CN103185996A - 横向排列的rgbw像素结构及其驱动方法、显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种双栅极驱动的横向排列的RGBW像素结构及其驱动方法和显示面板，该像素结构包括多个呈阵列式重复排列的像素单元，每个像素单元包括：两个主像素区，每个主像素区分别包括四个子像素区；八个薄膜晶体管；两条栅极线和四条数据线；每条数据线分别与两个薄膜晶体管的源极电连接，不同的数据线所电连接的薄膜晶体管不同；与同一条数据线电连接的两个薄膜晶体管的栅极分别与不同的栅极线电连接。本发明实施例中的像素结构的栅极线在同一帧内扫描不同行的像素时，每条数据线信号的电位极性始终不变，实现了像素点反转的画面，由于数据线的极性不需频繁反转，即降低了数据线的驱动频率，从而降低了面板的功耗。

Description

横向排列的RGBW像素结构及其驱动方法、显示面板

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种双栅极驱动的横向排列的RGBW像素结构及其驱动方法、显示面板。

背景技术

现有技术中，亮度加倍的液晶显示面板的一个主像素区的四个子像素区的排列方式如图1所示，图中虚线包括的部分表示一个主像素区，R(红)，G(绿)，B(蓝)，W(白)四个子像素区呈“田字形”排列，其中，每个子像素区可为正方形或长方形，并且每个子像素区的相互垂直的两边分别与栅极线G1-G4和数据线D1-D4基本并行，白色子像素的亮度为其它三个子像素的亮度之和，从而提高了显示面板的亮度。

参见图1和图2，为现有技术中RGBW像素的数据线驱动方式示意图，该驱动过程为，在第一时刻，G1为高电平，G2-G4为低电平，此时，与G1相连的薄膜晶体管打开，数据线D1-D4分别为与自己电连接的薄膜晶体管供电，在第二时刻，G2为高电平，G1、G3、G4为低电平，此时，与G2相连的薄膜晶体管打开，数据线D1-D4分别为与自己电连接的薄膜晶体管供电，以此类推。

为了避免相邻的子像素发生水平串音和竖直串音现象，每个子像素与其周围的其它子像素的电位极性必须为相反的，即实现子像素电位极性的点反转。因此，若在第一时刻，D1为低电平，则D2为高电平，D3为低电平，D4为高电平，在第二时刻，D1-D4的电位极性反转，即D1为高电平，则D2为低电平，D3为高电平，D4为低电平，在第三时刻，D1-D4的电位极性再次反转，以此类推，图1中的各像素的极性如图3所示，画面为点反转。也就是说，栅极线每扫一行，数据线的极性就要反转一次，将这种情况称为数据线的点反转驱动方式。

一般情况下，信号的功耗与其频率成正比，现有技术中由于栅极线每扫一行像素，数据线的极性都要反转，从而导致整个面板的功耗居高不下。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种双栅极驱动的横向排列的RGBW像素结构及其驱动方法、显示面板，数据线采用列反转的驱动方式代替了现有技术中的点反转驱动方式，实现了像素点反转的画面，从而降低了面板的功耗。

为解决上述问题，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种双栅极驱动的横向排列的RGBW像素结构，该像素结构包括多个呈阵列式重复排列的像素单元，每个像素单元包括：

沿第一方向相邻的两个主像素区，每个主像素区分别包括沿第二方向依次相邻的四个子像素区，四个子像素区分别为R子像素区、G子像素区、B子像素区和W子像素区，所述第一方向与所述第二方向基本垂直；

八个薄膜晶体管，分别设置于对应的子像素区内；

与所述第一方向平行的两条栅极线和与所述第二方向平行的四条数据线，两条栅极线包括：第一栅极线和第二栅极线，四条数据线包括：顺序排列的第一数据线、第二数据线、第三数据线和第四数据线；

其中，每条数据线分别与两个薄膜晶体管的源极电连接，其中，不同的数据线所电连接的薄膜晶体管不同；与同一条数据线电连接的两个薄膜晶体管的栅极分别与不同的栅极线电连接。

