CN113690252B - 阵列基板及显示面板 - Google Patents

阵列基板及显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN113690252B
CN113690252B CN202110929935.8A CN202110929935A CN113690252B CN 113690252 B CN113690252 B CN 113690252B CN 202110929935 A CN202110929935 A CN 202110929935A CN 113690252 B CN113690252 B CN 113690252B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
thin film
film transistor
pixel electrode
array substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110929935.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113690252A (zh
Inventor
吕晓文
赵丽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN202110929935.8A priority Critical patent/CN113690252B/zh
Priority to US17/598,196 priority patent/US20240021624A1/en
Priority to PCT/CN2021/113503 priority patent/WO2023015592A1/zh
Publication of CN113690252A publication Critical patent/CN113690252A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113690252B publication Critical patent/CN113690252B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本申请实施例公开了一种阵列基板及显示面板，在同一画面帧中，第一数据线和第二数据线中的一者用于接入正极性信号，第一数据线和第二数据线中的另一者用于接入负极性信号；第一像素电极电连接于第一数据线，第二像素电极电连接于第二数据线；第一共享电极用于接入与第一数据线相同极性的信号，第一子像素电极通过第一共享薄膜晶体管连接于第一共享电极；第二共享电极用于接入与第二数据线相同极性的信号，第二子像素电极通过第二共享薄膜晶体管连接于第二共享电极。本申请实施例改善第一子像素电极和第二子像素电极的电压差异，使得在同一画面帧中，对应于第一像素电极的像素和对应于第二像素电极的像素的亮度差异，降低了出现摇头纹的风险。

Description

阵列基板及显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的发明人发现，显示面板在Stripper架构下容易出现摇头纹问题。具体的，就是不同的列，因为极性不同，亮度不同，会出现随人视线移动出现竖纹的问题,频率越低，面板的分辨率越低，正负帧相对公共电极极性差异就越大，摇头纹现象越严重。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板，可以降低出现摇头纹的风险。
本申请实施例提供一种阵列基板，其包括：
多条扫描线；
多条数据线，包括多条第一数据线和多条第二数据线，多条所述数据线和多条所述扫描线交叉形成多个像素区域；在同一画面帧中，所述第一数据线和所述第二数据线中的一者用于接入正极性信号，所述第一数据线和所述第二数据线中的另一者用于接入负极性信号；
多个像素电极，所述像素电极设置在所述像素区域中，多个所述像素电极包括多个第一像素电极和多个第二像素电极，所述第一像素电极电连接于所述第一数据线，所述第二像素电极电连接于所述第二数据线；所述第一像素电极包括第一子像素电极，所述第二像素电极包括第二子像素电极；
第一共享电极，所述第一共享电极用于接入与所述第一数据线相同极性的信号，所述第一子像素电极通过第一共享薄膜晶体管连接于所述第一共享电极；以及
第二共享电极，所述第二共享电极用于接入与所述第二数据线相同极性的信号，所述第二子像素电极通过第二共享薄膜晶体管连接于所述第二共享电极。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括第一薄膜晶体管和第一存储电容；
所述第一薄膜晶体管的栅极连接于所述扫描线，所述第一薄膜晶体管的源极连接于所述第一数据线，所述第一薄膜晶体管的漏极分别连接于所述第一存储电容、所述第一子像素电极和所述第一共享薄膜晶体管的源极；
