CN103177801A - 导电性薄膜和导电性薄膜卷 - Google Patents

导电性薄膜和导电性薄膜卷 Download PDF

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Abstract

本发明提供导电性薄膜和导电性薄膜卷。已知具备薄膜基材、形成于其两面上的透明导电体层、和形成于透明导电体层的表面上的金属层的导电性薄膜。卷取这种导电性薄膜形成导电性薄膜卷时，存在邻接的导电性薄膜的金属层之间相互压接的问题。本发明的导电性薄膜（10）具有薄膜基材（11）、层叠于薄膜基材（11）的一个面上的第一透明导电体层（12）、第一金属层（13）、氮化覆膜层（14）、层叠于薄膜基材（11）的另一个面上的第二透明导电体层（15）、第二金属层（16）。氮化覆膜层（14）防止邻接的导电性薄膜（10）的压接。

Description

导电性薄膜和导电性薄膜卷
技术领域
本发明涉及导电性薄膜和导电性薄膜卷。
背景技术
已知具备薄膜基材、分别形成于薄膜基材的两面上的透明导电体层、和形成于各透明导电体层的表面上的金属层的导电性薄膜(专利文献1：日本特开2011-60146)。对于这种导电性薄膜，例如用于触摸面板时，对金属层和透明导电体层进行蚀刻加工，在触摸输入区域的边缘部形成布线，能够实现窄的边框。但是，在导电性薄膜的两面上具有金属层时，卷取导电性薄膜来形成导电性薄膜卷时，存在邻接的导电性薄膜的金属层之间相互压接的问题。压接(粘连)是指通过压力固着。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-60146号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明的目的在于，解决导电性薄膜卷的邻接的导电性薄膜的金属层之间相互压接的问题。
用于解决问题的方案
(1)本发明的导电性薄膜包含薄膜基材、层叠于薄膜基材的一个面上的第一透明导电体层、层叠于第一透明导电体层上的第一金属层、和层叠于第一金属层上的氮化覆膜层。另外，本发明的导电性薄膜包含层叠于薄膜基材的另一个面的第二透明导电体层、和层叠于第二透明导电体层上的第二金属层。
(2)在本发明的导电性薄膜中，第一金属层和第二金属层是铜层，氮化覆膜层包含氮化铜。
(3)在本发明的导电性薄膜中，氮化覆膜层中的氮化铜的含量为50重量%~100重量%。
(4)在本发明的导电性薄膜中，形成第一透明导电体层的材料和形成第二透明导电体层的材料是铟锡氧化物、铟锌氧化物或氧化铟-氧化锌复合氧化物中的任一种。
(5)本发明的导电性薄膜包含薄膜基材、层叠于薄膜基材的一个面上的第一透明导电体层、层叠于第一透明导电体层上的第一金属层、和层叠于第一金属层上的第一氮化覆膜层。另外，本发明的导电性薄膜包含层叠于薄膜基材的另一个面上的第二透明导电体层、层叠于第二透明导电体层上的第二金属层、和层叠于第二金属层上的第二氮化覆膜层。
(6)在本发明的导电性薄膜中，第一金属层和第二金属层是铜层，第一氮化覆膜层和第二氮化覆膜层包含氮化铜。
(7)在本发明的导电性薄膜中，第一氮化覆膜层中的氮化铜的含量为50重量%~100重量%，第二氮化覆膜层中的氮化铜的含量为50重量%~100重量%。
(8)在本发明的导电性薄膜中，形成第一透明导电体层的材料和形成第二透明导电体层的材料是铟锡氧化物、铟锌氧化物、或氧化铟-氧化锌复合氧化物中的任一种。
(9)本发明的导电性薄膜卷是前述的导电性薄膜卷绕为卷状而成的。
发明的效果
通过本发明，解决了导电性薄膜卷的金属层之间相互压接的问题。
附图说明
图1是本发明的导电性薄膜(第1例)的剖面示意图。
图2是本发明的导电性薄膜卷(第1例)的示意图。
图3是本发明的导电性薄膜(第2例)的剖面示意图。
图4是本发明的导电性薄膜卷(第2例)的示意图。
具体实施方式
[导电性薄膜]
如图1所示，本发明的导电性薄膜10(第1例)具备薄膜基材11、第一透明导电体层12、第一金属层13、氮化覆膜层14、第二透明导电体层15、第二金属层16。第一透明导电体层12、第一金属层13、氮化覆膜层14依次层叠于薄膜基材11的一个面(图1中为上表面)上。第二透明导电体层15和第二金属层16依次层叠于薄膜基材11的另一个面(图1中为下表面)上。
如图2所示，本发明的导电性薄膜卷20(第1例)是长条状的本发明的导电性薄膜10卷绕为卷状而成的。导电性薄膜10的长度代表性地是为100m以上，优选为500m~5000m。在导电性薄膜卷20的中心部通常配置有用于缠绕导电性薄膜10的塑料制或金属制的卷芯21。
如图3所示，本发明的导电性薄膜30(第2例)具备薄膜基材11、第一透明导电体层12、第一金属层13、第一氮化覆膜层17、第二透明导电体层15、第二金属层16、第二氮化覆膜层18。第一透明导电体层12、第一金属层13、第一氮化覆膜层17依次层叠于薄膜基材11的一个面(图3中为上表面)上。第二透明导电体层15、第二金属层16、第二氮化覆膜层18依次层叠于薄膜基材11的另一个面(图3中为下表面)上。
如图4所示，本发明的导电性薄膜卷40(第2例)是长条状的本发明的导电性薄膜30卷绕为卷状而成的。导电性薄膜30的长度代表性地是为100m以上，优选为500m~5000m。在导电性薄膜卷40的中心部通常配置有用于缠绕导电性薄膜30的塑料制或金属制的卷芯21。
对于本发明的导电性薄膜10(图1)，通过在第一金属层13的表面上形成氮化覆膜层14，在卷绕导电性薄膜10来制作导电性薄膜卷20时能够避免第一金属层13与第二金属层16压接。因此，卷绕导电性薄膜10来制作导电性薄膜卷20(图2)时，不需要在导电性薄膜10之间插入薄衬纸(slip sheet)。
对于本发明的导电性薄膜30(图3)，通过在第一金属层13的表面上形成第一氮化覆膜层17，在第二金属层16的表面上形成第二氮化覆膜层18，在卷绕导电性薄膜30来制作导电性薄膜卷40(图4)时能够避免第一金属层13与第二金属层16压接。因此，卷绕导电性薄膜30来制作导电性薄膜卷40(图2)时，不需要在导电性薄膜30之间插入薄衬纸(slip sheet)。相对于本发明的导电性薄膜10(第1例)(图1)在导电性薄膜的一个面上形成有氮化覆膜层，本发明的导电性薄膜30(第2例)(图3)在导电性薄膜的两面上形成有氮化覆膜层。在本发明的导电性薄膜10(第1例)(图1)中，局部氮化覆膜层14的形成不完整时，不能说不可能发生压接。另一方面，在本发明的导电性薄膜30(第2例)(图3)中，即使局部第一氮化覆膜层17或第二氮化覆膜层18的形成不完整，形成导电性薄膜卷40时，第一氮化覆膜层17的形成不完整的部位与第二氮化覆膜层18的形成不完整的部位一致的可能性极低。因此，实际上，导电性薄膜卷40中不可能发生压接。但是，与在一个面上形成氮化覆膜层相比，在两面上形成氮化覆膜层的成本变高。因此，对于选择在两面上形成氮化覆膜层还是在一个面上形成氮化覆膜层，通过比较成本与压接的发生概率来决定。
卷绕导电性薄膜10(图1)来形成导电性薄膜卷20(图2)时，通过氮化覆膜层14来避免第一金属层13与第二金属层16压接的理由如以下所推测。通过在邻接的第一金属层13与第二金属层16之间夹着不具有自由电子的氮化覆膜层14(代表性地为氮化铜层)，第一金属层13与第二金属层16不再金属键结合。
卷绕导电性薄膜30(图3)来形成导电性薄膜卷40(图4)时，通过第一氮化覆膜层17和第二氮化覆膜层18来避免第一金属层13与第二金属层16压接的理由如以下所推测。通过在邻接的第一金属层13与第二金属层16之间夹着不具有自由电子的第一氮化覆膜层17(代表性地为氮化铜层)、和不具有自由电子的第二氮化覆膜层18(代表性地为氮化铜层)，第一金属层13与第二金属层16不再金属键结合。
[薄膜基材]
薄膜基材11(图1、图3)支撑第一透明导电体层12和第二透明导电体层15。薄膜基材11的厚度例如为20μm~200μm。作为形成薄膜基材11的材料，优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚环烯烃、或聚碳酸酯。薄膜基材11可以在表面上具备用于提高薄膜基材11与第一透明导电体层12的密合性的易粘接层(未图示)、用于提高薄膜基材11与第二透明导电体层15的密合性的易粘接层(未图示)、用于调整薄膜基材11的反射率的折射率调整层(index-matching layer，未图示)、用于防止损伤薄膜基材11的表面的硬涂层(未图示)等。
[透明导电体层]
第一透明导电体层12(图1、图3)形成于薄膜基材11的一个面上。第一透明导电体层12是由透明导电体形成的。第二透明导电体层15(图1、图3)形成于薄膜基材11的另一个面上。第二透明导电体层15是由透明导电体形成的。作为透明导电体，可以使用可见光区域的透过率高、每单位面积的表面电阻值低的材料。对于可见光区域的透过率，例如最高透过率为80%以上。每单位面积的表面电阻值例如为500ohms per square以下。
形成第一透明导电体层12(图1、图3)的材料优选为铟锡氧化物(ITO，indium tin oxide)、铟锌氧化物或氧化铟-氧化锌复合氧化物。形成第二透明导电体层15(图1、图3)的材料也是同样的。第一透明导电体层12的厚度优选为15nm~80nm。第二透明导电体层15的厚度也是同样的。
[金属层]
第一金属层13(图1、图3)形成于第一透明导电体层12的表面上。第一金属层13的材质优选为铜，但不限定于铜。本发明中使用的第二金属层16(图1、图3)形成于第二透明导电体层15的表面上。第二金属层16的材质优选为铜，但不限定于铜。第一金属层13可以用于如下用途：例如薄膜基材11用于触摸面板时，对第一金属层13和第一透明导电体层12进行蚀刻加工，在触摸输入区域的边缘部形成布线。第二金属层16的用途也是同样的。
第一金属层13(图1、图3)的厚度优选为20nm~300nm，进一步优选为25nm~250nm。通过使第一金属层13的厚度为该范围，能够使形成的布线宽度细。第二金属层16(图1、图3)的厚度也是同样的。
[氮化覆膜层]
氮化覆膜层14(图1)形成于第一金属层13的表面上。氮化覆膜层14优选在第一金属层13的表面被氧化之前形成。第一金属层13的材质为铜时，氮化覆膜层14包含氮化铜(Cu3N)。氮化覆膜层14中的氮化铜的含量优选为50重量%~100重量%，进一步优选为60重量%~100重量%。氮化覆膜层14也可以仅由氮化铜构成。或者，除了氮化铜之外，氮化覆膜层14还可以包含铜(未被氮化的铜)、氧化铜、碳酸铜、氢氧化铜等。
氮化覆膜层14(图1)的厚度优选为1nm~15nm，进一步优选为1nm~8nm。通过使氮化覆膜层14的厚度为1nm以上，能够高效地防止第一金属层13与第二金属层16压接。氮化覆膜层14的厚度过厚而超过必要时，存在氮化覆膜层14的生产率降低的担心。
第一氮化覆膜层17(图3)形成于第一金属层13的表面上。第一氮化覆膜层17优选在第一金属层13的表面被氧化之前形成。第二氮化覆膜层18(图3)形成于第二金属层16的表面上。第二氮化覆膜层18优选在第二金属层16的表面被氧化之前形成。第一氮化覆膜层17的材料、组成、厚度与氮化覆膜层14(图1)是同样的。第二氮化覆膜层18的材料、组成、厚度与氮化覆膜层14(图1)是同样的。
[制造方法]
以下说明本发明的导电性薄膜10(图1)的制造方法。例如，将长度为500m~5000m的薄膜基材11的卷安装在未图示的溅射装置内。边使薄膜基材11伸出边通过溅射法在薄膜基材11的一个面上依次形成第一透明导电体层12、第一金属层13、和氮化覆膜层14。接着，通过溅射法在薄膜基材11的另一个面上依次形成第二透明导电体层15、第二金属层16。
以下说明本发明的导电性薄膜30(图3)的制造方法。例如，将长度为500m~5000m的薄膜基材11的卷安装在未图示的溅射装置内。边使薄膜基材11伸出边通过溅射法在薄膜基材11的一个面上依次形成第一透明导电体层12、第一金属层13、第一氮化覆膜层17。接着，通过溅射法在薄膜基材11的另一个面上依次形成第二透明导电体层15、第二金属层16、第二氮化覆膜层18。
溅射法中，使低压气体中产生的等离子体中的阳离子碰撞靶材(负电极)，使从靶材表面飞散的靶材的构成物附着在薄膜基材11上。在铟锡氧化物(ITO)层的成膜中，使用氧化铟和氧化锡的烧结体靶。在铜层(第一金属层13、第二金属层16)的成膜中，使用无氧铜(Oxygen-free copper)靶。在氮化铜层(氮化覆膜层14、第一氮化覆膜层17、第二氮化覆膜层18)的成膜中，使用氮化铜靶。或者，在氮化铜层(氮化覆膜层14、第一氮化覆膜层17、第二氮化覆膜层18)的成膜中，使用无氧铜(Oxygen-freecopper)靶，在氮气的存在下进行溅射。
实施例
[实施例1](图1)
在薄膜基材11的一个面上通过溅射法依次形成第一透明导电体层12、第一金属层13、氮化覆膜层14。薄膜基材11是长度1000m、厚度100μm的聚环烯烃薄膜(Zeon Corporation制造的“ZEONOR”(注册商标))。第一透明导电体层12是厚度20nm的铟锡氧化物层。第一金属层13是厚度50nm的铜层。氮化覆膜层14是包含70重量%的氮化铜的厚度2.5nm的氮化覆膜层。接着，在薄膜基材11的另一个面上通过溅射法依次形成第二透明导电体层15、第二金属层16。第二透明导电体层15是厚度30nm的铟锡氧化物层。第二金属层16是厚度50nm的铜层。将得到的导电性薄膜10卷取在塑料制的卷芯21上，制作导电性薄膜卷20(图2)。将实施例1的导电性薄膜卷20(图2)的压接的评价结果示于表1。
[实施例2](图1)
改变溅射时间，使氮化覆膜层14的厚度变为1.8nm。除此之外，通过与实施例1同样的方法制作导电性薄膜卷20(图2)。将实施例2的导电性薄膜卷20(图2)的压接的评价结果示于表1。
[实施例3](图1)
改变溅射时间，使氮化覆膜层14的厚度变为5nm。除此之外，通过与实施例1同样的方法制作导电性薄膜卷20(图2)。将实施例3的导电性薄膜卷20(图2)的压接的评价结果示于表1。
[比较例]
除了不形成氮化覆膜层之外，通过与实施例1同样的方法制作导电性薄膜卷。将比较例的导电性薄膜卷的压接的评价结果示于表1。
【表1】
氮化覆膜层的厚度 压接
实施例1 2.5nm 无
实施例2 1.8nm 无
实施例3 5.0nm 无
比较例 无氮化覆膜层 有
[测定方法]
[氮化覆膜层的厚度、氮化铜的含量]
使用X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy)分析仪(PHI公司制造的“QuanteraSXH”)测定氮化覆膜层的厚度、氮化铜的含量。
[导电性薄膜卷的压接性]
将导电性薄膜从导电性薄膜卷上退卷，观察导电性薄膜的表面，确认压接的有无。发生压接的情况下，退卷时产生剥离音，透明导电体层的表面上产生多处损伤。
产业上的可利用性
对本发明的导电性薄膜的用途没有限制。本发明的导电性薄膜适宜用于静电容量方式触摸面板。

Claims (16)

1.一种导电性薄膜，其包含：
薄膜基材、
层叠于所述薄膜基材的一个面上的第一透明导电体层、
层叠于所述第一透明导电体层上的第一金属层、
层叠于所述第一金属层上的氮化覆膜层、
层叠于所述薄膜基材的另一个面上的第二透明导电体层、和
层叠于所述第二透明导电体层上的第二金属层。
2.根据权利要求1所述的导电性薄膜，其中，所述第一金属层和所述第二金属层为铜层，所述氮化覆膜层包含氮化铜。
3.根据权利要求2所述的导电性薄膜，其中，所述氮化覆膜层中的所述氮化铜的含量为50重量%~100重量%。
4.根据权利要求1所述的导电性薄膜，其中，形成所述第一透明导电体层的材料和形成所述第二透明导电体层的材料是铟锡氧化物、铟锌氧化物或氧化铟-氧化锌复合氧化物中的任一种。
5.一种导电性薄膜，其包含：
薄膜基材、
层叠于所述薄膜基材的一个面上的第一透明导电体层、
层叠于所述第一透明导电体层上的第一金属层、
层叠于所述第一金属层上的第一氮化覆膜层、
层叠于所述薄膜基材的另一个面上的第二透明导电体层、
层叠于所述第二透明导电体层上的第二金属层、和
层叠于所述第二金属层上的第二氮化覆膜层。
6.根据权利要求5所述的导电性薄膜，其中，所述第一金属层和所述第二金属层是铜层，所述第一氮化覆膜层和所述第二氮化覆膜层包含氮化铜。
7.根据权利要求6所述的导电性薄膜，其中，所述第一氮化覆膜层中的所述氮化铜的含量为50重量%~100重量%，所述第二氮化覆膜层中的所述氮化铜的含量为50重量%~100重量%。
8.根据权利要求5所述的导电性薄膜，其中，形成所述第一透明导电体层的材料和形成所述第二透明导电体层的材料是铟锡氧化物、铟锌氧化物或氧化铟-氧化锌复合氧化物中的任一种。
9.一种导电性薄膜卷，其是权利要求1所述的导电性薄膜卷绕为卷状而成的。
10.一种导电性薄膜卷，其是权利要求2所述的导电性薄膜卷绕为卷状而成的。
11.一种导电性薄膜卷，其是权利要求3所述的导电性薄膜卷绕为卷状而成的。
12.一种导电性薄膜卷，其是权利要求4所述的导电性薄膜卷绕为卷状而成的。
13.一种导电性薄膜卷，其是权利要求5所述的导电性薄膜卷绕为卷状而成的。
14.一种导电性薄膜卷，其是权利要求6所述的导电性薄膜卷绕为卷状而成的。
15.一种导电性薄膜卷，是权利要求7所述的导电性薄膜卷绕为卷状而成的。
16.一种导电性薄膜卷，其是权利要求8所述的导电性薄膜卷绕为卷状而成的。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5531029B2 (ja) * 2012-01-05 2014-06-25 日東電工株式会社 導電性フィルム及び導電性フィルムロール
KR101491767B1 (ko) * 2013-07-03 2015-02-11 (주)아이컴포넌트 플라스틱 필름 전극, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 디스플레이 제품
EP2908227B1 (en) * 2013-10-30 2020-03-25 LG Chem, Ltd. Conductive film, manufacturing method thereof, and display device including same
CN105009042B (zh) * 2013-11-27 2018-01-05 Lg化学株式会社 导电结构体前体、导电结构体及其制造方法
JP6107637B2 (ja) * 2013-12-16 2017-04-05 住友金属鉱山株式会社 導電性基板の製造方法
KR20150081150A (ko) * 2014-01-03 2015-07-13 삼성전자주식회사 금속 시드층을 포함하는 박막 구조체 및 금속 시드층을 이용하여 투명 전도성 기판 상에 산화물 박막을 형성하는 방법
CN108027688B (zh) * 2015-09-30 2021-04-13 住友金属矿山株式会社 导电性基板
JP7280036B2 (ja) * 2018-12-17 2023-05-23 日東電工株式会社 導電性フィルムの製造方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10321606A (ja) * 1997-05-20 1998-12-04 Ricoh Co Ltd 配線形成方法
CN1272072A (zh) * 1998-03-26 2000-11-01 微金属技术公司 在聚合物薄膜产品上的多层金属化复合材料及其制造方法
WO2001030773A2 (en) * 1999-10-27 2001-05-03 Merck & Co., Inc. Lactonization process
CN1531736A (zh) * 2001-06-21 2004-09-22 �����֯��ʽ���� 透明导电性薄膜卷及其制造方法、使用该薄膜卷的触摸屏、及非接触式表面电阻测量装置
CN1855473A (zh) * 2005-04-28 2006-11-01 台湾积体电路制造股份有限公司 多层金属层半导体元件及其制造方法
CN1897270A (zh) * 2005-07-15 2007-01-17 三星电子株式会社 布线结构、制造布线的方法、薄膜晶体管基板及其制造方法
KR20100073074A (ko) * 2008-12-22 2010-07-01 한국전자통신연구원 투명 전도막
US20110291968A1 (en) * 2010-05-27 2011-12-01 Syozou Kawazoe Transparent electrically conductive substrate

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10133597A (ja) * 1996-07-26 1998-05-22 Canon Inc 配線基板、該配線基板の製造方法、該配線基板を備えた液晶素子及び該液晶素子の製造方法
US7749906B2 (en) * 2006-02-22 2010-07-06 Intel Corporation Using unstable nitrides to form semiconductor structures
JP4601710B1 (ja) 2009-09-11 2010-12-22 日本写真印刷株式会社 狭額縁タッチ入力シートとその製造方法
WO2011030773A1 (ja) * 2009-09-11 2011-03-17 日本写真印刷株式会社 狭額縁タッチ入力シートとその製造方法および狭額縁タッチ入力シートに用いる導電性シート

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10321606A (ja) * 1997-05-20 1998-12-04 Ricoh Co Ltd 配線形成方法
CN1272072A (zh) * 1998-03-26 2000-11-01 微金属技术公司 在聚合物薄膜产品上的多层金属化复合材料及其制造方法
WO2001030773A2 (en) * 1999-10-27 2001-05-03 Merck & Co., Inc. Lactonization process
CN1531736A (zh) * 2001-06-21 2004-09-22 �����֯��ʽ���� 透明导电性薄膜卷及其制造方法、使用该薄膜卷的触摸屏、及非接触式表面电阻测量装置
CN1855473A (zh) * 2005-04-28 2006-11-01 台湾积体电路制造股份有限公司 多层金属层半导体元件及其制造方法
CN1897270A (zh) * 2005-07-15 2007-01-17 三星电子株式会社 布线结构、制造布线的方法、薄膜晶体管基板及其制造方法
KR20100073074A (ko) * 2008-12-22 2010-07-01 한국전자통신연구원 투명 전도막
US20110291968A1 (en) * 2010-05-27 2011-12-01 Syozou Kawazoe Transparent electrically conductive substrate

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