CN103179801B - 发光装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的目的在于提供一种发光装置的制造方法,该方法可有效地利用接合部件在加热熔融时的自对准效果,实现可将多个发光元件无限接近于点光源的高精度的发光元件的安装。一种发光装置的制造方法,该方法包括下述步骤:将3个以上的发光元件(9)安装于设置在支持基板上的一组导电部件上,就一组导电部件肉眼,安装发光元件(9)中的一个的安装部被设置成2个以上的列和2个以上的行,发光元件(9)在从一组导电部件的基本中间处沿辐射方向延伸的假想线上,自安装部移开,经由接合部件而安装于一组导电部件上,对接合部件进行加热熔融,利用加热熔融的自对准效果,将发光元件(9)安装于安装部上。
Description
技术领域
本发明涉及发光装置的制造方法。
背景技术
以往,采用在基板上安装发光二极管(LED)或激光二极管(LD)等发光元件的表面安装型的发光装置。该发光装置用于照明器具、显示画面的背光、车载用光源、显示器用光源、动画照明辅助光源、其它普通的民用光源等,与过去的光源相比较寿命长,而且,可节能地发光,故作为下一代的照明用光源备受期待。
近年来,要求进一步提高输出,作为应对方法,进行了发光元件的大型化(大面积化)或将多个小型发光元件组合等。
另一方面,为了采用透镜系等,制作取向特性得到控制的应用商品,发光源最好尽可能地为单一的类型,即,优选尽可能制成为点光源的发光装置。由此,为了提高输出,最好采用1个大型的发光元件。
但是,用封装件(package)等封装大面积的发光元件的技术本身较容易,但是难以由晶片,以良好的合格率制造大面积发光元件。
由此,安装多个容易以良好的合格率制造的小型化的发光元件的方式对于成本是有利的,但是从安装位置精度的问题来说,以接近点光源的方式密集地安装多个发光元件是困难的。
于是,公开了下述方法:针对所安装的多个发光元件等每个电子器件,按照已设定的量,使位置错开(移动),印刷焊锡(例如,专利文献1)。通过该方法,在焊锡接合过程中,可利用自对准效果,将发光元件设置于正规的位置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:JP特开2002-134892号文献
发明内容
发明要解决的课题
但是,实际上目前的状况是,在专利文献1记载的安装方法中,安装位置的精度不稳定,无法达到充分令人满意的程度。
本发明是针对这样的情况而提出的,本发明的目的在于提供一种发光装置的制造方法,该方法可有效地利用接合部件在加热熔融时的自对准效果,可实现使多个发光元件无限地接近于点光源的高精度的发光元件的安装。
用于解决课题的方法
本发明包括下述的发明。
(1)一种发光装置的制造方法,该方法将3个以上的发光元件安装于设置在支持基板上的一组导电部件上,其特征在于该方法包括下述步骤:
上述一组导电部件如下地设置而成:安装所述一个发光元件之一的安装部设置成2个以上的列和2个以上的行;
上述发光元件在从上述一组导电部件的基本中间处沿辐射方向延伸的假想线上自上述安装部移开,经由接合部件安装于上述一组导电部件上;
对上述接合部件进行加热熔融,利用该加热熔融的自对准效果,将上述发光元件安装于上述安装部上。
(2)一种发光装置,其中,3个以上的发光元件安装于设置在支持基板上的一组导电部件上,其特征在于:
上述一组导电部件如下地设置而成:安装所述发光元件之一的安装部设置成2个以上的列和2个以上的行;
上述发光元件在从上述一组导电部件的基本中间处沿辐射方向延伸的假想线上自上述安装部移开,经由接合部件安装于上述一组导电部件上。
另外,本发明还包括下述发明。
(1)一种发光装置的制造方法,该方法包括下述步骤:
就设置于支持基板上的一组导电部件而言,安装发光元件中的1个的安装部被设置成2个以上的列和2个以上的行;
使上述发光元件自上述安装部移开,经由接合部件而安装于上述一组导电部件上;
对上述接合部件进行加热熔融,利用该加热熔融产生的自对准效果,将上述发光元件安装于上述安装部上。
(2)上述任一项记载的发光装置的制造方法,其中,上述发光元件在从上述一组导电部件的基本中间处沿辐射方向延伸的假想线上移动。
(3)上述任一项记载的发光装置的制造方法,其中,上述安装部具有与上述发光元件的电极面积相同~比上述发光元件的电极面积小10%的面积。
(4)上述任一项记载的发光装置的制造方法,其中,上述一组导电部件具备:安装上述发光元件的安装部、将该安装部之间连接或从该安装部延伸的延伸部;
还包括将上述接合部件设置于上述安装部上的步骤。
(5)上述任一项记载的发光装置的制造方法,其中,上述接合部件通过薄膜形成法设置于上述安装部上。
(6)上述任一项记载的发光装置的制造方法,其中,上述接合部件通过焊膏供给法设置于上述安装部上。