所述第一共享薄膜晶体管的栅极连接于所述扫描线，所述第一共享薄膜晶体管的漏极连接于所述第一共享电极。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一像素电极还包括第一主像素电极；所述阵列基板还包括第二薄膜晶体管和第二存储电容；
所述第二薄膜晶体管的栅极连接于所述扫描线，所述第二薄膜晶体管的源极连接于所述第一数据线，所述第二薄膜晶体管的漏极分别连接于所述第二存储电容、所述第一主像素电极。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括第三薄膜晶体管和第三存储电容；
所述第三薄膜晶体管的栅极连接于所述扫描线，所述第三薄膜晶体管的源极连接于所述第二数据线，所述第三薄膜晶体管的漏极分别连接于所述第三存储电容、所述第二子像素电极和所述第二共享薄膜晶体管的源极；
所述第二共享薄膜晶体管的栅极连接于所述扫描线，所述第二共享薄膜晶体管的漏极连接于所述第二共享电极。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二像素电极还包括第二主像素电极；所述阵列基板还包括第四薄膜晶体管和第四存储电容；
所述第四薄膜晶体管的栅极连接于所述扫描线，所述第四薄膜晶体管的源极连接于所述第二数据线，所述第四薄膜晶体管的漏极分别连接于所述第四存储电容、所述第二主像素电极。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板包括与所述扫描线同层设置的第一公共电极和第二公共电极，所述第一公共电极的部分与所述第一子像素电极重叠设置形成所述第一存储电容；所述第一公共电极的部分与所述第一主像素电极重叠设置形成所述第二存储电容；
所述第二公共电极的部分与所述第二子像素电极重叠设置形成所述第三存储电容；所述第二公共电极的部分与所述第二主像素电极重叠设置形成所述第四存储电容。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一公共电极和所述第二公共电极连接于同一所述扫描线。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一数据线和所述第二数据线沿着第一方向交替排列设置；所述第一共享电极和所述第二共享电极沿着所述第一方向交替排列设置；
多个所述第一像素电极沿着第二方向排列成第一排，多个所述第二像素电极沿着所述第二方向排列成第二排；所述第一排和所述第二排沿着所述第一方向交替排列设置，所述第一方向与所述第二方向相交；
所述第一排的所述第一子像素电极电性连接于所述第一共享电极，所述第二排的所述第二子像素电极电性连接于所述第二共享电极。
相应的，本申请实施例还提供一种显示面板，其包括彩膜基板和如上述任意一项实施例所述的阵列基板，所述彩膜基板和所述阵列基板相对设置。
相应的，本申请实施例还提供一种显示面板，其包括彩膜基板和如上述任意一项实施例所述的阵列基板，所述彩膜基板和所述阵列基板相对设置；
所述显示面板还包括第一液晶电容、第二液晶电容、第三液晶电容和第四液晶电容，所述第一薄膜晶体管的漏极连接于所述第一液晶电容，所述第二薄膜晶体管的漏极连接于所述第二液晶电容，所述第三薄膜晶体管的漏极连接于所述第三液晶电容，所述第四薄膜晶体管的漏极连接于所述第四液晶电容。
本申请实施例的阵列基板及显示面板，在阵列基板中，在同一画面帧中，第一数据线和第二数据线中的一者用于接入正极性信号，第一数据线和第二数据线中的另一者用于接入负极性信号；第一像素电极电连接于第一数据线，第二像素电极电连接于第二数据线；第一像素电极包括第一子像素电极，第二像素电极包括第二子像素电极；第一共享电极用于接入与第一数据线相同极性的信号，第一子像素电极通过第一共享薄膜晶体管连接于第一共享电极；第二共享电极用于接入与第二数据线相同极性的信号，第二子像素电极通过第二共享薄膜晶体管连接于第二共享电极。
本申请实施例的基板及显示面板采用第一子像素电极通过第一共享薄膜晶体管连接于第一共享电极，第二子像素电极通过第二共享薄膜晶体管连接于第二共享电极，以改善第一子像素电极和第二子像素电极的电压差异，进而改善显示面板中对应于第一像素电极的像素和对应于第二像素电极的像素的亮度差异，降低了出现摇头纹的风险。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图2是本申请实施例提供的阵列基板的局部等效电路图；
图3是本申请实施例提供的阵列基板的局部结构示意图；
图4是本申请实施例提供的显示面板的结构示意图；
图5是本申请实施例提供的显示面板的局部等效电路图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板，下文进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
