CN103168356B - 半导体模块 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种半导体模块，所述半导体模块具有：半导体装置、第一导电部件、第二导电部件、第三导电部件以及绝缘部件。半导体装置具有半导体基板、第一电极以及第二电极，其中，所述第一电极被形成在半导体基板的一个表面上，所述第二电极被形成在与所述一个表面相反的半导体基板的表面上。第一导电部件与第一电极相接。第二导电部件与第二电极相接。第三导电部件与第二导电部件相接，且沿着第一导电部件而延伸。绝缘部件使第一导电部件和第三导电部件之间绝缘。第三导电部件通过被夹于第一导电部件和第二导电部件之间，从而相对于第一导电部件和第二导电部件而被固定。半导体装置通过被夹于第一导电部件和第二导电部件之间，从而相对于第一导电部件和第二导电部件而被固定。

Description

半导体模块
技术领域
本说明书所公开的技术涉及一种半导体模块。
背景技术
当半导体装置发热时，半导体装置及其周边的部件（焊锡、配线等）将发生热膨胀。由于各个部件的热膨胀率各自不同，因此在半导体装置上将被施加有应力。这种应力会缩短半导体装置的寿命。
发明内容
发明所要解决的课题
为了降低上述的应力，研究出一种如下的方法，即，在不使用通过焊锡等焊料所进行的接合的条件下，使半导体装置连接于配线的方法。例如，在日本专利公开公报H9-252067号（以下，称为专利文献1）中，公开了一种如下的半导体模块，所述半导体模块将半导体装置和各个电极板层叠，并通过对其进行加压从而对半导体装置和各个电极板进行连接。但是，在该半导体模块中，阳极板被配置在半导体模块的下表面上，阴极板被配置在半导体模块的上表面上。因此，在将该半导体模块安装在设备上时，需要分别在半导体模块的上表面侧（即，阴极板侧）和半导体模块的下表面侧（即，阳极板侧）连接配线。即，在将该半导体模块安装在设备上时，需要复杂的配线。因此，在本说明书中，提供一种能够通过更简单的配线而安装于设备上的半导体模块。
用于解决课题的方法
本说明书所公开的半导体模块具有：半导体装置、第一导电部件、第二导电部件、第三导电部件以及绝缘部件。半导体装置具有半导体基板、第一电极以及第二电极，其中，所述第一电极被形成在半导体基板的一个表面上，所述第二电极被形成在与所述一个表面相反的半导体基板的表面上。第一导电部件与第一电极相接。第二导电部件与第二电极相接。第三导电部件与第二导电部件相接，且沿着第一导电部件而延伸。绝缘部件使第一导电部件和第三导电部件之间绝缘。第三导电部件通过被夹于第一导电部件和第二导电部件之间，从而相对于第一导电部件和第二导电部件而被固定。半导体装置通过被夹于第一导电部件和第二导电部件之间，从而相对于第一导电部件和第二导电部件而被固定。
在该半导体模块中，半导体装置通过被夹于第一导电部件和第二导电部件之间，从而相对于第一导电部件和第二导电部件而被固定。即，通过压力而使半导体装置被固定。在该半导体模块中，由于未使用由焊料进行的接合，因此在半导体装置发热时，在半导体装置上不易被施加有应力。第一导电部件与半导体装置的第一电极导通。此外，第三导电部件经由第二导电部件而与半导体装置的第二电极导通。第三导电部件沿着第一导电部件而延伸。因此，在将该半导体模块安装于设备上时，能够容易地设置对于第三导电部件以及第一导电部件的配线。
上述半导体模块优选为，还具有筒体。并且优选为，筒体由绝缘体构成，并包围半导体装置，且被固定在第一导电部件上，并且在其外周面上形成有第一螺纹槽。此外，优选为，在第二导电部件上形成有第二螺纹槽，通过使第二螺纹槽卡合于第一螺纹槽，从而使第二导电部件被固定在筒体上。
在该半导体模块中，通过旋转第二导电部件而使第二螺纹槽卡合于第一螺纹槽，从而能够将第二导电部件固定在筒体上。此外，根据这种结构，通过使第二导电部件旋转，从而能够对存在于第二导电部件和第一导电部件之间的、半导体装置和第三导电部件进行加压从而进行固定。即，通过将第二导电部件安装在筒体上，从而能够对第二导电部件、第三导电部件、第一导电部件以及半导体装置相互进行固定。因此，能够容易地组装该半导体模块。此外，由于第三导电部件为与第二导电部件分离的部件，因此能够独立于第三导电部件而使第二导电部件旋转。因此，能够容易地将第三导电部件相对于第一导电部件而进行定位。