(7)上述任一项记载的发光装置的制造方法,其中,上述接合部件的厚度为10μm以上,且为上述支持基板与上述发光元件的活性层间的距离以下。
(8)上述任一项记载的发光装置的制造方法,其中,上述接合部件由下述材料构成,该材料包含选自Au、Ag、Cu、Sn、Bi和Pb中的至少1种。
(9)上述任一项记载的发光装置的制造方法,其中,按照上述发光元件的沿上述辐射方向长度的30%以下的距离以辐射状移动该发光元件。
(10)一种发光装置,其包括:设置有一组导电部件的支持基板、和安装于所述一组导电部件上的3个以上的发光元件,
就上述一组导电部件而言,安装上述发光元件中的1个的安装部被设置成2个以上的列和2个以上的行;
使上述发光元件经由接合部件通过自对准而安装于上述一组导电部件上的安装部。
(11)上述记载的发光装置,其中,上述发光元件在从上述一组导电部件的基本中间处沿辐射方向延伸的假想线上通过自对准进行安装。
(12)上述任一项记载的发光装置,其中,上述一组导电部件具备安装上述发光元件的安装部、与将该安装部之间连接或从该安装部延伸的延伸部。
(13)上述任一项记载的发光装置,其中,上述安装部具有与上述发光元件的电极面积相同~比上述发光元件的电极面积小10%的面积。
(14)上述任一项记载的发光装置,其中,上述发光元件具有荧光体层。
(15)上述任一项记载的发光装置,其中,上述发光元件被透光性的封装部件包覆。
(16)上述任一项记载的发光装置,其中,上述封装部件含有荧光体。
(17)上述任一项记载的发光装置,其中,在上述发光元件和上述支持体之间设置底部填料。
(18)上述任一项记载的发光装置,其中,上述底部填料含有反射材料。
发明的效果
按照本发明的发光装置的制造方法,可有效地利用接合部件在加热熔融时的自对准效果,可实现能够使多个发光元件无限地接近于点光源的高精度的发光元件的安装。
附图说明
图1为通过本发明的发光装置的制造方法制造的发光元件安装部的截面示意图;
图2A为用于说明发光元件在俯视时的电极配置的图;
图2B为用于说明发光元件在俯视时的另一电极配置的图;
图3A为表示用于说明本发明的发光装置的制造方法的一个实施方式的导电部件的配置的俯视图;
图3B为表示用于说明本发明的发光装置的制造方法的一个实施方式的发光元件相对于导电部件的移动的俯视图;
图4为表示用于说明本发明的发光装置的制造方法的另一实施方式的导电部件的配置的俯视图;
图5A为表示用于说明本发明的发光装置的制造方法的又一实施方式的导电部件的配置的俯视图;
图5B为表示用于说明本发明的发光装置的制造方法的另一实施方式的发光元件相对于导电部件的移动的俯视图;
图6A为表示用于说明本发明的发光装置的制造方法的另一实施方式的导电部件的配置的俯视图;
图6B为表示用于说明本发明的发光装置的制造方法的另一实施方式的发光元件相对于导电部件的移动的俯视图;
图7为表示用于说明本发明的发光装置的制造方法的另一实施方式的发光元件相对于导电部件的移动的俯视图;
图8为表示用于说明本发明的发光装置的制造方法的另一实施方式的发光元件相对于导电部件的移动的俯视图。
符号说明:
1 基板;
2 半导体层;
3、3a 第1元件电极;
4、4a 第2元件电极;
5 接合部件;
6 第1基板电极(导电部件);
6a、6b 延伸部;
7 第2基板电极(导电部件);
7a、7b 延伸部;
8 支持基板;
9 发光元件;
Q 正规位置;
W 移动位置。
具体实施方式
在本说明书中,对于在实施方式中记载的组成部件的尺寸、材质、形状、其相对配置等,只要没有特定的记载,本发明并不仅仅限定于此,它们不过是单纯的说明例子。另外,各附图所示的部件的尺寸、位置关系等是放大的,以明确说明。另外,在下面的说明中,对于同一名称、标号,表示同一或同质的部件,适当地省略具体的说明。
本发明的发光装置的制造方法通过下述的方法进行,该方式为:将3个以上的发光元件经由接合部件而安装于设置在支持基板上的一组导电性部件上。即,为采用3个以上的较小型的发光元件,将该多个发光元件按照接近点光源的方式以良好的精度密集地安装的方法。为此,利用接合部件的接合过程中的自对准效果,将发光元件移到正规位置。
(发光元件)
本发明的发光装置的制造方法所采用的发光元件例如,象图1所示的那样,包括:由形成于蓝宝石基板1上的第1导电型半导体层、发光层和第2导电型半导体层构成的半导体层2;形成于第1导电型半导体层表面上的第1元件电极3;相对于例如由蓝宝石形成的基板1在与第1元件电极3同一侧面的第2导电型半导体层表面上形成的第2元件电极4。