优选的，所述子像素结构采用单畴模式、双畴模式或多畴模式。

优选的，所述子像素结构采用单畴模式时，所述子像素区为长方形区域，所述长方形区域的长边与栅极线平行。

优选的，所述子像素结构采用双畴模式时，所述子像素区为人字形区域，所述像素电极为人字形电极。

优选的，所述四个子像素区包括第一子像素区、第二子像素区、第三子像素区和第四子像素区；

所述第一栅极线位于所述第一子像素区和第二子像素区之间，所述第二栅极线位于所述第三子像素区和第四子像素区之间。

优选的，所述两个主像素区包括：第一主像素区和第二主像素区；

所述第一主像素区位于所述第一数据线和第二数据线之间，所述第二主像素区位于所述第三数据线和第四数据线之间。

优选的，还包括：像素电极，和与像素电极部分重叠构成存储电容的公共电极线，其中，像素电极覆盖在子像素区的透光区上。

优选的，所述公共电极线与所述栅极线位于同一金属层上；

或者所述公共电极线与所述数据线位于同一金属层上；

或者所述公共电极线位于区别于所述栅极线和数据线所在金属层之外的另一金属层上。

本发明实施例还公开了一种液晶显示面板，包括：第一基板、第二基板和位于第一基板和第二基板之间的液晶层，其中，所述第一基板上设置有以上所述的双栅极驱动的横向排列的RGBW像素结构。

本发明实施例还公开了一种双栅极驱动的横向排列的RGBW像素驱动方法，该方法适用于以上所述的双栅极驱动的横向排列的RGBW像素结构，每个像素单元均按照相同的驱动方法进行驱动，该方法包括：

在第一时刻，两条栅极线中的第一栅极线为高电平，两条栅极线中的第二栅极线为低电平，与所述第一栅极线电连接的薄膜晶体管打开，四条数据线分别为与自己电连接的薄膜晶体管供电，所述第一数据线与第四数据线的电位极性相同，第二数据线与第三数据线的电位极性相同，且第一数据线与第二数据线的电位极性相反；

在第二时刻，所述第二栅极线为高电平，所述第一栅极线为低电平，与所述第二栅极线电连接的薄膜晶体管打开，四条数据线分别为与自己电连接的薄膜晶体管供电，四条数据线的电位极性不变。

与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：

本发明实施例提供的双栅极驱动的横向排列的RGBW像素结构，改变了主像素区内RGBW子像素区的排列方式，将RGBW子像素区由“田字型”排列改为了平行于数据线方向排列，并且一个像素单元中设置2条栅极线和4条数据线，为数据线的列反转驱动方式提供了结构基础。在此基础上，使得栅极线在同一帧内扫描不同行的像素时，每条数据线信号的电位极性始终不变，即数据线采用列反转的驱动方式，实现了像素点反转的画面，由于数据线的极性不需频繁反转，即降低了数据线的驱动频率，从而降低了面板的功耗。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术提供的RGBW像素结构示意图；

图2是现有技术中RGBW像素的数据线驱动方式示意图；

图3是现有技术中RGBW像素结构的点反转画面的像素极性示意图；

图4是本发明实施例提供的一种双栅极驱动的横向排列的RGBW像素结构示意图；

图5是本发明实施例提供的一种双栅极驱动的横向排列的RGBW像素结构中子像素的排列方式示意图；

图6是本发明实施例提供的一种双栅极驱动的横向排列的RGBW像素结构中公共电极线的结构示意图；

图7是本发明实施例提供的一种双栅极驱动的横向排列的RGBW像素的数据线驱动方式示意图；

图8是本发明实施例提供的双栅极驱动的横向排列的RGBW像素结构的点反转画面的像素极性示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

正如背景技术所述，现有技术中的RGBW像素驱动过程中，由于像素结构的限制，要实现点反转的画面，在同一帧内，栅极线每扫描一行像素，各条数据线的电位极性均要发生反转，这样必然导致面板的功耗增加。

基于此，本发明实施例提供了一种双栅极驱动的横向排列的RGBW像素结构，该像素结构包括多个呈阵列式重复排列的像素单元，每个像素单元包括：

沿第一方向相邻的两个主像素区，每个主像素区分别包括沿第二方向依次相邻的四个子像素区，四个子像素区分别为R子像素区、G子像素区、B子像素区和W子像素区，所述第一方向与所述第二方向基本垂直；

