도 센서의 브랜치(C) 및 브랜치(A)의 온도 대 전류 특성을 보여주는데, 여기서, 가로축은 온도이고 세로축은 전류를 가리킨다. 트립 포인트(T1)에서 상기 브랜치(C) 및 브랜치(A)의 특성 그래프가 교차된다.
상기한 도 3의 온도감지기는 제조공정변화에 매우 민감한 특성을 가지므로, 변화된 트립 포인트를 설계된 온도 포인트에 맞추는 온도 튜닝 작업이 웨이퍼 레벨 에서 개별 칩(chip)마다 수행되어야 한다. 상기 온도 튜닝 작업중 온도 트리밍을 행하기 위해서는 제조공정변화에 의해 편이(shift)된 편이온도를 검출하는 작업이 선행되어야 한다.
온도 트리밍을 행하기 위해서는 제조된 온도감지기가 설계된 목표온도에서 얼마나 편이되어 있는 지를 알아내야 한다. 따라서, 공정챔버내에 웨이퍼를 투입하고 공정챔버의 내부온도(테스트 온도)를 계속적으로 변화시켜가면서 상기 비교기(OP1)의 비교출력신호(OUT)를 모니터링하는 것에 의해, 온도감지기의 편이온도를 검출할 수도 있다. 또한, 편이온도를 검출한 후 저항소자를 이용하여 트리밍 작업이 행해진다.
또한, 2개의 온도 데이터를 얻기 위해서는 상기 브랜치(C)와 병렬로 별도의 브랜치를 구성하여 또 다른 비교기를 통해 출력을 얻는 것이 필요하며, 이는 본 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 공지된 기술이다.
다시 도 2도로 돌아가면, 상기 온도센서(21)에 출력되는 온도관련 데이터는 디램의 칩 온도를 CPU나 메모리 콘트롤러 등과 같은 칩 셋(chip-set)이 알 수 있도록 하기 위해 출력 패드나 혹은 이전 동작사이클에서 비어 있는 데이터 출력 버퍼를 통해 외부로 전달될 수 있음은 물론이다. 그러한 경우에도 상기 스위칭부는 온도 데이터의 출력 개수를 통제하는 데에 유용하게 사용된다.
이와 같이, 본 발명에서는 일렉트릭 퓨즈등을 이용한 퓨즈 옵션과 엠알에스 신호를 이용한 프로그래머블 로직을 사용하여 온도센서의 사용여부는 물론 사용조건과 목적에 맞는 온도 정보를 선택적으로 사용할 수 있게 한다.
그러므로, 공급처의 제한성에 대한 제약을 배제할 수 있는 이점이 있고, 이엠알에스나 일렉트릭 퓨즈를 이용하게 되면 업체는 목적과 용처에 맞는 TCSR 옵션을 간단히 선택할 수가 있고 메모리 벤더의 경우에는 업체에 상관없이 단일한 공정으로 TCSR을 양산할 수 있게 된다.
통상적으로 메모리 칩의 온도는 10밀리 초동안에 0.5도씨 이하로 변하는 것으로 알려져 있으므로, 온도 센서를 10 밀리초 이하의 타임구간 내에서 임의의 시각에 동작시키면 동작 안정성의 문제는 없게 된다.
한편, EMRS 명령을 인가하여 반도체 메모리의 리프레쉬를 온도에 따라 조절하는 선행 기술의 예는 2003년 3월 20일자로 미국에서 공개된 미국공개 특허 2003/0056057호에 개시되어 있으므로 EMRS 명령의 응용에 관한 것은 그 것을 참조할 수 있을 것이다.
본 실시예들에서 상기 스위칭부의 제어신호는 상기 메모리 장치와 연결된 외부의 CPU 또는 메모리 콘트롤러에서 제공되는 엠알에스나 확장 모드 레지스터 세트 명령으로 예를 들었으나, 사안이 다른 경우에 타의 논리 신호를 활용할 수 있음은 물론이다. 또한, 상기 온도 센서는 밴드 갭 레퍼런스 타입을 갖는 반도체 온도센서를 예를 들었으나, 타의 온도센서도 무방하다.
본 명세서에 제시한 개념은 특정한 적용 예에 다른 여러 방식으로 적용될 수 있음을 당해 기술의 지식을 가진 사람이라면 누구나 이해할 수 있을 것이다. 제시된 스위칭부의 구현이나 회로들에 대한 세부적 구성은 본 발명에 따른 실시 예의 일부를 나타내며, 보다 효율적이고 회로 설계자에게 이용 가능한 다른 많은 방법이 있을 수 있다. 따라서, 이에 대한 상세한 구현은 본 발명에 포함되는 것이며 청구항들의 범위에서 벗어나지 않는 것으로 한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 웨이퍼 레벨에서 제1 설정모드로 설정된 출력모드를 제2 설정모드로 변경할 수 있는 효과가 있다. 그러므로, 사용처나 사용조건에 제한을 거의 받지 않아 호환성 있는 반도체 메모리 장치를 제공하는 이점이 있어 저전력 특성이 요구되는 모바일 향(oriented) 메모리에 보다 경쟁력 우수하다.

Claims (9)

  1. 반도체 메모리 장치에 있어서:
    상기 반도체 메모리 장치의 칩 내에 장착되며 온도관련 데이터를 각기 대응되는 온도 출력단을 통해 출력하는 온도 센서와;
    상기 온도 센서로부터 출력되는 온도관련 데이터에 응답하여 설정된 작업을 제어하는 내부제어회로와;
    상기 온도 출력단 마다 연결되며, 인가되는 퓨즈 옵션 제어신호 또는 프로그래머블 로직신호에 응답하여 상기 온도관련 데이터의 출력을 블로킹 또는 패싱하는 스위칭부를 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서:
    상기 온도 센서는 적어도 2가지 온도에 대한 온도관련 데이터를 생성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  3. 제1항에 있어서:
    상기 내부제어회로는 상기 온도관련 데이터에 따라 센싱된 온도가 조절 기준온도보다 높은지 낮은 지에 따라 셀프 리프레쉬의 주기를 조절하기 위한 셀프 리프 레쉬 주기 제어부임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  4. 제1항에 있어서:
    상기 내부제어회로는 상기 온도관련 데이터에 따라 센싱된 온도가 조절 기준온도보다 높은지 낮은 지에 따라 어레이 전압 레벨을 조절하기 위한 전압 조절부임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  5. 제1항에 있어서:
    상기 프로그래머블 로직신호는 상기 장치와 연결된 외부의 메모리 콘트롤러에서 제공되는 모드 레지스터 세트 명령임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  6. 제1항에 있어서:
    상기 프로그래머블 로직신호는 상기 장치와 연결된 외부의 메모리 콘트롤러에서 제공되는 확장 모드 레지스터 세트 명령임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  7. 제1항에 있어서:
    상기 온도 센서는 밴드 갭 레퍼런스 타입을 갖는 반도체 온도센서임을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  8. 제1항에 있어서:
    상기 온도관련 데이터는 이전의 데이터 억세스 동작 모드에서 비활성화 상태로 있던 데이터 출력 버퍼를 통해서도 외부로 출력되는 것을 특징으로 반도체 메모리 장치.
  9. 제1항에 있어서:
    상기 퓨즈 옵션 제어신호는 패키지 레벨에서 퓨징 가능한 일렉트릭 퓨즈에 의해 생성되는 것임을 특징으로 반도체 메모리 장치.
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