但是,蓝宝石基板那样的,用于使半导体层生长的生长基板在用于发光装置时不是必需的。由此,也可在发光元件放置前或放置后,进行去除。例如,也可将于蓝宝石基板上具有氮化物半导体层的发光元件安装于支持基板上后,通过照射激光,在蓝宝石和半导体层的界面上,局部地产生热分解,剥离(去除)蓝宝石。激光的波长最好小于365nm,特别是最好为250nm左右。激光最好照射10~20秒左右。
第1元件电极3和第2元件电极4例如,象图2A所示的那样,在平面形状(俯视)时,以对角线状大致分割为一半,以同一面侧的方式设置于发光元件的基板1上。这些电极不必在1个发光元件中具有同一面积,例如,还可象图2B所示的那样,第1元件电极3a和第2元件电极4a之一具有小于另一个的面积。
另外,发光元件的平面形状没有特别的限定,可为4边形、多边形等的各种形式。其中,最好为四边形,特别是矩形。
该发光元件在作为一组的导电部件的第1基板电极6和第2基板电极7表面所形成的支持基板8上进行所谓的倒装芯片(flip chip)安装。
发光元件并不限于上述结构,也可设置适当的保护层、反射层、荧光体层等。
对于荧光体层,列举有,由覆盖发出蓝光的半导体发光元件结构外侧的荧光体或包括荧光体的树脂等形成的层。例如,在发出蓝光的发光元件上,组合由发出黄光的铈激发的YAG(钇/铝/石榴石)系荧光体或(Sr,Ba)2SiO4:Eu等硅酸盐系荧光体,形成发白光的元件。其中,发光颜色不仅为白色,可通过选择发光元件的射出波长、荧光体的种类,形成红色、蓝色、绿色等任意颜色。
荧光体层既可通过在后述的封闭部件中包括荧光体的方式设置,也可通过电沉积或贴片等的方式设置。
(支持基板)
本发明的发光装置的制造方法所采用的支持基板是指所谓的安装基板或封装基体材料等,其组成材料没有特别的限定,例如,最好由塑料、陶瓷、玻璃等绝缘性材料形成。另外,至少在其表面上,形成对发光元件的各电极供电用的一组导电部件。
其中,“一组”是指象上述那样,在为了接近点光源而将多个发光元件密集的情况下,为了可对构成1个点光源的多个发光元件全部进行供电,密集地配置与发光元件的正负极相对应的多个导电部件。
一组导电部件具有多个安装发光元件之一的安装部,该安装部是与发光元件的各电极对准,进行电连接用的部位。安装部按照2维方式设置。换言之,安装部按照具有2个以上的列和2个以上的行的方式设置。在这样的配置中,可列举,在列方向具有2个以上的安装部,在行方向具有2个以上的安装部。例如,列举有图3A所示那样的按照2列×2行配置的4个安装部,按照3列以上×3行以上配置的9个以上的安装部。另外,如果象图6A所示的那样,按照构成2列和2行的方式配置,则既可以使构成1列的安装部为1个,也可使构成1行的安装部为1个。即,最好不配置为3个以上的发光元件呈直线状配置的直线状的安装部。
另外,在任意地设置安装部的情况下,如果各自的安装部分别构成列和/或行,可按照构成1列以上和多行,或多列和1行以上(最好,2列以上和多行、或多列和2行以上)的方式配置,虽然关于这一点在图中没有示出。
换言之,一组导电部件例如,象图3A、图4A、图5A所示的那样,为了配置构成1个点光源的4个发光元件,列举有,以与各发光元件的正负极相对应且相互完全地或部分地分离的方式密集地配置的6片导电部件(与4个安装部相对应)。另外,象图6A所示的那样,为了配置构成1个点光源的3个发光元件,列举有,以与各发光元件的正负极相对应且相互完全地或部分地分离的方式密集地配置的5片导电部件(与3个安装部相对应)。
该组导电部件在1个支持基板上,包括与正负极相对应的多个导电部件,以一对正负极的方式构成1个安装部。
构成1个点光源的发光元件并不限于4个,例如,可以为3~16个左右,优选4~9个左右。由此,与此相对应的一组导电部件并不限于6片,例如,列举有3~20片左右,优选6~12片左右。
与各发光元件的1个正极或负极相对应且相互完全地或部分地分离的部位实质上指安装部,但为了供电,与外部的驱动电路电连接而延伸或配置的部位,即后述的延伸部除外。于是,“完全分离的部位”例如,在图3A中,对应于导电部件6,“部分地分离的部位”对应于由箭头A表示的部分分离的导电部件7。
另外,一组导电部件也可具备:将安装部之间电连接的部位、或从安装部延伸到支持基板上而引绕的延伸部。
延伸部最好从一组导电部件的基本中间处向与辐射方向不同的方向延长(例如,图5A的延伸部6a),在用作供电部的情况下,可具有能够将适合的电力供给安装部的宽度。由此,可将延伸部的自对准误差抑制在最小限。
对应于安装部(即在构成一组导电部件的各个导电部件上的,各发光元件的1个正极或负极,相互完全或部分地分离的部位)的面积,最好与发光元件的第1元件电极3或第2元件电极4相同~比其小10%。由此,可有效地灵活使用接合部件的加热熔融带来的自对准效果。
具体来说,列举有下述的形式,其中,作为支持基板,例如,叠置铝陶瓷的片,形成支持基板,在该支持基板上叠置金属膜等,按照规定的配线图案进行配线图案处理,形成导电部件。
