CN103138684B - 放大电路和包括该放大电路的无线通信装置 - Google Patents
放大电路和包括该放大电路的无线通信装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103138684B CN103138684B CN201210361036.3A CN201210361036A CN103138684B CN 103138684 B CN103138684 B CN 103138684B CN 201210361036 A CN201210361036 A CN 201210361036A CN 103138684 B CN103138684 B CN 103138684B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- switch
- amplifying circuit
- signal
- communication device
- radio communication
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004891 communication Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 22
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
- H03F1/223—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively with MOSFET's
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/02—Transmitters
- H04B1/04—Circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/108—A coil being added in the drain circuit of a FET amplifier stage, e.g. for noise reducing purposes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/222—A circuit being added at the input of an amplifier to adapt the input impedance of the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/492—A coil being added in the source circuit of a transistor amplifier stage as degenerating element
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
- H03F2203/7206—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by a switch in the bias circuit of the amplifier controlling a bias voltage in the amplifier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Transceivers (AREA)
Abstract
本发明公开了一种放大电路和包括该放大电路的无线通信装置，该放大电路包括：输入晶体管，具有连接至信号输入端子的栅电极、连接至电源端子的漏电极以及连接至接地端子的源电极，信号输入端子用于输入在其中接收到的无线信号；第一开关，被安装在该信号输入端子和该输入晶体管的栅电极之间；第二开关，被安装在该电源端子和该输入晶体管的漏电极之间，其中，该输入晶体管具有施加至其栅电极的预定偏置电压，以当将预定的偏置电压施加到该输入晶体管的该栅电极时，在该无线信号的接收期间同时使第一开关和第二开关导通，而在该无线信号的发送期间，同时使第一开关和第二开关截止。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2011年11月21日向韩国知识产权局提交的日本专利申请第2011-254075号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及一种放大电路和包括该放大电路的无线通信装置。
背景技术
在诸如移动电话或无线数据通信装置的无线通信系统中，用于放大接收到的信号的放大电路被安装在信号接收侧。低噪声放大器（LNA）可以被提供为放大电路的实例。LNA是通过将在电路本身中产生的噪声降低到其尽可能最低的水平来放大信号的电路，因此，LNA是设置在无线接收电路的前端处的必要电路（请参见专利文献1）。