八个薄膜晶体管，分别设置于对应的子像素区内；

与所述第一方向平行的两条栅极线和与所述第二方向平行的四条数据线，两条栅极线包括：第一栅极线和第二栅极线，四条数据线包括：顺序排列的第一数据线、第二数据线、第三数据线和第四数据线；

其中，每条数据线分别与两个薄膜晶体管的源极电连接，其中，不同的数据线所电连接的薄膜晶体管不同；与同一条数据线电连接的两个薄膜晶体管的栅极分别与不同的栅极线电连接。

基于该像素结构，制作出的液晶显示面板的像素的驱动方式也与现有技术不同了，该像素结构中的每个像素单元均按照相同的驱动方法进行驱动，该驱动方法包括：

在第一时刻，两条栅极线中的第一栅极线为高电平，两条栅极线中的第二栅极线为低电平，与所述第一栅极线电连接的薄膜晶体管打开，四条数据线分别为与自己电连接的薄膜晶体管供电，所述第一数据线与第四数据线的电位极性相同，第二数据线与第三数据线的电位极性相同，且第一数据线与第二数据线的电位极性相反；

在第二时刻，所述第二栅极线为高电平，所述第一栅极线为低电平，与所述第二栅极线电连接的薄膜晶体管打开，四条数据线分别为与自己电连接的薄膜晶体管供电，四条数据线的电位极性不变。

本发明实施例的像素驱动过程中，栅极线在同一帧内扫描不同行的像素时，每条数据线信号的电位极性始终不变，即数据线采用列反转的驱动方式，实现了像素点反转的画面，由于数据线的极性不需频繁反转，即降低了数据线的驱动频率，从而降低了面板的功耗。

以上是本申请的核心思想，为了使本发明实施例提供的技术方案更加清楚，如下实施例对本发明上述技术方案进行详细描述：

本发明实施例提供一种双栅极驱动的横向排列的RGBW像素结构，该像素结构包括多个呈阵列式重复排列的像素单元，每个像素单元的结构图如图4所示，所述像素单元包括：

沿第一方向相邻的两个主像素区，即第一主像素区Z1和第二主像素区Z2，两个主像素区为一个像素单元，其中，每个主像素区分别包括沿第二方向依次相邻的四个子像素区，即第一子像素区、第二子像素区、第三子像素区和第四子像素区，即一个像素单元中共有8个子像素区，即子像素区L11-L14和L21-L24，其中，所述第一方向与所述第二方向基本垂直，优选的，本实施例中的第一方向为平行于栅极线的方向，第二方向为平行于数据线的方向；

本领域技术人员可以理解，在RGBW像素结构中，一个主像素区的四个子像素区分别为R子像素区、G子像素区、B子像素区和W子像素区，并且，上述的第一--第四子像素区的描述，只是在排列方向上沿数据线方向由上到下或由下到上进行的排序，并不限定各子像素区的颜色，在不同的主像素区内，同样名称的子像素区的颜色可以不同，换句话说，相同名称的子像素的颜色也可以不同。

具体的可以如图5所示，第一主像素区Z1中的第一子像素区L11可以为R子像素区，第二子像素区L12为G子像素区，第三子像素区L13为B子像素区，第四子像素区L14为W子像素区，第二主像素区Z2中的第一子像素区L21可以为B子像素区，第二子像素区L22为W子像素区，第三子像素区L23为R子像素区，第四子像素区L24为G子像素区。这里只是以图5中的排列方式为例，各子像素区的颜色排列是可以互换的，只要同一根栅极线连接的四个子像素区包括RGBW四个颜色的子像素区即可。

八个薄膜晶体管T11-T14和T21-T24，分别设置于对应的子像素区内，即每个子像素区内均设置有一个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管均包括源极、漏极和栅极；

与所述第一方向平行的两条栅极线，即第一栅极线G1和第二栅极线G2，分别设置于每个主像素区内的相邻两个子像素区之间，相对于第一主像素区Z1，本实施例中第一栅极线G1设置于第一子像素区L11和第二子像素区L12之间，第二栅极线G2设置于第三子像素区L13和第四子像素区L14之间，对于第二主像素区，栅极线的设置方式类同；

与所述第二方向平行的四条数据线，四条数据线包括：顺序排列的第一数据线D1、第二数据线D2、第三数据线D3和第四数据线D4，每两条数据线分别设置在两个主像素区的两侧，即所述第一主像素区Z1位于所述第一数据线D1和第二数据线D2之间，所述第二主像素区Z2位于所述第三数据线D3和第四数据线D4之间；

其中，每条数据线分别与两个薄膜晶体管的源极电连接，其中，不同的数据线所电连接的薄膜晶体管不同；与同一条数据线电连接的两个薄膜晶体管的栅极分别与不同的栅极线电连接。

两条栅极线和四条数据线与各个子像素区的连接方式可以如图4所示，也可以更换各数据线连接的子像素区，如将第一数据线D1和第二数据线D2连接的子像素区互换，将第三数据线D3和第四数据线D4连接的子像素区互换，本实施例中对此不做限定。

另外，还包括：

八个像素电极P11-P14和P21-P24，每个像素电极覆盖在对应的子像素区的透光区上，且分别与对应的薄膜晶体管的漏极电连接；

与像素电极部分重叠构成存储电容的公共电极线，具体的，所述公共电极线可以与所述栅极线位于同一金属层上，也可以与所述数据线位于同一金属层上，甚至可以位于区别于所述栅极线和数据线所在金属层之外的另一金属层上，为了减少工艺复杂度，本实施例中的公共电极线的制作方式优选为前2种。

下面以第一种情况为例，说明公共电极线的结构，具体如图6所示，图6中的公共电极线com1-com3与栅极线G1和G2位于同一金属层上，也就是说公共电极线com1-com3与栅极线G1和G2是在同一光刻和刻蚀过程中制作的，公共电极线可与各个子像素区的像素电极部分重叠，形成相应子像素区的存储电容。

本领域技术人员可以理解，公共电极线和遮光线的结构可以如图6中所示，也可以做成网状结构，只要能够实现其功能即可，并且，图6中仅是以第一种情况为例说明了公共电极线的形状和结构，至于其它的公共电极线和遮光线的制作方式和结构，可以与现有技术中的结构类似，这里不再赘述。

另外，需要说明的是，针对不同驱动方式的液晶显示装置，所述像素结构中子像素区的形状也可以不同，具体的，对于采用TN驱动方式的液晶显示装置，所述像素结构一般采用单畴模式，此时，所述子像素区为长方形区域，所述长方形区域的长边与栅极线平行。

而对于采用IPS或FFS驱动方式的液晶显示装置，所述子像素结构可采用单畴模式、双畴模式或多畴模式。当所述像素结构采用单畴模式时，所述子像素区为长方形区域，所述长方形区域的长边与栅极线平行；所述像素结构采用双畴模式时，所述子像素区为人字形区域，所述像素电极为人字形电极，多畴模式时的像素电极形状与常规液晶显示装置的多畴模式类似，这里不再赘述。

本领域技术人员可以理解，单畴模式的子像素区的形状包括但不限于长方形，双畴和多畴模式时子像素区的形状包括但不限于人字形，还可以为本领域技术公知的其它形状，并且对于采用IPS或FFS驱动方式的液晶显示装置而言，采用单畴模式的像素结构时，电场方向单一，像素区域内的液晶排列方式一致，在某些特定的角度会出现灰阶逆转现象；而采用双畴模式或多畴模式的像素结构，电场方向和液晶排列方式具有对称结构，可以改善液晶显示器在大视角下的灰阶逆转现象，从而提高视角。

本发明实施例中的RGBW像素结构，改变了主像素区内RGBW子像素区的排列方式，将RGBW子像素区由“田字型”排列改为了平行于数据线方向排列，并且一个像素单元中设置2条栅极线和4条数据线，为数据线的列反转驱动方式提供了结构基础。