作为导电部件,如果象上述那样,通过安装发光元件,可与发光元件的各电极电连接,可通过与外部驱动电路等电连接的材料形成即可,没有特别的限定,可采用本领域使用的形式。
在本发明的发光装置的制造方法中,由设置于支持基板上的一组导电部件的基本中间处沿辐射方向,分别使多个上述发光元件自安装部移开,将该发光元件经由接合部件安装于一组导电部件上(即,安装部上)。在“辐射方向“移动”是指在从导电部件的基本中间处沿辐射方向延伸的假想线上,自安装部移开,安装发光元件。
为此,预先在支持基板上的一组导电部件上(特别是安装部上)设置接合部件。接合部件的设置也可通过薄膜形成法(溅射、电镀、蒸镀等)或焊膏(paste)供给法,例如,于JP特开2002-134892号文献中记载的方法等,本领域公知的方法中的任意者形成。在该情况下,最好,适当控制接合部件的材料,位置、量(在薄膜的情况下,为其厚度)、邻接的接合部件的间隔。例如,采用薄膜形成法时,在加热熔融前后优选接合部件的厚度为10μm以上。另外,采用焊膏供给法时,在加热熔融前后也优选接合部件的厚度为10μm以上,更优选为20μm以上。在任意方法中,厚度均为不能到达发光元件的活性层的程度。另外,优选结合部件的大小(面积)为与发光元件面积同等的大小,或者大一圈或小一圈的程度。尤其是在倒装芯片安装的情况下,由于从支持基板到活性层的距离短,如果面积过大,则容易短路,因此优选结合部件的大小(面积)为与发光元件面积同等的大小,或者小一圈。
作为接合部件,可采用例如,包括具有共晶点的合金(Sn-Ag-Cu、Au-Sn等)的焊锡等具有导电性的焊膏,或将该焊膏形成为薄膜状而得到的制品。在这样的接合部件中,为了促进加热熔融,添加活性剂,以使接合材料表面的氧化膜还原,促进熔融。
一组导电部件的基本中间是指与象上述那样构成1个点光源的多个发光元件所连接的一组导电部件的外形相对而言的基本中间(或相当于重心的点)。换言之,是指相对于上述一组导电部件的全部“安装部”的外形的基本中心或重心。在这里所述的“基本”的意图在于允许全部安装部的直径或一边长度的±5%左右的偏差。或者,其意图在于允许±10μm左右的偏差。发光元件向辐射方向的移动量最好抑制在发光元件的辐射方向的长度(换言之,发光元件的对角线的长度)的30%左右以下。由此,可防止自对准错误,可容易并且以良好的合格率,进行高密度安装。
将发光元件“在从一组导电部件的基本中间处沿辐射方向延伸的假想线上,自安装部”移开是指:在安装4个4边形的发光元件的情况下,设置成例如在本来安装的发光元件的正规位置的对角线方向上,从一组导电部件的基本中间处分别错开的位置。于是,在安装4个的情况下,在辐射方向延伸的假想线上的移动方向可为相互改变(360/4)度的角度的方向,在安装3个的情况下,可为相互改变(360/3)度的角度的方向。
其中,根据安装的发光元件的数量,移动发光元件的方向不必一定在发光元件之间是均匀的。即,如果可通过接合部件的加热熔融,发挥自对准效果,使多个发光元件集合,不仅可进行在从一组导电部件的基本中间处由本来安装的发光元件的正规位置(即,与安装部相对应的位置)沿辐射方向延伸的假想线上的移动,而且还可在纵或横向、倾斜方向移动各发光元件。另外,移动方向也可不必以一组导电部件整体的基本中间为基准,还可以一组导电部件的一部分的基本中间为基准。另外,根据所安装的发光元件的数量,在辐射方向移动的发光元件还可为多个中的一部分、全部中的任意者。例如,在象图3B所示的那样,发光元件为4个的情况下,和象图5A所示的那样,发光元件为3个的情况下,最好,在辐射方向,移动全部的发光元件。
在将发光元件从正规位置移开而安装到导电部件上的情况下,将接合部件加热熔融。该加热熔融可根据所采用的接合部件适当地调整,例如,列举有,在230~280℃左右的温度范围内,加热1~10分钟的方法。对于加热,考虑到批量生产性、加热均匀性、气氛稳定性,可实现所谓的回流焊(reflow)方式(表面安装技术)的方式进行。通过该接合部件的加热熔融,可发挥接合部件的自对准效果,可按照邻接的发光元件之间的距离小于20μm的方式安装。
另外,自对准效果可根据接合部件的种类、量、位置、加热熔融时间、元件的配置位置等,适当地调整。特别是,可根据采用具有共晶点的合金(Sn-Ag-Cu、Au-Sn等),调整供给量,提高升温率等,控制移动允许范围,可发挥更加有效的自对准效果。
还可在将发光元件安装于支持基板上后,通过用保护膜覆盖发光元件和/或支持基板。例如,通过TiO2、Al2O3等白色的保护膜,至少覆盖支持基板上的导电部件,由此可容易地反射来自发光元件的光,可抑制通过导电部件吸收光的情况。保护膜可通过各种方法形成,列举有例如,电沉积等方法。