上述半导体模块优选为，在所述筒体的外周表面上形成有由凹形形状或凸形形状构成的第一卡合部。优选为，第三导电部件具有贯穿孔，且在贯穿孔的内表面上形成有由凹形形状或凸形形状构成的第二卡合部，并且，在第一卡合部与第二卡合部卡合的状态下，筒体被插入到第三导电部件的贯穿孔内。
根据这种结构，能够防止在旋转第二导电部件时，第三导电部件相对于第一导电部件而进行相对旋转的情况。因此，能够切实地将第三导电部件相对于第一导电部件而进行定位。
上述半导体模块优选为，在半导体基板的所述一个表面上还形成有第三电极，所述第三电极与第一电极以及第二电极相比流通有较小的电流。优选为，所述半导体模块还具有配线部件，所述配线部件在与第一导电部件绝缘的状态下贯穿第一导电部件，并与第三电极连接。
根据这种结构，能够将与第三电极连接的配线部件延伸至第一导电部件侧。因此，能够将对于第三电极的配线设置在接近于第一导电部件的位置处。
在上述半导体模块中，优选为，在第一导电部件的背面上形成有凹部，所述第一导电部件的背面相对于与第一电极相接的第一导电部件的表面而言为相反侧的表面。优选为，配线部件在形成有凹部的位置处贯穿第一导电部件，并在凹部内沿着凹部的底面而延伸。优选为，凹部内的配线部件被绝缘体覆盖。
根据这种结构，配线部件将不会从第一导电部件的背面突出。从而易于使第一导电部件的背面紧贴在其他的设备上。因此，根据这种结构，能够容易地将半导体模块安装在设备上。
上述半导体模块优选为，未形成有凹部的部分的第一导电部件的背面、和凹部内的绝缘体的表面形成了连续的平面。
根据这种结构，能够更容易地将半导体模块安装在设备上。
附图说明
图1为第一实施例的半导体模块10的概要剖视图。
图2为沿图1的II-II线的半导体模块10的剖视图。
图3为沿图1的III-III线的半导体模块10的剖视图。
图4为第一改变例的半导体模块的概要剖视图。
图5为第二改变例的半导体模块的概要剖视图。
图6为表示第三改变例的半导体模块的组装方法的概要剖视图。
图7为表示第四改变例的半导体模块的组装方法的概要剖视图。
图8为第二实施例的半导体模块100的概要剖视图。
图9为凹部140的放大剖视图。
图10为第三实施例的半导体模块200的概要剖视图。
具体实施方式
（第一实施例）
图1所示的半导体模块10为，将半导体装置20收纳在壳体40和罩50内的组件。
壳体40具有由金属构成的电极板40a、和由绝缘体构成的绝缘部40b。电极板40a被形成为大致平面状。绝缘部40b由酚醛树脂等的高强度工程塑料构成。绝缘部40b被固定在电极板40a上。如图1～3所示，绝缘部40b具有筒部40c和凸缘部40d。筒部40c被形成为，中心轴以垂直于电极板40a的方式而延伸的圆筒形状。在筒部40c的外周面上形成有螺纹槽40f。在螺纹槽40f的下侧形成有凸部40g。如图3所示，凸部40g为，从筒部40c的外周面局部性地突出的部分。凸缘部40d为，与筒部40c的外周面相比半径更大的圆板状的部分。凸缘部40d被形成在凸部40g的下侧。电极板40a的一部分成为从固定有绝缘部40b的部分起向外侧延伸的延伸部40h。
在电极板40a上，于筒部40c的内侧的位置处设置有：金属板84、半导体装置20、金属板82以及引脚90。
金属板84被设置在电极板40a上。金属板84由锡等的比较柔软的金属构成。
