CN103159475B - B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 20
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title abstract 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 26
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 13
- 238000000713 high-energy ball milling Methods 0.000 claims description 10
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims description 8
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 235000015895 biscuits Nutrition 0.000 claims description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 3
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005469 granulation Methods 0.000 claims description 2
- 230000003179 granulation Effects 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 6
- 101150115032 MAOB gene Proteins 0.000 abstract 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000011160 research Methods 0.000 description 6
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- -1 bismuthino Chemical group 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical group [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 2
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- OMFXVFTZEKFJBZ-HJTSIMOOSA-N corticosterone Chemical compound O=C1CC[C@]2(C)[C@H]3[C@@H](O)C[C@](C)([C@H](CC4)C(=O)CO)[C@@H]4[C@@H]3CCC2=C1 OMFXVFTZEKFJBZ-HJTSIMOOSA-N 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000028161 membrane depolarization Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
本发明公开了B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法,成分以通式(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示,其中x、y、z表示摩尔分数,0<x<1.0,0<y<1,0≤z≤0.1,Me为一种或多种五价金属元素,MaOb为一种或多种氧化物,其中M为+1~+6价且能与氧形成固态氧化物的元素,以常规制备陶瓷方法制成。制备的无铅压电陶瓷具备很好的烧结特性,制备工艺简单、稳定,性能优良,可部分取代传统的铅基压电陶瓷使用。
Description
本案申请为申请日2011年6月16日,申请号201110162421.0,发明创造名称为:B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法的分案申请。
技术领域
本发明涉及压电陶瓷材料,具体是B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法。
背景技术
压电陶瓷在信息、激光、导航、电子技术、通讯、计量检测、精密加工和传感技术等高技术领域应用广泛。但是目前实用的压电陶瓷绝大部分是锆钛酸铅(PZT)或以为锆钛酸铅为基的材料,这些材料中氧化铅含量约占70%左右,由于铅的污染问题,国际上正积极通过法律、法规、政府指令等形式对含铅的电子产品加以禁止。因此,研究高性能、低成本、实用型无铅压电、铁电材料的任务十分迫切。
目前研究的无铅压电陶瓷体系中,钙钛矿结构的(Na1/2Bi1/2)TiO3(简称NBT)被认为是一种很有希望的无铅压电材料。NBT陶瓷具有许多很好的特性,如居里温度高(Tc=320 ℃),铁电性强(P r=38 μC/cm2),压电系数大(k t、k 33约50%),热释电性能与PZT相当,声学性能好,介电常数小,烧结温度低。但BNT陶瓷矫顽场高,在铁电相区电导率高,NaO易吸水,烧结温区狭窄,导致了陶瓷的致密性和化学物理性能稳定性欠佳。针对这些问题,国内外的研究者对BNT基陶瓷的改性做了大量的研究工作,但随NBT基压电陶瓷性能的改善,伴随退极化温度的降低,其综合性能与铅基压电陶瓷还有很大差距,远远满足不了实际应用的要求。
此外,无铅压电陶瓷体系中的铌酸钾钠(K0.5Na0.5NbO3,KNN)系压电陶瓷因具有介电常数小、压电性能高、频率常数大、密度小、居里温度高及组成元素对人体友好等特点,被认为是很有前途替代PZT的无铅压电材料之一。自从2004年日本的学者Y.Saito在nature发表论文报道了K0.5Na0.5NbO3压电陶瓷压电常数d 33达416 pC/N,引起了全世界研究K0.5Na0.5NbO3基无铅压电陶瓷的热潮。但论文报道的性能是利用模板晶粒生长(TGG)特殊技术工艺法制备的取向织构的KNN基压电陶瓷,这种制备工艺条件要求苛刻,难以实现大规模生产。一般来说K0.5Na0.5NbO3基无铅压电陶瓷烧结过程中Na易挥发,采用传统工艺制备的铌酸钾钠陶瓷的致密性差,需要采用热压,等静压与等离子烧结等特殊制备方法,这些新工艺因成本高、工艺复杂难以满足生产实际需要。同时K0.5Na0.5NbO3体系中原料Nb2O5含量高,价格昂贵,不利于实用化。
基于对铅基材料的广泛研究,人们认为铅与压电铁电性的起源密切相关,由于Bi具有与Pb类似的特性,即Bi在元素周期表上与Pb相邻,具有相同的电子分布、相近的离子半径和分子量,同时Bi的氧化物无毒,故铋基压电铁电材料成为无铅压电铁电材料研究的热点。由于简单的化合物BiMeO3很难合成,并且在常压下不稳定。这样使得研究者把目光投向B位复合离子BiMeMe′O3体系,研究发现这类材料大都具有畸变的钙钛矿结构。但现有文献还未有报道B位复合Bi (Li1/2Me1/2)O3基无铅压电陶瓷及制备方法的报道。
发明内容
本发明的目的是提供一种矫顽场低,易于极化,致密度高的、压电性能好的新型B位复合Bi基无铅压电陶瓷及其制备方法。
实现本发明目的的技术方案是:B位 Bi基无铅压电陶瓷用下述通式:
(1-x-y) Bi (Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3 +zMaOb来表示,其中x、y、z表示摩尔分数, 0<x<1.0,0<y<1,0≤z≤0.1,Me为五价金属元素,MaOb为一种或多种氧化物,其中M为+1~+6价且能与氧形成固态氧化物的元素。
五价元素Me为Nb、Sb、Ta、V、W、Mn和Bi中的一种或多种;一种或多种氧化物MaOb的M选自La、Sm、Mn、Ce、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Ge、Sc、Li、Na、K、Ca、Sr、Mg、Mn、Fe、Co、Cr和Sn的一种或多种。
所述的新型B位复合Bi基无铅压电陶瓷的制备方法,其特征在于:包括下述步骤:
(1)将原料按照Bi (Li1/2Me1/2)O3、BaTiO3、(Na1/2Bi1/2)TiO3、(K1/2Bi1/2)TiO3化学配比配料,以无水乙醇为介质高能球磨8-10小时,干燥后在氧化铝坩埚(加盖)中以600-1000°C焙烧1-8小时;获得粉末;
(2)将步骤(1)获得的粉末和MaOb原料按照方程式(1-x-y) Bi (Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb配料,以无水乙醇为介质高能球磨8-10小时,干燥后在氧化铝坩埚(加盖)中以600-1000°C焙烧1-8小时;焙烧后以无水乙醇为介质高能球磨6-12小时,干燥后获得粉末;
(3)将步骤(2)获得的粉末加入5%(重量百分比)浓度的PVA溶液造粒,在50-200MPa压力下压制成型;
(4)成型后的素坯在常压下采用埋粉烧结,烧结温度980-1200°C,保温时间1-8小时;然后热压烧结,烧结温度600-900°C,保温时间10分钟-3小时;
(5)烧结后的样品加工成两面光滑、厚度约1mm的薄片,披银电极,然后在硅油中极化,极化电场3000-8000V/mm,温度30-100°C,时间5-30分钟。
与已有技术相比,本发明的特色体现在:
1. 本发明的陶瓷组成是一种环境友好型压电陶瓷,能实现对部分现有的铅基压电陶瓷的替代。由于添加的铋在元素周期表上与铅相邻,具有相同的电子分布、相近的离子半径和分子量,因而无铅压电陶瓷的压电性主要来源于Bi3+离子。因此B位复合Bi基无铅压电陶瓷较现有产品更具有优良的压电性能。本发明可采用传统压电陶瓷制备技术,原料从工业用原料中获得,制备工艺简单、稳定,具有实用性。
2. 本发明采用分别合成组元方法和重复焙烧改善成分均匀性,采用高能球磨提高球磨效果,采用埋粉烧结与热压烧结改善微观结构,降低烧结温度,提高烧结致密度,优化压电性能,满足不同应用的需要。
具体实施方式
通过下面给出的实施例,可以进一步清楚的了解本发明的内容,但它们不是对本发明的限定。
实施例1:
制备成分为:(1-x-y) Bi (Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3 +zMaOb,其中x=0.90,y=0.06,z=0.01,Me=90%Nb+10%Ta,M=80%Er+20%Sc.的B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷
制备方法包括如下步骤:
以分析纯Bi2O3、Na2CO3、BaCO3、Li2CO3、Nb2O5、Ta2O5和TiO2为原料,分别按照以下化学式:
Bi (Li1/2 (Nb0.9Ta0.1) 1/2)O3、BaTiO3、(Na1/2Bi1/2)TiO3
进行配料,以无水乙醇为介质高能球磨湿磨10小时,80 ℃烘干后在750℃保温2小时预合成Bi (Li1/2 (Nb0.9Ta0.1) 1/2)O3,在950℃保温2小时预合成BaTiO3,在850℃保温2小时预合成(Na1/2Bi1/2)TiO3瓷料。
合成的Bi (Li1/2 (Nb0.9Ta0.1) 1/2)O3、BaTiO3、(Na1/2Bi1/2)TiO3瓷料、Er2O3、Sc2O3再根据方程式:(1-x-y) Bi (Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3 +zMaOb配料,以无水乙醇为介质经二次高能球磨湿磨8小时,干燥后在氧化铝坩埚中以900°C焙烧2小时;焙烧后以无水乙醇为介质高能球磨12小时,烘干后过300目筛,获得粉末;然后加5%浓度的PVA溶液作为粘结剂,在120 MPa压力下压制成素坯,成型后的素坯在常压下采用埋粉烧结,烧结温度1100°C,保温时间5小时;然后热压烧结,烧结温度900°C,保温时间45分钟。
烧结后的样品加工成两面光滑、厚度约1mm的薄片,披银电极,然后在硅油中极化,极化电场6000V/mm,温度50°C,时间15分钟。保持电场冷却至室温后撤去电场,取出样品。样品按IRE标准对制成的压电陶瓷进行压电性能测量:
性能测量结果如下:
d 33(pC/N) | Qm | k p | εr | tanδ(%) | k t |
135 | 259 | 0.24 | 1225 | 2.26 | 0.198 |
实施例2:
制备成分为:(1-x-y) Bi (Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3 +zMaOb,其中x=0.05,y=0.92,z=0.01,Me=90%Nb+10%Mn, M=80%Ce+20%La.的B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷
制备方法同实施例1,烧结温度1125°C,热压烧结温度650°C.
性能:
d 33(pC/N) | Qm | k p | εr | tanδ(%) | k t |
190 | 283 | 0.31 | 1114 | 2.63 | 0.453 |
实施例3:
制备成分为: (1-x-y) Bi (Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3 +zMaOb,其中x=0.30,y=0.65,z=0.01,Me=95%Nb+10%V, M=90%In+10%Gd.的B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷
制备方法同实施例1,烧结温度1150°C,保温时间2小时,热压烧结温度800°C,保温时间50分钟。
性能测量结果如下:
d 33(pC/N) | Qm | k p | εr | tanδ(%) | k t |
138 | 293 | 0.225 | 1337 | 2.31 | 0.40 |
Claims (2)
1.一种B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷的制备方法,其特征是:该无铅压电陶瓷的组成通式为(1-x-y) Bi (Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3 +zMaOb,式中Me为一种或多种五价金属元素;MaOb为一种或多种氧化物,其中M为+1~+6价且能与氧形成固态氧化物的元素;x、y和z表示陶瓷体系中摩尔含量,其中0<x<1.0,0< y <1.0,0≤z≤0.1,x+ y<1,所述的五价金属元素为Nb、Sb、Ta、V、W、Mn和Bi中的一种或多种;所述陶瓷由以下方法制得:
(1)将原料按照Bi (Li1/2Me1/2)O3、BaTiO3、(Na1/2Bi1/2)TiO3进行配料,以无水乙醇为介质高能球磨8-10小时,干燥后在氧化铝坩埚中以600-1000℃焙烧1-8小时,获得粉末;
(2)将步骤(1)获得的粉末和MaOb原料按照上述组成通式进行配料,以无水乙醇为介质高能球磨8-10小时,干燥后在氧化铝坩埚中以600-1000℃焙烧1-8小时;焙烧后以无水乙醇为介质高能球磨6-12小时,干燥后获得粉末;
(3)将步骤(2)获得的粉末加入重量百分比5%浓度的PVA溶液造粒,在50-200MPa压力下压制成型;
(4)成型后的素坯在常压下采用埋粉烧结,烧结温度980-1200℃,保温时间1-8小时;然后热压烧结,烧结温度600-900℃,保温时间10分钟-3小时;
(5)烧结后的样品加工成两面光滑、厚度1mm的薄片,披银电极,然后在硅油中极化,极化电场3000-8000V/mm,温度30-100℃,时间5-30分钟。
2.如权利要求1所述的无铅压电陶瓷,其特征是:所述的+1~+6价且能与氧形成固态氧化物的元素为La、Sm、Mn、Ce、Nd、Pm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Ge、Sc、Li、Na、K、Ca、Sr、Mg、Mn、Fe、Co、Cr和Sn中的一种或多种。
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---|---|---|---|
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---|---|---|---|
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---|---|
CN103159475A CN103159475A (zh) | 2013-06-19 |
CN103159475B true CN103159475B (zh) | 2014-09-10 |
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ID=48583047
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310081346.4A Expired - Fee Related CN103159475B (zh) | 2011-06-16 | 2011-06-16 | B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103159475B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107032784A (zh) * | 2017-05-02 | 2017-08-11 | 桂林电子科技大学 | 一种大压电各向异性无铅压电陶瓷材料及其制备方法 |
CN108706971B (zh) * | 2018-06-26 | 2021-01-05 | 桂林电子科技大学 | 一种具有大压电应变记忆特性的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3767579A (en) * | 1971-02-25 | 1973-10-23 | Nippon Electric Co | Piezoelectirc ceramics |
CN101200369A (zh) * | 2007-07-27 | 2008-06-18 | 桂林电子科技大学 | 钛铌锌酸铋钠系无铅压电陶瓷及其制备方法 |
CN101234895A (zh) * | 2008-02-04 | 2008-08-06 | 桂林电子科技大学 | 一种钛酸铋钠基无铅压电陶瓷 |
CN101429022A (zh) * | 2008-12-12 | 2009-05-13 | 同济大学 | 具有低烧结温度特性的铁电压电陶瓷组分、制备和应用 |
-
2011
- 2011-06-16 CN CN201310081346.4A patent/CN103159475B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3767579A (en) * | 1971-02-25 | 1973-10-23 | Nippon Electric Co | Piezoelectirc ceramics |
CN101200369A (zh) * | 2007-07-27 | 2008-06-18 | 桂林电子科技大学 | 钛铌锌酸铋钠系无铅压电陶瓷及其制备方法 |
CN101234895A (zh) * | 2008-02-04 | 2008-08-06 | 桂林电子科技大学 | 一种钛酸铋钠基无铅压电陶瓷 |
CN101429022A (zh) * | 2008-12-12 | 2009-05-13 | 同济大学 | 具有低烧结温度特性的铁电压电陶瓷组分、制备和应用 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN103159475A (zh) | 2013-06-19 |
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