其中薄膜晶体管的源极、漏极是可以互换的。在本申请实施例中，为区分薄膜晶体管除栅极之外的两极，将其中一极称为源极，另一极称为漏极。按附图中的形态规定开关薄膜晶体管的中间端为栅极、信号输入端为源极、信号输出端为漏极。
请参照图1-图3，本申请实施例提供一种阵列基板100，其包括多条扫描线11、多条数据线12、多个像素电极13、第一共享电极14和第二共享电极15。
多条数据线12和多条扫描线11交叉形成多个像素区域xs。多条数据线12包括多条第一数据线121和多条第二数据线122。在同一画面帧中，第一数据线121和第二数据线122中的一者用于接入正极性信号，第一数据线121和第二数据线122中的另一者用于接入负极性信号。
像素电极13设置在像素区域xs中，多个像素电极13包括多个第一像素电极131和多个第二像素电极132。第一像素电极131电连接于第一数据线121。第二像素电极132电连接于第二数据线122。第一像素电极131包括第一子像素电极13a。第二像素电极132包括第二子像素电极13b。
第一共享电极14用于接入与第一数据线121相同极性的信号。第一子像素电极13a通过第一共享薄膜晶体管gt1连接于第一共享电极14。
第二共享电极15用于接入与第二数据线122相同极性的信号。第二子像素电极13b通过第二共享薄膜晶体管gt2连接于第二共享电极15。
本申请实施例的阵列基板100采用第一子像素电极13a通过第一共享薄膜晶体管gt1连接于第一共享电极14，第二子像素电极13b通过第二共享薄膜晶体管gt2连接于第二共享电极15，以改善第一子像素电极13a和第二子像素电极13b的电压差异，进而改善显示面板中对应于第一像素电极131的像素和对应于第二像素电极132的像素的亮度差异，降低了出现摇头纹的风险。
可选的，阵列基板100还包括第一薄膜晶体管t1和第一存储电容c1。
第一薄膜晶体管t1的栅极连接于扫描线11，第一薄膜晶体管t1的源极连接于第一数据线121，第一薄膜晶体管t1的漏极分别连接于第一存储电容c1、第一子像素电极13a和第一共享薄膜晶体管gt1的源极。
第一共享薄膜晶体管gt1的栅极连接于扫描线11，第一共享薄膜晶体管gt1的漏极连接于第一共享电极14。
可选的，第一像素电极131还包括第一主像素电极13c。阵列基板100还包括第二薄膜晶体管t2和第二存储电容c2。
第二薄膜晶体管t2的栅极连接于扫描线11，第二薄膜晶体管t2的源极连接于第一数据线121，第二薄膜晶体管t2的漏极分别连接于第二存储电容c2、第一主像素电极13c。
可选的，阵列基板100还包括第三薄膜晶体管t3和第三存储电容c3。
第三薄膜晶体管t3的栅极连接于扫描线11，第三薄膜晶体管t3的源极连接于第二数据线122，第三薄膜晶体管t3的漏极分别连接于第三存储电容c3、第二子像素电极13b和第二共享薄膜晶体管gt2的源极。
第二共享薄膜晶体管gt2的栅极连接于扫描线11，第二共享薄膜晶体管gt2的漏极连接于第二共享电极15。
可选的，第二像素电极132还包括第二主像素电极13d。阵列基板100还包括第四薄膜晶体管t4和第四存储电容c4。
第四薄膜晶体管t4的栅极连接于扫描线11，第四薄膜晶体管t4的源极连接于第二数据线122，第四薄膜晶体管t4的漏极分别连接于第四存储电容c4、第二主像素电极13d。
可选的，请参照图1，第一数据线121和第二数据线122沿着第一方向x交替排列设置。第一共享电极14和第二共享电极15沿着第一方向x交替排列设置。
多个第一像素电极131沿着第二方向y排列成多排第一排h1。多个第二像素电极132沿着第二方向y排列成多排第二排h2。第一排h1和第二排h2沿着第一方向x交替排列设置。第一方向x与第二方向y相交。
可选的，第一方向x垂直于第二方向y。在一些实施例中，第一方向x也可以不垂直于第二方向y。
第一排h1的第一子像素电极13a电性连接于第一共享电极14。第二排h2的第二子像素电极13b电性连接于第二共享电极15。
其中，由于整排的第一像素电极131的第一子像素电极13a连接第一共享电极14，整排的第二像素电极132的第二子像素电极13b连接第二共享电极15，以改善相邻的第一排h1的第一子像素电极13a和第二排h2的第二子像素电极13b的电压差异，进而改善显示面板中，在同一画面帧中，对应于整排第一像素电极131的像素和对应于整排第二像素电极132的像素的亮度差异，进一步降低了出现摇头纹的风险。
可选的，阵列基板100还包括第一公共线G1和第二公共线G2，多个第一共享电极14连接于第一公共线G1，多个第二共享电极15连接于第二公共线G2。
可选的，请参照图3，阵列基板100包括与扫描线11同层设置的第一公共电极16和第二公共电极17。第一公共电极16的部分与第一子像素电极13a重叠设置形成第一存储电容c1。第一公共电极16的部分与第一主像素电极13c重叠设置形成第二存储电容c2。
第二公共电极17的部分与第二子像素电极13b重叠设置形成第三存储电容c3。第二公共电极17的部分与第二主像素电极13d重叠设置形成第四存储电容c4。
可选的，第一公共电极16和第二公共电极17连接于同一扫描线11。第一公共电极16和第二公共电极17沿着第一方向x交替设置。