通常，在3D显示中，为了让人的左右眼看到不同的图像，置于显示面板前的光栅格子需要纵向排列，其中，一个光栅格子的大小与一个主像素区的大小相近；由于光栅格子所在的玻璃板与显示面板组装时的对位误差，导致光栅格子可能会遮挡住某个颜色，比如遮挡了红色子像素区的部分面积，从而造成严重的颜色偏离和色差。而现有技术中的RGBW像素结构很明显也存在这个问题，从而很难应用在3D显示中。

而本发明实施例中的RGBW像素结构采用了横向排列方式，即将各颜色子像素区横向排列，这样即使光栅格子所在的玻璃板与显示面板组装时有对位误差，四个颜色的子像素区都会被挡住相同的面积，虽然每个子像素区的透光量有所下降，但是四个子像素区所形成的颜色不会有偏移，即减少了光栅对位偏差造成的色差，可应用于3D显示中。

本发明另一实施例还公开了一种采用上述RGBW像素结构的液晶显示面板，该液晶显示面板包括：第一基板、第二基板和位于第一基板和第二基板之间的液晶层，其中，第一基板上设置有以上实施例所述的双栅极驱动的横向排列的RGBW像素结构。其中，第一基板可以是TFT基板；第二基板可以是彩色滤光片(Color filter，CF)基板。

需要说明的是，根据采用的驱动方式的不同，该液晶显示装置的结构也不同，若为TN驱动方式的液晶显示装置，第二基板朝向液晶层的一面上还具有一公共电极层，该公共电极层与位于第一基板上的像素电极间产生电场，驱动液晶的转向；若为IPS驱动方式的液晶显示装置，则通过位于第一基板上的公共线和像素电极间的电场来驱动液晶的转向；若为FFS驱动方式的液晶显示装置，在第一基板上设置有公共电极，通过公共电极与像素电极之间的电场来驱动液晶的转向，该公共电极一般采用透光的ITO材料制作，并且该公共电极可以与像素电极位于同一导电层上，也可以位于不同导电层上，若二者在同一导电层上，则二者相间排列，若二者位于不同导电层上，公共电极和像素电极所在的导电层的位置是可以互换的，这种情况下，公共电极可为一体结构或为与像素电极相间排列的条形电极。

本发明另一实施例还公开了一种双栅极驱动的横向排列的RGBW像素驱动方法，适用于以上实施例所述的像素结构，该方法包括：

在第一时刻，两条栅极线中的第一栅极线为高电平，两条栅极线中的第二栅极线为低电平，与所述第一栅极线电连接的薄膜晶体管打开，四条数据线分别为与自己电连接的薄膜晶体管供电，所述第一数据线与第四数据线的电位极性相同，第二数据线与第三数据线的电位极性相同，且第一数据线与第二数据线的电位极性相反；

在第二时刻，所述第二栅极线为高电平，所述第一栅极线为低电平，与所述第二栅极线电连接的薄膜晶体管打开，四条数据线分别为与自己电连接的薄膜晶体管供电，四条数据线的电位极性不变。

对于图5中所示的RGBW像素结构，在像素驱动过程中，数据线的时序如图7所示，数据线为列反转驱动，而实现的RGBW像素结构的点反转画面的像素极性如图8所示，所谓列反转驱动是指在同一帧内，栅极线扫描不同行的像素时，每条数据线的信号始终保持同一电位极性。

具体的，结合图5、图7和图8进行说明，在t1时刻，G1为高电平，薄膜晶体管T11、T12、T21、T22同时打开，此时，D1给L11输送数据，D2给L12输送数据，D3给L21输送数据，D4给L22输送数据，为了实现画面的点反转，若D1此时为低电平，D2和D3必然为高电平，D4为低电平；在t2时刻，G1为低电平，薄膜晶体管T13、T14、T23、T24同时打开，此时，D1给L13输送数据，D2给L14输送数据，D3给L23输送数据，D4给L24输送数据，参见图8，此时L13和L24需为低电平，L14和L23为高电平，即D1应为低电平，D2和D3为高电平，D4为低电平，也就是说，在t2时刻各数据线的电位极性与t1时刻相同，四条数据线的电位极性仍保持不变，在后续各个时刻，以此类推，各数据线的电位极性始终保持不变。

综上所述，以本发明实施例提供的RGBW像素结构为基础，使得栅极线在同一帧内扫描不同行的像素时，每条数据线信号的电位极性始终不变，即数据线采用列反转的驱动方式，实现了像素点反转的画面，由于数据线的极性不需频繁反转，即降低了数据线的驱动频率，从而降低了面板的功耗。

本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种双栅极驱动的横向排列的RGBW像素结构，其特征在于，该像素结构包括多个呈阵列式重复排列的像素单元，每个像素单元包括：

沿第一方向相邻的两个主像素区，每个主像素区分别包括沿第二方向依次相邻的四个子像素区，四个子像素区分别为R子像素区、G子像素区、B子像素区和W子像素区，所述第一方向与所述第二方向基本垂直；

八个薄膜晶体管，分别设置于对应的子像素区内；

与所述第一方向平行的两条栅极线和与所述第二方向平行的四条数据线，两条栅极线包括：第一栅极线和第二栅极线，四条数据线包括：顺序排列的第一数据线、第二数据线、第三数据线和第四数据线；

其中，每条数据线分别与两个薄膜晶体管的源极电连接，其中，不同的数据线所电连接的薄膜晶体管不同；与同一条数据线电连接的两个薄膜晶体管的栅极分别与不同的栅极线电连接。

2.根据权利要求1所述的双栅极驱动的横向排列的RGBW像素结构，其特征在于，所述子像素结构采用单畴模式、双畴模式或多畴模式。

3.根据权利要求2所述的双栅极驱动的横向排列的RGBW像素结构，其特征在于，所述子像素结构采用单畴模式时，所述子像素区为长方形区域，所述长方形区域的长边与栅极线平行。

4.根据权利要求2所述的双栅极驱动的横向排列的RGBW像素结构，其特征在于，所述子像素结构采用双畴模式时，所述子像素区为人字形区域，所述像素电极为人字形电极。

5.根据权利要求1所述的双栅极驱动的横向排列的RGBW像素结构，其特征在于，所述四个子像素区包括第一子像素区、第二子像素区、第三子像素区和第四子像素区；

所述第一栅极线位于所述第一子像素区和第二子像素区之间，所述第二栅极线位于所述第三子像素区和第四子像素区之间。

6.根据权利要求1所述的双栅极驱动的横向排列的RGBW像素结构，其特征在于，所述两个主像素区包括：第一主像素区和第二主像素区；

所述第一主像素区位于所述第一数据线和第二数据线之间，所述第二主像素区位于所述第三数据线和第四数据线之间。

7.根据权利要求1所述的双栅极驱动的横向排列的RGBW像素结构，其特征在于，还包括：像素电极，和与像素电极部分重叠构成存储电容的公共电极线，其中，像素电极覆盖在子像素区的透光区上。

8.根据权利要求7所述的双栅极驱动的横向排列的RGBW像素结构，其特征在于，所述公共电极线与所述栅极线位于同一金属层上；

或者所述公共电极线与所述数据线位于同一金属层上；

或者所述公共电极线位于区别于所述栅极线和数据线所在金属层之外的另一金属层上。

9.一种液晶显示面板，包括：第一基板、第二基板和位于第一基板和第二基板之间的液晶层，其特征在于，所述第一基板上设置有权利要求1-8任一项所述的双栅极驱动的横向排列的RGBW像素结构。

10.一种双栅极驱动的横向排列的RGBW像素驱动方法，其特征在于，该方法适用于权利要求求1-8任一项所述的双栅极驱动的横向排列的RGBW像素结构，每个像素单元均按照相同的驱动方法进行驱动，该方法包括：

在第一时刻，两条栅极线中的第一栅极线为高电平，两条栅极线中的第二栅极线为低电平，与所述第一栅极线电连接的薄膜晶体管打开，四条数据线分别为与自己电连接的薄膜晶体管供电，所述第一数据线与第四数据线的电位极性相同，第二数据线与第三数据线的电位极性相同，且第一数据线与第二数据线的电位极性相反；

在第二时刻，所述第二栅极线为高电平，所述第一栅极线为低电平，与所述第二栅极线电连接的薄膜晶体管打开，四条数据线分别为与自己电连接的薄膜晶体管供电，四条数据线的电位极性不变。

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