也可在将发光元件安装于支持基板上后,在任意的阶段,以相当于一组导电部件的单位,通过后述的那样的透光性的封装部件而封装,进行单片处理。由此,可制造实现3个以上发光元件密集而成的光源的发光装置。
本发明的发光装置按照3个以上的发光元件安装于设置在支持基板上的一组导电部件上的安装部的方式构成。象上述那样,一组导电部件中的安装1个发光元件的安装部按照2个以上的列和2个以上的行的方式设置。另外,发光元件在从一组导电部件的基本中间处沿辐射方向延伸的假想线上,经由接合部件,通过自对准而安装于一组导电部件上的安装部上。
优选全部发光元件在假想线上,优选设置于与安装部相对应的本来的位置,但允许全部发光元件中的1个以上在假想线上朝向一组导电部件的基本中间处稍稍移动,另外,还可根据情况,允许1个以上的发光元件在假想线上朝向与一组导电部件的基本中间处相反一侧而稍稍移动。
另外,自对准通过下述方式进行:在假想线上,设置于位置不同于本来位置的发光元件通过上述方法,例如,接合部件的加热熔融,发挥自对准效果,其痕迹可通过显微镜等观察导电部件表面而确认。
(封装部件)
本发明的发光装置优选代替上述保护膜的覆盖或在此基础上,在支持基板上覆盖发光元件等,并且设置封装部件作为免受尘垢、水分、外力等影响的保护部件。
作为构成封装部件的材料,列举有,具有可使来自发光元件的光透过的透光性,具有不易因它们的作用而劣化的耐光性的材料。作为具体的材料,最好为硅酮树脂、改性硅酮树脂、改性环氧树脂、氟树脂或它们的组合等具有可使来自发光元件的光透过的透光性的树脂。特别是最好采用二甲基硅酮、苯基含量少的苯基硅酮、氟系硅酮树脂等包括1种以上以硅氧烷骨架为基础的树脂的混合树脂等。
封装部件优选具有JISA硬度10以上和/或D硬度90以下的硬度,特别优选JISA40以上和/或D硬度70以下,更优选JISA40以上和D硬度70以下。
封装部件不但具有这样的材料,还可任意地包含着色剂、光扩散剂、光反射材料、各种填料、波长转换部件(荧光部件)等。
对于封装部件的形状,可根据配光特性等,设定其外形等,例如,顶面为凸透镜形状、凹透镜形状、菲尼尔透镜形状等,由此调整指向特性。特别是,为了将多个发光元件接近/安装多个发光元件形成点光源,可通过使封装部件的外形为凸透镜形状,获取指向性高的光。
封装部件可采用滴落法(滴下法)、压缩成型法、印刷法、转模(transfer mold,トランスフアモ-ルド)法、喷射分配器(jet dispenser,ジエツトデイスペンス)法等而形成。
(底部填料(アンダ-フイル)
另外,本发明的发光装置优选在发光元件之下(与支持基板之间)设置底部填料。对于上述封装部件,由于难以进入发光元件之下,故在按照狭窄的间隔而安装多个发光元件的情况下,在形成封装部件之前,可通过形成底部填料,防止发光元件之下的空隙等的发生。
作为底部填料,可通过如下材料形成:硅酮树脂、改性硅酮树脂、环氧树脂、改性环氧树脂、丙烯酸树脂、脲树脂、氟树脂等或这些树脂的组合,或含有以包含1种以上这些树脂的混合树脂作为基本聚合物的树脂。其中,优选包含硅酮树脂、环氧树脂等作为基本聚合物的树脂,更优选包含与封装部件相同的树脂。在这里,基本聚合物是指在构成底部填料的材料中,含量最多的树脂。
底部填料最好包含例如,SiO2、TiO2、Al2O3、ZrO2、MgO等反射材料和/或扩散材料。由此,可以以良好的效率反射光。
下面根据附图,对本发明的发光装置的制造方法进行说明。其中,下面给出的实施方式仅用于具体实现本发明的技术构思,并不限定于它们。
实施方式1
象图1所示的那样,在表面上形成有一组导电部件的支持基板8上,安装发光元件时,首先准备发光元件与支持基板。
发光元件例如,在俯视时,具有1.0mm×1.0mm左右的尺寸。发光元件的第1元件电极3和第2元件电极4象图2A所示的那样,具有基本相同的面积。
支持基板采用铝陶瓷基板。就支持基板而言,经过切割,形成最终各个尺寸为3.0mm×3.0mm左右的发光装置。下面对1个发光装置进行说明,但是,实际上,在切割前的状态,多个发光装置集中地处理。
在支持基板的表面上,形成由图3A所示的6片导电部件构成的一组导电部件。导电部件分别对应于与发光元件的正负电极相对应的第1元件电极3和第2元件电极4,实现作为第1基板电极6、第2基板电极7的功能。第1基板电极6和第2基板电极7主要构成导电部件的安装部,还包括由这些安装部沿横向延长的延长部6a,例如,将第2基板电极之间连接的延长部7a。由第1基板电极6和第2基板电极7构成的1个单位的安装部,即,与发光元件的两侧电极连接的安装部实质上与发光元件的尺寸相同。
在这样的一组导电部件上,作为接合部件,设置由Sn-Ag-Cu构成的导电性焊膏。导电性焊膏通过例如,焊膏供给法而设置于相当于对准后的发光元件的各电极的中间部附近的位置的安装部上。该接合部件的熔融温度为250℃左右。
4个发光元件经由接合部件,设置于导电部件上(图3A中的W的位置),使得4个发光元件分别由本来应安装的正规位置Q移开。移动量为在从一组导电部件的外形的基本中间处(图3A中的点C)沿4个辐射方向(其中一个参照图3A中的箭头X方向)距元件本来的安装位置相当于距离D(例如,100~200μm)的量。
即,在纵横地(2×2)设置4个4边形状的发光元件的情况下,从相当于一组导电部件的基本中间处的、该4个发光元件的中心沿与发自一组导电部件的基本中间的辐射方向相对应的、四边形状的发光元件的对角线方向移动,设置4个发光元件9(参照图3B)。
然后,通过回流焊(reflow)、热板加热等,使接合部件加热熔融,维持1~10秒,放置冷却到室温,由此,发挥加热熔融的接合部件的表面张力的自对准效果,将移动配置的(设置于W位置)发光元件9对准于元件本来的安装位置(即,正规位置Q)。由此,各发光元件的元件电极和支持基板的基板电极以机械和电方式连接。
连接这样的发光元件后的4个发光元件分别朝向一组导电部件的外形的基本中间处,即,在一组导电部件的辐射方向,朝向基本中间处移动而安装,元件间的距离分别基本小于20μm。另外,其配光呈现无限地接近点光源的配光特性。
实施方式2
除了一组导电部件的图案为图4所示的形状以外,通过与实施方式1相同的方法,制造发光装置。
其结果是,与实施方式1相同,可使元件间的距离小于20μm。
实施方式3
采用第1元件电极3a和第2元件电极4a的形状为图2B所示的形状的发光元件,一组导电部件的图案为图5A所示的形状,象图5B所示的那样,移动发光元件9进行设置,除了此方面以外,按照与实施方式1相同的方法,制造发光装置。
其结果是,与实施方式1相同,可使元件间的距离小于20μm。
另外,可防止异电极之间的接合。
实施方式4
一组导电部件的图案为图6A所示的形状,象图6B所示的那样,移动发光元件9进行设置,除了此方面以外,按照与实施方式1相同的方法,制造发光装置。
其结果是,与实施方式1相同,可使元件间的距离小于20μm。
实施方式5
除了一组导电部件的图案为图7所示的形状以外,按照与实施方式1相同的方法,制造发光装置。
其结果是,与实施方式1相同,可使元件间的距离小于20μm。
实施方式6
除了一组导电部件的图案为图8所示的形状,安装9个发光元件以外,实质上,按照与实施方式1相同的方法,制造发光装置。其中,进行配置,使得位于9个发光元件正中的发光元件相对于安装部实质上不发生移动。
象这样,按照上述实施方式的发光装置的制造方法,可最大限度而有效地利用接合材料在熔融时的自对准效果,可容易且精度良好地安装于极接近的位置。由此,实现无限地接近点光源的集成安装,可容易地制造将多个发光元件作为疑似点光源发挥作用的发光装置。其结果是,可容易地控制发光装置的配光特性。
工业实用性
本发明的发光装置的制造方法可适合用于各种发光装置,特别是,照明用光源、LED显示器、液晶显示器等的背光光源、信号机、照明式开关、各种传感器和各自指示器(indicator)、动画照明辅助光源,其它的普通民用品用光源等。
Claims (8)
1.一种发光装置的制造方法,该方法将3个以上的发光元件安装于设置在支持基板上的一组导电部件上,所述发光元件具有一对电极、配置于该电极间且具有沿给定方向延长的沟部,
该方法包括下述步骤:
设定从上述一组导电部件的中央向辐射方向延伸的假想线;
在上述一组导电部件具有一对正负极、和在所述一对正负极间沿所述假想线方向延伸或与其平行延伸的第一沟部,且安装上述发光元件中的1个的安装部被设置成2个以上的列和2个以上的行;
使上述发光元件在假想线上自上述安装部移开,经由接合部件而安装于上述一组导电部件上;
对上述接合部件进行加热熔融,利用该加热熔融产生的自对准效果,使上述发光元件沿所述假想线移开并安装于上述安装部上。
2.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法,其中,上述安装部具有与上述发光元件的电极面积相同至比上述发光元件的电极面积小10%的面积。
3.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法,其中,上述一组导电部件具备:安装上述发光元件的安装部、将该安装部之间连接或从该安装部延伸的延伸部;
该方法还包括将上述接合部件设置于上述安装部上的步骤。
4.根据权利要求2所述的发光装置的制造方法,其中,上述一组导电部件具备:安装上述发光元件的安装部、将该安装部之间连接或从该安装部延伸的延伸部;
该方法还包括将上述接合部件设置于上述安装部上的步骤。
5.根据权利要求3所述的发光装置的制造方法,其中,上述接合部件通过薄膜形成法或焊膏供给法设置于上述安装部上。
