CN103165788B - 发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统。发光器件可以包括：衬底(105)；设置在衬底(105)上的第一导电型半导体层(112)；设置在第一导电型半导体层(112)上的有源层(114)；设置在有源层(114)上的第二导电型半导体层(116)；设置在第一导电型半导体层(112)上的第一电极(131)；设置在第二导电型半导体层(116)上的第二电极(132)；设置在衬底(105)的顶表面上的第一光提取图案(P)；以及设置在衬底(105)的侧面上的第二光提取图案(150)。

Description

发光器件
技术领域
实施方案涉及发光器件。
背景技术
发光器件是将电能转换为光能并且能够通过调整化合物半导体的组成比来实现多种颜色的器件。
当施加正向电压时，来自n型层的电子和来自p型层的空穴相结合以发射与导带和价带之间的能隙相对应的能量。能量通常以热或光的形式发射。具体地，在发光器件中，能量以光的形式发射。
对于光学器件和高功率电子器件的领域，例如氮化物半导体正吸引大量关注，这是因为它们具有高的热稳定性和宽的带隙能量。特别地，使用氮化物半导体的蓝色发光器件、绿色发光器件和紫外(UV)发光器件已经被商业化并广泛地使用。
在相关技术横向发光二极管(LED)中，在图案化蓝宝石衬底上生长GaN外延层，并且使用台面结构来形成p型电极和n型电极。
在相关技术中的横向LED中的光的分布显示，约30％的光从GaN外延层的顶部发射，约70％的光从图案化蓝宝石衬底的底部发射。更具体地，在相关技术的横向LED中，多数光以预定角度从图案化蓝宝石衬底的底部发射。也就是说，归因于由图案化蓝宝石衬底的折射率与空气的折射率之间的差异所引起的全反射，尽管存在图案化的蓝宝石衬底，超出预定临界角的光的大多数都不能被发射。
发明内容
实施方案提供了一种具有提高的光提取效率的发光器件、一种制造发光器件的方法、一种发光器件封装件以及一种照明系统。
在一个实施方案中，发光器件包括：衬底；设置在衬底上的发光结构；形成在发光结构上的电极；以及设置在衬底的侧面上的光提取图案，其中光提取图案包括与衬底不同的材料。
在另一实施方案中，发光器件包括：衬底105；设置在衬底105上的第一导电型半导体层112；设置在第一导电型半导体层112上的有源层114；设置在有源层114上的第二导电型半导体层116；设置在第一导电型半导体层112上的第一电极131；设置在第二导电型半导体层116上的第二电极132；设置在衬底105的顶表面上的第一光提取图案P；以及设置在衬底105的侧面上的第二光提取图案150。
根据实施方案的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统可以提高光提取效率。
附图说明
通过参照附图描述一些示例性实施方案，以上方面和/或其他方面将更明显，在附图中：
图1是示出根据第一实施方案的发光器件的截面图；
图2是示出根据第二实施方案的发光器件的截面图；
图3是示出根据第三实施方案的发光器件的截面图；
图4是示出根据第四实施方案的发光器件的截面图；
图5是示出根据第五实施方案的发光器件的截面图；
图6A是示出在相关技术发光器件中光的路径的一个实例的图；
图6B是示出在根据实施方案的发光器件中光的路径的一个实例的图；
图7A是示出在相关技术发光器件中光的分布的一个实例的图；
图7B是示出在根据实施方案的发光器件中光的分布的一个实例的图；
图8A是示出在相关技术发光器件的衬底的侧面上近场光的分布的一个实例的图；
图8B是示出在根据实施方案的发光器件的衬底的侧面上近场光的分布的一个实例的图；
图9至图11是示出根据实施方案制造发光器件的方法的截面图；
图12是示出根据实施方案的发光器件封装件的截面图；以及
图13是根据实施方案的具有照明器件的照明装置的分解立体图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图来描述根据实施方案的发光器件、制造发光器件的方法、发光器件封装件以及照明系统。
在实施方案的描述中，将理解：当层(或膜)、区域、图案或结构被称作在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一垫或另一图案“上”或“下”时，其可以“直接地”或“间接地”在另一衬底、层(或膜)、区域、垫或图案上，或者还可以存在一个或更多个中间层。已经参照附图描述了层的这种位置。出于方便或清楚的目的，附图中所示出的每个层的厚度和尺寸可能被放大、省略或示意性地绘制。此外，元件的尺寸不完全反映实际尺寸。
图1是示出根据第一实施方案的发光器件100的截面图。
发光器件100包括：衬底105；设置在衬底105上的发光结构110；形成在发光结构110上的电极；以及设置在衬底105的侧面上的第二光提取图案150，并且第二光提取图案150可以包括与衬底105不同的材料。
发光结构110可以包括：设置在衬底105上的第一导电型半导体层112；设置在第一导电型半导体层112上的有源层114；以及设置在有源层114上的第二导电型半导体层116。电极可以包括：第一电极131，该第一电极131设置在第一导电型半导体层112的通过部分地移除第二导电型半导体层116和有源层114所露出的一部分上；以及第二电极132，该第二电极132设置在第二导电型半导体层116上。
第二光提取图案150的折射率可以比衬底105的折射率大，以防止全反射并且因此提高光提取效率。例如，第二光提取图案150可以由聚硅氧烷材料等形成。
第二光提取图案150可以由透射性材料(即，传播光通过其自身而不是反射光的材料)形成以发射光。
第二光提取图案150的尺寸可以为衬底105的厚度的约1/10至约1/5，以有效地提取所发射的光。例如，响应于约100μm的衬底105的厚度，第二光提取图案150可以具有但不限于约10μm至约20μm的尺寸。
在第二光提取图案150以平行线的形式布置在衬底105的底表面上的情况下，第二光提取图案150可以增加横向扩散的光反射，以提高横向光提取效率。
第二光提取图案150可以通过例如热处理或使用粘合剂材料或压力来附接到衬底105或发光结构110的侧面上。
图2是示出根据第二实施方案的发光器件102的截面图。
第二实施方案可以采用第一实施方案的技术特征。
在第二实施方案中，第二光提取图案150可以包括第一图案151、第二图案152和第三图案153，并且第一图案151、第二图案152和第三图案153可以具有不同的尺寸。
例如，第一图案151的尺寸可以比第二图案152的尺寸大，并且可以将第一图案151设置成比第二图案152更靠近有源层114。在本实例中，因为设置了不同尺寸、周期或高度的光提取图案，所以可以针对扩散的反射光提供适当的光提取结构并且因此提高光提取效率。
第二图案152和第三图案153可以形成为比第一图案151更致密，使得甚至在相对远离有源层114的区域中也可以增加光输出。
根据第二实施方案，可以通过改变第二光提取图案150的形状来提高光提取效率。
图3是示出根据第三实施方案的发光器件103的截面图。
第三实施方案可以采用第一实施方案和第二实施方案的技术特征。
在第三实施方案中，第二光提取图案150可以包括第四图案154和第五图案155，并且第四图案154和第五图案155可以具有不同的形状，因此可以利于提高光提取效率。
例如，第四图案154可以具有三角形状，而第五图案155可以具有半球形状。因此，可以通过将光提取结构设置有不同周期和不同高度的图案来提供最佳的光提取条件。
图4是示出根据第四实施方案的发光器件104的截面图。
第四实施方案可以采用第一实施方案、第二实施方案和第三实施方案的技术特征。
在第四实施方案中，发光器件104还可以包括形成在发光结构110的侧面上的第三光提取图案160。例如，第三光提取图案160可以形成在第一导电型半导体层112的侧面上以提高光提取效率。
第三光提取图案160可以由与第二光提取图案150相同的材料形成。例如，第三光提取图案160可以包括但不限于聚硅氧烷材料。
第三光提取图案160可以由与第二光提取图案150不同的材料形成。例如，第三光提取图案160可以通过对第一导电型半导体层112的侧面进行蚀刻来形成。
图5是根据第五实施方案的发光器件105的截面图。
第五实施方案可以采用第一实施方案、第二实施方案、第三实施方案和第四实施方案的技术特征。
在第五实施方案中，发光器件105还可以包括形成在衬底105的底表面上的第四光提取图案170。因此，响应于发光器件105被安装为倒装芯片，第四光提取图案170可以帮助提高在衬底105的底部(即，发光器件封装件的顶部)处的光提取效率。
第四光提取图案170可以由与衬底105不同的材料形成。例如，第四光提取图案170可以由与第二光提取图案150相同的材料形成。
第四光提取图案170可以包括与衬底105相同的材料。例如，第四光提取图案170可以通过对衬底105的底表面进行蚀刻来形成。
第四光提取图案170可以与第一光提取图案P垂直对齐。或者第四光提取图案170可以不与第一光提取图案P垂直对齐。
此外，第四光提取图案170可以包括与第一光提取图案P相比不同形状的图案。并且，第四光提取图案170可以包括与第二光提取图案150相比相同形状的图案。
图6A是示出在相关技术发光器件中光的路径的一个实例的图，以及图6B是示出在根据实施方案的发光器件中光的路径的一个实例的图。
参照图6A和图6B，在根据实施方案的发光器件中，具有设置在蓝宝石衬底105的侧面上并且由与蓝宝石衬底105不同的材料形成的第二光提取图案150，因而不仅从蓝宝石衬底105的底部而且从蓝宝石衬底105的侧面都提取相当多的光；而在相关技术发光器件中，多数光从蓝宝石衬底的底部发射。
图7A是示出在相关技术发光器件中光的分布的一个实例的图，以及图7B是示出在根据实施方案的发光器件中光的分布的一个实例的图。参照图7A和图7B，X示出光沿着根据实施方案的发光器件的第一轴的分布，以及Y示出光沿着垂直于第一轴的第二轴的分布。
图8A是示出在相关技术发光器件的衬底的侧面上近场光的分布的实例的图，以及图8B是示出在根据实施方案的发光器件的衬底的侧面上近场光的分布的实例的图。
如图7A、图7B、图8A和图8B所示，与相关技术发光器件相比，从根据实施方案的发光器件的芯片所发射的光的量普遍地增加，并且甚至从根据实施方案的发光器件的蓝宝石衬底的侧面发射相当多的光。
模拟结果示出：在图案化之前和之后的光提取效率分别为58.5％和67.8％。因此，根据实施方案的发光器件有望实现约16％的光度(luminosity)增加。
根据实施方案，可以提高光提取效率。
在下文中将参照图9至图11来描述制造根据实施方案的发光器件的方法。
参照图9，可以制备衬底105。衬底105可以包括导电衬底或绝缘衬底。例如，衬底105可以是蓝宝石(Al2O3)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、GaP、InP、Ge以及Ga2O3中的至少一种。可以在衬底105上执行湿式清洁以从衬底105的表面去除杂质。
可以在衬底105上形成第一光提取图案P。第一光提取图案P可以由与衬底105相同的材料形成。例如，第一光提取图案P可以包括但不限于形成在衬底105上的图案化蓝宝石衬底(PSS)。
其后，可以在衬底105上形成缓冲层(未示出)。缓冲层可以减轻发光结构110与衬底105的材料之间的任何未对准(misalignment)。缓冲层可以由第III-V组化合物半导体(例如，GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN中的至少一种)形成。
其后，可以在缓冲层上形成发光结构110。发光结构110可以包括第一导电型半导体层112、有源层114以及第二导电型半导体层116。
第一导电型半导体层112可以由掺杂有第一导电型掺杂剂的第III-V族化合物半导体形成。响应于第一导电型半导体层112为N型半导体层，第一导电型掺杂剂可以是N型掺杂剂，并且可以包括Si、Ge、Sn、Se和Te。
第一导电型半导体层112可以包括组成为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，第一导电型半导体层112可以由GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP和InP中的至少一种形成。
第一导电型半导体层112可以在使用化学气相沉积(CVD)、分子束外延(MBE)、溅射、氢化物气相外延(HVPE)等的情况下通过形成N型GaN层来形成。第一导电型半导体层112还可以通过将三甲基镓气体(TMGa)、氨气(NH3)、氮气(N2)以及包含n型杂质(例如，硅(Si))的硅烷气体(SiH4)注入到室中来形成。
可以在第一导电型半导体层112上形成电流扩散层(未示出)。电流扩散层可以为但不限于未掺杂的GaN层。电流扩散层可以形成为但不限于50nm至200nm的厚度。
可以在电流扩散层上形成电子注入层。电子注入层可以是第一导电型氮化镓层。例如，对于有效的电子注入，电子注入层可以掺杂有浓度为6.0×1018原子/cm3至8.0×1018原子/cm3的n型掺杂元素。
可以在电子注入层上形成应变控制层(未示出)。例如，应变控制层可以由InyAlxGa(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1)/GaN形成。应变控制层可以有效地减轻可以由第一导电型半导体层112与有源层114之间的任何未对准所引起的异常应力。
应变控制层可以以至少每六个循环而重复地沉积。因此，更多的电子可以聚集在有源层114的低能级处，并且因此电子和空穴可以变得更有可能复合。因而，可以提高发光球效率。
其后，在应变控制层上形成有源层114。
当通过第一导电型半导体层112注入的电子遇到通过第二导电型半导体层116注入的空穴时，有源层114可以发射与由有源层114的材料的固有能带所确定的能量的量相对应的光。
有源层114可以形成为具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构和量子点结构中的至少一种结构。例如，有源层114可以具有但不限于通过注入TMGa、氨气(NH3)、氮气(N2)和三甲基铟气体(TMIn)所获得的MQW结构。
有源层114的阱层/势垒层可以具有但不限于通过使用InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、GaAs(InGaAs)/AlGaAs和GaP(InGaP)/AlGaP中的至少一种所获得的成对结构。阱层可以由具有比势垒层的带隙小的带隙的材料形成。
可以在有源层114上形成电子阻挡层(未示出)。电子阻挡层可以阻挡电子并且还可以用作用于有源层114的MQW覆层，从而提高发光效率。例如，电子阻挡层可以由基于AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1)的半导体形成。例如，电子阻挡层可以具有比有源层114的能带隙大的能带隙，并且可以形成为约至约的厚度。
电子阻挡层可以形成为但不限于AlzGa(1-z)N/GaN(0≤z≤1)超晶格。
电子阻挡层可以有效地阻挡从p型离子植入溢出的电子，并且可以提高植入空穴的效率。例如，电子阻挡层可以有效地阻挡从以浓度为约1018/cm3至1020/cm3的Mg所执行的离子植入溢出的电子，并且可以提高植入空穴的效率。
第二导电型半导体层116可以包括掺杂有第二导电型掺杂剂的第III-V族化合物半导体，例如，组成为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。响应于第二导电型半导体层116为P型半导体层，第二导电型掺杂剂可以是P型掺杂剂，并且可以包括Mg、Zn、Ga、Sr、Ba等。
第二导电型半导体层116可以形成为但不限于通过将TMGa、氨气(NH3)、氮气(N2)以及包含p型杂质(例如，Mg)的双(乙基环戊二烯基)镁注入到室中所获得的P型GaN层。
第一导电型半导体层112可以实施为但不限于N型半导体层，并且第二导电型半导体层116可以实施为但不限于P型半导体层。可以在第二导电型半导体层116上形成与第二导电类型为相反极性的半导体，例如N型半导体层(未示出)。因而，发光结构110可以被构造成具有N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构和P-N-P结结构中的一种。
可以在第二导电型半导体层116上形成透光电极120。例如，为了有效的载流子注入，透光电极120可以通过沉积单一金属或金属合金、金属氧化物等以形成多层来形成。例如，透光电极120可以由但不限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟铝锌(IAZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化镓锌(GZO)、IZO氮化物(IZON)、Al-Ga ZnO(AGZO)、In-Ga ZnO(IGZO)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的至少一种形成。
其后，可以通过移除透光电极120、第二导电型半导体层116和有源层114的部分来露出第一导电型半导体层112。
其后，参照图10，可以在第一导电型半导体层112的露出部分和透光电极120上分别形成第一电极131和第二电极132。
其后，参照图11，可以在衬底105的侧面上形成第二光提取图案150。可以在形成第一电极131和第二电极132之前执行第二光提取图案150的形成。
第二光提取图案150可以通过例如热处理或使用粘合剂材料或压力来附接到衬底105的侧面或发光结构110的侧面上。
第二光提取图案150可以包括与衬底105不同的材料。
第二光提取图案150的折射率可以比衬底105的折射率大，以防止全反射并且因此提高光提取效率。例如，第二光提取图案150可以由聚硅氧烷材料等形成。
第二光提取图案150可以由透射性材料(即，传播光通过其自身而不是反射光的材料)形成以发射光。
第二光提取图案150可以包括多个图案。图案可以被构造成具有不同的尺寸和形状以均匀地提取光。
第二光提取图案150的尺寸可以为衬底105的厚度的约1/10至约1/5，以有效地提取所发射的光。例如，响应于衬底105的厚度为约100μm，第二光提取图案150可以具有但不限于约10μm至约20μm的尺寸。
在第二光提取图案150以平行线的形式布置在衬底105的底表面上的情况下，第二光提取图案150可以增加横向扩散的反射光，以提高横向光提取效率。
在图2示出的第二实施方案中，第二光提取图案150可以包括第一图案151、第二图案152和第三图案153，并且第一图案151、第二图案152和第三图案153可以具有不同的尺寸。根据第二实施方案，可以通过改变第二光提取图案150的形状来提高光提取效率。
在第三实施方案中，第二光提取图案150可以包括第四图案154和第五图案155，并且第四图案154和第五图案155可以具有不同的形状，因此可以帮助提高光提取效率。
在第四实施方案中，发光器件104还可以包括形成在发光器件110的侧面上的第三光提取图案160。例如，第三光提取图案160可以形成在第一导电型半导体层112的侧面上以提高光提取效率。
第三光提取图案160可以由与第二光提取图案150相同的材料形成。例如，第三光提取图案160可以包括但不限于聚硅氧烷材料。
第三光提取图案160可以由与第二光提取图案150不同的材料形成。例如，第三光提取图案160可以通过对第一导电型半导体层112的侧面进行蚀刻来形成。
在第五实施方案中，发光器件105还可以包括形成在衬底105的底表面上的第四光提取图案170。因此，响应于光提取图案105被安装为倒装芯片，第四光提取图案170可以帮助提高在衬底105的底部(即，发光器件封装件的顶部)处的光提取效率。
第四光提取图案170可以由与衬底105不同的材料形成。例如，第四光提取图案170可以由与第二光提取图案150相同的材料形成。
第四光提取图案170可以包括与衬底105相同的材料。例如，第四光提取图案170可以通过对衬底105的底表面进行蚀刻来形成。
在相关技术发光器件中，多数光从蓝宝石衬底的底部发射。另一方面，在根据实施方案的发光器件中，具有形成在衬底105的侧面上的第二光提取图案150，因而还可以从衬底105的侧面提取相当多的光。
此外，从根据实施方案的发光器件的芯片发射的光的数量可以增加，并且甚至可以从蓝宝石衬底的侧面发射相当多的光。
此外，模拟结果示出：根据实施方案的发光器件实现了在图案化工艺之前和之后分别为58.5％和67.8％的光提取效率，并且有望实现约16％的光度增加。
根据实施方案的发光器件可以提高光提取效率。
图12是示出根据实施方案的具有安装在其内的发光器件的发光器件封装件的图。
发光器件封装件200包括：封装件本体205；安装在封装件本体205内的第三电极层213和第四电极层214；安装在封装件本体205内并且电连接至第三电极层213和第四电极层214的发光器件100；以及围绕发光器件100的模制构件230。
封装件本体205可以由聚硅氧烷材料、合成树脂材料或金属材料形成。可以在发光器件100附近形成倾斜表面。
第三电极层213和第四电极层214彼此电隔离，并且向发光器件100提供功率。第三电极层213和第四电极层214可以通过反射由发光器件100所发射的光来提高光提取效率。第三电极层213和第四电极层214还可以排出由发光器件100生成的热。
图1至图5示出的水平型发光器件可以用作发光器件100，但发光器件100不限于水平型发光器件。
发光器件100可以安装在封装件本体205上或者安装在第三电极层213或第四电极层214上。
发光器件100可以通过使用导线、倒装芯片法或芯片接合法中的至少一种来电连接至第三电极层213和/或第四电极层214。例如，如图12所示，发光器件100可以通过导线连接至第三电极层213和第四电极层214。
模制构件230可以通过围绕发光器件100来保护发光器件100。模制构件230可以包括磷光体232并且因此可以改变从发光器件100所发射的光的波长。
在实施方案中，可以在衬底上布置多个发光器件封装件，并且可以沿着从发光器件封装件所发射的光的路径来设置作为光学元件的导光板、棱镜片、扩散片以及磷光体片。在本实施方案中，发光器件封装件、衬底以及光学元件可以共同用作背光单元或照明单元。例如，照明系统可以包括背光单元、照明单元、指令器件、灯、街灯等。
图13是示出根据实施方案的具有照明器件的照明装置的分解立体图。
参照图13，照明装置可以包括罩2100、光源模块2200、散热器2400、电源2600、内壳体2700以及插座2800。照明装置还可以包括构件2300和保持器2500中的至少之一。光源模块2200可以包括根据实施方案的发光器件或发光器件封装件。
例如，罩2100可以具有泡形状或半球形状，其内部中空并且其部分开放。罩2100可以光学地耦接至光源模块2200，并且还可以耦接至散热器2400。罩2100可以设置有用于耦接至散热器2400的耦接单元。
可以将含乳白色的涂料涂覆在罩2100的内部。通过使用这样的乳白色材料，可以有效地散射和扩散从光源模块2200所发射的光，并且因此发射光。
罩2100可以由玻璃、塑料、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)、聚碳酸酯(PC)等形成，具体地，PC是具有良好的耐光性、耐热性和刚性的材料。罩2100可以是透明的，使得通过罩2100可以看见光源模块2200。或者，罩2100可以是不透明的。罩2100可以由吹塑法形成。
光源模块2200可以设置在散热器2400的一侧上。因此，来自光源模块2200的热量可以被传递至散热器2400。光源模块2200可以包括多个发光器件2210、多个连接板2230和连接器2250。
构件2300可以设置在散热器2400的顶部，并且可以包括多个导向槽2310，发光器件2210和连接器2250分别插入到导向槽2310中。导向槽2310与发光器件2210和连接器2250的衬底相对应。
构件2300的表面可以涂覆有白色涂料。构件2300将从罩2100的内部朝向光源模块2200反射的光反射回罩2100。因此，可以提高照明装置的效率。
例如，构件2300可以由绝缘材料形成。光源模块2200的连接板2230可以包括导电材料。因此，散热器2400可以电连接至连接板2230。由绝缘材料形成的构件2300可以防止连接板2230与散热器2400短路。散热器2400接收来自光源模块2200和电源2600的热量并且因此散发热量。
保持器2500将内壳体2700的绝缘部2710的容置槽2719封闭。结果，设置在内壳体2700的绝缘部2710中的电源2600被密封。保持器2500具有导向突起2510。导向突起2510可以设置有孔，电源2600的突起2610穿过该孔。
电源2600对由外源所提供的电信号进行处理或转换，并将所处理或所转换的电信号提供至光源模块2200。电源2600设置在内壳体2700的容置槽2719中，并且通过保持器2500被密封在内壳体2700内。
电源2600可以包括突起2610、导向件2630、基部2650以及延伸部2670。
导向件2630形成为从基部2650的一侧朝向电源2600的外部延伸。导向件2630可以插入到保持器2500中。可以在基部2650的一侧上设置多种部件。所述多种部件可以包括但不限于：直流(DC)转换器；用于控制光源模块2200的驱动的驱动芯片；用于保护光源模块2200的静电放电(ESD)保护装置等。
延伸部2670从基部2650的一侧朝向电源2600的外部突出。延伸部2670插入到内壳体2700的连接部2750中，并且由外源提供有电信号。例如，延伸部2670的宽度可以等于或小于连接部2750的宽度。延伸部2670可以通过导线电连接至插座2800。
内壳体2700可以包括除电源2600之外的模制部。模制部通过硬化模制液体形成，并且允许电源2600固定在内壳体2700的内部。
根据实施方案的发光器件、发光器件的制造方法、发光器件封装件以及照明系统可以提高光提取效率。
在本说明书中任何参考“一个实施方案”、“实施方案”、“示例性实施方案”等，意味着所描述的与实施方案相关联的具体的特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施方案中。在本说明书的不同地方出现的这样的措辞不必全都指同一实施方案。此外，当描述与任意实施方案相关联的具体的特征、结构或特性时，认为其在本领域的技术人员实现与其他实施方案相关联的这样的特征、结构或特性的范围内。
虽然已经参照多个示例性实施方案描述了实施方案，但是应当理解，可以由本领域的普通技术人员做出的大量其他修改和实施方案将属于本公开内容的原理的精神和范围内。更具体地，在本公开内容、附图和所附权利要求的范围内，主题组合布置的部件部分和/或布置的各种变化和修改是可能的。除部件部分和/或布置的变化和修改之外，其他用途对于本领域的普通技术人员也将是明显的。

Claims (23)

1.一种发光器件，包括：
衬底；
设置在所述衬底上的第一导电型半导体层；
设置在所述第一导电型半导体层上的有源层；
设置在所述有源层上的第二导电型半导体层；
设置在所述第一导电型半导体层上的第一电极；
设置在所述第二导电型半导体层上的第二电极；
设置在所述衬底的顶表面上的第一光提取图案；
设置在所述衬底的侧面上的第二光提取图案，
其中所述第二光提取图案包括第一图案，第二图案以及第三图案，
其中所述第一图案设置为比所述第二图案更靠近所述有源层，
所述第二图案设置为比所述第三图案更靠近所述有源层，
其中所述第一图案的尺寸大于所述第二图案的尺寸，所述第二图案的尺寸大于所述第三图案的尺寸，
其中所述第二图案设置为比所述第一图案更致密，以及
其中所述第三图案设置为比所述第二图案更致密。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一光提取图案包括与所述衬底相同的材料，并且所述第二光提取图案包括与所述衬底不同的材料，其中所述第二光提取图案透射光。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二光提取图案的折射率比所述衬底的折射率大。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中所述第二光提取图案包括聚硅氧烷材料。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中所述第二光提取图案由透射性材料形成。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中所述第二光提取图案包括多个图案，并且所述多个图案具有不同的尺寸和形状。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中所述第二光提取图案至少包括第四图案和第五图案，并且所述第四图案和所述第五图案具有不同的形状。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述第四图案包括三角形状，并且所述第五图案包括半球形状。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中所述第二光提取图案以平行线的形式布置在所述衬底的底表面上。
10.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中所述第二光提取图案的尺寸为所述衬底的厚度的约1/10至约1/5。
11.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，还包括：形成在所述第一导电型半导体层的侧面上的第三光提取图案。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述第三光提取图案由与所述第二光提取图案相同的材料形成，其中所述第三光提取图案包括聚硅氧烷材料。
13.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述第三光提取图案由与所述第二光提取图案不同的材料形成。
14.根据权利要求13所述的发光器件，其中所述第三光提取图案是通过对所述第一导电型半导体层的侧表面进行蚀刻形成的。
15.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，还包括：形成在所述衬底的底表面上的第四光提取图案，设置在所述第一导电型半导体层上的电流扩散层，设置在所述电流扩散层上的电子注入层，以及设置在所述电子注入层上的应变控制层。
16.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述第四光提取图案由与所述衬底不同的材料形成。
17.根据权利要求16所述的发光器件，其中所述第四光提取图案由与所述第二光提取图案相同的材料形成。
18.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述第四光提取图案包括与所述衬底相同的材料。
19.根据权利要求18所述的发光器件，其中所述第四光提取图案通过对所述衬底的底表面进行蚀刻来形成。
20.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述第四光提取图案与所述第一光提取图案垂直对齐。
21.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述第四光提取图案与所述第一光提取图案不垂直对齐。
22.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述第四光提取图案包括与所述第一光提取图案相比不同形状的图案。
23.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述第四光提取图案包括与所述第二光提取图案相比相同形状的图案。
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