可选的，数据线12、第一共享电极14和第二共享电极15同层设置。扫描线11和数据线12不同层设置。
可选的，第一共享电极14的部分与第一像素电极131重叠。第一共享电极14设置在第一薄膜晶体管t1、第二薄膜晶体管t2和第一共享薄膜晶体管gt1的外侧。
可选的，第二共享电极15的部分与第二像素电极132重叠。第二共享电极15设置在第三薄膜晶体管t3、第四薄膜晶体管t4和第二共享薄膜晶体管gt2的外侧。
可选的，本实施例的阵列基板100示出的是，主像素电极和子像素电极位于扫描线11的不同侧。在一些实施例中，主像素电极和子像素电极也可以位于扫描线11的同一侧。
请参照图4，相应的，本申请实施例还提供一种显示面板1000，其包括彩膜基板cf和阵列基板ar，彩膜基板cf和阵列基板ar相对设置。
其中，阵列基板ar的结构与上述实施例的阵列基板100的结构相似或相同；故关于本实施例的显示面板1000的阵列基板ar的结构可参照上述实施例的阵列基板100所阐述的内容。
请参照图5，所述显示面板1000还包括第一液晶电容cl1、第二液晶电容cl2、第三液晶电容cl3和第四液晶电容cl4。
第一薄膜晶体管t1的漏极连接于第一液晶电容cl1。第二薄膜晶体管的漏极连接于所述第二液晶电容cl2。第三薄膜晶体管t3的漏极连接于第三液晶电容cl3。第四薄膜晶体管t4的漏极连接于所述第四液晶电容cl4。
其中彩膜基板cf的公共电极与阵列基板100的像素电极形成液晶电容。
本申请实施例的显示面板1000采用第一子像素电极13a通过第一共享薄膜晶体管gt1连接于第一共享电极14，第二子像素电极13b通过第二共享薄膜晶体管gt2连接于第二共享电极15，以改善第一子像素电极13a和第二子像素电极13b的电压差异，使得在同一画面帧中，对应于第一像素电极131的像素和对应于第二像素电极132的像素的亮度差异，降低了出现摇头纹的风险。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (8)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
多条扫描线；
多条数据线，包括多条第一数据线和多条第二数据线，多条所述数据线和多条所述扫描线交叉形成多个像素区域；在同一画面帧中，所述第一数据线和所述第二数据线中的一者用于接入正极性信号，所述第一数据线和所述第二数据线中的另一者用于接入负极性信号；
多个像素电极，所述像素电极设置在所述像素区域中，多个所述像素电极包括多个第一像素电极和多个第二像素电极，所述第一像素电极电连接于所述第一数据线，所述第二像素电极电连接于所述第二数据线；所述第一像素电极包括第一子像素电极，所述第二像素电极包括第二子像素电极；
第一共享电极，所述第一共享电极用于接入与所述第一数据线相同极性的信号，所述第一子像素电极通过第一共享薄膜晶体管连接于所述第一共享电极；以及
第二共享电极，所述第二共享电极用于接入与所述第二数据线相同极性的信号，所述第二子像素电极通过第二共享薄膜晶体管连接于所述第二共享电极；
所述阵列基板还包括第一薄膜晶体管和第一存储电容；
所述第一薄膜晶体管的栅极连接于所述扫描线，所述第一薄膜晶体管的源极连接于所述第一数据线，所述第一薄膜晶体管的漏极分别连接于所述第一存储电容、所述第一子像素电极和所述第一共享薄膜晶体管的源极；
所述第一共享薄膜晶体管的栅极连接于所述扫描线，所述第一共享薄膜晶体管的漏极连接于所述第一共享电极；
所述第一像素电极还包括第一主像素电极；所述阵列基板还包括第二薄膜晶体管和第二存储电容；
所述第二薄膜晶体管的栅极连接于所述扫描线，所述第二薄膜晶体管的源极连接于所述第一数据线，所述第二薄膜晶体管的漏极分别连接于所述第二存储电容、所述第一主像素电极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第三薄膜晶体管和第三存储电容；
所述第三薄膜晶体管的栅极连接于所述扫描线，所述第三薄膜晶体管的源极连接于所述第二数据线，所述第三薄膜晶体管的漏极分别连接于所述第三存储电容、所述第二子像素电极和所述第二共享薄膜晶体管的源极；
所述第二共享薄膜晶体管的栅极连接于所述扫描线，所述第二共享薄膜晶体管的漏极连接于所述第二共享电极。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二像素电极还包括第二主像素电极；所述阵列基板还包括第四薄膜晶体管和第四存储电容；
所述第四薄膜晶体管的栅极连接于所述扫描线，所述第四薄膜晶体管的源极连接于所述第二数据线，所述第四薄膜晶体管的漏极分别连接于所述第四存储电容、所述第二主像素电极。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括与所述扫描线同层设置的第一公共电极和第二公共电极，所述第一公共电极的部分与所述第一子像素电极重叠设置形成所述第一存储电容；所述第一公共电极的部分与所述第一主像素电极重叠设置形成所述第二存储电容；
所述第二公共电极的部分与所述第二子像素电极重叠设置形成所述第三存储电容；所述第二公共电极的部分与所述第二主像素电极重叠设置形成所述第四存储电容。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一公共电极和所述第二公共电极连接于同一所述扫描线。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一数据线和所述第二数据线沿着第一方向交替排列设置；所述第一共享电极和所述第二共享电极沿着所述第一方向交替排列设置；
多个所述第一像素电极沿着第二方向排列成第一排，多个所述第二像素电极沿着所述第二方向排列成第二排；所述第一排和所述第二排沿着所述第一方向交替排列设置，所述第一方向与所述第二方向相交；
所述第一排的所述第一子像素电极电性连接于所述第一共享电极，所述第二排的所述第二子像素电极电性连接于所述第二共享电极。
7.一种显示面板，其特征在于，包括彩膜基板和如权利要求1-6任意一项所述的阵列基板，所述彩膜基板和所述阵列基板相对设置。
8.一种显示面板，其特征在于，包括彩膜基板和如权利要求3-5任意一项所述的阵列基板，所述彩膜基板和所述阵列基板相对设置；
所述显示面板还包括第一液晶电容、第二液晶电容、第三液晶电容和第四液晶电容，所述第一薄膜晶体管的漏极连接于所述第一液晶电容，所述第二薄膜晶体管的漏极连接于所述第二液晶电容，所述第三薄膜晶体管的漏极连接于所述第三液晶电容，所述第四薄膜晶体管的漏极连接于所述第四液晶电容。
CN202110929935.8A 2021-08-13 2021-08-13 阵列基板及显示面板 Active CN113690252B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110929935.8A CN113690252B (zh) 2021-08-13 2021-08-13 阵列基板及显示面板
US17/598,196 US20240021624A1 (en) 2021-08-13 2021-08-19 Array substrate and display panel
PCT/CN2021/113503 WO2023015592A1 (zh) 2021-08-13 2021-08-19 阵列基板及显示面板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110929935.8A CN113690252B (zh) 2021-08-13 2021-08-13 阵列基板及显示面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113690252A CN113690252A (zh) 2021-11-23
CN113690252B true CN113690252B (zh) 2023-10-17

Family

ID=78579833

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110929935.8A Active CN113690252B (zh) 2021-08-13 2021-08-13 阵列基板及显示面板

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240021624A1 (zh)
CN (1) CN113690252B (zh)
WO (1) WO2023015592A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113823239B (zh) * 2021-09-27 2023-02-28 惠州华星光电显示有限公司 显示面板及显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102253555A (zh) * 2011-08-15 2011-11-23 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种蓝相液晶显示器的像素结构
CN105137675A (zh) * 2015-09-30 2015-12-09 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板和液晶显示面板
CN105467639A (zh) * 2016-01-13 2016-04-06 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示面板及其驱动方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101718499B1 (ko) * 2010-02-01 2017-03-22 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN110109309A (zh) * 2019-05-06 2019-08-09 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其显示面板