在金属板84上设置有半导体装置20。半导体装置20具有由SiC构成的半导体基板24。在半导体基板24上形成有MOSEFT（MOS FET Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor：MOS场效应晶体管）。在半导体基板24的下表面上形成有MOSFET的源电极26和多个MOSFET的栅电极28。图2的虚线26、28图示了半导体基板24的下表面上的源电极26和栅电极28的位置。如图2所示，半导体基板24为正方形。多个栅电极28沿着半导体基板24的一个边而排列。如图1所示，在半导体基板24的上表面形成有MOSFET的漏电极22。半导体装置20以使源电极26与金属板84接触的方式而被设置在金属板84上。各个栅电极28不与金属板84接触。另外，与源电极26和漏电极22相比，在各个栅电极28上流通有较小的电流。
金属板82被设置在半导体装置20上。金属板82由锡等的比较柔软的金属构成。金属板82与半导体装置20的漏电极22接触。
在壳体40的电极板40a上形成有贯穿孔94，所述贯穿孔94在与半导体装置20的栅电极28对置的位置处，从电极板40a的上表面贯穿至下表面。贯穿孔94沿着排列有多个栅电极28的方向而延伸。即，在俯视观察时具有大致长方形形状的一个贯穿孔94以与全部的栅电极28对置的方式而被形成在电极板40a上。在贯穿孔94内固定有绝缘部件92。绝缘部件92由PPS（聚亚苯基硫醚）等的树脂材料构成。贯穿孔94被绝缘部件92堵塞。在与栅电极28对置的位置处的绝缘部件92上固定有金属制的引脚90。如图3所示，在与各个栅电极28对置的各个位置处分别固定有一个引脚90。各个引脚90贯穿绝缘部件92。因此，各个引脚90的上端位于电极板40a的上侧，而各个引脚90的下端位于电极板40a的下侧。各个引脚90的、与电极板40a相比靠上侧的部分90a为，进行弹性变形的弹簧部。各个弹簧部90a在弯曲的状态下与相对应的栅电极28接触。各个引脚90通过绝缘部件92而与壳体40的电极板40a绝缘。
罩50由金属构成。在罩50的外表面上施加有绝缘涂层。罩50具有圆筒形状的侧壁部50b、和对该侧壁部50b的中心孔的一端进行密封的平板部50a。即，罩50具备杯形形状。在侧壁部50b的内周面上形成有螺纹槽50c。罩50的螺纹槽50c卡合于壳体40的螺纹槽40f。即，使用螺纹槽40f、50c，从而将罩50结合于壳体40上。罩50的平板部50a的下表面与金属板82相接。即，通过罩50的平板部50a和壳体40的电极板40a，从而夹持了由金属板84、半导体装置20以及金属板82构成的层叠体。罩50以较高的转矩而被结合于壳体40上。因此，所述层叠体通过平板部50a和电极板40a而被加压。通过该压力，从而构成所述层叠体的各个部件被固定。另外，壳体40的电极板40a与金属板84的接触部分、金属板84与半导体装置20的源电极26的接触部分、半导体装置20的漏电极22与金属板82的接触部分、金属板82与罩50的平板部50a的接触部分、以及引脚90与半导体装置20的栅电极28的接触部分均未通过焊锡等的焊料而被接合。因此，当从壳体40上取下罩50时，能够使所述层叠体的各个部件相互分离。
此外，半导体模块10具有汇流条30。汇流条30由金属构成。汇流条30具有环状部30a、和从环状部30a向外侧延伸的板状部30b。环状部30a薄于板状部30b。如图3所示，在环状部30a的中心孔30c的内表面上，形成有凹部30d。在环状部30a的中心孔30c中，插入有壳体40的筒部40c。在环状部30a的凹部30d中卡合有筒部40c的凸部40g。板状部30b在与电极板40a的延伸部40h隔开间隔的状态下，以与延伸部40h大致平行的方式而延伸。环状部30a的上表面与罩50的侧壁部50b的下端相接。环状部30a的下表面与壳体40的凸缘部40d相接。环状部30a通过罩50和壳体40从而在上下方向上被夹持。如上所述，罩以较高的转矩而被结合于壳体40上。因此，环状部30a通过罩50和壳体40而被加压。通过该压力，从而使汇流条30相对于罩50和壳体40而被固定。汇流条30通过凸缘部40而与电极板40a绝缘。
在罩50的平板部50a的上表面上设置有绝缘板70。在绝缘板70的上表面上设置有冷却器60。冷却器60为液体循环式的冷却器。另外，在罩50与绝缘板70的接触部分、以及绝缘板70与冷却器60的接触部分上涂布有润滑油。由此，降低了冷却器60和罩50之间的热阻。
