CN103155150A - 距离传感器以及距离图像传感器 - Google Patents

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Abstract

光栅极（PG），平面形状为具有彼此相对的第1和第2长边（LS1，LS2）、以及彼此相对的第1和第2短边（SS1，SS2）的长方形形状。第1以及第2半导体区域（FD1，FD2）在第1和第2长边（LS1，LS2）的相对方向上夹持光栅极（PG）而相对地配置。第3半导体区域（SR1）在第1和第2短边（SS1，SS2）的相对方向上夹持光栅极（PG）而相对地配置。第3半导体区域（SR1）使在第1和第2短边（SS1，SS2）侧的电势高于光栅极（PG）的正下方的区域中的位于第1以及第2半导体区域（FD1，FD2）之间的区域中的电势。

Description

距离传感器以及距离图像传感器
技术领域
本发明涉及距离传感器以及距离图像传感器。
背景技术
现有的主动型的光测距传感器作为通过从LED（Light EmittingDiode，发光二极管）等的投光用的光源将光照射于对象物并用光检测元件检测对象物上的反射光从而输出对应于直至对象物为止的距离的信号的光测距传感器而为人所知。PSD（Position Sensitive Detector，位置敏感检测器）等作为能够简便地测定直至对象物为止的距离的光三角测量型的光测距传感器而为人所知。近年来，为了进行更加精密的距离测定，期待着光TOF（Time-of-Flight，飞行时间）型的光测距传感器的开发。
在车载用、工厂的自动制造系统用等中寻求能够用同一芯片同时取得距离信息和图像信息的影像传感器。如果将影像传感器设置于车辆前方的话，则能够期待使用于前方车辆的检测·识别、行人等的检测·识别。也期待着与图像信息分开地取得由单一的距离信息或者多个距离信息构成的距离图像的影像传感器。优选将TOF法运用于这样的测距传感器。
TOF法通过从投光用的光源朝着对象物出射脉冲光并用光检测元件检测被对象物反射的脉冲光，从而测定脉冲光的出射时机和检测时机的时间差。该时间差（Δt）是脉冲光以光速（=c）飞行直至对象物为止的距离d的2倍的距离（2×d）所需要的时间，所以d=（c×Δt）/2成立。时间差（Δt）也能够换句话说是来自于光源的出射脉冲与检测脉冲的相位差。如果检测该相位差的话，则能够求得直至对象物为止的距离d。
电荷分配方式的影像传感器作为用于由TOF法进行测距的光检测元件而受到瞩目。即，电荷分配方式的影像传感器中，例如将对应于检测脉冲的入射而在影像传感器内产生的脉冲性地产生的电荷在出射脉冲的开启（ON）期间的期间内分配于一个电势阱内，在关闭（OFF）期间的期间内分配于另一个电势阱内。在此情况下，分配于左右的电荷量的比率与检测脉冲和出射脉冲的相位差、即脉冲光以光速飞行直至对象物为止的距离的2倍的距离所需要的时间成比例。作为电荷的分配方法，考虑了各种各样的方法。
在专利文献1中，公开了具备对应于入射光而产生电荷的电荷产生区域、空间上分离地配置并收集来自于电荷产生区域的信号电荷的一对信号电荷收集区域、以及分别设置于信号电荷收集区域并被提供不同的相位的电荷转送信号的转送电极的TOF型的距离传感器（距离图像传感器）。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2007/119626号小册子
发明内容
发明所要解决的问题
然而，存在作为电荷产生区域的平面形状而采用具有在第1方向上相对的一对长边和在第2方向上相对的一对短边的长方形形状的情况。在此情况下，信号电荷收集区域以在第1方向上夹持电荷产生区域并相对的方式进行配置。采用上述长方形形状的理由是增加电荷产生区域的面积来谋求高灵敏度化以及提高信号电荷收集区域的相对方向上的电荷的转送速度等。
但是，在电荷产生区域的平面形状为上述长方形形状，信号电荷收集区域以在第1和第2长边的相对方向上夹持电荷产生区域而相对的方式配置的情况下，新判明了有产生以下那样的问题的担忧。
在第1和第2长边的相对方向上，由转送电极以及信号电荷收集区域形成的电场发生作用，因此，可以高速地转送在电荷产生区域所产生的电荷。但是，在第1和第2短边的相对方向上，由转送电极以及信号电荷收集区域形成的电场难以充分地作用。特别是难以高速地转送在电荷产生区域的第1和第2短边附近所产生的电荷。
通过分别在第1和第2短边的相对方向上伸长信号电荷收集区域以及转送电极，从而能够高速地转送在电荷产生区域的第1和第2短边附近所产生的电荷。但是，如果通过在第1和第2短边的相对方向上伸长信号电荷收集区域从而信号电荷收集区域的面积变大的话，则由于以下所述的理由，距离传感器的灵敏度会下降。转送到信号电荷收集区域的电荷（Q）根据信号电荷收集区域的静电容量（Cfd）而产生由以下所述关系式所表示的电压变化（ΔV）。
ΔV=Q/Cfd
如果信号电荷收集区域的面积增加的话，则信号电荷收集区域的静电容量也增加，所产生的电压变化变小。即，电荷电压转换增益变低。因此，距离传感器的灵敏度降低。
如以上所述，为了谋求距离传感器的高灵敏度化，不得不减小信号电荷收集区域的面积。要求信号电荷收集区域的第1和第2短边的相对方向上的长度设定成短于电荷产生区域的第1和第2短边的相对方向上的长度。因此，即使在第1和第2短边的相对方向上伸长转送电极，在转送电极正下方的区域在第1和第2短边的相对方向上转送电荷是困难的。仍旧不能够解决电荷的转送速度低的问题。
本发明的目的在于，提供能够谋求高灵敏度化并能够实现电荷的高速转送的距离传感器以及距离图像传感器。
解决问题的技术手段
本发明所涉及的距离传感器具备：电荷产生区域，对应于入射光而产生电荷，并且其平面形状是具有彼此相对的第1和第2长边以及彼此相对的第1和第2短边的长方形形状；至少一对的信号电荷收集区域，在第1和第2长边的相对方向上夹持电荷产生区域而相对地配置，并收集来自于电荷产生区域的信号电荷；转送电极，分别配置于信号电荷收集区域与电荷产生区域之间，并被提供不同的相位的电荷转送信号；电势调整单元，在第1和第2短边的相对方向上夹持电荷产生区域而相对地配置，使电荷产生区域的在第1和第2短边侧的电势高于电荷产生区域中的位于至少一对的信号电荷收集区域之间的区域中的电势。
在本发明所涉及的距离传感器中，由电势调整单元，使电荷产生区域的在第1和第2短边侧的电势高于电荷产生区域中的位于至少一对的信号电荷收集区域之间的区域中的电势。因此，在电荷产生区域的第1和第2短边附近所产生的电荷，利用电势的高低差，容易朝着电荷产生区域中的位于至少一对的信号电荷收集区域之间的区域在第1和第2短边的相对方向上进行移动。朝着电荷产生区域中的位于至少一对的信号电荷收集区域之间的区域在第1和第2短边的相对方向上移动而来的电荷，利用由转送电极以及信号电荷收集区域形成的电场，被高速地转送。因此，通过将在垂直于该相对方向的方向上的长度设定成大于信号电荷收集区域的相对方向上的长度，从而能够谋求电荷产生区域的大面积化，即，即使在使电荷产生区域的平面形状为上述长方形形状的情况以及通过将信号电荷收集区域的面积设定为较小而谋求高灵敏度的情况下，也能够高速地转送在电荷产生区域中所产生的电荷。
电势调整单元也可以是与电荷产生区域相同的导电型，且是杂质浓度高于电荷产生区域的半导体区域。在此情况下，因为在第1和第2短边的相对方向上夹持电荷产生区域而相对地配置的半导体区域的杂质浓度高于电荷产生区域，所以电势的高低差大。因为通过调整杂质浓度从而能够形成上述半导体区域，所以能够简便地实现电势调整单元。
也可以进一步具备配置于电荷产生区域上的光栅极（photo gateelectrode），电势调整单元是被提供低于被提供给光栅极的电位的电位的电极。在此情况下，因为被提供给在第1和第2短边的相对方向上夹持电荷产生区域而相对地配置的电极的电位低于被提供给光栅极的电位，所以电势的高低差大。由电极这样的简单的构成，能够容易地实现电势调整单元。
本发明所涉及的距离图像传感器，在半导体基板上具备由配置成一维状或者二维状的多个单元构成的摄像区域，基于从单元输出的电荷量，获得距离图像，1个单元是上述距离传感器。在本发明中，如以上所述，即使是在使电荷产生区域的平面形状为上述长方形形状的情况以及通过较小地设定信号电荷收集区域的面积来谋求高灵敏度化的情况下，也能够高速地转送在电荷产生区域中所产生的电荷。
发明的效果
根据本发明，能够提供一种能够谋求高灵敏度化并能够实现电荷的高速转送的距离传感器以及距离图像传感器。
附图说明
图1是表示本实施方式所涉及的测距装置的构成的说明图。
图2是用于说明距离图像传感器的截面构成的图。
图3是距离图像传感器的概略平面图。
图4是用于说明距离图像传感器的像素的构成的模式图。
图5是表示沿着图4中的V-V线的截面构成的图。
图6是表示沿着图4中的VI-VI线的截面构成的图。
图7是用于说明信号电荷的存储动作的表示电势分布的图。
图8是用于说明信号电荷的存储动作的表示电势分布的图。
图9是用于说明像素的构成的模式图。
图10是各种信号的时序图。
图11是用于说明距离图像传感器的变形例中的像素的构成的模式图。
图12是表示沿着图11中的XII-XII线的截面构成的图。
图13是用于说明像素的构成的模式图。
图14是各种信号的时序图。
图15是用于说明信号电荷的存储动作的表示电势分布的图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的优选的实施方式进行详细的说明。还有，在说明中，将相同符号用于相同要素或者具有相同功能的要素，省略重复的说明。
图1是表示测距装置的构成的说明图。
该测距装置具备距离图像传感器1、出射近红外光的光源3、将脉冲驱动信号SP提供给光源3的驱动电路4、控制电路2、运算电路5。控制电路2将与脉冲驱动信号SP同步的检测用栅信号S1、S2提供给包含于距离图像传感器1的各个像素的第1以及第2栅极（TX1,TX2：参照图4）。运算电路5根据显示从距离图像传感器1的第1～第2半导体区域（FD1～FD2：参照图4）读出的距离信息的信号d’（m,n），运算直至行人等的对象物H为止的距离。将从距离图像传感器1到对象物H为止的水平方向D的距离作为d。
控制电路2将脉冲驱动信号SP输入到驱动电路4的开关4b。由LED或者激光二极管构成的投光用的光源3，经由开关4b而连接于电源4a。因此，如果脉冲驱动信号SP被输入到开关4b的话，则与脉冲驱动信号SP相同的波形的驱动电流被提供给光源3，从光源3输出作为测距用的探测光的脉冲光LP。
如果脉冲光LP被照射于对象物H的话，则脉冲光被对象物H反射。然后，作为脉冲光LD，入输到距离图像传感器1，并输出脉冲检测信号SD。
距离图像传感器1被固定于配线基板10上。通过配线基板10上的配线，从各个像素输出具有距离信息的信号d’（m,n）。
脉冲驱动信号SP的波形为周期T的方形波，如果将高电平作为“1”并且将低电平作为“0”的话，则其电压V（t）由以下的式而被提供。
脉冲驱动信号SP：
V（t）=1（其中，0＜t＜（T/2）的情况）
V（t）=0（其中，（T/2）＜t＜T的情况）
V（t+T）=V（t）
检测用栅信号S1、S2的波形为周期T的方形波，其电压V（t）由以下的式而被提供。
检测用栅信号S1：
V（t）=1（其中，0＜t＜（T/2）的情况）
V（t）=0（其中，（T/2）＜t＜T的情况）
V（t+T）=V（t）
检测用栅信号S2（=S1的翻转）：
V（t）=0（其中，0＜t＜（T/2）的情况）
V（t）=1（其中，（T/2）＜t＜T的情况）
V（t+T）=V（t）
上述脉冲信号SP、S1、S2、SD全部具有脉冲周期2×TP。在检测用栅信号S1以及脉冲检测信号SD均为“1”的时候，将在距离图像传感器1内所产生的电荷量作为Q1。在检测用栅信号S2以及脉冲检测信号SD均为“1”的时候，将在距离图像传感器1内所产生的电荷量作为Q2。
距离图像传感器1中的一方的检测用栅信号S1与脉冲检测信号SD的相位差，与在另一方的检测用栅信号S2与脉冲检测信号SD为“1”的时候的重复期间内，在距离图像传感器1中产生的电荷量Q2成比例。即，电荷量Q2是在检测用栅信号S2与脉冲检测信号SD的逻辑积为“1”的期间中所产生的电荷量。如果将1个像素内所产生的全电荷量作为Q1+Q2并且将驱动信号SP的半周期的脉冲宽度作为TP的话，则仅在Δt=TP×Q2/（Q1+Q2）的期间，脉冲检测信号SD相对于驱动信号SP延迟。如果将到对象物为止的距离作为d且将光速作为c的话，则1个脉冲光的飞行时间Δt由Δt=2d/c而被提供。因此，如果作为具有来自于特定的像素的距离信息的信号d’（m,n）而输出2个电荷量（Q1,Q2）的话，则运算电路5基于输入的电荷量Q1,Q2以及预先判明的半周期脉冲宽度TP，运算直到对象物H为止的距离d=（c×Δt）/2=c×TP×Q2/（2×（Q1+Q2））。
如以上所述，如果分离地读出电荷量Q1,Q2的话，则运算电路5能够运算距离d。反复出射上述的脉冲，能够将其积分值作为各个电荷量Q1,Q2来进行输出。
电荷量Q1,Q2的相对于整体电荷量的比率，对应于上述的相位差、即直到对象物H为止的距离。运算电路5对应于该相位差来运算直到对象物H为止的距离。如以上所述，如果将对应于相位差的时间差作为Δt的话，则距离d优选由d=（c×Δt）/2而被提供，但是，除此之外还可以进行适当的修正运算。例如在实际的距离与所运算的距离d不同的情况下，也可以预先求取修正后者的系数β，在出货后的产品中将系数β乘以所运算的距离d的结果作为最终的运算距离d。测定外界空气温度，在光速c对应于外界空气温度而不同的情况下，也可以在进行修正光速c的运算之后，进行距离运算。也可以预先将输入到运算电路的信号与实际的距离的关系存储于存储器中，由查阅表方式，运算距离。运算方法由传感器构造而能够变更，能够将一直以来所已知的运算方法用于此。
图2是用于说明距离图像传感器的截面构成的图。
距离图像传感器1是表面入射型的距离图像传感器，并具备半导体基板1A。脉冲光LD从半导体基板1A的光入射面1FT入射到距离图像传感器1。与距离图像传感器1的光入射面1FT为相反侧的背面1BK通过粘结区域AD而连接于配线基板10。粘结区域AD具有绝缘性的粘结剂或填充物。距离图像传感器1具备在规定的位置形成有开口的遮光层L1。遮光层L1被配置于光入射面1FT的前方。
图3是距离图像传感器的概略平面图。
在距离图像传感器1中，半导体基板1A具有由排列成二维状的多个像素P（m,n）构成的摄像区域1B。2个电荷量（Q1,Q2）从各个像素P（m,n）作为具有上述的距离信息的信号d’（m,n）而被输出。各个像素P（m,n）作为微小测距传感器而输出对应于直到对象物H为止的距离的信号d’（m,n）。因此，如果将来自于对象物H的反射光成像于摄像区域1B的话，则能够获得作为直到对象物H上的各点为止的距离信息的集合体的对象物的距离图像。一个像素P（m,n）作为一个距离传感器而发挥功能。
图4是用于说明距离图像传感器的像素的构成的模式图。图5是表示沿着图4中的V-V线的截面构成的图。图6是表示沿着图4中的VI-VI线的截面构成的图。在图4中，省略导体11的图示。
距离图像传感器1具备具有彼此相对的光入射面1FT和背面1BK的半导体基板1A。半导体基板1A由位于背面1BK侧的p型的第1区域1Aa和杂质浓度低于第1区域1Aa并且位于光入射面1FT侧的p-型的第2区域1Ab所构成。半导体基板1A，例如能够通过使杂质浓度低于该半导体基板的p-型的外延层在p型的半导体基板上成长而获得。
距离图像传感器1在各个像素P（m,n），具有光栅极（photo gateelectrode）PG、第1以及第2栅极TX1,TX2、第1以及第2半导体区域FD1,FD2、一对第3半导体区域SR1。光栅极PG通过绝缘层1E而设置于光入射面1FT上。第1以及第2栅极TX1,TX2在光入射面1FT上通过绝缘层1E而邻接设置于光栅极PG。第1以及第2半导体区域FD1,FD2存储流入到各个栅极TX1,TX2的正下方的区域的电荷。第3半导体区域SR1和与配置有第1以及第2半导体区域FD1,FD2的边不同的边分离地进行配置，是与第1以及第2半导体区域FD1,FD2相反的导电型。本例子的半导体基板1A由Si所构成，绝缘层1E由SiO2所构成。
光栅极PG，平面形状呈现具有互相相对的第1和第2长边LS1,LS2以及互相相对的第1和第2短边SS1,SS2的长方形形状。在本实施方式中，第1和第2长边LS1,LS2的长度与第1和第2短边SS1,SS2的长度之比被设定成例如1∶2～1∶15左右。光栅极PG由多晶硅所构成，但是，也可以使用其它的材料。
半导体基板1A中的对应于光栅极PG的区域（光栅极PG的正下方的区域）作为对应于入射光而产生电荷的电荷产生区域而发挥功能。因此，电荷产生区域呈现对应于光栅极PG的平面形状、即具有互相相对的第1和第2长边以及互相相对的第1和第2短边的长方形形状。
第1半导体区域FD1在光栅极PG的第1长边LS1侧沿着该第1长边LS1进行配置。第2半导体区域FD2在光栅极PG的第2长边LS2侧沿着该第2长边LS2进行配置。第1半导体区域FD1和第2半导体区域FD2在第1和第2长边LS1,LS2的相对方向上夹持光栅极PG并相对。第1以及第2半导体区域FD1,FD2在平面视图中呈现矩形状。第1以及第2半导体区域FD1,FD2的、在第1和第2短边SS1,SS2的相对方向上的长度与第1和第2短边SS1,SS2的长度之比被设定为例如1∶0.5～1∶2左右。在本实施方式中，第1以及第2半导体区域FD1,FD2呈正方形形状。第1以及第2半导体区域FD1,FD2作为信号电荷收集区域而发挥功能。
第1栅极TX1被设置于光栅极PG与第1半导体区域FD1之间。第2栅极TX2被设置于光栅极PG与第2半导体区域FD2之间。第1以及第2栅极TX1,TX2在平面视图中呈现矩形状。在本实施方式中，第1以及第2栅极TX1,TX2呈现将第1和第2短边SS1,SS2的相对方向作为其长边方向的长方形形状。在第1以及第2栅极TX1,TX2的长边方向、即光栅极PG的第1和第2短边SS1,SS2的相对方向上的长度与第1以及第2栅极TX1,TX2的短边方向的长度之比被设定为例如1∶2～1∶15左右。第1以及第2栅极TX1,TX2由多晶硅所构成，但是，也可以使用其它材料。第1以及第2栅极TX1,TX2起到作为转送电极的作用。
第3半导体区域SR1在光栅极PG的第1和第2短边SS1,SS2侧分别沿着第1和第2短边SS1,SS2进行配置。即，第3半导体区域SR1在第1和第2短边SS1,SS2的相对方向上夹持光栅极PG（电荷产生区域）并相对地配置。第3半导体区域SR1在平面视图中呈现矩形状。在本实施方式中，第3半导体区域SR1呈现将第1和第2长边LS1,LS2的相对方向作为其长边方向的长方形形状。
第1以及第2半导体区域FD1,FD2是由高杂质浓度的n型半导体构成的区域，并且是浮动·扩散区域。第3半导体区域SR1为与半导体基板1A相同的导电型并且是由杂质浓度高于半导体基板1A、即高杂质浓度的p型半导体构成的区域。第3半导体区域SR1可以是p型阱区域，另外，也可以是p型扩散区域。
各个区域的厚度/杂质浓度，如以下所述。
半导体基板1A的第1区域1Aa：厚度5～700μm/杂质浓度1×1018～1020cm-3
半导体基板1A的第2区域1Ab：厚度3～30μm/杂质浓度1×1013～1016cm-3
第1以及第2半导体区域FD1,FD2：厚度0.1～0.4μm/杂质浓度1×1018～1020cm-3
第3半导体区域SR1：厚度1～5μm/杂质浓度1×1016～1018cm-3
在绝缘层1E，设置有用于使第1以及第2半导体区域FD1,FD2的表面露出的接触孔（contact hole）。在接触孔内，配置有用于将第1以及第2半导体区域FD1,FD2连接于外部的导体11。
在遮光层L1，开口L1a被形成于对应于光栅极PG的位置。因此，光通过遮光层L1的开口L1a而入射到半导体基板1A（光栅极PG的正下方的区域）。半导体基板1A中的配置有第1以及第2半导体区域FD1,FD2的区域被遮光层L1覆盖，从而防止光入射到第1以及第2半导体区域FD1,FD2。由此，能够防止由于入射到第1以及第2半导体区域FD1,FD2的光而引起的不需要电荷的产生。遮光层L1由例如铝等的金属等所构成。
如果将高电平的信号（正电位）提供给第1以及第2栅极TX1,TX2的话，则第1以及第2栅极TX1,TX2之下的电势相对于半导体基板1A中的光栅极PG的正下方的区域的电势变低。由此，负的电荷（电子）在第1以及第2栅极TX1,TX2的方向上被引入，并被存储于由第1以及第2半导体区域FD1,FD2形成的电势阱内。n型的半导体含有正离子化了的给予体并具有正的电势，从而吸引电子。如果将低电平的信号（接地电位）提供给第1以及第2栅极TX1,TX2的话，则产生由第1以及第2栅极TX1,TX2形成的电势障壁。因此，在半导体基板1A所产生的电荷不被引入到第1以及第2半导体区域FD1,FD2内。
在距离图像传感器1中，将响应于投光用的光的入射而在半导体深部产生的电荷引入到设置于光入射侧面1FT侧的电势阱内。由此，高速且正确的测距成为可能。
从半导体基板1A的光入射面1FT入射的来自于对象物的脉冲光LD到达设置于半导体基板1A的表面侧的光栅极PG的正下方的区域。伴随着脉冲光的入射而在半导体基板1A内产生的电荷，从光栅极PG的正下方的区域，被分配于邻接于此的第1以及第2栅极TX1,TX2的正下方的区域。即，如果经由配线基板10将与光源的驱动信号SP同步的检测用栅信号S1、S2交替地提供给第1以及第2栅极TX1,TX2的话，则在光栅极PG的正下方的区域产生的电荷分别流到第1以及第2栅极TX1,TX2的正下方的区域，并从这些区域流入到第1以及第2半导体区域FD1,FD2。
存储于第1半导体区域FD1或者第2半导体区域FD2内的电荷量Q1,Q2的相对于整体电荷量（Q1+Q2）的比率，对应于通过将驱动信号SP提供给光源而出射的出射脉冲光与通过出射脉冲光被对象物H反射而返回来的检测脉冲光的相位差。
距离图像传感器1，省略图示，但是，具备用于将半导体基板1A的电位固定于基准电位的背栅半导体区域。
图7以及图8是用于说明信号电荷的存储动作的表示在半导体基板1A的光入射面1FT附近的电势分布的图。在图7以及图8中，朝下是电势的正方向。
在光入射时，光栅极PG的正下方的区域的电势φPG，根据被提供给光栅极PG的电位（被提供给第1以及第2栅极TX1,TX2的高的一方的电位与低的一方的电位的中间的电位）而被设定成稍微高于基板电位。在图中，表示有第1栅极TX1的正下方的区域的电势φTX1、第2栅极TX2的正下方的区域的电势φTX2、第1半导体区域FD1的电势φFD1、以及第2半导体区域FD2的电势φFD2。
如果检测用栅信号S1的高电位被输入到第1栅极TX1的话，则如图7（a）所示，在光栅极PG的正下方产生的电荷，沿着电势梯度，经由第1栅极TX1的正下方的区域而被存储于第1半导体区域FD1的电势阱内。在第1半导体区域FD1的电势阱内存储有电荷量Q1。
此时，如图8所示，通过配置第3半导体区域SR1，从而光栅极PG的正下方的区域的电势φPG在第1和第2短边SS1,SS2侧被提高。因此，在光栅极PG的正下方的区域，形成有从第1和第2短边SS1,SS2侧朝着位于第1以及第2半导体区域FD1,FD2之间的区域变低的电势的梯度。
在光栅极PG的正下方的区域中的第1和第2短边SS1,SS2附近产生的电荷，沿着由第3半导体区域SR1形成的上述电势的梯度被加速，并朝着位于第1以及第2半导体区域FD1,FD2之间的区域迅速地移动。然后，移动而来的电荷，如以上所述，沿着由第1栅极TX1以及第1半导体区域FD1的电场形成的电势的梯度，经由第1栅极TX1的正下方的区域，被存储于第1半导体区域FD1的电势阱内。
如果继检测用栅信号S1之后检测用栅信号S2的高电位被输入到第2栅极TX2的话，则如图7（b）所示，在光栅极PG的正下方产生的电荷，沿着电势梯度，经由第2栅极TX2的正下方的区域，被存储于第2半导体区域FD2的电势阱内。在第2半导体区域FD2的电势阱内存储有电荷量Q2。
此时，如图8所示，通过配置第3半导体区域SR1，从而光栅极PG的正下方的区域的电势φPG在第1和第2短边SS1,SS2侧被提高。因此，在光栅极PG的正下方的区域，形成有从第1和第2短边SS1,SS2侧朝着位于第1以及第2半导体区域FD1,FD2之间的区域变低的电势的梯度。
在光栅极PG的正下方的区域中的第1和第2短边SS1,SS2附近产生的电荷，沿着由第3半导体区域SR1形成的上述电势的梯度被加速，并朝着位于第1以及第2半导体区域FD1,FD2之间的区域迅速地移动。然后，移动而来的电荷，如以上所述，沿着由第2栅极TX2以及第2半导体区域FD2的电场形成的电势的梯度，经由第2栅极TX2的正下方的区域，被存储于第2半导体区域FD2的电势阱内。
图9是用于说明像素的构成的模式图。
检测用栅信号S1被提供给第1栅极TX1。检测用栅信号S2被提供给第2栅极TX2。即，将不同的相位的电荷传送信号提供给第1栅极TX1、第2栅极TX2。
在光栅极PG的正下方的区域产生的电荷，在将高电平的检测用栅信号S1提供给第1栅极TX1的情况下，作为信号电荷而流入到由第1半导体区域FD1构成的电势阱。存储于第1半导体区域FD1的信号电荷，作为对应于所存储的电荷量Q1的输出（Vout1）从第1半导体区域FD1被读出。在光栅极PG的正下方的区域产生的电荷，在将高电平的检测用栅信号S2提供给第2栅极TX2的情况下，作为信号电荷流入到由第2半导体区域FD2构成的电势阱。存储于第2半导体区域FD2的信号电荷作为对应于所存储的电荷量Q2的输出（Vout2）从第2半导体区域FD2被读出。这些输出（Vout1,Vout2）相当于上述的信号d’（m,n）。
图10是实际的各种信号的时序图。
1帧的期间TF由存储信号电荷的期间（存储期间）Tacc和读出信号电荷的期间（读出期间）Tro所构成。如果着眼于1个像素的话，则在存储期间Tacc，将基于具有多个脉冲的脉冲驱动信号SP的信号施加于光源，与此同步地，将检测用栅信号S1,S2以彼此相反的相位施加于第1以及第2栅极TX1,TX2。先于距离测定，将重置信号reset施加于第1以及第2半导体区域FD1,FD2，并将存储于内部的电荷排出至外部。在本例子中，重置信号reset一瞬开启（ON），接着关断（OFF），之后，依次施加多个驱动振动脉冲。再有，与此同步地，依次地进行电荷转送，将信号电荷累计而存储于第1以及第2半导体区域FD1,FD2内。其后，在读出期间Tro，读出存储于第1以及第2半导体区域FD1,FD2内的信号电荷。
在分配电荷的时候，在第1栅极TX1和第2栅极TX2中，通常正的高电平的检测用信号被提供给一方的栅极（例如，第1栅极TX1），并且相差180度相位的检测用信号被提供给另一方的栅极（例如，第2栅极TX2）。此时，如果以更加低的电平（例如，接地电位）施加施加于另一方的栅极（例如，第2栅极TX2）的检测用信号的话，则第2栅极TX2的正下方的电势上升，形成电势的山峰。由此，电荷难以从光栅极PG侧流向第2半导体区域FD2，从而能够抑制不需要的噪音成分的发生。
如以上所述，在本实施方式中，光栅极PG的平面形状被设定成长方形形状。由此，能够增加光栅极PG的正下方的区域（电荷产生区域）的面积并能够谋求距离图像传感器1的高灵敏度化，从而能够提高在第1以及第2半导体区域FD1,FD2的电荷的转送速度。
而且，在本实施方式中，第1以及第2半导体区域FD1,FD2，第1和第2短边SS1,SS2的相对方向上的长度被设定成极其小于光栅极PG的第1和第2短边SS1,SS2的相对方向上的长度，第1以及第2半导体区域FD1,FD2的面积也被设定成小于光栅极PG的面积。因此，相对于能够将电荷转送到光栅极PG的正下方的区域（电荷产生区域）中的第1以及第2半导体区域FD1,FD2的区域的面积，相对较大地减小第1以及第2半导体区域FD1,FD2的面积。被转送到第1以及第2半导体区域FD1,FD2并被存储的电荷（电荷量Q1,Q2），由第1以及第2半导体区域FD1,FD2的静电容量（Cdf），分别产生由下述关系式所表示的电压变化（ΔV）。
ΔV=Q1/Cfd
ΔV=Q2/Cfd
因此，如果第1以及第2半导体区域FD1,FD2的面积减小的话，则第1以及第2半导体区域FD1,FD2的静电容量（Cfd）也降低，所产生的电压变化（ΔV）大。即，电荷电压转换增益变高。由此，能够谋求距离图像传感器1的高灵敏度化。
可是，在本实施方式中，由第3半导体区域SR1，光栅极PG的正下方的区域（电荷产生区域）的在第1和第2短边SS1,SS2侧的电势高于在位于第1以及第2半导体区域FD1,FD2之间的区域中的电势，从而形成朝着位于第1以及第2半导体区域FD1,FD2之间的区域变低的电势的梯度。因此，在光栅极PG的正下方的区域中的第1和第2短边SS1,SS2附近所产生的电荷，由上述电势的梯度，容易朝着位于第1以及第2半导体区域FD1,FD2之间的区域在第1和第2短边SS1,SS2的相对方向上进行移动。从第1和第2短边SS1,SS2侧朝着位于第1以及第2半导体区域FD1,FD2之间的区域而在第1和第2短边SS1,SS2的相对方向上进行移动的电荷，利用由第1栅极TX1以及第1半导体区域FD1形成的电场或者由第2栅极TX2以及第2半导体区域FD2形成的电场，被高速地转送。因此，即使是在通过将光栅极PG（电荷产生区域）的平面形状设定成长方形形状从而谋求大面积化的情况以及通过极其小地设定第1以及第2半导体区域FD1,FD2的面积从而谋求高灵敏度化的情况下，也能够高速地转送在光栅极PG的正下方的区域产生的电荷。
在本实施方式中，通过调整半导体基板1A的杂质浓度从而形成第3半导体区域SR1。因此，能够容易地实现用于使光栅极PG的正下方的区域中的在第1和第2短边SS1,SS2侧的电势高于在位于第1以及第2半导体区域FD1,FD2之间的区域的电势的构成。
接着，参照图11以及图12，对距离图像传感器1的变形例进行说明。图11是用于说明距离图像传感器的变形例中的像素的构成的模式图。图12是表示沿着图11中的XII-XII线的截面构成的图。本变形例在替代第3半导体区域SR1而具备电势调整电极EL方面，与上述实施方式不同。在图11中，省略导体11的图示。
距离图像传感器1，在各个像素P（m,n），具备光栅极PG、第1以及第2栅极TX1,TX2、第1以及第2半导体区域FD1,FD2、一对电势调整电极EL。电势调整电极EL在光入射面1FT上通过绝缘层1E而邻接设置于光栅极PG。
电势调整电极EL，在光栅极PG的第1和第2短边SS1,SS2侧，分别沿着该第1和第2短边SS1,SS2进行配置。即，电势调整电极EL在第1和第2短边SS1,SS2的相对方向上夹持光栅极PG（电荷产生区域）而相对地配置。
电势调整电极EL在平面视图中呈矩形状。在本实施方式中，电势调整电极EL呈现将光栅极PG的第1和第2短边SS1,SS2的相对方向作为其长边方向的长方形形状。电势调整电极EL的第1和第2长边的长度与第1和第2短边的长度之比被设定为例如1∶2～1∶15左右。电势调整电极EL由多晶硅所构成，但是，也可以使用其它的材料。
如图13以及图14所示，由电势调整信号S3，将低于被提供给光栅极PG的电位（PPG）的电位（被提供给第1以及第2栅极TX1,TX2的高的一方的电位与低的一方的电位的中间的电位）提供给电势调整电极EL。图13是用于说明像素的构成的模式图。图14是实际的各种信号的时序图，除了电势调整信号S3之外的其它的信号与图10所表示的信号相同。电势调整信号S3从控制电路2被提供。
在本变形例中，因为将低于被提供给光栅极PG的电位的电位提供给电势调整电极EL，所以如图15所示，光栅极PG的正下方的区域的电势φPG，在第1和第2短边SS1,SS2侧被提高。因此，在光栅极PG的正下方的区域，形成从第1和第2短边SS1,SS2侧朝着位于第1以及第2半导体区域FD1,FD2之间的区域变低的电势的梯度。
在光栅极PG的正下方的区域中的第1和第2短边SS1,SS2附近产生的电荷，沿着由电势调整电极EL形成的上述电势的梯度被加速，朝着位于第1以及第2半导体区域FD1,FD2之间的区域迅速地移动。然后，移动而来的电荷，与上述实施方式相同，沿着由第1栅极TX1以及第1半导体区域FD1的电场形成的电势的梯度或者由第2栅极TX2以及第2半导体区域FD2的电场形成的电势的梯度，被存储于第1半导体区域FD1的电势阱内或者第2半导体区域FD2的电势阱内。
如以上所述，即使是在本变形例中，也与上述实施方式相同，即使是在将光栅极PG（电荷产生区域）的平面形状设定成长方形形状来谋求大面积化的情况以及通过极小地设定第1以及第2半导体区域FD1,FD2的面积来谋求高灵敏度化的情况下，也能够高速地转送在光栅极PG的正下方的区域所产生的电荷。
在本变形例中，由电势调整电极EL，能够使光栅极PG的正下方的区域中的在第1和第2短边SS1,SS2侧的电势高于在位于第1以及第2半导体区域FD1,FD2之间的区域中的电势。因此，能够容易地实现用于使光栅极PG的正下方的区域中的在第1和第2短边SS1,SS2侧的电势高于在位于第1以及第2半导体区域FD1,FD2之间的区域中的电势的构成。
以上，对本发明的优选的实施方式进行了说明，但是，本发明并不一定限定于以上所述的实施方式，只要是在不脱离本发明的主旨的范围内，各种各样的变更是可能的。
也可以由光电二极管（例如埋入型的光电二极管等）构成对应于入射光而产生电荷的电荷产生区域。距离图像传感器1也可以是背面照射型的距离图像传感器。距离图像传感器1并不限于像素P（m,n）被排列成二维的距离图像传感器，也可以是像素P（m,n）被排列成一维的距离图像传感器。
第1以及第2半导体区域FD1,FD2的数量分别可以是多个。即，第1以及第2半导体区域FD1,FD2也可以配置多对。第1以及第2栅极TX1,TX2也可以对应于第1以及第2半导体区域FD1,FD2的数量而分别设置多个。
第3半导体区域SR1以及电势调整电极EL的、第1和第2长边LS1,LS2的相对方向上的长度并不限定于以上所述的值。如果能够使光栅极PG的正下方的区域中的在第1和第2短边SS1,SS2侧的电势高于在位于第1以及第2半导体区域FD1,FD2之间的区域中的电势的话，则例如也可以被设定成短于第1和第2短边SS1,SS2的长度。
产业上的利用可能性
本发明能够利用于工厂的制造流水线上的产品监视器或搭载于车辆等的距离传感器以及距离图像传感器中。
符号的说明
1…距离图像传感器、1A…半导体基板、1Aa…第1区域、1Ab…第2区域、EL…电势调整电极、FD1…第1半导体区域、FD2…第2半导体区域、LS1…第1长边、LS2…第2长边、P…像素、PG…光栅极、SR1…第3半导体区域、SS1…第1短边、SS2…第2短边、TX1…第1栅极、TX2…第2栅极。

Claims (4)

1.一种距离传感器，其特征在于：
具备：
电荷产生区域，对应于入射光而产生电荷，并且其平面形状是具有彼此相对的第1和第2长边、以及彼此相对的第1和第2短边的长方形形状；
至少一对的信号电荷收集区域，在所述第1和第2长边的相对方向上夹持所述电荷产生区域而相对地配置，收集来自于所述电荷产生区域的信号电荷；
转送电极，分别配置于所述信号电荷收集区域与所述电荷产生区域之间，且被提供不同的相位的电荷转送信号；
电势调整单元，在所述第1和第2短边的相对方向上夹持所述电荷产生区域而相对地配置，使所述电荷产生区域的在所述第1和第2短边侧的电势高于所述电荷产生区域中的位于所述至少一对的信号电荷收集区域之间的区域中的电势。
2.如权利要求1所述的距离传感器，其特征在于：
所述电势调整单元是与所述电荷产生区域相同的导电型，并且是杂质浓度高于所述电荷产生区域的半导体区域。
3.如权利要求1所述的距离传感器，其特征在于：
进一步具备配置于所述电荷产生区域上的光栅极，
所述电势调整单元是被提供低于被提供给所述光栅极的电位的电位的电极。
4.一种距离图像传感器，其特征在于：
在半导体基板上具备由配置成一维状或者二维状的多个单元构成的摄像区域，基于从所述单元输出的电荷量获得距离图像，
1个所述单元是权利要求1～3中的任意一项所述的距离传感器。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106233157A (zh) * 2014-04-18 2016-12-14 浜松光子学株式会社 距离图像传感器
CN106461761A (zh) * 2014-05-08 2017-02-22 浜松光子学株式会社 距离图像传感器
CN107533128A (zh) * 2015-04-28 2018-01-02 浜松光子学株式会社 距离测定装置
CN107894208A (zh) * 2016-10-04 2018-04-10 普莱斯泰克光电子有限公司 光谱共焦距离传感器
CN108333595A (zh) * 2017-01-19 2018-07-27 日立乐金光科技株式会社 物体位置检测装置
CN109073734A (zh) * 2016-05-02 2018-12-21 浜松光子学株式会社 距离传感器和距离传感器的驱动方法
CN109073735A (zh) * 2016-05-02 2018-12-21 浜松光子学株式会社 距离传感器
CN109171616A (zh) * 2018-08-07 2019-01-11 重庆金山医疗器械有限公司 获得被测物内部3d形状的系统及方法
CN110221273A (zh) * 2019-05-09 2019-09-10 深圳奥比中光科技有限公司 时间飞行深度相机及单频调制解调的距离测量方法
CN110612430A (zh) * 2018-04-16 2019-12-24 深圳市汇顶科技股份有限公司 影像传感系统及电子装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6231940B2 (ja) * 2014-05-08 2017-11-15 浜松ホトニクス株式会社 測距装置及び測距装置の駆動方法
JP6386798B2 (ja) * 2014-06-09 2018-09-05 浜松ホトニクス株式会社 測距装置
CN111987112B (zh) * 2019-05-22 2024-07-05 群创光电股份有限公司 放射线感测装置
JP2021193696A (ja) * 2020-06-07 2021-12-23 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 センサ装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060128087A1 (en) * 2000-11-09 2006-06-15 Canesta, Inc. Methods and devices for improved charge management for three-dimensional and color sensing
WO2007119626A1 (ja) * 2006-03-31 2007-10-25 National University Corporation Shizuoka University 半導体測距素子及び固体撮像装置
US20090134396A1 (en) * 2005-08-30 2009-05-28 National University Corporation Shizuoka Univ. Semiconductor range-finding element and solid-state imaging device
CN101545771A (zh) * 2008-03-26 2009-09-30 三星电子株式会社 测距传感器及三维彩色图像传感器

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007119626A (ja) 2005-10-28 2007-05-17 Masamitsu Nagahama 熱硬化性樹脂製品、熱硬化性樹脂製品の製造方法、粒状物の使用
JP5105549B2 (ja) * 2006-11-30 2012-12-26 国立大学法人静岡大学 半導体測距素子及び固体撮像装置
JP5243100B2 (ja) * 2008-05-12 2013-07-24 ブレインビジョン株式会社 固体撮像素子の画素構造
JP5585903B2 (ja) * 2008-07-30 2014-09-10 国立大学法人静岡大学 距離画像センサ、及び撮像信号を飛行時間法により生成する方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060128087A1 (en) * 2000-11-09 2006-06-15 Canesta, Inc. Methods and devices for improved charge management for three-dimensional and color sensing
US20090134396A1 (en) * 2005-08-30 2009-05-28 National University Corporation Shizuoka Univ. Semiconductor range-finding element and solid-state imaging device
WO2007119626A1 (ja) * 2006-03-31 2007-10-25 National University Corporation Shizuoka University 半導体測距素子及び固体撮像装置
US20090114919A1 (en) * 2006-03-31 2009-05-07 National University Corporation Shizuoka Univ. Semiconductor range-finding element and solid-state imaging device
CN101545771A (zh) * 2008-03-26 2009-09-30 三星电子株式会社 测距传感器及三维彩色图像传感器

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106233157A (zh) * 2014-04-18 2016-12-14 浜松光子学株式会社 距离图像传感器
US10436908B2 (en) 2014-04-18 2019-10-08 Hamamatsu Photonics K.K. Range image sensor
CN106233157B (zh) * 2014-04-18 2018-08-28 浜松光子学株式会社 距离图像传感器
US10224354B2 (en) 2014-05-08 2019-03-05 Hamamatsu Photonics K.K. Distance image sensor
CN106461761A (zh) * 2014-05-08 2017-02-22 浜松光子学株式会社 距离图像传感器
CN106461761B (zh) * 2014-05-08 2020-03-27 浜松光子学株式会社 距离图像传感器
CN107533128B (zh) * 2015-04-28 2021-02-12 浜松光子学株式会社 距离测定装置
US10871568B2 (en) 2015-04-28 2020-12-22 Hamamatsu Photonics K.K. Distance measurement device
CN107533128A (zh) * 2015-04-28 2018-01-02 浜松光子学株式会社 距离测定装置
CN109073735B (zh) * 2016-05-02 2022-06-03 浜松光子学株式会社 距离传感器
CN109073734A (zh) * 2016-05-02 2018-12-21 浜松光子学株式会社 距离传感器和距离传感器的驱动方法
US11493337B2 (en) 2016-05-02 2022-11-08 Hamamatsu Photonics K.K. Distance sensor, and method for driving distance sensor
CN109073734B (zh) * 2016-05-02 2022-10-28 浜松光子学株式会社 距离传感器和距离传感器的驱动方法
CN109073735A (zh) * 2016-05-02 2018-12-21 浜松光子学株式会社 距离传感器
CN107894208A (zh) * 2016-10-04 2018-04-10 普莱斯泰克光电子有限公司 光谱共焦距离传感器
CN107894208B (zh) * 2016-10-04 2021-09-14 普莱斯泰克光电子有限公司 光谱共焦距离传感器
CN108333595B (zh) * 2017-01-19 2021-11-16 日立乐金光科技株式会社 物体位置检测装置
CN108333595A (zh) * 2017-01-19 2018-07-27 日立乐金光科技株式会社 物体位置检测装置
CN110612430A (zh) * 2018-04-16 2019-12-24 深圳市汇顶科技股份有限公司 影像传感系统及电子装置
US11509847B2 (en) 2018-04-16 2022-11-22 Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. Image sensing system and electronic device operating in optical ranging mode and general camera mode at the same time
CN109171616A (zh) * 2018-08-07 2019-01-11 重庆金山医疗器械有限公司 获得被测物内部3d形状的系统及方法
CN110221273B (zh) * 2019-05-09 2021-07-06 奥比中光科技集团股份有限公司 时间飞行深度相机及单频调制解调的距离测量方法
CN110221273A (zh) * 2019-05-09 2019-09-10 深圳奥比中光科技有限公司 时间飞行深度相机及单频调制解调的距离测量方法

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