在使用互补金属氧化物半导体（CMOS）实现LNA的情况下，可以降低LNA的制造成本。因此，该方案的需求已经增加。另外，由于LNA的原始任务，需要LNA不断地具有较高的线性度，使得减小噪声系数（NF）并且去除干扰波。
同时，在CMOSLNA电路用于例如时分双工（TDD）的情况下，当CMOSLNA电路由于功耗减少的需求而在发送期间不工作时，需要阻止电流流至CMOSLNA电路。
根据现有技术，为了在CMOSLNA不工作时阻止电流流至单个末端的CMOSLNA电路，在偏置电路侧，使用源电压将LNA电路的输入晶体管的栅极偏置电压（例如，接地电位）均衡。
然而，由于连接在栅极电压与偏置电路的节点之间的电阻器，所以LNA电路通常具有存在于其中的大的电阻和电容元件。此外，根据由电阻和电容元件限定的时间常数，改变栅极偏置电压需要一定的时间周期。
在CMOSLNA电路用于时分双工的情况下，可能发生栅极偏置电压的改变无法与发送和接收的切换时间相匹配的问题。为了解决该问题，已经考虑了在LNA电路的输入晶体管的第一端处安装开关的方法。然而，在开关安装在LNA电路的输入晶体管的前端处的情况下，存在LNA的NF将增加的风险。
[相关技术文献]
（专利文献1）日本专利公开第2008-295088号
发明内容
本发明的一方面提供了一种能够被配置为在互补金属氧化物半导体的低噪声放大器（CMOSLNA）电路不工作时阻止电流流向CMOSLNA电路而不增加噪声系数（NF）的放大电路，以及一种包括该放大电路的无线通信装置。
根据本发明的一个方面，提供一种放大电路，包括：输入晶体管，具有连接至信号输入端子的栅电极，连接至电源端子的漏电极，以及连接至接地端子的源电极，信号输入端子用于输入在其中接收到的无线信号；第一开关，被安装在该信号输入端子和该输入晶体管的栅电极之间；第二开关，被安装在该电源端子和该输入晶体管子的漏电极之间，其中，该输入晶体管具有施加到其栅电极的预定偏置电压，以当将预定偏置电压施加至输入晶体管的栅电极时，在该无线信号的接收期间同时使第一开关和第二开关导通，在无线信号的发送期间同时使第一开关和第二开关截止。
根据该构造，输入晶体管可以具有连接至输入所接收的无线信号的信号输入端子的栅电极，连接至电源端子的漏电极，以及连接至接地端子的源电极，第一开关可以被安装在该信号输入端子和该输入晶体管的该栅电极之间，第二开关可以被安装在该电源端子和该输入晶体管的漏电极之间。该输入晶体管可以具有施加到其该栅电极的预定偏置电压，以当将预定的偏置电压施加至输入晶体管的栅电极时，在该无线信号的接收期间同时使第一开关和第二开关导通，而在该无线信号的发送期间同时使第一开关和第二开关截止。根据该构造，电流在该放大电路的非操作期间无法流向该放大电路，同时不增加噪声系数（NF）。
无线信号可以通过时分双工被收发。
根据本发明的另一方面，提供了一种包括上述放大电路的无线通信装置。
附图说明
从以下结合附图的详细描述中，将更清楚的理解本发明的以上和其它方面、特征以及其它优点，其中：
图1是示出了根据本发明实施方式的无线通信装置的构造的框图；
图2是示出了包括在根据本发明实施方式的无线通信装置中的低噪声放大器（LNA）的构造的电路图；以及
图3是示出了提供给驱动器电路的控制电压和偏置电压的状态的曲线图；
图4是示出了在放大电路中流动的电流的变化的曲线图。
具体实施方式
下文中，将参照附图详细描述本发明的实施方式。此外，在整个本说明书和附图中，具有相同功能的元件由相同的参考标号表示，并且将省略对其的重复描述。
<1.本发明的实施方式>
[无线通信装置的构造]
首先，将描述根据本发明的实施方式的无线通信装置的构造。图1是示出了根据本发明实施方式的无线通信装置10的构造的框图。下文中，将参照图1描述根据本发明实施方式的无线通信装置10的构造。
如图1所示，根据本发明实施方式的无线通信装置10可以包括天线11、传输路径12、阻抗匹配电路13、低噪声放大器（LNA）14、混频器（mixer）15、本地振荡器16、滤波器17、放大器18、模拟数字转换器（ADC）19、数字解调器20以及发送处理单元21。
天线11可以收发无线电波。根据本实施方式，无线通信装置10可以收发GHz波段的高频信号，尤其是5GHz波段的高频信号。在天线11中接收的高频信号可以经由传输路径12被传输至阻抗匹配电路13。
阻抗匹配电路13可以是执行阻抗匹配以使高频信号到传输路径中的反射显著减少的电路。在天线11中接收的高频信号可以经由传输路径12被传输至阻抗匹配电路13，然后可以被传输至LNA14。
LNA14放大由阻抗匹配电路13传输的高频信号。如上所述，LNA14可以是通过将在电路本身中产生的噪声减少到其尽可能最低的水平来放大信号的电路。另外，根据本实施方式的LNA14可以由互补金属氧化物半导体（CMOS）来实现。由LNA14放大的高频信号可以被传输至混频器15。
混频器15可以将由LAN14放大的高频信号与从本地振荡器16输出的高频信号相乘。混频器15将由LNA14放大的高频信号与从本地振荡器16输出的高频信号相乘，使得GHz波段的高频信号可以被转换成MHz波段的信号。混频器15可以将MHz波段信号输出至滤波器17。
本地振荡器16可以输出具有预定频率的高频信号。从本地振荡器16输出的高频信号可以被传输至混频器15。如上所述，混频器15将由LNA14放大的高频信号与从本机振荡器16输出的高频信号相乘，使得GHz波段的高频信号可以被转换为MHz波段的信号。
滤波器17可以只允许从混频器15输出的信号之中的预定频率区域内的信号从中通过。通过滤波器17的信号可以被传输至放大器18。放大器18可以放大通过滤波器17的信号。由放大器18放大的信号可被传输至ADC19。
ADC19可以将从放大器18传输的模拟信号转换为数字信号。由ADC19转换的数字信号可以被传输至数字解调器20。数字解调器20可以对由ADC19转换的数字信号进行解调。数字解调器20解调该数字信号，从而无线通信装置10可以识别出所接收的高频信号的内容。
发送处理单元21可以执行各种处理过程用于发送来自天线的无线信号。由发送处理单元21进行的各种处理过程可包括例如信号的调制、信号的放大等。由发送处理单元21通过各种处理过程所处理的信号可以从天线11发送。
本文中，参照图1已经描述了根据本发明的实施方式的无线通信装置10的构造。接下来，将描述根据本发明的实施方式的无线通信装置10中包括的低噪声放大器（LNA）14的构造。
[LNA的构造]
图2是示出了包括在根据本发明实施方式的无线通信装置中的LNA的构造。下文中，将参照图2描述包括在根据本发明实施方式的无线通信装置10中的LNA14的构造。
如图2所示，包括在根据本发明实施方式的无线通信装置10中的LNA14可以包括输入端子101、电感器102、电阻器103、放大电路104、输出端子105、金属氧化物半导体（MOS）晶体管开关106、驱动器电路108和电容器C1。放大电路104可以包括N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）111、电感器112和113、MOS晶体管开关114和115以及电容器C11。
另外，在图2中还示出了MOS晶体管开关107和电容器C2，尽管它们不包括在LNA14中。
输入端子101可以是由阻抗匹配电路13传输的高频信号所到达的端子。输入端子101可以通过电感器102连接至包括在放大电路104中的N沟道MOSFET111的栅极。
电阻器103可以被安装在N沟道MOSFET111的栅极和偏置电源V3之间。预定的偏置电压Vin可以被施加至N沟道MOSFET111的栅极。
放大电路104可以放大在输入端子101中接收的高频信号，然后将放大的高频信号输出至输出端子105。如上所述，放大电路104可以包括N沟道MOSFET111、电感器112和113、MOS晶体管开关114和115以及电容器C11。如图2所示，N沟道MOSFET111可以具有连接至电感器112的一端的漏极、通过电感器102连接至输入端子101的栅极、以及连接至电感器113的一端的源极。
包括在放大电路104中的MOS晶体管开关114被设置为在无线通信装置10不执行发送处理的期间阻止电源Vdd的电流，并且在无线通信装置10执行发送处理的期间允许电源Vdd的电流流向放大电路。
MOS晶体管开关106和107被设置为在发送和接收之间专门切换无线通信装置10的功能。也就是说，当MOS晶体管开关106被导通时，可以将MOS晶体管开关107截止，并且当MOS晶体管开关106被截止时，可以将MOS晶体管开关107导通。当MOS晶体管开关107被截止时，来自发送处理单元21的信号无法被发送到天线11，并且当MOS晶体管开关107被导通时，来自发送处理单元21的信号可以被传输至天线11。用于使MOS晶体管开关106和107的导通和截止的电源可以彼此相同或彼此不同。在本实施方式中，电源V1和V2分别被用作用于使MOS晶体管开关106和107导通和截止的电源。
驱动器电路108可以为控制用于使MOS晶体管开关106和114导通和截止的电压的电路。MOS晶体管开关106和114中的每一个分别可以具有通过驱动器电路108连接至同一控制电压V1的栅极。LNA14可以通过改变控制电压使MOS晶体管开关106和114导通和截止。
本文中，已经参照图2描述了包括在根据本发明实施方式的无线通信装置10中的LNA14的构造。另外，在安装了在发送期间阻止来自电源Vdd的电流Idd流入的MOS晶体管开关的情况下，放大电路104的构造不限于图2所示的示例。接下来，将描述包括在根据本发明实施方式的无线通信装置10中的LNA14的操作。
[LNA的操作]
根据本发明实施方式的无线通信装置10可以通过时分双工进行通信。因此，无线通信装置10可以以预定的时间间隔而在发送和接收之间切换。
在发送期间，无线通信装置10可以改变控制电压V1，使得MOS晶体管开关106和114截止，并且改变控制电压V2，使得MOS晶体管开关107导通。因此，MOS晶体管开关106和114被截止并且MOS晶体管开关107被导通，使得仅可以操作无线通信装置10的发送系统。
同时，在接收期间，无线通信装置10可以改变控制电压V1，使得MOS晶体管开关106和114导通，并且改变控制电压V2，使得MOS晶体管开关107截止。因此，MOS晶体管开关106和114被导通，并且MOS晶体管开关107被截止，使得仅可以操作无线通信装置10的接收系统。
这里，根据本实施方式，偏置电源V3的电压没有改变。因此，即使在通过控制电压V1的改变来改变MOS晶体管开关106和114的导通或截止状态的情况下，预定偏置电压Vin也可以连续地施加至N沟道MOSFET111的栅极。
图3是示出了提供给驱动器电路100的控制电压V1和偏置电压Vin的状态的曲线图。在图3所示的曲线图中，横轴表示时间，纵轴表示电压。
另外，图4是示出了在放大电路104中流动的电流的变化的曲线图。在图4的曲线图中，横轴表示时间，纵轴表示电流。
控制电压V1直到时间t1均为0V。在控制电压V1为0V时，由于MOS晶体管开关106和114为截止状态，所以无线通信装置10的接收系统可以处于截止状态。在时间t1，当控制电压V1提升至预定电压以使MOS晶体管开关106和114导通时，无线通信装置10的接收系统可以被导通，并且电流Idd可以从电源Vdd流向放大电路104。
然而，在时间t1，即使在控制电压V1的电压值改变的情况下，偏置电压Vin也不改变，而是恒定的。
然后，在时间t2，当控制电压V1变为0V时，由于MOS晶体管开关106和114处于截止状态，所以无线通信装置10的接收系统可以处于截止状态。由于MOS开关晶体管114处于截止状态，所以电流不从电源Vdd流向放大电路104。
然而，在时间t2，即使在控制电压V1的电压值改变的情况下，偏置电压Vin也不改变，而是恒定的。
在根据本发明实施方式的无线通信装置10中，用于在时分双工的发送期间阻止来自电源Vdd的电流Idd的开关没有设置在LNA14的输入部处，使得LNA14的噪声系数（NF）不劣化。另外，由于一个节点，由于作为LNA14的输出的电源Vdd的节点具有较小的时间常数，所以可以在短切换时间内使MOS晶体管开关114截止。
另外，根据本发明实施方式的无线通信装置10不需要在时分双工的发送中使输入电压Vin为0V，并且可以保持Vin为正电压。甚至在时分双工的发送中，Vin也被保持为正电压，从而N沟道MOSFET111的栅源电压和栅漏电压可以被保持为负电压。
N沟道MOSFET111的栅源电压和栅漏电压被保持为负电压，从而即使在大的信号在发送期间在接收系统的MOS晶体管开关106中流动的情况下，也可以保持良好的隔离特性。换句话说，接收系统的MOS晶体管开关106处于截止状态，N沟道MOSFET111的栅源电压和栅漏电压被被保持为负电压，使得发送信号可以不失真。
本文中，已经描述了包括在根据本发明实施方式的无线通信装置10中的LNA14的操作。
<2.结论>
如上所述，根据本发明的实施方式，用于在发送和接收之间进行切换的MOS晶体管开关被安装在LNA14的前端部处，使得发送和接收被控制为专门地切换。因此，可以阻止发送期间电流流入放大电路104，同时抑制LNA14的NF劣化，并且可以降低其功耗。
此外，根据本发明的实施方式，预定的偏置电压Vin被施加至作为LNA14中的输入晶体管的N沟道MOSFET111的栅极。然而，在发送和接收之间进行切换期间，施加至N沟道MOSFET111的栅极的偏置电压Vin不改变。
甚至在时分双工的发送期间，Vin被保持为正电压，从而N沟道MOSFET111的栅源电压和栅漏电压可以被保持为负电压。N沟道MOSFET111的栅源电压和栅漏电压被保持为负电压，使得即使在大的信号在发送期间在接收系统的MOS晶体管开关106中流动的情况下，也可以保持良好的隔离特性。即，接收系统的MOS晶体管开关106在截止状态，并且N沟道MOSFET111的栅源电压和栅漏电压被保持为负电压，使得可以防止发送信号失真。
如上所述，根据本发明的实施方式，可以提供能够被配置为在CMOSLNA电路不工作时阻止电流流向CMOSLNA电路而不增加NF的放大电路以及包括该放大电路的无线通信装置。
尽管已经结合实施方式示出和描述了本发明，但对本领域技术人员显而易见的是，在不背离所附权利要求限定的本发明的精神和范围的前提下，可进行修改和变化。
Claims (3)
1.一种放大电路，包括：
输入晶体管，具有连接至信号输入端子的栅电极、连接至电源端子的漏电极以及连接至接地端子的源电极，所述信号输入端子用于输入在其中接收到的无线信号；
第一开关，被安装在所述信号输入端子与所述输入晶体管的所述栅电极之间；
第二开关，被安装在所述电源端子与所述输入晶体管的所述漏电极之间，
其中，所述第一开关和所述第二开关中的每一个通过控制电压进行开关，
其中，所述输入晶体管具有施加至其所述栅电极的预定偏置电压，以当将所述预定偏置电压施加至所述输入晶体管的所述栅电极时，在所述无线信号的接收期间通过所述控制电压同时使所述第一开关和所述第二开关导通，在所述无线信号的发送期间通过所述控制电压同时使所述第一开关和所述第二开关截止。
2.根据权利要求1所述的放大电路，其中，所述无线信号通过时分双工被收发。
3.一种无线通信装置，包括权利要求1或2所述的放大电路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011-254075 | 2011-11-21 | ||
| JP2011254075A JP5967905B2 (ja) | 2011-11-21 | 2011-11-21 | 増幅回路及び無線通信装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103138684A CN103138684A (zh) | 2013-06-05 |
| CN103138684B true CN103138684B (zh) | 2016-03-02 |
Family
ID=48426861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210361036.3A Expired - Fee Related CN103138684B (zh) | 2011-11-21 | 2012-09-21 | 放大电路和包括该放大电路的无线通信装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8791756B2 (zh) |
| JP (1) | JP5967905B2 (zh) |
| KR (1) | KR101503974B1 (zh) |
| CN (1) | CN103138684B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105811890B (zh) * | 2014-12-31 | 2019-07-02 | 深圳先进技术研究院 | 一种用于热噪声测量的放大器 |
| WO2018198249A1 (ja) * | 2017-04-26 | 2018-11-01 | 三菱電機株式会社 | 振幅制限増幅器、光受信器、光終端装置、および光通信システム |
| JP7071860B2 (ja) * | 2018-03-30 | 2022-05-19 | 株式会社村田製作所 | 増幅回路 |
| CN110176941B (zh) * | 2019-07-05 | 2024-02-06 | 电子科技大学 | 一种无线无直流电传感信息传输电路及实现方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07202789A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-08-04 | Casio Comput Co Ltd | デジタル無線端末装置 |
| CN1925354A (zh) * | 2005-07-01 | 2007-03-07 | 三星电子株式会社 | 在时分双工无线通信系统中的发收天线开关 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06132746A (ja) * | 1992-10-20 | 1994-05-13 | Sharp Corp | 電力増幅器 |
| CN1081850C (zh) | 1995-09-29 | 2002-03-27 | 松下电器产业株式会社 | 功率放大器和通信单元 |
| JP2001274633A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Denso Corp | 電力増幅装置 |
| JP4614704B2 (ja) * | 2003-07-23 | 2011-01-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 差動増幅器及びデータドライバと表示装置 |
| US7420425B2 (en) * | 2006-09-28 | 2008-09-02 | Via Technologies, Inc. | Power amplifier and method thereof |
| US7719352B2 (en) * | 2007-03-13 | 2010-05-18 | Qualcomm Incorporated | Active circuits with isolation switches |
| JP2011151771A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-08-04 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 電子回路 |
| JP2013085080A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Renesas Electronics Corp | 出力回路及びデータドライバ及び表示装置 |
-
2011
- 2011-11-21 JP JP2011254075A patent/JP5967905B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-04-17 KR KR1020120039693A patent/KR101503974B1/ko active IP Right Grant
- 2012-09-11 US US13/610,584 patent/US8791756B2/en active Active
- 2012-09-21 CN CN201210361036.3A patent/CN103138684B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07202789A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-08-04 | Casio Comput Co Ltd | デジタル無線端末装置 |
| CN1925354A (zh) * | 2005-07-01 | 2007-03-07 | 三星电子株式会社 | 在时分双工无线通信系统中的发收天线开关 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5967905B2 (ja) | 2016-08-10 |
| CN103138684A (zh) | 2013-06-05 |
| JP2013110588A (ja) | 2013-06-06 |
| US8791756B2 (en) | 2014-07-29 |
| KR101503974B1 (ko) | 2015-03-18 |
| KR20130056154A (ko) | 2013-05-29 |
| US20130128779A1 (en) | 2013-05-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8081033B2 (en) | Variable gain amplifier and high-frequency signal receiving apparatus comprising the same | |
| TWI568201B (zh) | 具有高頻選擇性之射頻前端模組，及相關無線網路裝置和方法 | |
| EP2847869B1 (en) | A transceiver with an integrated rx/tx configurable passive network | |
| CN101420203B (zh) | 低噪声放大器电路 | |
| CN103138683B (zh) | 放大器电路 | |
| CN103534940A (zh) | 正反馈共栅极低噪声放大器 | |
| US8750437B1 (en) | Radio-frequency apparatus with programmable performance and associated methods | |
| US10505533B2 (en) | Systems and methods to switch radio frequency signals for greater isolation | |
| CN103986450A (zh) | 一种开关、天线的调谐器和射频装置 | |
| WO2016010911A1 (en) | Mode linearization switch circuit | |
| CN103138684B (zh) | 放大电路和包括该放大电路的无线通信装置 | |
| CN103138746A (zh) | Cmos 集成电路和放大电路 | |
| US11349469B2 (en) | High power radio frequency switches with low leakage current and low insertion loss | |
| US20070066256A1 (en) | Apparatus and method for receiving multi band signals in a mobile communication system | |
| US9048898B2 (en) | Front end module | |
| EP3516778B1 (en) | Configurable mixer | |
| CN106656071B (zh) | 用于5GHzWiFi通信带bypass通道低噪声放大器统一匹配系统 | |
| CN115102566B (zh) | 无线通信系统及其信号收发装置 | |
| KR20110060735A (ko) | 고주파 변압기를 이용한 다중 대역 전력증폭기 | |
| US20110177789A1 (en) | Low noise amplifier and the uses thereof | |
| WO2012117390A1 (en) | A transmit/receive switch | |
| US11750239B2 (en) | Front-end module providing enhanced switching speed | |
| JP5192900B2 (ja) | スイッチ半導体集積回路 | |
| CN114614782A (zh) | 一种前端放大器和混频器融合的电路 | |
| JP2004289437A (ja) | 通信装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160302 |