如以上所说明的那样，在该半导体模块10中，对于位于半导体基板24的下表面侧的源电极26的配线通过壳体40的电极板40a而构成。此外，对于位于半导体基板24的上表面侧的漏电极22的配线通过汇流条30而构成。汇流条30与壳体40的侧面接触，并以与电极板40a大致平行的方式延伸。以这种方式，由于电极板40a和汇流条30被配置得较近，因此能够容易地设置对于上述部件的外部的配线。此外，以这种方式，通过使电极板40a和汇流条30相互接近，并且以相互大致平行的方式对上述部件进行配置，从而能够减低上述部件之间的阻抗。尤其是，由于汇流条30为大致平板状的部件，因此能够通过凸缘部40d的厚度来准确地对汇流条30和电极板40a之间的间隔进行控制。因此，能够进一步缩小该间隔。因此，在该半导体模块10中，电极板40a和汇流条30之间的阻抗极低。
此外，作为对于栅电极28的配线的引脚90贯穿壳体40的电极板40a而向电极板40a的下侧延伸。因此，在罩50的上表面上未设置配线。由于在罩50的上表面上不存在配线，因此能够通过绝缘板70而使罩50的上表面整体与冷却器60接触。因此，能够通过冷却器60而适当地对半导体装置20进行冷却。
此外，在该半导体装置10中，半导体装置20通过压力而被固定，并且半导体装置20与周围的部件未通过焊接等而被接合。因此，在由于半导体装置20发热而导致半导体装置20及其周边的部件发生了热膨胀时，在半导体装置20上不易被施加有应力。因此，该半导体模块10的寿命较长。
此外，在该半导体模块10中，罩50本身成为对于漏电极22的配线的一部分。因此，能够仅通过使汇流条30与罩50接触，从而对汇流条30和漏电极22进行电连接。在假设采用使汇流条30贯穿罩50和电极板40a并与漏电极22连接的结构的情况下，需要在罩50和电极板40上形成贯穿孔，从而半导体模块的结构将变得复杂，并且为了确保贯穿孔的空间将导致半导体模块大型化。此外，由于半导体模块内的配线变长，因此配线的阻抗也将增大。在第一实施例的半导体模块10中，不会产生这种问题。因此，能够提供小型且配线的阻抗较小的半导体模块10。
接下来，对半导体模块10的制造方法进行说明。首先，准备壳体40，并将金属板83装载于筒部40c内的电极板40a上。然后，将多个引脚90和绝缘部件92一体化了的部件设置在电极板40a的贯穿孔94中。然后，将半导体装置20装载于金属板84上。此时，使源电极26与金属板84接触，并使各个栅电极28与相对应的引脚90接触。然后，将金属板82装载于半导体装置20上。然后，以使环状部30a被装载于凸缘部40上的方式，将汇流条30设置在壳体40上。然后，通过使罩50的螺纹槽50c与壳体40的螺纹槽40f卡合，从而将罩50固定在壳体40上。当通过使罩50绕其中心轴进行旋转而使罩50向下侧移动时，罩50的平板部50a将与金属板82接触。此外，罩50的侧壁部50b的下端将与汇流条30的环状部30a接触。此后，当进一步使罩50旋转时，罩50的平板部50a将朝向半导体装置20而对金属板82进行加压。即，被夹于罩50的平板部50a和壳体40的电极板40a之间的层叠体（即，金属板84、半导体装置20、以及金属板82）将在其层叠方向上被加压。由此，层叠体的各个部件相对于壳体40以及罩50而被固定。同时，罩50的侧壁部50b朝向凸缘部40d而对汇流条30的环状部30a进行加压。即，被夹于侧壁部50b和凸缘部40d之间的环状部30a被加压。由此，使汇流条30相对于壳体40以及罩50而被固定。
另外，金属板84与邻接的源电极26以及壳体40的电极板40a相比较为柔软。因此，当层叠体被加压时，金属板84的上表面将按照源电极26的表面形状而发生塑性变形，从而金属板84将紧贴于源电极26。同样地，当层叠体被加压时，金属板84的下表面将按照电极板40a的表面形状而发生塑性变形，从而金属板84将紧贴于电极板40a。由此，使源电极26和电极板40a被切实地电连接。