CN210155492U (zh) * 2019-08-16 2020-03-17 北京京东方显示技术有限公司 阵列基板以及显示装置
CN110910846A (zh) * 2019-11-21 2020-03-24 Tcl华星光电技术有限公司 显示驱动方法及液晶显示装置
CN112180631B (zh) * 2020-10-16 2023-06-30 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及电子设备

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102253555A (zh) * 2011-08-15 2011-11-23 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种蓝相液晶显示器的像素结构
CN105137675A (zh) * 2015-09-30 2015-12-09 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板和液晶显示面板
CN105467639A (zh) * 2016-01-13 2016-04-06 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示面板及其驱动方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20240021624A1 (en) 2024-01-18
CN113690252A (zh) 2021-11-23
WO2023015592A1 (zh) 2023-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3349935B2 (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置
RU2681670C1 (ru) Подложка матрицы и жидкокристаллическое дисплейное устройство
US8045083B2 (en) Liquid crystal display
US20110063557A1 (en) Liquid crystal display
CN103185996A (zh) 横向排列的rgbw像素结构及其驱动方法、显示面板
JPH08179341A (ja) 液晶表示装置およびその駆動方法
US8259245B2 (en) Liquid crystal display and photomask for manufacturing the same
US11526059B2 (en) Array substrate and liquid crystal display panel
CN113311624A (zh) 一种阵列基板及显示面板
CN109188805B (zh) 像素阵列结构、显示面板及显示装置
US11030938B2 (en) Display panel and display device
US10114246B2 (en) Array substrate, liquid crystal display panel, and method for driving the liquid crystal display panel
WO2016078208A1 (zh) 一种阵列基板、显示装置
US6927807B2 (en) Liquid crystal display device
US8189159B2 (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
CN112748616A (zh) 阵列基板、阵列基板的制作方法、显示面板以及显示装置
CN103176320A (zh) 横向排列的像素结构、液晶显示装置及其制作方法
CN113741107A (zh) 阵列基板、显示面板及显示设备
US9671656B2 (en) Liquid crystal display
CN113690252B (zh) 阵列基板及显示面板
CN110187577B (zh) 显示基板、显示面板和显示装置
CN113741109A (zh) 阵列基板及显示面板
CN101893774B (zh) 液晶显示面板及其制造方法
CN111028801B (zh) 显示面板以及显示装置
CN103022141B (zh) 薄膜晶体管、双栅极驱动横向排列的像素结构及显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant