CN103190007A - 应用量子点的光学组件 - Google Patents

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Abstract

提供了一种光学组件(200)。该组件(200)包括具有上游端(222)和下游端(224)的壳体(220)。LED(204)位于壳体(220)的上游端(222)中。LED(204)配置为以从其产生激发光(226)。激发光(226)具有第一波长。光学装置(210)位于壳体(220)的下游端(224)中。光学装置(210)定位为距离LED(204)较远，以使得在辅助光学装置(204)和光学装置(210)之间形成腔室(228)。从LED(204)产生的激发光(226)经过腔室(228)向下游传送到光学装置(210)。量子点(212)位于光学装置上。激发光(226)激发量子点(212)，以使量子点(212)产生具有第二波长的发射光(230)，该第二波长与激发光(226)的第一波长不同。

Description

应用量子点的光学组件
技术领域
本文所述的主题涉及光学组件，更具体地，涉及应用量子点的光学组件。
背景技术
白光LED可被制造为冷白光LED或暖白光LED。LED的温暖感或凉感表述为以开氏温度为单位的色温。这些白光LED通常通过将蓝光LED（后文称为冷光LED）与接近该LED的黄和红荧光粉的特定混合物一起使用产生白光。与直觉或常识相反的是，冷白光LED产生在可见光谱蓝色端处的光，并且被认为具有较高的色温，通常超过5000°K，而暖光LED产生在可见光谱红色端处的具有较高波长的光，具有相应的在2700°K数量级的较低的色温。使用冷白光LED或暖白光LED的选择可取决于灯的功能、灯被安装在其中的环境和/或文化差异。例如，一些文化偏好冷光源，而在另一些文化中，例如北美，更偏好暖光。但是，冷白光LED通常比暖白光LED具有更高的效率。例如，冷白光LED可以比暖白光LED效率高35%。因此，期望冷白光LED可改变来产生暖光，同时保持冷白光LED的效率。
量子点是尺寸为2-10纳米量级的半导体纳米晶体，其在光通过量子点时改变光的波长。当具有足够能量的入射光撞击量子点时，量子点暂时将电子从价带跨越带隙移入相邻的更高的导带（conducive band），在价带中形成相应的正电荷孔。在该不稳定状态中，电子降回到价带，并且在该过程中，以光的形式发出能量。再发射光的特定波长由带隙和量子点的尺寸确定。例如，较大的量子点将入射波长频移到较高波长下的低能量光。因此，较大的量子点将入射波长朝向可见光谱的红色端频移。相反地，较小的量子点在较小波长下发射较高能量的光。较小的量子点使入射波长在可见光谱的蓝色端处频移。因而，量子点可用于照明来调节发射的光的颜色。在典型的示例中，例如LED的单色蓝光源可涂覆有量子点，以调节从其发射的光的能量或波长，由此使冷光变暖。
但是，量子点不是没有缺点。具体地，量子点可在暴露于高温时损坏（break down）并且降解(degrade)。因而，将量子点用于照明局限于低功率灯，低功率灯发出最少量的传导热和辐射热。另一方面，高功率灯，特别是LED不能使用量子点，因为来自高功率LED的热将使量子点快速降解。
而且，高功率LED通常制造为冷白光LED更便宜并且更容易。但是，在安装时，可能期望暖光灯。因为非常接近量子点的高功率LED使量子点降解，因此使用量子点来将来自高功率冷光LED的光变暖不是所选择的。
所要解决的问题是需要一种高功率冷光LED，其对可由量子点变暖，同时保持冷光LED的效率。
发明内容
该技术方案由光学组件提供。该组件包括具有上游端和下游端的壳体。LED位于壳体的上游端中。LED配置为以从其产生激发光。激发光具有第一波长。光学装置位于壳体的下游端中。光学装置被定位为距离LED较远，以使得在LED和光学装置之间形成腔室。从LED产生的激发光经过腔室向下游传送到光学装置。量子点位于光学装置上。激发光激发量子点，以使量子点产生具有第二波长的发射光，该第二波长与激发光的第一波长不同。
附图说明
现在将参照附图通过例子描述本发明，在附图中：
图1是根据实施例形成的LED的示意性视图；
图2是根据实施例形成的光学组件的示意性视图；
图3是根据另一个实施例形成的光学组件的示意性视图；
图4是示出来自根据实施例形成的LED的光的色谱的曲线图；
图5是示出来自根据另一个实施例形成的LED的光的色谱的曲线图。
具体实施方式
在一个实施例中，设置了一种光学组件。该组件包括具有上游端和下游端的壳体。LED位于壳体的上游端中。LED配置为以从其产生激发光。激发光具有第一波长。光学装置位于壳体的下游端中。光学装置定位为距离LED较远，以使得在LED和光学装置之间形成腔室。从LED产生的激发光经过腔室向下游传送到光学装置。量子点位于光学装置上。激发光激发量子点，以使量子点产生具有第二波长的发射光，该第二波长与激发光的第一波长不同。
在另一个实施例中，设置了一种光学组件。该组件包括具有上游端和下游端的壳体。LED位于壳体的上游端中。LED配置为以从其产生激发光。光学装置位于壳体的下游端中。光学装置定位为距离LED较远，以使得在LED和光学装置之间形成腔室。从LED产生的激发光经过腔室向下游传送到光学装置。量子点位于光学装置上。激发光激发量子点来产生比激发光更暖的发射光。
在另一个实施例中，设置了一种光学组件。该组件包括具有上游端和下游端的壳体。LED位于壳体的上游端中。LED配置为以从其产生激发光。LED具有主光学装置，其配置为以将激发光聚焦。辅助光学装置位于壳体的下游端中。辅助光学装置定位为距离主光学装置较远，以使得在主光学装置和辅助光学装置之间形成腔室。从LED产生的激发光经过腔室向下游传送到辅助光学装置。量子点位于辅助光学装置上。激发光激发量子点来产生比激发光更暖的发射光。
前面的概括和后面的一些实施例的详细描述将在结合附图阅读时可更好地理解。如本文所用，以单数或前面具有词语“a”或“an”表述的元件或步骤应理解为不排除多个所述元件或步骤，除非特别声明排除。而且，“一个实施例”的引用不是用来解释为排除存在还并入引用特征的另外的实施例。而且除非明确声明与之相反，“包括”或“具有”具有特定性能的一个元件或多个元件的实施例可包括不具有该性能的另外的这样的元件。
如本文中所用，术语“暖光”和“冷光”由行业标准限定。特别地，“冷光”限定具有较高蓝光含量的光，并且当提到白光时，色彩校正温度（CCT）在5000K到6500K量级。另一方面，“暖光”限定具有较高红光含量的光，并且关于色彩校正温度在2700K到3500K量级。暖光和冷光LED通过沉积在发光二极管模具中或附近的专用荧光粉混合物产生白光。应注意的是，较冷的白光LED通常比暖光LED效率更高。例如，冷光LED可比暖光LED效率高25-35%。安装冷光或暖光的选择可能取决于光的功能、环境、文化和/或眼睛敏感度。
图1示出根据实施例形成的LED100。LED100可用于例如一般的照明、导航照明、汽车照明、信号、标记、文本和视频显示、灯泡等应用。LED100电耦接到基板102。基板102可以是电路板，例如印刷电路板、柔性电路等。基板102给LED100供电，以使LED100从其发射光。LED100包括发光二极管104。二极管104配置为以在LED100通过基板102供电时产生光101。特别地，二极管104中的电子的运动使二极管104以光子形式释放能量。光101通过从二极管104释放能量产生。光101的颜色取决于特定的半导体类型、结构和由二极管104产生的能量大小。主光学装置106定位为近似围绕二极管104。主光学装置106保护二极管104。主光学装置106也可配置为以使由二极管104产生的光101具有一定形状。主光学装置106可通过反射、折射和衍射等使光101具有一定形状。主光学装置106可以是透镜。替代地，主光学装置106可以是透明盖。
在一个实施例中，LED100是具有蓝光二极管的冷光LED。LED100的二极管104产生在可见光谱蓝色端处的光101。由蓝光LED产生的光通常与产生在可见光谱红色端处的光相比具有较短的波长和较高的能量。例如，蓝光101可具有在450nm和500nm之间的波长。LED100的主光学装置106可包括或涂覆有荧光粉。荧光粉可使冷光101经受斯托克斯频移（Stokesshift），其中，冷光101的波长变得更长。由二极管104产生的光101频移到较暖的黄光103。较暖的黄光103被从LED100发出。替代地，主光学装置106可涂覆有被配置为以使冷光101变暖的任何其他合适的化合物。例如，主光学装置106可涂覆有铝、镓、铟等化合物。
在一个实施例中，LED100是高功率LED。高功率LED通常具有与低功率LED相比增大的光输出和强度。LED100可在几百微安到大于1安培之间的电流下驱动。LED可产生强度高于1000流明的光。在一个实施例中，可能期望高功率LED100产生在可见光谱红色端处的暖光。量子点可用于产生暖光。遗憾的是，量子点对于由高功率LED100产生的高热量很敏感。因而，使用量子点涂覆LED100不是产生暖光的选择，因为由高功率LED100产生的热将使量子点降解。
图2是根据实施例形成的光学组件200的示意性视图。光学组件200配置为以从冷光LED产生暖光。光学组件200包括具有上游端222和下游端224的壳体220。基板202位于壳体220的上游端222中。LED204位于壳体220的上游端222中，并且结合到基板202。LED204通过基板202供电。在一个实施例中，LED204可以是由在几百微安到大于1安培之间的电流驱动的并且产生强度高于1000流明的光的高功率LED。在示例实施例中，LED204可以是配置为以在大于暖光LED的效率的效率下运行的冷光LED。基板202可以是电路板，例如印刷电路板、柔性电路等。基板202给LED204供电，以使LED204产生激发光226。LED204包括二极管206和覆盖二极管206的主光学装置208。在一个实施例中，LED204具有蓝光二极管206，该蓝光二极管206产生具有高能量的蓝光205。二极管206可产生具有波长在450nm和500nm之间的蓝光205。
主光学装置208可包括用于使由蓝光二极管206产生的蓝光205变暖的荧光粉涂层。特别地，荧光粉涂层产生斯托克斯频移，从而产生具有波长在570nm和590nm之间的黄光207。黄光207比蓝光205具有较低的能量和较高的波长。荧光粉的强度可改变来改变在激发光226中产生的黄光207的量。较高强度的荧光粉产生具有波长更接近590nm的激发光226。较低强度的荧光粉产生具有波长更接近450nm的激发光226。荧光粉的强度可改变来从主光学装置208产生波长在450nm和570nm之间的激发光226。由LED204产生的激发光226包括黄光207。在一个实施例中，蓝光205的一部分被允许通过主光学装置208。在该实施例中，激发光226包括蓝光205和黄光207。调节黄光荧光粉的强度和组分以允许蓝光的一部分从荧光粉透射以及黄光从荧光粉发射，导致发射白光。
辅助光学装置210位于壳体220的下游端224中。辅助光学装置210定位为距离LED204较远，以使得在辅助光学装置210和LED204之间形成腔室。辅助光学装置可以是光束改变光学装置，例如凹透镜、凸透镜或平面透镜。另外，光学装置也可以是全内反射型，其最小化形成的腔室228的尺寸。在示出的实施例中，辅助光学装置210定位为距离主光学装置208较远，以使得在主光学装置208和辅助光学装置210之间形成腔室228。在示例实施例中，辅助光学装置210可定位为距离主光学装置208如此远以使得辅助光学装置210不与LED204接触的任何距离。在利用全内反射透镜的实施例中，全内反射透镜可包括其间形成有间距的外透镜和内透镜。在该实施例中，内透镜可直接位于LED204上。辅助光学装置210定位为以使得激发光226从LED204向下游移动通过腔室228到达辅助光学装置210。在一个实施例中，辅助光学装置210为透明盘片。替代地，辅助光学装置210可以是透镜。例如，辅助光学装置210可以是全内反射透镜。替代地，辅助光学装置210可以是折射透镜、衍射透镜和/或任何其他适当的透镜。
辅助光学装置210包括位于其上的量子点212。量子点212为形成在胶体溶液中的半导体纳米晶体。量子点212的激发子在全部三个空间维度受到限制，以使量子点212的激发产生发射光230。量子点212可产生从可见光谱到红外光谱的发射光230。量子点212的尺寸可在从5nm到50nm范围内。较小的量子点212需要较大量的能量来激发。因此，较小量子点212释放较高量的能量。较高量的能量产生接近可见光谱蓝色端的具有在450nm和500nm之间的发射光230。较大的量子点212需要较小的能量来激发。因此，较大的量子点212释放较小的能量。较低量的能量产生在可见光谱红色端处的具有在610nm和760nm之间的发射光230。量子点的尺寸可以基于量子点将产生的预定颜色的发射光230来选择。
在一个实施例中，辅助光学装置210涂覆有量子点212。例如，量子点212可以是以均匀分布到整个光学装置中的方式加工浸渍到辅助光学装置210中。在另一个实施例中，量子点212设置在涂敷到辅助光学装置210的主和/或辅助表面的层叠层中。在示例实施例中，量子点212的尺寸适于产生在可见光谱红色端部处的较低能量、较高波长的具有在610nm和760nm之间的波长的发射光230。量子点212在辅助光学装置210上的强度也可改变来改变由量子点212发出的发射光230的波长。例如，高强度的量子点212产生波长更接近760nm的发射光230，并且较低强度的量子点212产生波长更接近610nm的发射光230。
在操作过程中，LED204的二极管206产生在可见光谱蓝色端处的具有在450nm和500nm之间的波长的蓝光205。蓝光205通过主光学装置208。在一个实施例中，主光学装置208涂覆有荧光粉。应注意的是，使用荧光粉涂覆主光学装置208仅是示例性的。在其他实施例中，主光学装置208可涂覆有其他复合物。荧光粉使蓝光205经受斯托克斯频移，以使蓝光205的波长增大，从而形成具有波长在570nm和590nm之间的较暖的黄光207。由主光学装置207产生的较暖的黄光207的量可取决于荧光粉的强度。例如，较高强度的荧光粉可产生具有波长更接近590nm的黄光207。较低强度的荧光粉可产生具有波长更接近450nm的黄光207。在一个实施例中，主光学装置允许蓝光205中的一些从其通过。蓝光205与暖黄光207一起从LED204发射，以产生具有在可见光谱的蓝色和黄色范围内的第一波长的激发光226。允许通过主光学装置208的蓝光205的量可改变，以使LED204产生具有在450nm和590nm之间的第一波长的激发光226。在一个实施例中，激发光226仅包括黄光207。在另一个实施例中，主光学装置208没有涂覆有荧光粉，并且激发光226仅包括蓝光205。替代地，主光学装置208可使用其他化合物涂覆，以产生不同颜色的光。例如，主光学装置208可使用例如铝、镓、铟等化合物涂覆。
激发光226向下游导向通过腔室228到达辅助光学装置210。激发光226配置为以激发设置在辅助光学装置210上的量子点212。量子点212产生发射光230。量子点212被配置为以从其发出低能量、长波长的发射光230。在示例实施例中，发射光230的第二波长大于激发光226的第一波长。发射光230可具有在可见光谱的红色端处的第二波长。例如，发射光230可具有在610nm和760nm之间的第二波长。替代地，量子点212可配置为以发射具有大于激发光226的第一波长的任何第二波长的光230。例如，发射光230的第二波长可在590nm和760nm之间。发射光230比激发光226更暖。
在一个实施例中，量子点212的强度可改变来允许激发光226的一部分209通过辅助光学装置210。激发光226的部分209与发射光230一起通过辅助光学装置210，以改变由光学组件200发出的总光232的温暖感。例如，高强度的量子点212可限制激发光226通过辅助光学装置210，由此产生具有在可见光谱的红色端处的在610nm和760nm之间的波长的总光232。较低强度的量子点212可能够使一些激发光226通过辅助光学装置210，以使由光学组件200产生的总光232更接近可见光谱上的黄光。量子点212的强度和组成可改变来从光学组件200产生波长在590nm和760nm之间的总光232。通过量子点的组成以及激发光226的波长，可生成从2700K到6500K的宽范围的白光色温。
光学组件200从冷白光LED204产生暖白光。光学组件200产生暖白光，同时保持冷光LED204的效率。辅助光学装置210可在装配时位于光学组件200内。因此，光学组件200可以冷光LED制造和运输。可供应各种形式的辅助光学装置210来在应用到组件200时提供变化的冷度或暖度。在装配或终端固定安装时，可将期望的辅助光学装置210添加到光学组件200来从光学组件200产生较冷或较暖的光。因而，可在装配过程中在安装点处决定以冷光LED或暖光LED的形式安装光学组件200。由此消除制造和运输单独的冷光或暖光LED。
而且，辅助光学装置210能够使量子点212与高功率LED一起使用。辅助光学装置210定位为距离LED204一定距离，以使量子点212不暴露于由高功率LED204产生的热。在一个实施例中，辅助光学装置210仅需要定位为以使得辅助光学装置210不接触高功率LED204。替代地，辅助光学装置210可定位为距离LED204为任意适当的距离，以使量子点212由从LED204发出的激发光226激发。将辅助光学装置210定位为距离LED204较远防止设置在辅助光学装置210上的量子点212降解。
图3是根据实施例形成的光学组件300的示意性视图。光学组件300包括具有上游端322和下游端324的壳体320。光学组件300配置为以从冷光LED产生暖光。光学组件300包括位于壳体320的上游端322中的基板302。LED304位于壳体320的上游端322中，并且结合到基板302。LED304具有功率。在一个实施例中，LED304可以是高功率LED。在一个实施例中，LED304可以是冷光LED。LED304配置为以产生激发光326。LED304包括二极管306和覆盖二极管306的主光学装置308。在一个实施例中，LED304具有蓝光二极管306，该蓝光二极管306产生具有波长在450nm和500nm之间的基本单色的冷光305。主光学装置308可包括荧光粉涂层，以使从蓝光二极管306发射的冷光305变暖，该蓝光二极管306在与黄光荧光粉结合时产生冷白光307。在示例性实施例中，激发光326包括冷蓝光305的一部分和黄光307。荧光粉的强度可改变来改变在激发光326中的黄光307和冷光305的量。
辅助光学装置310位于壳体320的下游端324中。辅助光学装置310定位为距离LED304较远，以使得在辅助光学装置310和LED304之间限定腔室328。辅助光学装置310定位为距离主光学装置308较远，以使得在辅助光学装置310和主光学装置308之间限定腔室328。在示例实施例中，辅助光学装置310可定位为距离主光学装置308如此远以使辅助光学装置310不与LED304接触的任何距离。辅助光学装置310定位为以使得由LED304产生的激发光326向下游移动通过腔室328到达辅助光学装置310。在示出的实施例中，辅助光学装置310是微透镜。微透镜可包括以一维或二维阵列结合在一起的多个微透镜。在一个实施例中，微透镜可以六边形阵列布置。微透镜可具有小于一毫米的直径。在一个实施例中，微透镜可具有小至10微米的直径。在一个实施例中，微透镜为梯度折射率透镜（gradient-indexlens）、微菲涅尔透镜(micro-Fresnel lens)等。微透镜可用于将从其通过的激发光326聚焦。微透镜可通过反射、折射和衍射等使激发光326聚焦。
辅助光学装置310包括位于其上或其中的量子点312。在一个实施例中，辅助光学装置310涂覆有量子点312。例如，量子点312可平板印刷、光蚀刻或通过多种其他普遍认可的印刷方法涂覆在辅助光学装置310上。量子点可涂覆到辅助光学装置的第一或第二表面。或者，其也可结合在形成辅助光学装置的材料中。在另一个实施例中，量子点312设置在附着到辅助光学装置310的层叠层中。激发光326激发量子点312，以使量子点312产生发射光330。量子点312的尺寸决定发射光330的波长。在示例实施例中，量子点312的尺寸适于产生在可见光谱红色端部处的较低能量、较高波长的具有在610nm和760nm之间的波长的发射光330。量子点312在辅助光学装置310上的强度可改变来改变发射光330的波长。
在操作过程中，LED304的二极管306发出在可见光谱蓝色端处的具有在450nm和500nm之间的波长的冷光305。冷光305通过主光学装置308。在一个实施例中，主光学装置308涂覆有或包括荧光粉。荧光粉将冷光305频移，并且发出具有波长在570nm和590nm之间的较暖的黄光307。在一个实施例中，主光学装置允许冷光305中的一些从其通过。冷光305与暖黄光307一起发出，以产生具有在可见光谱的蓝色和黄色范围内的第一波长的激发光326，合成光显示为白光。在另一个实施例中，主光学装置308没有涂覆有荧光，并且冷光305能够从其通过而不改变，以使发射光326仅包括冷蓝光305。在另一个实施例中，激发光326仅包括黄光307。替代地，主光学装置308可涂覆有除荧光粉以外的化合物，以产生不同颜色的光。
激发光326激发辅助光学装置310上的量子点312，以使量子点312产生发射光330。发射光330具有低能量，并且具有高的第二波长。发射光330可具有在可见光谱的红色端处的第二波长。发射光330具有第二波长，该第二波长大于发射光326的第一波长。发射光330比激发光326更暖。在一个实施例中，量子点312的强度可改变来允许激发光326的一部分309通过辅助光学装置310。激发光326的通过辅助光学装置310的部分309与发射光330一起作为从光学组件300发出的总光332而从光学组件300发出。激发光326的通过辅助光学装置310的部分309改变由光学组件300发出的总光332的暖度。量子点312的强度可改变来从光学组件300产生波长在590nm和760nm之间的总光332。
光学组件300从冷光LED304产生暖光。光学组件300产生暖光，同时保持冷光LED304的效率。辅助光学装置310可在装配时位于光学组件300内。因此，光学组件300可以作为冷光LED制造和运输。在装配时，可将辅助光学装置310添加到光学组件300来从光学组件300产生暖光。因而，可在装配过程中在安装点处决定以冷光LED或暖光LED的形式安装光学组件300。由此消除制造和运输单独的暖光LED的需要。
而且，辅助光学装置310能够使量子点312与高功率LED一起使用。辅助光学装置310定位为距离LED304一定距离，以使量子点312不暴露于由高功率LED304产生的热。在一个实施例中，辅助光学装置310仅需要定位为以使得辅助光学装置310不接触高功率LED304。替代地，辅助光学装置310可定位为距离LED304任意适当的距离以使量子点312由从LED304发出的激发光326激发。将辅助光学装置310定位为距离LED304较远防止设置在辅助光学装置310上的量子点312降解。
图4是示出来自根据实施例形成的LED的总光的色谱402的曲线图400。曲线图400表示来自冷光LED的色谱402，该冷光LED具有蓝光二极管和荧光粉涂层。例如，曲线图400可表示来自例如图1中所示的LED100的LED的总光的色谱402。曲线图400描绘了y轴404上的光强度和x轴406上的光的波长。色谱402包括第一波峰408和第二波峰410。波峰408和410表示具有高强度的光的波长。第一波长408出现在450nm和500nm之间的波长处。第一波峰408表示由蓝光二极管发出的冷蓝激发光。第二波峰410出现在570nm和590nm之间的波长处。第二波峰410表示由荧光涂层发出的黄激发光。曲线图400示出来自具有蓝和黄激发光的LED发射总光的色谱402。黄激发光使由二极管发射的蓝激发光变暖，以从冷光LED产生较暖的总光。
图5是示出来自根据实施例形成的LED的总光的色谱502的曲线图500。曲线图500表示来自冷光LED的色谱502，该冷光LED具有蓝光二极管、荧光粉涂层和包括量子点的辅助光学装置。例如，曲线图500可表示来自例如图2中所示的LED200和300的LED的总光的色谱502。曲线图500描绘了y轴504上的光强度和x轴506上的光的波长。色谱502包括第一波峰508、第二波峰510和第三波峰512。波峰508、510和512表示具有高强度的光的波长。第一波长508出现在450nm和500nm之间的波长处。第一波峰508表示由蓝光二极管发出的冷蓝激发光。第二波峰510出现在570nm和590nm之间的波长处。第二波峰510表示由荧光涂层发出的黄激发光。第三波长512出现在610nm和760nm之间的波长处。第三波峰512表示从辅助光学装置上的量子点发出的红发射光。曲线图500示出来自产生具有蓝和黄激发光和红发射光的总光的LED的色谱502。黄激发光使由二极管发射的蓝激发光变暖，以从冷光LED产生较暖的激发光。红发射光进一步使由LED发出的激发光变暖，以产生具有更靠近可见光谱红色端的波长的暖总光。通过添加红发射光，图5中表示的色谱产生比图4中示出的色谱产生更暖的总光。

Claims (8)

1.一种光学组件（200），包括：
壳体（220），该壳体具有上游端（222）和下游端（224）；
发光二极管（204），该发光二极管位于所述壳体（220）的上游端（222）中，所述发光二极管（204）配置为从其产生激发光（226），该激发光(226)具有第一波长；
光学装置(210)，该光学装置位于所述壳体(220)的下游端(224)中，所述光学装置(210)定位为距离发光二极管(204)较远以使得腔室（228）形成在所述发光二极管（204）和所述光学装置（210）之间，从所述发光二极管（204）产生的激发光（226）经过腔室（228）向下游传送到所述光学装置（210）；和
量子点（212），该量子点位于所述光学装置（210）上，所述激发光(226)激发所述量子点(212)，以使所述量子点(212)产生具有第二波长的发射光(230)，该第二波长与所述激发光(226)的第一波长不同。
2.根据权利要求1所述的光学组件(200)，其中，所述发射光(230)比所述激发光(226)更暖。
3.根据权利要求1所述的光学组件(200)，其中所述发射光(230)的第二波长长于所述激发光(226)的第一波长。
4.根据权利要求1所述的光学组件(200)，其中，所述发光二极管(204)和所述光学装置(210)之间的腔室(228)防止所述量子点(212)的热降解。
5.根据权利要求1所述的光学组件(200)，其中，所述光学装置(210)为全内反射透镜或微透镜中的至少一个。
6.根据权利要求1所述的光学组件(200)，其中，所述光学装置(210)涂覆有所述量子点(212)。
7.根据权利要求1所述的光学组件(200)，其中，所述量子点(212)嵌入在位于所述光学装置(210)上的层叠层中。
8.根据权利要求1所述的光学组件(200)，其中，发光二极管(204)是冷光发光二极管。
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