此外，金属板82与邻接的漏电极22以及罩50相比较为柔软。因此，当层叠体被加压时，金属板82的下表面按照漏电极22的表面形状而发生塑性变形，从而金属板82紧贴于漏电极22。同样地，当层叠体被加压时，金属板82的上表面按照罩50的表面形状而发生塑性变形，从而金属板82紧贴于罩50。由此，使漏电极22和罩50被切实地电连接在一起。
此外，当层叠体被加压时，引脚90的弹簧部90a将发生弯曲。由此，在引脚90和栅电极28之间将被施加有适当的压力，从而引脚90和栅电极28被切实地电连接。
在将罩50固定在壳体40上之后，经由绝缘板70而将冷却器60安装在罩50上，从而完成了图1所示的半导体模块10。
在该半导体模块10中，对于半导体装置20的配线并未贯穿罩50。因此，在组装时能够使罩50自由地旋转。因此，能够使螺纹槽40f和螺纹槽50c卡合，从而将罩50安装在壳体40上。此外，通过该螺纹结构，能够通过罩50而对所述层叠体和汇流条30进行加压从而进行固定。因此，能够容易地组装该半导体模块10。
此外，在该半导体模块10中，汇流条30由罩50之外的其他部件构成。此外，在半导体模块10的组装时，当将筒部40c插入到汇流条30的环状部30a的中心孔30c中时，汇流条30的凹部30d将与筒部40c的凸部40g卡合。由此，使汇流条30无法相对于壳体40而进行相对旋转。因此，当旋转罩50而将罩50安装在壳体40上时，汇流条30与壳体40之间的相对位置不发生变化。由此，防止了汇流条30和壳体40的位置偏移。因此，能够容易地将汇流条30固定在与电极板40的延伸部40h对置的位置处。
另外，在第一实施例的半导体模块10中，对于技术方案中的各个结构要素以如下方式进行对应。通过壳体40的电极板40a和金属板84，从而构成了技术方案中的第一导电部件。通过罩50和金属板82，从而构成了技术方案中的第二导电部件。通过汇流条30，从而构成了技术方案中的第三导电部件。通过壳体40的凸缘部40d，从而构成了技术方案中的绝缘部件。通过壳体40的筒部40c，从而构成了技术方案中的筒体。
另外，在第一实施方式中，在汇流条30上形成有凹部30d，在筒部40上形成有凸部40g，并且使上述构件卡合在一起。但是，也可以采用如下方式，即，在汇流条30上形成有凸部，而在筒部40c上形成有凹部，并使上述构件卡合在一起。
此外，虽然第一实施方式的半导体模块10具有金属板84，但也可以采用如下方式，即，不存在金属板84，且源电极26直接与电极板40a接触。此外，虽然第一实施方式的半导体模块10具有金属板82，但也可以采用如下方式，即，不存在金属板82，且漏电极22直接与壳体50a接触。
接下来，对改变例的半导体模块进行说明，所述改变例为，对第一实施方式的半导体模块10进行了改变的示例。另外，关于改变例的各个半导体模块，在以下的说明中，对与第一实施例相同结构的部件，使用与第一实施例相同的参考符号。
在第一实施例中，罩50经由绝缘板70而被固定在冷却器60上。但是，也可以采用如下方式，即，在罩50的表面上形成绝缘膜，且罩50经由该绝缘膜而被固定在冷却器60上。此外，如图4所示，也可以采用如下方式，即，在罩50上覆盖绝缘性的盖72，且经由盖72而将罩50固定在冷却器60上。
此外，在第一实施例中，在汇流条30的下方，配置有与筒部40c一体化了的凸缘部40d。但是，也可以采用如下方式，即，如图5所示，配置在汇流条30的下方的绝缘体40i与筒部40c分离。在这种情况下，绝缘体40i为环状的部件，且被配置为与汇流条30的环状部30a重叠。绝缘体40e与环状部40a在被层叠的状态下，被夹于壳体40和罩50之间。通过被壳体40和罩50加压，从而汇流条30和绝缘体40i被固定在一起。
此外，也可以采用如下方式，即，如图6所示，准备在汇流条30的下表面上形成有绝缘层40j的部件96，并将该部件96设置在电极板40a上。通过这种结构，也能够使汇流条30与电极板40a绝缘。
此外，也可以采用如下方式，即，如图7所示，将包含具有固定直径的粒子的流动性的树脂98涂布在电极板40a上，并将汇流条30配置在该树脂98之上。在这种情况下，通过树脂98内的粒子从而确保了汇流条30与电极板40a之间的间隔。另外，在设置了汇流条30之后，既可以使树脂98硬化，也可以不使树脂98硬化。
（第二实施例）
接下来，对图8所示的第二实施例的半导体模块100进行说明。另外，第二实施例的半导体模块100除电极板40a和引脚90之外，具有与第一实施例的半导体模块10相同的结构。另外，在关于第二实施例的半导体模块100的以下的说明中，对与构成第一实施例的半导体模块10的各个部件相对应的部件，标记了与第一实施例相同的参考符号。
在第二实施例的半导体模块100中，在电极板40a的下表面上形成有凹部140。图9图示了凹部140附近的放大剖视图。凹部140的底面140a位于，凹部140以外的、电极板40a的背面40e的上侧。形成在电极板140a上的贯穿孔94在凹部140的底面140a上开口。引脚90在凹部140内弯曲。凹部140内的引脚90以与凹部140的底面140a大致平行的方式而延伸。在凹部140内配置有两个绝缘部件142、144。绝缘部件142被配置在引脚90和电极板40a之间，从而使引脚90与电极板40a绝缘。绝缘部件144被配置在引脚90的下侧。在绝缘部件142和绝缘部件144之间形成有间隙，引脚90沿着该间隙而延伸。绝缘部件144的表面144a为平面。绝缘部件144的表面144a位于，与凹部140以外的、电极板40a的背面40e大致相同的高度。因此，通过表面144a和背面40e，从而形成了连续的一个平面。
在壳体40的下表面（即，表面144a和背面40e）上，设置有绝缘板170。在绝缘板170的下表面上，设置有冷却器160。在第二实施例的半导体模块100中，不仅能够通过上表面侧的冷却器60来对半导体装置20进行冷却，也能够通过下表面侧的冷却器160来对半导体装置20进行冷却。
如以上所说明的那样，在第二实施例的半导体模块100中，使贯穿了电极板40a的引脚90弯曲，并将其收纳在凹部140内。由于引脚90为流通有较小电流的配线，因而其直径较小。因此，能够容易地弯曲引脚90，从而能够适当地将引脚90收纳在凹部140内。通过以这种方式将引脚90收纳在凹部140内，从而能够平坦地形成壳体40的下表面（表面144a和背面40e）。由于壳体40的下表面被平坦地形成，因此能够通过绝缘板170而使整个壳体40的下表面与冷却器160连接。因此，能够通过冷却器160而有效地对半导体装置20进行冷却。在该半导体模块100中，能够通过两个冷却器60、160，来进一步抑制半导体装置20的温度的上升。
另外，第二实施例的半导体模块100能够以如下方式进行组装。首先，使用形成有凹部140的电极板40a，而实施与第一实施例同样的操作。然后，将绝缘部件142设置在凹部140内。然后，将引脚90弯曲。然后，以使绝缘部件144的表面144a和电极板40a的背面40e成为平坦的面的方式，将绝缘部件144设置在凹部140内。之后，通过将冷却器160安装在绝缘板170上，从而完成图8所示的半导体模块100。
（第三实施例）
接下来，对图10所示的第三实施例的半导体模块200进行说明。另外，第三实施例的半导体模块200除罩50和壳体40之外，具有与第一实施例的半导体模块10相同的结构。另外，在关于第三实施例的半导体模块200的以下的说明中，对与构成第一实施例的半导体模块10的各个部件相对应的部件，标记了与第一实施例相同的参考符号。
在第三实施例的半导体模块200中，壳体40不具有筒部。即，壳体40由电极板40a和绝缘体40d（相当于第一实施例的凸缘部40d的部分）构成。
在第三实施例的半导体模块200中，在罩50的侧壁部50b的下端形成有凸缘部50d。
在罩50的凸缘部50d、汇流条30、以及绝缘体40d上，形成有贯穿上述部件的贯穿孔152。虽然未图示，但贯穿孔152被形成在三个部位。此外，在电极板40a上，在与贯穿孔152相对应的三个部位处，形成有螺纹孔154。
螺栓162穿过贯穿孔152而与螺纹孔154结合。通过三个螺栓162，从而使罩50被固定在壳体40上。金属板82、半导体装置20、以及金属板84被夹于罩50和壳体40之间从而被固定。此外，汇流条30被夹于罩50和壳体40之间从而被固定。另外，三个螺栓162由绝缘体构成。因此，罩50与电极板40a绝缘。
以这种方式，通过第三实施例，也能够通过由拧紧螺栓162所实施的加压，从而对半导体装置20和汇流条30进行固定。
另外，虽然在上述的各个实施例中，半导体装置为MOSFET，但对于IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极性晶体管）、二极管等各种半导体装置而言，均能够应用上述实施例的结构。
此外，在上述实施例中，引脚90为对于栅电极28的配线。但是，引脚90也可以为其他的配线。例如，既可以为用于对流通于半导体装置20中的电流进行检测的配线（例如，流通有与流通于源电极26的电流具有固定的比例的电流的配线），也可以为用于对半导体装置20的温度进行测量的配线（例如，流通有根据半导体装置20的温度而发生变化的电流的配线）。
以上，虽然对实施方式进行了详细说明，但这些仅仅为示例，并不对专利权利要求进行限定。在专利权利要求所记载的技术中，包括对以上所例示的具体例进行了各种改变、变更的内容。
本说明书或者附图中所说明的技术要素为，以单独的方式或者通过各种组合而发挥技术方面的有用性的要素，并且不限定于申请时的权利要求中所记载的组合。此外，本说明书或者附图中所例示的技术为，能够同时达成多个目的技术，并且达成其中一个目的本身也具有技术上的有用性。

Claims (6)

1.一种半导体模块，具有：
半导体装置，其具有半导体基板、第一电极以及第二电极，其中，所述第一电极被形成在半导体基板的一个表面上，所述第二电极被形成在与所述一个表面相反的半导体基板的表面上；
第一导电部件，其与第一电极相接；
第二导电部件，其与第二电极相接；
第三导电部件，其与第二导电部件相接，且沿着第一导电部件而延伸；
绝缘部件，其使第一导电部件和第三导电部件之间绝缘，
第三导电部件通过被夹于第一导电部件和第二导电部件之间，从而相对于第一导电部件和第二导电部件而被固定，并具有向第二导电部件的外侧延伸的板状部，
所述半导体模块还具有筒体，所述筒体由绝缘体构成，并包围半导体装置，且被固定在第一导电部件上，并且在外周面上形成有第一螺纹槽，
半导体装置通过被夹于第一导电部件和第二导电部件之间，从而相对于第一导电部件和第二导电部件而被固定，并被配置在所述筒体的内侧的位置处，
在第二导电部件上形成有第二螺纹槽，通过使第二螺纹槽卡合于第一螺纹槽，从而使第二导电部件被固定在筒体上。
2.如权利要求1所述的半导体模块，其中，
在所述筒体的外周面上形成有由凹形形状或凸形形状构成的第一卡合部，
第三导电部件具有贯穿孔，且在贯穿孔的内表面上形成有由凹形形状或凸形形状构成的第二卡合部，并且，在第一卡合部与第二卡合部卡合的状态下，筒体被插入到第三导电部件的贯穿孔内。
3.如权利要求1或2所述的半导体模块，其中，
在半导体基板的所述一个表面上还形成有第三电极，所述第三电极与第一电极以及第二电极相比流通有较小的电流，
所述半导体模块还具有配线部件，所述配线部件在与第一导电部件绝缘的状态下贯穿第一导电部件，并与第三电极连接。
4.如权利要求3所述的半导体模块，其中，
在第一导电部件的背面上形成有凹部，所述第一导电部件的背面相对于与第一电极相接的第一导电部件的表面而言为相反侧的表面，
配线部件在形成有凹部的位置处贯穿第一导电部件，并在凹部内沿着凹部的底面而延伸，
凹部内的配线部件被绝缘体覆盖。
5.如权利要求4所述的半导体模块，其中，
未形成有凹部的部分的第一导电部件的背面、和凹部内的绝缘体的表面形成了连续的平面。
6.如权利要求1所述的半导体模块，其中，
所述绝缘部件直接连接到所述筒体并直接夹于所述第一导电部件和所述第三导电部件之间，
所述第三导电部件直接夹于所述绝缘部件和所述第二导电部件之间。
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