6.根据权利要求3~5中任意一项所述的发光装置的制造方法,其中,上述接合部件由下述材料构成,该材料包含选自Au、Ag、Cu、Sn、Bi和Pb中的至少1种。
7.根据权利要求1~5中任意一项所述的发光装置的制造方法,其中,按照上述发光元件的沿辐射方向长度的30%以下的距离以辐射状移动所述发光元件。
8.根据权利要求6所述的发光装置的制造方法,其中,按照上述发光元件的沿辐射方向长度的30%以下的距离以辐射状移动所述发光元件。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011283757 | 2011-12-26 | ||
JP2011-283757 | 2011-12-26 | ||
JP2012-243533 | 2012-11-05 | ||
JP2012243533A JP6107060B2 (ja) | 2011-12-26 | 2012-11-05 | 発光装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103179801A CN103179801A (zh) | 2013-06-26 |
CN103179801B true CN103179801B (zh) | 2017-11-21 |
Family
ID=47594425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210599336.5A Active CN103179801B (zh) | 2011-12-26 | 2012-12-26 | 发光装置的制造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9217556B2 (zh) |
EP (1) | EP2610926B1 (zh) |
JP (1) | JP6107060B2 (zh) |
CN (1) | CN103179801B (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6191308B2 (ja) * | 2012-07-27 | 2017-09-06 | 日亜化学工業株式会社 | ライン光源用発光装置 |
JP2015060631A (ja) * | 2013-09-17 | 2015-03-30 | ウシオ電機株式会社 | Led電球 |
US20190355886A9 (en) * | 2015-03-31 | 2019-11-21 | Cree, Inc. | Light emitting diodes and methods |
WO2016194405A1 (ja) | 2015-05-29 | 2016-12-08 | シチズン電子株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
WO2016194876A1 (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-08 | シチズン電子株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
EP3460861B1 (en) * | 2017-09-21 | 2023-03-01 | InnoLux Corporation | Display device |
JP6806218B2 (ja) * | 2018-10-31 | 2021-01-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、発光モジュール、発光装置及び発光モジュールの製造方法 |
EP4130202A4 (en) * | 2020-03-25 | 2024-04-03 | Biofuel Tech Research Co Ltd | PROCESS FOR PRODUCING BIODIESEL FUEL |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS546787A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Luminous element |
JP3656543B2 (ja) * | 2000-10-25 | 2005-06-08 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品実装方法 |
WO2003016782A1 (en) * | 2001-08-09 | 2003-02-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Led illuminator and card type led illuminating light source |
US7244965B2 (en) * | 2002-09-04 | 2007-07-17 | Cree Inc, | Power surface mount light emitting die package |
JP4754850B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2011-08-24 | パナソニック株式会社 | Led実装用モジュールの製造方法及びledモジュールの製造方法 |
JP2005347660A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Alps Electric Co Ltd | 面実装部品の取付構造、及びその取付方法 |
KR101098338B1 (ko) * | 2005-04-22 | 2011-12-26 | 삼성전자주식회사 | 광학 패키지, 광학 렌즈 및 이를 갖는 백라이트 어셈블리및 표시장치 |
KR20080042798A (ko) * | 2005-06-27 | 2008-05-15 | 라미나 라이팅, 인크. | 발광 다이오드 패키지 및 제작방법 |
KR101134996B1 (ko) | 2007-07-26 | 2012-04-09 | 파나소닉 주식회사 | Led 조명 디바이스 |
JP5432478B2 (ja) * | 2007-07-26 | 2014-03-05 | パナソニック株式会社 | Led照明装置 |
WO2009028612A1 (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-05 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | 発光装置 |
JP5375041B2 (ja) | 2008-11-13 | 2013-12-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
US8440500B2 (en) * | 2009-05-20 | 2013-05-14 | Interlight Optotech Corporation | Light emitting device |
EP2445018B1 (en) * | 2009-06-15 | 2016-05-11 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device, light-emitting module, and illumination device |
JP5585013B2 (ja) * | 2009-07-14 | 2014-09-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
-
2012
- 2012-11-05 JP JP2012243533A patent/JP6107060B2/ja active Active
- 2012-12-21 EP EP12199265.5A patent/EP2610926B1/en active Active
- 2012-12-24 US US13/726,483 patent/US9217556B2/en active Active
- 2012-12-26 CN CN201210599336.5A patent/CN103179801B/zh active Active
-
2015
- 2015-11-17 US US14/943,092 patent/US9508695B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013153134A (ja) | 2013-08-08 |
US20130163244A1 (en) | 2013-06-27 |
JP6107060B2 (ja) | 2017-04-05 |
CN103179801A (zh) | 2013-06-26 |
EP2610926A1 (en) | 2013-07-03 |
US20160071828A1 (en) | 2016-03-10 |
US9217556B2 (en) | 2015-12-22 |
EP2610926B1 (en) | 2020-04-15 |
US9508695B2 (en) | 2016-11-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |