CN103165411B - 基板处理方法以及基板处理系统 - Google Patents
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Abstract
本发明提供能够在防止处理液的利用效率的下降的同时，高效地进行基板的处理的基板处理方法以及基板处理系统。本发明的基板处理方法是在基板处理机构10中使用处理液对基板进行处理的基板处理方法，其具有：前段步骤，其中，生成含有有助于基板处理的活性化的活性种的活性种含有溶液；第1步骤(S21～S23)，其中，将该前段步骤中生成的所述活性种含有溶液和对所述基板进行处理的处理液进行混合从而生成活性种含有处理液；第2步骤(S29)，将该第1步骤中生成的所述活性种含有处理液作为所述处理液供给至所述基板处理机构；所述基板处理机构中，为通过所述活性种含有处理液和所述基板的反应一边生成活性种一边对该基板进行处理的构成。
Description
技术领域
本发明涉及通过向半导体晶片等基板供给处理液从而对该基板进行处理的基板处理方法以及根据该方法对所述基板进行基板处理的基板处理系统。
背景技术
以往，已知有如专利文献1公开的基板表面处理装置。在该基板处理装置中，向对半导体等的基板进行处理的处理装置(旋转涂布机，spinner)供给处理液，进行基板的蚀刻处理。然后，回收该处理废液将其再利用于该基板的处理。并且，根据回收的处理废液的液中的成分浓度的变化补给新的处理液。例如，使用含有氢溴酸的蚀刻处理液作为处理液的情况时，利用电导率计检测出处理废液中的氢溴酸浓度的减少，然后补给氢溴酸浓度高于该处理废液的蚀刻处理液的原液。另外，利用吸光测定计检测出因蚀刻而溶解的物质、例如溶解铟浓度的增大，从而补给不含有铟的蚀刻处理液的原液。
通过这种基板表面处理装置，根据回收的处理废液中的成分浓度的变化来补给处理液的原液，因此即使在基板的处理中反复利用处理液，也能够维持其性能。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2000-338684号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而，如所述以往的基板表面处理装置那样利用处理液对基板进行处理时，期望其处理效率高。一般而言，若处理液中的直接有助于基板处理的成分的浓度越高，则能够更有效地进行基板处理。但是，使用高浓度的处理液的情况时，为了维持该高浓度处理液的性质，反复进行新处理液的原液补给的次数增多。因此，处理液(原液)的利用效率未必是良好的，另外，也会导致成本的上升。
本发明是鉴于上述情况而完成的，其提供一种即使未特别使用高浓度的处理液也能够高效地进行基板的处理的基板处理方法以及基板处理系统。
用于解决课题的手段
本发明的基板处理方法是一种在基板处理机构中使用处理液对基板进行处理的基板处理方法，其具有：前段步骤，其中，生成含有有助于基板处理的活性化的活性种的活性种含有溶液；第1步骤，其中，将所述前段步骤中生成的所述活性种含有溶液和对所述基板进行处理的处理液进行混合从而生成活性种含有处理液；第2步骤，其中，将所述第1步骤中生成的所述活性种含有处理液作为所述处理液供给至所述基板处理机构；在所述基板处理机构中，为如下构成：通过所述活性种含有处理液和所述基板的反应一边生成活性种一边对该基板进行处理。
因这种构成，生成了含有有助于基板处理的活性化的活性种的活性种含有溶液，由该活性种含有溶液和基板处理液混合而成的活性种含有处理液作为对基板处理机构中的基板进行处理的处理液而被供给，因此在基板处理机构中，从一开始就在活性种存在的条件下利用处理液对基板进行处理。
特别是所述基板处理机构进行作为所述基板的硅制基板的蚀刻处理的情况时，所述前段步骤生成含有作为所述活性种的亚硝酸(HNO2)的亚硝酸含有溶液；所述第1步骤将所述亚硝酸含有溶液与含有氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的蚀刻处理溶液进行混合从而生成活性种含有蚀刻处理液；所述第2步骤将所述第1步骤中生成的所述活性种含有蚀刻处理液作为所述处理液供给至所述基板处理机构；在所述基板处理机构中，可以为如下构成：通过所述活性种含有蚀刻处理液和所述硅制基板的反应一边生成作为活性种的亚硝酸(HNO2)一边对该硅制基板进行蚀刻处理。
因这种构成，生成了含有作为有助于硅制基板的蚀刻处理的活性化的活性种的亚硝酸(HNO2)的亚硝酸含有溶液，由该亚硝酸含有液和含有氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的蚀刻处理液混合而成的活性种混合蚀刻处理液作为对基板处理机构中的硅制基板进行蚀刻处理的处理液而被供给，因此在基板处理机构中，从一开始就在作为活性种的亚硝酸(HNO2)的存在下利用蚀刻处理液对硅制基板进行处理。
另外，本发明的基板处理系统具有：基板处理机构，其中，使用处理液对基板进行处理；存液机构，其中，预先储存活性种含有溶液，该活性种含有溶液含有有助于基板处理的活性化的活性种；处理液生成机构，其中，对预先储存在所述存液机构的所述活性种含有溶液和对所述基板进行处理的处理液进行混合从而生成活性种含有处理液；处理液供给机构，其中，将该处理液生成机构中生成的所述活性种含有处理液作为所述处理液供给至所述基板处理机构；在所述基板处理机构中，为如下构成：通过所述活性种含有处理液和所述基板的反应一边生成活性种一边对该基板进行处理。
特别是所述基板处理机构进行作为所述基板的硅制基板的蚀刻处理的情况时，所述存液机构预先储存含有作为所述活性种的亚硝酸(HNO2)的亚硝酸含有溶液；所述处理液生成机构将预先储存于所述存液机构的所述亚硝酸含有溶液和含有氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的蚀刻处理液进行混合从而生成活性种含有蚀刻处理液；所述处理液供给机构将由所述处理液生成机构生成的所述活性种含有蚀刻处理液作为所述处理液供给至所述基板处理机构；在所述基板处理机构中，为如下构成：通过所述活性种含有蚀刻处理液和所述硅制基板的反应一边生成作为活性种的亚硝酸(HNO2)一边对该硅制基板进行刻蚀处理。
发明的效果
根据本发明的基板处理方法以及基板处理系统，在基板处理机构中，从一开始就在活性种的存在下利用处理液对基板进行处理，因此可以在无需特别使用高浓度的处理液的条件下，防止该处理液的利用效率的下降，同时通过活性种的作用，利用处理液高效地对基板进行处理。
附图说明
图1是示出本发明的一个实施方式的基板处理系统的基板构成的框图。
图2是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的详细构成示例的配管路线图。
图3是示出图1所示的基板处理系统中所进行的用于生成亚硝酸含有溶液(活性种含有溶液)的处理顺序的流程图。
图4A是示出图1所示的基板处理系统中所进行的基板处理的顺序(其1)的流程图。
图4B是示出图1所示的基板处理系统中所进行的基板处理的顺序(其2)的流程图。
图4C是示出图1所示的基板处理系统中所进行的基板处理的顺序(其3)的流程图。
图4D是示出图1所示的基板处理系统中所进行的基板处理的顺序(其4)的流程图。
图5是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其1)的动作状态图。
图6是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其2)的动作状态图。
图7是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其3)的动作状态图。
图8是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其4)的动作状态图。
图9是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其5)的动作状态图。
图10是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其6)的动作状态图。
图11是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其7)的动作状态图。
图12是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其8)的动作状态图。
图13是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其9)的动作状态图。
图14是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其10)的动作状态图。
图15是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其11)的动作状态图。
图16是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其12)的动作状态图。
图17是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其13)的动作状态图。
图18是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其14)的动作状态图。
图19是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其15)的动作状态图。
图20是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其16)的动作状态图。
图21是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其17)的动作状态图。
图22是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其18)的动作状态图。
图23是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其19)的动作状态图。
图24是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其20)的动作状态图。
图25是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其21)的动作状态图。
图26是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其22)的动作状态图。
图27是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其23)的动作状态图。
图28是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其24)的动作状态图。
图29是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其25)的动作状态图。
图30是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其26)的动作状态图。
图31是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其27)的动作状态图。
图32是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其28)的动作状态图。
图33是示出图1所示的基板处理系统中的处理液供给单元的动作状态(其29)的动作状态图。
图34是示出图1所示的基板处理系统中的晶片处理片数和蚀刻处理液的蚀刻速率的关系示例的图。
具体实施方式
使用附图对本发明的实施方式进行说明。
本发明的一个实施方式的基板处理系统构成为如图1所示。该基板处理系统进行硅制半导体晶片(硅制基板)的蚀刻处理。
图1中，该基板处理系统具有旋转处理装置10(基板处理机构)、处理液供给单元20、处理液回收机构30以及控制单元40。旋转处理装置10为如下结构：在杯状体11内支持硅制半导体晶片(以下仅称为硅晶片)W的晶片卡盘13通过发动机12进行旋转。并且，如后所述，从配置于硅晶片W的上方的喷嘴14将从处理液供给单元20供给的蚀刻处理液喷向该硅晶片W上。利用该蚀刻处理液对通过晶片卡盘13的旋转而进行旋转的硅晶片W的表面进行蚀刻处理。
处理液回收机构30是将从旋转处理装置10排出的使用后的蚀刻处理液(废液)回收后供给至处理液供给单元20的机构，其具有排液罐31和泵32，所述排液罐31能够储存从旋转处理装置10的杯状体11排出的使用后的蚀刻处理液，所述泵32将积存在排液罐31的使用后的蚀刻处理液供给至处理液供给单元20。控制单元40进行旋转处理装置10的发动机12、处理液回收机构30的泵32以及处理液供给单元20中的各种阀门和泵(关于详细的构成在后面叙述)的驱动控制。
处理液供给单元20构成为如图2所示。
图2中，处理液供给单元20具有回收罐21、溶液储存罐22(存液机构)、第1供给罐23以及第2供给罐24。通过所述处理液回收机构30(参照图1)从旋转处理装置10回收的使用后的蚀刻处理液流入(IN)回收罐21，该使用后的蚀刻处理液储存在回收罐21内。回收罐21和溶液储存罐22由输送管结合，并能够利用泵P1的运转将储存在回收罐21的使用后的蚀刻处理液通过开关阀V1而供给至溶液储存罐22。回收罐21通过输送管与第1供给罐23以及第2供给罐24并列结合，并能够利用泵P1的运转能够将储存在回收罐21内的使用后的蚀刻处理液分别通过调节阀Vc7而供给至第1供给罐23以及通过调节阀Vc8供给至第2供给罐24。
溶液储存罐22中设置有循环用的输送管，能够利用泵P2的运转使从溶液储存罐22流出的溶液通过调节阀Vc1返回至溶液储存罐22。另外，溶液储存罐22通过输送管与第1供给罐23以及第2供给罐24并列结合，能够利用泵P2的运转将储存在溶液储存罐22的溶液分别通过调节阀Vc2、流量计25、止回阀Vch和调节阀Vc3供给至第1供给罐23，以及通过调节阀Vc2、流量计25、止回阀Vch和调节阀Vc4供给至第2供给罐24。
第1供给罐23中，通过输送管群而结合有化学药液供给单元(图示略)，能够从化学药液供给单元通过调节阀群SVc1分别将用于制备蚀刻处理液的各化学药液、即氢氟酸(HF)、硝酸(HNO3)、乙酸(CH3COOH)以及纯水(H2O)供给至第1供给罐23。另外，第2供给罐24中也通过输送管群而结合有所述化学药液供给单元，能够从所述化学药液供给单元通过调节阀群SVc2将所述各化学药液供给至第2供给罐24。
第1供给罐23通过输送管与旋转处理装置10(参照图1)结合，利用泵P3的运转能够将第1供给罐23内的蚀刻处理液通过调节阀Vc5供给至旋转处理装置10(喷嘴14)(OUT)。另外，第2供给罐24也通过输送管与旋转处理装置10(参照图1)结合，利用泵P3的运转能够将第2供给罐24内的蚀刻处理液通过调节阀Vc6供给至旋转处理装置10(喷嘴14)(OUT)。
进一步，第1供给罐23通过输送管与溶液储存罐22结合，利用泵P4的运转能够将第1供给罐23内的蚀刻处理液通过开关阀V3以及V2移送至溶液储存罐22。另外，第2供给罐24也通过输送管与溶液储存罐22结合，利用泵P4的运转能够将第2供给罐24内的蚀刻处理液通过开关阀V4以及V2移送至溶液储存罐22。
需要说明的是，能够通过调节阀Vc9将稀释用的水(纯水)供给至回收罐21，能够通过开关阀V7将储存在回收罐21内的使用后的蚀刻处理液排出(Drain)。能够通过开关阀V6将储存在溶液储存罐22内的溶液排出(Drain)。另外，能够利用泵P4的运转将储存在第1供给罐23内的蚀刻处理液通过开关阀V3以及V5排出(Drain)，也能够利用泵P4的运转将储存在第2供给罐24内的蚀刻处理液通过开关阀V4以及V5排出(Drain)。
控制单元40能够根据来自流量计25的信息取得从溶液储存罐22分别供给至第1供给罐23以及第2供给罐24的溶液的流量信息。回收罐21、溶液储存罐22、第1供给罐23以及第2供给罐24中分别设置有检测上限的液体量的上限传感器H以及检测下限的液体量的下限传感器L(需要说明的是，在第1供给罐23以及第2供给罐24中省略了其图示)。控制单元40能够根据来自罐21、22、23、24各自的上限传感器H以及下限传感器L的检测信号得到与各罐21～24内的液体量相关的信息。控制单元40根据上述取得的各情报、旋转处理装置10中的处理时间以及蚀刻处理后的硅晶片W的片数等与处理相关的信息，进行旋转处理装置10中的驱动发动机12以及处理液回收机构30中的泵32的驱动控制，并且进行处理液供给单元20中的各泵P1～P4的驱动控制、各开关阀V1～V7的开关控制、以及各调节阀Vc1～Vc9的开度调整控制。
以下，对所述结构的基板处理系统中所进行的硅晶片W的蚀刻处理进行说明。
在控制单元40的控制下，处理液供给单元20按照图3以及图4A～图4D所示的顺序运转。
首先，在旋转处理装置10的晶片卡盘13上安装有与原本应该进行蚀刻处理的硅晶片W同种类的其表面进行粗面化后的硅晶片W(以下称为粗面化硅晶片)的状态下，按照图3所示的顺序，生成亚硝酸含有溶液(前段步骤)，该亚硝酸含有溶液含有有助于硅晶片W的蚀刻处理的活性化的活性种、即亚硝酸(HNO2)。
如图5的粗线所示，将氢氟酸(HF)、硝酸(HNO3)、乙酸(CH3COOH)以及纯水(H2O)各化学药液从化学药液供给单元通过调节阀群SVc1一边调节流量一边供给至第1供给罐23。并且，第1供给罐23中，氢氟酸(HF)以及硝酸(HNO3)被乙酸(CH3COOH)以及纯水(H2O)稀释，生成将氢氟酸(HF)以及硝酸(HNO3)的浓度调整为预定值的新的蚀刻处理液(S011)。接着，如图6所示，关闭调节阀群SVc1，在第1供给罐23中，一边将新的蚀刻处理液调整为预定温度一边使其循环(S012)，实现蚀刻处理液的浓度的均匀化。
另外，如图7的粗线所示，将上述各化学药液从化学药液供给单元通过调节阀群SVc2一边调节流量一边供给至第2供给罐24。并且，在第2供给罐24中，与第1供给罐23的情况同样地生成新的蚀刻处理液(S013)。接着，如图8所示，关闭调节阀群SVc2，在第2供给罐24中，一边将新的蚀刻处理液调整为预定温度一边使其循环(S014)，实现蚀刻处理液的浓度的均匀化。
如此，在第1供给罐23以及第2供给罐24中，进行新的蚀刻处理液的制备时，在将调节阀Vc5控制为预定的开度的状态下，使泵P3运转，如图9的粗线所示，蚀刻处理液以对应于调节阀Vc5的开度的流量从第1供给罐23被供给至旋转处理装置10(SPM)(S015)。
旋转处理装置10(SPM)中，将从处理液供给单元20(第1供给罐23)供给的蚀刻处理液从喷嘴14喷向旋转的粗面化的硅晶片W上。并且，通过该粗面化晶片W(Si)和蚀刻处理液(HF、HNO3)的反应一边生成作为活性种的亚硝酸(HNO2)一边进行该粗面化硅晶片W的蚀刻处理(S016)。特别是，在进行粗面化后而具有凹凸的表面的凹部积存有蚀刻处理液可以使得反应进一步进行，从而产生更多的作为活性种的亚硝酸(HNO2)，同时因该亚硝酸(HNO2)(活性种)的存在，进一步促进反应。该旋转处理装置10中的蚀刻处理后的蚀刻处理液中溶解有硅(Si)(H2SiF6状态)，另外含有该处理过程中生成的作为活性种的亚硝酸(HNO2)。
如此在旋转处理装置10中，于对粗面化硅晶片W进行蚀刻处理的过程中所排出的蚀刻处理液作为溶解有硅(Si)的亚硝酸(HNO2)含有溶液储存在回收罐21内。然后，如图10的粗线所示，利用泵P1的运转，将该溶解有硅(Si)的亚硝酸含有液(使用后的蚀刻处理液)从回收罐21通过开放的开关阀V1供给至溶液储存罐22(S017)。之后，若通过上限传感器H检测出溶液储存罐22中的上限的液量，则如图11所示，关闭开关阀V1，停止亚硝酸含有液从回收罐21向溶液储存罐22的供给(S018)。需要说明的是，在适当的时机关闭调节阀Vc5，从而停止来自第1供给罐23的蚀刻处理液的供给，同时将调节阀Vc6调整为预定的开度，从而如图11的粗线所示，使蚀刻处理液以对应于调节阀Vc6的开度的流量从第2供给罐24供给至旋转处理装置10(SPM)(S015)。
在该状况下，持续将从旋转处理装置10排出的蚀刻处理液储存在回收罐21内(S019)。并且，若通过上限传感器H检测出回收罐21的上限的液量，则如图12所示，停止泵P3从而停止蚀刻处理液向旋转处理装置10(SPM)的供给。由此，旋转处理装置10中的蚀刻处理停止，蚀刻处理液向回收罐21的储存停止(S020)。之后，如图12的粗线所示，利用开关阀V3、V4、V5为开放状态下的泵P4的运转，将残留在第1供给罐23以及第2供给罐24内的蚀刻处理液排出(Drain)(S021)。
如此，对粗面化硅晶片W进行蚀刻处理后的蚀刻处理液作为亚硝酸含有溶液(使用后的蚀刻处理液：活性种含有溶液)储存在溶液储存罐22内。
接着，按照图4A～图4D的顺序，将活性种含有蚀刻处理液供给至原本的进行硅晶片W蚀刻处理的旋转处理装置10。
图4A中，如图13的粗线所示，将氢氟酸(HF)、硝酸(HNO3)、乙酸(CH3COOH)以及纯水(H2O)各化学药液从化学药液供给单元通过调节阀群SVc1一边调节流量一边供给至第1供给罐23。并且，在第1供给罐23中，氢氟酸(HF)以及硝酸(HNO3)被乙酸(CH3COOH)以及纯水(H2O)稀释，生成氢氟酸(HF)以及硝酸(HNO3)的浓度调整为预定值的新的蚀刻处理液(S21)。此时，如图13所示，利用泵P2的运转，预先储存在溶液储存罐22内的亚硝酸含有溶液(使用后的蚀刻处理液)以对应于调节阀Vc1的开度的流量进行循环(S22)。之后，关闭调节阀群SVc1，如图14的粗线所示，利用调整了调节阀Vc2、Vc3的开度的状态下的泵P2的运转，将亚硝酸含有溶液从溶液储存罐22通过调节阀Vc2、流量计25、止回阀Vch以及调节阀Vc3供给至第1供给罐23(S23)。此时，根据由流量计25得到的流量信息，将相对于已经储存在第1供给罐23内的蚀刻处理液成预定配合比的量的亚硝酸含有溶液供给至第1供给罐23。由此，在第1供给罐23内，生成由作为活性种的亚硝酸(HNO2)和蚀刻处理液(含有氢氟酸(HF)以及硝酸(HNO3))混合形成的活性种含有蚀刻处理液(处理液生成机构，第1步骤)。
如此在第1供给罐23内生成活性种含有蚀刻处理液时，如图15所示，在第1供给罐23内将活性种含有蚀刻处理液调整为预定温度同时使其循环(S24)，实现活性种含有蚀刻处理液的浓度的均匀化。需要说明的是，此时，停止亚硝酸含有溶液从溶液储存罐22向第1供给罐23的供给(关闭调节阀Vc2、Vc3)，如图15的粗线所示，利用泵P2的运转使预先储存在溶液储存罐22内的亚硝酸含有溶液以对应于调节阀Vc1的开度的流量进行循环。
接着，如图16的粗线所示，将所述各化学药液(HF、HNO3、CH3COOH、H2O)从化学药液供给单元通过调节阀群SVc2一边调节流量一边供给至第2供给罐24。并且，与第1供给罐23的情况一样，在第2供给罐24内生成新的蚀刻处理液(含有氢氟酸(HF)以及硝酸(HNO3))(S25)。在该状态下，使预先储存在溶液储存罐22内的亚硝酸含有溶液的循环动作持续进行(S26)。
之后，关闭调节阀Vc2，如图17的粗线所示，利用调整了调节阀Vc2、Vc4的开度的状态下的泵P2的运转，将亚硝酸含有溶液(使用后的蚀刻处理液)从溶液储存罐22通过调节阀Vc2、流量计25、止回阀Vch以及调节阀Vc4供给至第2供给罐24(S27)。此时，根据由流量计25得到的流量信息，将相对于已经储存在第2供给罐24内的蚀刻处理液成预定配合比的量的亚硝酸含有溶液供给至第2供给罐24。由此，与第1供给罐23同样，第2供给罐24内生成由作为活性种的亚硝酸(HNO2)和蚀刻处理液(含有氢氟酸(HF)以及硝酸(HNO3))混合形成的活性种含有蚀刻处理液(处理液生成机构，第1步骤)。并且，如图18所示，第2供给罐24中，在将活性种含有蚀刻处理液调整为预定温度的同时使其循环(S28)，实现活性种含有蚀刻处理液的浓度的均匀化。需要说明的是，此时，停止亚硝酸含有溶液从溶液储存罐22向第2供给罐24的供给(关闭调节阀Vc2、Vc4)，如图18的粗线所示，利用泵P2的运转使预先储存在溶液储存罐22内的亚硝酸含有溶液以对应于调节阀Vc1的开度的流量进行循环(以后，除了使用溶液储存罐22的期间，维持该状态)。
如上所述，若第1供给罐23以及第2供给罐24双方均储存有活性种(亚硝酸：HNO2)含有蚀刻处理液，则活性种含有刻蚀处理液从处理液供给单元20被供给至旋转处理装置10(S29：第2步骤)，在旋转处理装置10中，利用含有所供给的活性种的蚀刻处理液来进行硅晶片W的蚀刻处理。具体而言，所述活性种含有蚀刻处理液的向旋转处理装置10的供给如下进行。
在将调节阀Vc5控制为预定的开度的状态下使泵P3运转，如图19的粗线所示，活性种含有蚀刻处理液以对应于调节阀Vc5的开度的流量从第1供给罐23被供给至旋转处理装置10(SPM)(S291)。旋转处理装置10(SPM)中，将从处理液供给单元20(第1供给罐23)供给的活性种含有蚀刻处理液从喷嘴14喷向旋转的硅晶片W上，在活性种(亚硝酸HNO2)的存在下，蚀刻处理液(含有氢氟酸HF、硝酸HNO3)与硅晶片(Si)发生反应，进行硅晶片W的蚀刻处理。所述蚀刻处理液与硅晶片W的反应会因活性种(亚硝酸HNO2)的存在而被促进，进一步，由该反应而生成新的活性种，因此能够一边维持该反应被促进的状态一边进行该反应(蚀刻处理)。旋转处理装置10中的蚀刻处理后的活性种含有蚀刻处理液中溶解有硅(Si)(H2SiF6状态)，另外，含有作为活性种的亚硝酸(HNO2)
在旋转处理装置10中进行硅晶片W的蚀刻处理的过程中所排出的溶解有硅(Si)的活性种含有蚀刻处理液通过处理液回收机构30(参照图1)而被回收后，储存在处理液供给单元20中的回收罐21内(处理液回收步骤)。并且，如图20的粗线所示，利用泵P1的运转，以对应于调节阀Vc7的开度的流量将活性种含有蚀刻处理液从回收罐21供给至第1供给罐23(S292：处理液返回机构)。并且，进一步，利用泵P3的运转，以对应于调节阀Vc5的开度的流量使其从第1供给罐23返回至旋转处理装置10(处理液返回步骤)。以后，持续进行步骤29(步骤291以及步骤292)中的动作(参照图20所示的状态)，由此来持续下述状态：将活性种含有蚀刻处理液从第1供给罐23供给至旋转处理装置10，同时从旋转处理装置10回收的使用后的活性种含有蚀刻处理液藉由回收罐21返回到第1供给罐23。
如上所述，在旋转处理装置10和处理液供给单元20间使活性种含有蚀刻液循环状态下，在旋转处理装置10中进行硅晶片W的蚀刻处理期间，控制单元40进行处理液供给单元20中的泵P1、P3以及调节阀Vc5、Vc7的驱动控制(参照图20)等，与此同时，按照图4B所示的步骤进行处理。
图4B中，控制单元40对如下情况反复进行判定：旋转处理装置10中的蚀刻处理是否结束(S31)；根据旋转处理装置10中的处理时间如上所述循环使用的活性种含有蚀刻处理液的寿命是否到期、即所使用的活性种含有蚀刻处理液作为对硅晶片W进行处理的蚀刻处理液是否有效(S32：判定手段、判定步骤)；以及，根据旋转处理装置10中的硅晶片W的处理片数以及处理时间等，是否为应该对所使用的活性种含有蚀刻处理液的蚀刻速率下降进行修正的时机(S33)。该过程中，若判定为应该对腐蚀速率下降进行修正的时机(S33中YES)，则控制单元40进一步判定现在供给活性种含有蚀刻处理液的是第1供给罐23和第2供给罐24中的哪一个(S34)。
此处，若判定为由第1供给罐23供给活性种含有蚀刻处理液，则控制单元40按照如下方式进行处理液供给单元20中的调节阀群SVc1的开度以及驱动控制(S35)：为了修正蚀刻速率的下降，向第1供给罐24追加预定量的氢氟酸(HF)以及硝酸(HNO3)、和用于修正因蚀刻处理液的回收率低于100％而引起的蚀刻处理液的减少份的预定量的蚀刻处理液(HF、HNO3、CH3COOH、H2O)。由此，如图21的粗线所示，处理液供给单元20中，如上所述从旋转处理装置10回收的活性种含有蚀刻处理液从回收罐21被供给至第1供给罐23，同时活性种含有蚀刻处理液从第1供给罐23被供给至旋转处理装置10，在该状态下，通过控制的调节阀群SVc1仅将用于修正所述蚀刻速率下降、以及修正所述蚀刻处理液的减少份的量的来自化学药液供给单元的各化学药液(HF、HNO3、CH3COOH、H2O)供给至第1供给罐23。
以后，在旋转处理装置10和处理液供给单元20间使活性种含有蚀刻处理液循环的状态下，于旋转处理装置10中利用该活性种含有蚀刻处理液进行硅晶片W的蚀刻处理。该过程中，控制单元40对下述情况反复进行判定：旋转处理装置10中的蚀刻处理是否结束(S31)；该活性种含有蚀刻处理液的寿命是否到期(S32)；以及，是否为应该对该活性种含有蚀刻处理液的蚀刻速率下降进行修正的时机(S33)。并且，若判定为所述循环的活性种含有蚀刻处理液的寿命已经到期(S32中YES)，则如图22(与图21对比)所示，停止泵P1以及泵P3，同时关闭调节阀Vc5、Vc7，停止所述的活性种含有蚀刻处理液的循环，从而旋转处理装置10中的蚀刻处理也被中断。并且，从第1供给罐23供给活性种含有蚀刻处理液的情况下，控制单元40按照图4C所示的顺序继续进行处理。
图4C中，如图23的粗线所示，利用开关阀V3、V2为开放状态下的泵P4(移送机构)的运转，将寿命到期的活性种含有蚀刻处理液从第1供给罐23移送至溶液储存罐22(S41)，该活性种含有蚀刻处理液作为活性种(亚硝酸(HNO2))含有溶液储存在溶液储存罐22内。并且，若通过上限传感器H检测出溶液储存罐22的上限的液量，则如图24的粗线所示，在泵P4运转的状态下，关闭开关阀V2，打开开关阀V5，由此将来自第1供给罐23的活性种含有蚀刻处理液(活性种含有溶液)排出(Drain)而非移动至溶液储存罐22(S42)。
若将来自第1供给罐23的寿命到期的全部所述活性种含有蚀刻处理液排出，则如图25的粗线所示，来自化学药液供给单元的各化学药液一边通过调节阀群SVc1调整其流量一边被供给至第1供给罐23，在第1供给罐23中制备得到新的蚀刻处理液(S43)。此时，如图25所示，利用泵P2的运转，将如上所述被移送至溶液储存罐22中的活性种含有蚀刻处理液(亚硝酸含有溶液)以对应于调节阀Vc1的开度的流量进行循环(S44)。之后，关闭调节阀群SVc1，利用调整了调节阀Vc2、Vc3的开度的状态下的泵P2的运转，如图26的粗线所示，将亚硝酸含有溶液(活性种混合蚀刻处理液)从溶液储存罐22通过调节阀Vc2、流量计25、止回阀Vch以及调节阀Vc3供给至第1供给罐23(S45)。此时，根据由流量计25得到的流量信息，将相对于已经预先储存在供给罐23内的蚀刻处理液成预定配合比的量的亚硝酸含有溶液供给至第1供给罐23。由此，在第1供给罐23内，生成由作为活性种的亚硝酸(HNO2)和蚀刻处理液(含有氢氟酸(HF)以及硝酸(HNO3))混合形成的新的活性种含有蚀刻处理液(处理液生成机构，第3步骤)。
若如此在第1供给罐23内生成新的活性种含有蚀刻处理液，则如图27所示，关闭调节阀群SVc1，在第1供给罐23内，该新的活性种含有蚀刻处理液一边被调整为预定温度一边进行循环(S46)，实现活性种含有蚀刻处理液浓度的均匀化。需要说明的是，如图27的粗线所示，利用泵P2的运转使预先储存在溶液储存罐22内的亚硝酸含有溶液以对应于调节阀Vc1的开度的流量进行循环。
若如此在将寿命到期的活性种蚀刻处理液排出后的第1供给罐23内生成新的活性种含有蚀刻处理液，则开始从处理液供给单元20向旋转处理装置10供给活性种含有蚀刻处理液(S47)。具体而言，在将调节阀Vc6控制为预定的开度的状态下使泵P3运转，如图28的粗线所示，以对应于调节阀Vc6的开度的流量将活性种含有蚀刻处理液从第2供给罐24供给至旋转处理装置10(SPM)(S471)。在旋转处理装置10(SPM)中，与上述同样，在作为活性种的亚硝酸(HNO2)的存在下，利用蚀刻处理液(HF、HNO3、CH3COOH、H2O)和硅晶片W(Si)的反应一边生成新的活性种(亚硝酸(HNO2))一边进行硅晶片的蚀刻处理。并且，如图29的粗线所示，利用泵P1的运转，以对应于调节阀Vc8的开度的流量将活性种含有蚀刻处理液从回收罐21供给至第2供给罐24(S472)，该活性种含有蚀刻处理液为在进行硅晶片W的蚀刻处理的过程中从旋转处理装置10回收而储存在回收罐21的溶解有硅(Si)的活性种含有蚀刻处理液。并且，进一步，利用泵P3的运转使上述活性种含有蚀刻处理液以对应于调节阀Vc6的开度的流量从第2供给罐24返回到旋转处理装置10。以后，通过持续进行步骤47(步骤471以及步骤472)中的动作(参照图29所示状态)，由此来持续下述状态：一边使活性种含有蚀刻处理液从第2供给罐24供给至旋转处理装置10，一边使从旋转处理装置10回收的使用后的活性种含有蚀刻处理液通过回收罐21返回到第2供给罐24。
与上述同样，在旋转处理装置10和处理液供给单元20间使活性种含有蚀刻液循环状态下，于旋转处理装置10中进行硅晶片W的蚀刻处理期间，控制单元40一边进行处理液供给单元20中的泵P1、P3以及调节阀Vc6、Vc8的驱动控制(参照图29)等，一边根据图4B所示的顺序进行处理。
即，控制单元40对下述情况反复进行判定：旋转处理装置10中的蚀刻处理是否结束(S31)；循环利用的活性种含有蚀刻处理液的寿命是否到期(S32)；以及，是否为应该对所述活性种含有蚀刻处理液的蚀刻速率下降进行修正的时机(S33)。该过程中，若判定为应该对蚀刻速率下降进行修正的时机(S33中YES)，则控制单元40进一步判定现在供给活性种含有蚀刻处理液的是第1供给罐23和第2供给罐24中的哪一个(S34)。
此处，若判定为由第2供给罐24供给活性种含有刻蚀处理液，则与上述同样，控制单元40按照下述方式进行处理供给单元20中的调节阀群SVc2的开度以及驱动控制：向第2供给罐24追加用于修正蚀刻速率下降以及修正蚀刻处理液的减少份的预定量的蚀刻处理液(HF、HNO3、CH3COOH、H2O)的方式。由此，如图30的粗线所示，处理液供给单元20中，如上所述从旋转处理装置10回收的活性种含有蚀刻处理液从回收罐21被供给至第2供给罐24，同时活性种含有蚀刻处理液从第2供给罐24被供给至旋转处理装置10，在该状态下，通过进行控制的调节阀群SVc2仅将用于补偿所述蚀刻速率下降、以及修正所述蚀刻处理液的减少份的量的来自化学药液供给单元的各化学药液(HF、HNO3、CH3COOH、H2O)供给至第2供给罐24。
以后，在旋转处理装置10和处理液供给单元20间使活性种含有蚀刻处理液循环的状态下，于旋转处理装置10中利用该活性种含有蚀刻处理液进行硅晶片W的蚀刻处理。该过程中，控制单元40对下述情况反复进行判定：旋转处理装置10中的蚀刻处理是否结束(S31)；该活性种含有蚀刻处理液的寿命是否到期(S32)；以及，是否为应该对该活性种含有蚀刻处理液的蚀刻速率下降进行修正的时机(S33)。并且，若判定为所述循环的活性种含有蚀刻处理液的寿命已经到期(S32中YES)，则如图31(与图30对比)所示，停止泵P1以及泵P3，同时关闭调节阀Vc6、Vc8，停止所述的活性种含有蚀刻处理液的循环，从而旋转处理装置10中的蚀刻处理也被中断。并且，从第2供给罐24供给活性种含有蚀刻处理液的情况下，控制单元40按照图4D所示的顺序持续进行处理。
图4D中，利用开关阀V4、V2为开放的状态下的泵P4(移动机构)的运转，如图32的粗线所示，将寿命到期的活性种含有刻蚀处理液从第1供给罐23移送至溶液储存罐22(S51)，该活性种含有蚀刻处理液作为活性种(亚硝酸(HNO2))含有溶液储存在溶液储存罐22内。并且，若通过上限传感器H检测出溶液储存罐22的上限的液量，则如图33的粗线所示，在泵P4运转的状态下，关闭开关阀V2，打开开关阀V5，由此将来自第2供给罐24的活性种含有蚀刻处理液(活性种含有溶液)排出(Drain)而非移送至溶液储存罐22(S52)。
若从第2供给罐24将寿命到期的上述活性种含有蚀刻处理液全部排出，则与上述的第1供给罐的情况(参照图4C中的S43～S46)同样，在第2供给罐24中，通过将由来自化学药液供给单元的各化学药液(HF、HNO3、CH3COOH、H2O)制备的新的蚀刻处理液、和来自溶液储存罐22的活性种含有溶液(寿命到期的活性种含有蚀刻处理液)混合而生成新的活性种含有处理液(S53～S55)。并且，第2供给罐24中，该新的活性种含有蚀刻处理液一边被调整至预定温度一边进行循环(S56)，实现活性种含有蚀刻处理液的浓度的均匀化。
之后，转移至图4A所示的步骤S29的处理，活性种含有蚀刻处理液从第1供给罐23被供给至旋转处理装置10(S291)，同时由旋转供给处理装置10回收的使用后的活性种含有蚀刻处理液返回至第1供给罐23。在该状态下，旋转处理装置10中，通过活性种含有蚀刻处理液和硅晶片W的反应一边生成作为活性种的亚硝酸(HNO2)一边进行该硅晶片W的蚀刻处理。
以后，每当活性种含有蚀刻处理液的寿命到期(图4B的S32中YES)，一边对第1供给罐23和第2供给罐24进行切换，一边使活性种含有蚀刻处理液在旋转处理装置10和供给罐(第1供给罐23或第2供给罐24)之间进行循环。并且，在该状态下，于旋转处理装置10中进行硅晶片W的蚀刻处理。
需要说明的是，控制单元40在根据图4B所示的顺序(S31、S32、S33)进行处理的过程中，例如输入来自旋转处理装置10的终止信号(S31中YES)则可以使处理结束。
在如上所述的基板处理系统中，生成亚硝酸含有溶液，该亚硝酸含有溶液含有有助于硅晶片W的处理的活性化的活性种、即亚硝酸(HNO2)，将由该亚硝酸含有溶液和蚀刻处理液(HF、HNO3、CH3COOH、H2O)混合形成的活性种含有处理液供给至旋转处理装置10，因此在旋转处理装置10中，从一开始就在作为活性种的亚硝酸(HNO2)的存在下、利用蚀刻处理液对硅晶片W进行处理。因此，能够在无需特别使用含有高浓度的氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的蚀刻处理液的条件下，防止该蚀刻处理液的利用效率的下降，同时通过活性种(亚硝酸(HNO2))的作用、利用蚀刻处理液对硅晶片W进行高效率的蚀刻处理。
另外，使活性种含有蚀刻处理液循环而在旋转处理装置10中使用时，该活性含有蚀刻处理液的寿命到期后，该活性种含有蚀刻处理液作为硅晶片的蚀刻处理液失效的情况下，将通过循环而用于蚀刻处理的活性种含有蚀刻处理液移送至溶液储存罐22作为活性种(亚硝酸(HNO2))溶液利用，因此能够进一步有效地利用蚀刻处理液。
进一步，根据旋转处理装置10中的硅晶片W的处理片数以及处理时间等而判定为应该对循环利用的活性种含有蚀刻处理液的蚀刻速率的下降进行修正的时机时，追加蚀刻速率下降的修正用的氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)、以及与活性种含有蚀刻处理液的减少份对应的蚀刻处理液(HF、HNO3、CH3COOH、H2O)(参照图4B中S35、S36)，因此旋转处理装置10中，例如如图34所示的特性，能够以稳定的蚀刻速率进行更多片数的硅晶片W的蚀刻处理。
另外，在原本的硅晶片W的蚀刻处理之前，利用蚀刻处理液(HF、HNO3、CH3COOH、H2O)对粗面化硅晶片W进行处理，因此促进了积存在粗面化硅晶片的具有凹凸的表面的凹部的蚀刻处理液与硅(Si)的反应，能够有效地生成活性种(亚硝酸(HNO2))含有溶液。需要说明的是，并不限于粗面化硅晶片，可以是与原本应该处理的基板同种类的基板(硅晶片W)，例如被氧化膜(热氧化膜)覆盖的基板，只要是通过蚀刻处理液能够更有效地生成活性种(亚硝酸(HNO2))的基板即可。
以往，一边向基板(例如硅晶片W)的表面供给蚀刻液一边进行处理(蚀刻处理)的情况下，在处理液与基板发生反应的同时进行处理(蚀刻)。即，通过产生氧化种来对基板进行蚀刻。但是，从产生氧化种到实际开始蚀刻(削割)需要花费时间，因此难以从处理液的供给一开始就顺利地进行蚀刻处理。另外，在基板表面上，蚀刻开始的时间和蚀刻的处理速度在局部部位有所不同，因此难以以均匀的膜厚进行蚀刻。与此相对，所述的本发明的实施方式的基板处理系统中，向基板(硅晶片W)供给含有活性种(亚硝酸(HNO2))的蚀刻处理液，在基板表面上从一开始就在活性种的存在下有效地进行蚀刻处理液和基板(硅(Si))的反应。因此，蚀刻处理有效地进行，同时向该基板表面均匀地供给活性种含有处理液从而能够以均匀的膜厚进行蚀刻处理。
需要说明的是，在所述基板处理系统中生成活性种含有溶液(亚硝酸含有溶液)(参照图3)，但也可以为使用该基板处理系统以外的装置来生成活性种含有溶液。该情况下，将由其他装置生成的活性种含有溶液(亚硝酸含有溶液)另外供给至溶液储存罐22进行储存。进一步，可以使用已经生成的活性种含有处理液对基板(硅晶片W)进行处理，而不是在基板处理系统中将活性种含有液(亚硝酸含有液)和处理液进行混合来生成活性种含有处理液。
另外，作为处理的对象并不限于硅晶片W，只要是应该对表面进行处理的基板就没有特别限定。另外，对于所述处理，并不限于蚀刻处理，可以为抗蚀剂剥离等其他处理。该情况下，可以选择有助于该处理的活性化的活性种。
符号的说明
10基板处理机构
20处理液供给单元
21回收罐
22溶液储存罐
23第1供给罐
24第2供给罐
25流量计
30处理液回收机构
31排液罐
32泵
40控制单元
Claims (14)
1.一种基板处理方法，其是在基板处理机构中使用处理液对基板进行处理的基板处理方法，该基板处理方法具有：
前段步骤，其中，生成含有有助于基板处理的活性化的活性种的活性种含有溶液；
第1步骤，其中，将该前段步骤中生成的所述活性种含有溶液和对所述基板进行处理的处理液进行混合从而生成活性种含有处理液；和
第2步骤，其中，将该第1步骤中生成的所述活性种含有处理液作为所述处理液供给至所述基板处理机构；
在所述基板处理机构中，通过所述活性种含有处理液和所述基板的反应一边生成活性种一边对该基板进行处理，
所述前段步骤具有下述步骤：
在所述基板处理机构中对与所述基板同种类的预定基板供给所述处理液，通过该处理液和所述预定基板的反应一边生成活性种一边对该预定基板进行处理的步骤；
对该步骤处理后得到的活性种含有处理液进行回收的步骤；和
将回收的所述活性种含有处理液作为活性种含有溶液预先储存于存液机构的步骤，
将预先储存于该存液机构的所述活性种含有溶液用于所述第1步骤。
2.如权利要求1所述的基板处理方法，其具有：
处理液回收步骤，其中，对在所述基板处理机构中对所述基板进行处理后的活性种含有处理液进行回收；
处理液返回步骤，其中，将由该处理液回收步骤回收的所述活性种含有处理液作为所述处理液返回至所述基板处理机构；
判定步骤，其中，对所述基板处理机构中所使用的活性种含有处理液作为对所述基板进行处理的处理液是否有效进行判定；
第3步骤，其中，当通过该判定步骤所述活性种含有处理液被判定为作为对所述基板进行处理的处理液无效时，将所述基板处理机构中使用了的所述活性种含有处理液与作为新的活性种含有溶液的新处理液进行混合，生成新的活性种含有处理溶液；和
第4步骤，其中，将由该第3步骤生成的所述活性种含有处理液作为所述处理液供给至所述基板处理机构。
3.一种基板处理方法，其是在基板处理机构中使用处理液进行硅制基板的蚀刻处理的基板处理方法，该基板处理方法具有：
前段步骤，其中，生成含有作为活性种的亚硝酸(HNO2)的亚硝酸含有溶液，该活性种有助于硅制基板的蚀刻处理的活性化；
第1步骤，其中，将该前段步骤中生成的所述亚硝酸含有溶液与含有氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的蚀刻处理溶液进行混合从而生成活性种含有蚀刻处理液；和
第2步骤，其中，将所述第1步骤中生成的所述活性种含有蚀刻处理液作为所述处理液供给至所述基板处理机构，
所述基板处理机构中，通过所述活性种含有蚀刻处理液和所述硅制基板的反应一边生成作为活性种的亚硝酸(HNO2)一边对该硅制基板进行蚀刻处理，
所述前段步骤具有：
在所述基板处理机构中对预定硅制基板供给所述蚀刻处理液，通过该蚀刻处理液和所述预定基板的反应一边生成作为活性种的亚硝酸(HNO2)一边对该预定硅制基板进行处理的步骤；
对该步骤处理后得到的活性种含有蚀刻处理液进行回收的步骤；和
将回收的所述活性种含有蚀刻处理液作为亚硝酸含有溶液预先储存于存液机构的步骤，
将预先储存于该存液机构的所述亚硝酸含有溶液用于所述第1步骤。
4.如权利要求3所述的基板处理方法，其具有：
蚀刻处理液回收步骤，其中，对在所述基板处理机构中对所述硅制基板进行处理后的所述活性种含有蚀刻处理液进行回收；
蚀刻处理液返回步骤，其中，将由该蚀刻处理液回收步骤回收的所述活性种含有蚀刻处理液作为所述蚀刻处理液返回至所述基板处理机构；
判定步骤，其中，对所述基板处理机构中所使用的活性种含有蚀刻处理液作为对所述硅制基板进行处理的所述蚀刻处理液是否有效进行判定；
第3步骤，其中，当通过该判定步骤所述活性种含有蚀刻处理液被判定为作为对所述硅制基板进行处理的所述蚀刻处理液无效时，将所述基板处理机构中使用了的所述活性种含有蚀刻处理液与作为新的活性种含有溶液的新蚀刻处理液进行混合，生成新的活性种含有蚀刻处理溶液；和
第4步骤，其中，将由第3步骤生成的所述活性种含有蚀刻处理液作为所述蚀刻处理液供给至所述基板处理机构。
5.如权利要求3或4所述的基板处理方法，其中，所述预定硅制基板是对表面进行了粗面化的硅制基板或表面被氧化膜覆盖的硅制基板。
6.一种基板处理系统，其具有：
基板处理机构，其中，使用处理液对基板进行处理；
存液机构，其中，预先储存活性种含有溶液，该活性种含有溶液含有有助于基板处理的活性化的活性种；
处理液生成机构，其中，对预先储存在所述存液机构的所述活性种含有溶液和对所述基板进行处理的处理液进行混合从而生成活性种含有处理液；和
处理液供给机构，其中，将该处理液生成机构中生成的所述活性种含有处理液作为所述处理液供给至所述基板处理机构；
在所述基板处理机构中，通过所述活性种含有处理液和所述基板的反应一边生成活性种一边对该基板进行处理，
进一步具有：
处理液回收机构，其中，对在所述基板处理机构中对所述基板进行处理后的活性种含有处理液进行回收；
泵，其将通过该处理液回收机构回收的所述活性种含有处理液作为活性种含有溶液供给至所述存液机构。
7.如权利要求6所述的基板处理系统，其具有：
处理液返回机构，其中，将由该处理液回收机构回收的所述活性种含有处理液作为应该供给至所述基板处理机构的活性种含有处理液而返回至所述处理液供给机构；
判定手段，其中，对所述基板处理机构中所使用的活性种含有处理液作为对所述基板进行处理的处理液是否有效进行判定；和
移送机构，其中，当通过该判定手段所述活性种含有处理液被判定为作为对所述基板进行处理的处理液无效时，将本应该从所述处理液供给机构供给至所述基板处理机构的所述活性种含有处理液移送至所述存液机构；
所述活性种含有处理液作为活性种含有溶液预先储存在所述存液机构内。
8.如权利要求7所述的基板处理系统，其中，
所述处理液生成机构具有预先储存所述活性种含有处理液的供给罐，所述活性种含有处理液是通过将预先储存在所述存液机构内的所述活性种含有溶液和对所述基板进行处理的处理液混合而得到的；
所述处理液供给机构具有将预先储存在所述供给罐内的所述活性种含有处理液供给至所述基板处理机构的机构；
所述处理液返回机构具有将回收的所述活性种含有处理液返回至所述供给罐的机构；
所述移送机构具有将所述活性种含有处理液从所述供给罐移送至所述存液机构的机构。
9.如权利要求6～8任一项所述的基板处理系统，其中，在所述基板处理机构中对与所述基板同种类的预定基板供给所述处理液，通过该处理液和所述预定基板的反应一边生成活性种一边对该预定基板进行处理，所述处理液回收机构回收上述处理后的活性种含有处理液，所述存液机构预先存储通过所述泵供给的所述回收的活性种含有处理液作为所述活性种含有溶液。
10.一种基板处理系统，其具有：
基板处理机构，其中，使用处理液进行硅制基板的蚀刻处理；
存液机构，其中，预先储存亚硝酸含有溶液，该亚硝酸含有溶液含有作为有助于硅制基板处理的活性化的活性种的亚硝酸(HNO2)；
处理液生成机构，其中，将预先储存在所述存液机构的所述亚硝酸含有溶液与含有氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的蚀刻处理液进行混合从而生成活性种含有蚀刻处理液；和
处理液供给机构，其中，将由所述处理液生成机构生成的所述活性种含有蚀刻处理液作为所述处理液供给至所述基板处理机构；
所述基板处理机构中，通过所述活性种含有蚀刻处理液和所述硅制基板的反应一边生成作为活性种的亚硝酸(HNO2)一边对该硅制基板进行蚀刻处理，
进一步具有：
处理液回收机构，其中，对在所述基板处理机构中对所述硅制基板进行处理后的活性种含有蚀刻处理液进行回收；和
泵，其将通过所述处理液回收机构回收的所述活性种含有蚀刻处理液作为亚硝酸含有溶液供给至所述存液机构。
11.如权利要求10所述的基板处理系统，其具有：
处理液返回机构，其中，将由所述处理液回收机构回收的所述活性种含有蚀刻处理液作为应该供给至所述基板处理机构的活性种含有蚀刻处理液返回至所述处理液供给机构；
判定手段，其中，对所述基板处理机构中所使用的活性种含有蚀刻处理液作为对所述硅制基板进行处理的蚀刻处理液是否有效进行判定；和
移送机构，其中，当通过该判定手段所述活性种含有蚀刻处理液被判定为作为对所述硅制基板进行处理的蚀刻处理液无效时，将本应该从所述处理液供给机构供给至所述基板处理机构的所述活性种含有蚀刻处理液移送至所述存液机构；
所述活性种含有蚀刻处理液作为所述亚硝酸含有溶液预先储存在所述存液机构内。
12.如权利要求11所述的基板处理系统，其中，
所述处理液生成机构具有预先储存所述活性种含有蚀刻处理液的供给罐，所述活性种含有蚀刻处理液是通过将预先储存在所述存液机构内的所述亚硝酸含有溶液和对所述硅制基板进行处理的蚀刻处理液混合而得到的；
所述处理液供给机构具有将预先储存在所述供给罐内的所述活性种含有蚀刻处理液供给至所述基板处理机构的机构；
所述处理液返回机构具有将回收的所述活性种含有蚀刻处理溶液返回至所述供给罐的机构；
所述移送机构具有将所述活性种含有蚀刻处理液从所述供给罐移送至所述存液机构的机构。
13.如权利要求10～12任一项所述的基板处理系统，其中，在所述基板处理机构中对预定硅制基板供给所述蚀刻处理液，通过该蚀刻处理液和所述预定硅制基板的反应一边生成作为活性种的亚硝酸(HNO2)一边对该预定硅制基板进行处理，所述处理液回收机构回收上述处理后的活性种含有蚀刻处理液，所述存液机构预先存储通过所述泵供给的所述回收的活性种含有蚀刻处理液作为所述亚硝酸含有溶液。
14.如权利要求13所述的基板处理系统，其中，所述预定硅制基板是对表面进行了粗面化的硅制基板或表面被氧化膜覆盖的硅制基板。
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