CN103115704A - 高温压力传感器及其制备方法 - Google Patents

高温压力传感器及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103115704A
CN103115704A CN2013100294176A CN201310029417A CN103115704A CN 103115704 A CN103115704 A CN 103115704A CN 2013100294176 A CN2013100294176 A CN 2013100294176A CN 201310029417 A CN201310029417 A CN 201310029417A CN 103115704 A CN103115704 A CN 103115704A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
ceramic chips
temperature
sintering
pressure sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2013100294176A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103115704B (zh
Inventor
熊继军
谭秋林
李晨
洪应平
张文栋
刘俊
薛晨阳
梁庭
王伟
康昊
葛冰儿
杨明亮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
North University of China
Original Assignee
North University of China
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by North University of China filed Critical North University of China
Priority to CN201310029417.6A priority Critical patent/CN103115704B/zh
Publication of CN103115704A publication Critical patent/CN103115704A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103115704B publication Critical patent/CN103115704B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

本发明属于压力传感器的技术领域,具体是一种高温压力传感器及其制备方法,解决了现有的压力传感器由于设计不够合理导致其在高温潮湿等环境下失效无法正常工作的问题。其包括自上而下的四层,第一层刷有平面方形螺旋电感和电容上极板;第二层设有密封的压力空腔,第四层刷有电容下极板与顶层平面方形螺旋电感的内部环心连接。制备方法:将压力空腔中填入碳浆料;对层压后的结构进行高温烧结将碳从气孔挥发出去形成完好的空腔。烧结完后再将玻璃珠放于气孔处进行二次烧结封口。本发明既可以在常温下工作又可以在较高的温度下工作,其工作温度可达到400℃以上,而且其结构小巧,制造工艺简便,易于工业化生产。

Description

高温压力传感器及其制备方法
技术领域
本发明属于压力传感器的技术领域,具体涉及一种高温压力传感器及其制备方法。
背景技术
目前,国际范围内MEMS结构的压力传感器在超过400 ℃以上环境下进行稳定测量尚有难度。在高温环境冲击使得压力敏感结构失效或温度噪声造成压力信号不可传输。对于一些常见的压阻式压力传感器,由于需要对电桥供电和电压检测,连接电桥及检测电路的电引线在高温环境下的稳定性难以保证。一方面,当环境温度超过400 ℃时,由于金属和半导体的互扩散作用,引线和压敏电阻的欧姆接触会发生不可逆变化;另一方面,由于高温杂质扩散作用,压敏电阻自身参数也会发生变化。从目前对金属-半导体欧姆接触的机理和工艺研究结果来看,在400 ℃以上温度下,保持欧姆接触的稳定是不可能实现的,因而基于此类原理的压力传感器无法在高温下长时间工作。要实现工程上的高温环境压力测试,必须加以水冷或隔热等封装手段予以解决。而这样就会大大的增加压力传感器的体积和复杂性,并导致某些对体积要求苛刻或无法提供水冷的工况环境下的高温压力测量难以实现.。
发明内容
本发明针对以上现实高温恶劣环境下的MEMS传感器难点,解决了现在压力传感器在高温高压环境中无法正常工作的问题,提供了一种可工作于高温气流环境下的基于LTCC陶瓷的无源高温压力传感器及其制备方法,其可工作在在400 ℃以上且无需提供电源。
本发明采用如下的技术方案实现:
一种高温压力传感器,其特征在于其包括自上而下的四层,第一层即顶层上表面一侧刷有平面方形螺旋电感,顶层上表面另一侧刷有电容上极板,电容上极板与平面方形螺旋电感的外圈串联;第二层设有密封的压力空腔,第三层覆盖于第四层上表面将电容下极板与压力空腔隔开;第四层即底层上表面刷有电容下极板,电容下极板通过填充有银浆的过孔与顶层平面方形螺旋电感的内部环心连接。
四层结构采用LTCC低温陶瓷材料,电感和电容极板采用银浆。
高温压力传感器的制备方法,步骤如下:
1)、准备生瓷片,将切好的生瓷片放于烘干炉中预处理,
2)、冲压第一、二、三层生瓷片上的过孔、第二层上的空腔结构以及第一层对应空腔结构处的气孔,打孔时将生瓷片膜置于上面,
 3)、在填孔机中置过孔网版,加入银浆,对第一、二、三层生瓷片上过孔进行填充,并进行烘干烧结实现金属化,即互联通孔金属化,填充机采用顶层抽吸的方法来实现通孔的填充,在通孔内填上金属浆料并进行烘干烧结实现金属化,
4)、将金属图形网版置于丝网印刷机上,待生瓷片与丝网印刷版对准后加入银浆料,通过精密丝网印刷使每层生瓷片形成电路图形,再对第三层生瓷片用调制好的碳浆料进行多次印刷,使其厚度等于生瓷片的厚度,
5)、将印刷好的生瓷片置于烘干炉中烘干,使浆料干结,通过叠片机将印刷好的金属化图形和形成互联通孔的生瓷片,按照预先设计的层数和次序叠到一起,紧密粘结,形成一个完整的多层基板胚体,其中第二层为含空腔的方孔生瓷片,对空腔进行碳浆料的填充,
6)、将各层生瓷片进行叠片,将生瓷片包封好保证包封不漏气且层压板四个边上有销钉定位,将包封好的生瓷片置于层压机中进行层压,
7)、将层压后的瓷片按照设定的升温曲线进行烧结,常温~450℃,升温速率2.5℃~2.7℃/min; 450℃~850℃,升温速率4.5℃~4.8℃/min;450℃,恒温22.3min; 850℃~常温,降温速率3℃~3.1℃/min; 
8)、烧结完成后将玻璃微珠放于气孔处按照设定的升温烧结曲线进行高温二次烧结,常温~500℃,升温速率22℃~25℃/min; 500℃~650℃,升温速率6℃~8℃/min; 650℃~820℃,升温速率8℃~9℃/min; 820℃~850℃,升温速率1℃~2℃/min;850℃,恒温15~20min;850℃~700℃,降温速率6℃~8℃/min;700℃~常温,自然降温。
本发明所述的传感器各层结构材料优选为DuPont951陶瓷材料,DuPont951陶瓷材料为一种LTCC低温陶瓷材料,具有很好的抗腐蚀性和长期稳定性、易于加工、耐高温且有一定的机械强度等许多优良特性。
本发明电感与电容极板材料优先选与DuPont951陶瓷材料配套的耐高温银浆,如DuPont6142D银浆,银浆料与陶瓷片有相近的热膨胀系数和相近的收缩率,浆料与陶瓷能够很好地粘合在一起。
本发明采用将电容设计在一侧电感设计在另一侧,电容与电感的分开设计可以有效地防止电感与电容极板间寄生电容的产生,将电感线圈的宽度设计为400um,线圈之间的间距设计为1mm,电感线圈的加粗与线间距的加宽提高了Q值,且将电容板设计为10mm*10mm,加大电容极板面积受压后传感器的谐振频率变化较大,提高了传感器的灵敏度。
本发明通过将压力空腔中填入碳浆料,防止了在压层中出现空腔坍塌,而且提高传感器的成型率和传感器的灵敏度,通过对层压后的结构进行高温烧结将碳从气孔挥发出去形成完好的空腔。烧结完后再将玻璃珠放于气孔处进行二次烧结封口,或使用DB-2A耐高温玻璃浆料二次烧结封口进行高温密封,使得空腔与外界隔绝达到很好的气密性。 
本发明通过对生瓷片打孔、印刷、叠片、层压、烧结、二次烧结而成具有耐高温和可加工性,在高温环境下具有结构可靠合理的优点,在能够满足高温环境下进行压力测量的同时,还能长时间工作。
本发明相对现有技术具有如下有益效果:可以在非接触状态下将气压信号转化为频率信号传送给测试装置,且既可以工作于常温常压下,也可以工作于高温、高压等恶劣环境下长时间工作,其工作温度可达到400 ℃以上,灵敏度高、稳定性好且不易受干扰;而且其结构小巧,制造工艺简便,易于工业化生产,在化工、航天、医疗、食品和气象等技术领域具有重要的实用价值。
附图说明
图1为本发明的结构示意图,
图2为传感器的上表面结构示意图,
图3为传感器的立体结构示意图,
图中:1-平面方形螺旋电感,2-电容上极板,3-过孔,4-电容下极板,5-空腔结构,6-气孔。
具体实施方式
 结合附图对本发明的具体实施方式作进一步说明。
如图1所示,高温压力传感器,其包括自上而下的四层,第一层即顶层上表面一侧刷有平面方形螺旋电感,顶层上表面另一侧刷有电容上极板,电容上极板与平面方形螺旋电感的外圈串联;第二层设有密封的压力空腔,第三层覆盖于第四层上表面将电容下极板与压力空腔隔开;第四层即底层上表面刷有电容下极板,电容下极板通过填充有银浆的过孔与顶层平面方形螺旋电感的内部环心连接。传感器的各层结构是由耐高温、抗氧化、易加工的Dupon951生瓷片烧制而成,顶层的电感与电容以及过孔采用银浆。
传感器工作时,当外界压力变化时,外界压力与空腔压力形成压力差使得上电容上极板受压发生形变,电容上下极板间的距离d发生变化,电容值发生变化,从而传感器的LC电路谐振频率f发生变化。
以下为上述高温压力传感器的具体制备步骤:
1)、将Dupontpt 951流延带按需切成8英寸正方形生瓷片,将切好的生瓷片放于80℃烘干炉中预处理30min以上,
2)、通过程冲机调用之前设计好的打孔文件,冲压出第一、二、三层生瓷片上的过孔、第二层上的空腔结构以及第一层对应空腔结构处的气孔,为了防止出现小孔打不透的现象,打孔时将生瓷片膜置于上面,
 3)、在填孔机中置过孔网版,加入DuPont6142D银浆,对第一、二、三层生瓷片上过孔进行填充,即互联通孔金属化,填充机采用顶层抽吸的方法来实现通孔的填充,在通孔内填上金属浆料并进行烘干烧结实现金属化,
4)、将金属图形网版置于丝网印刷机上,待生瓷片与丝网印刷版对准后加入银浆料,严格控制刮刀速度和刮刀角度通过精密丝网印刷使每层生瓷片形成电路图形,包括导带、电感、电容等无源器件,厚膜的浆料选用触变性、流动性且稳定性很好的耐高温DuPont6142D银浆,再对第三层生瓷片用调制好的碳浆料进行多次印刷,使其厚度约等于生瓷片的厚度,
5)、将印刷好的生瓷片置于烘干炉中100℃下20分钟,使浆料干结,通过叠片机将印刷好的金属化图形和形成互联通孔的生瓷片,按照预先设计的层数和次序叠到一起,在一定温度和压力下,使它们紧密粘结,形成一个完整的多层基板胚体(其中第二层为含空腔的方孔生片,为避免后续层压将空腔压塌,对空腔进行碳浆料的填充),
6)、将各层生瓷片进行叠片,将生瓷片包封好保证包封不漏气且层压板四个边上有销钉定位,将包封好的生瓷片置于层压机中进行层压,15MPa等静压20分钟,其中印刷的碳浆料起到了很好的支撑作用,否则在层压机内部几十MPa的压力下空腔结构不复重在,
7)、将层压后的瓷片按照设定的升温曲线进行烧结,常温—450℃,升温速率2.5℃—2.7℃/min; 450℃—850℃,升温速率4.5℃—4.8℃/min;450℃,恒温22.3min; 850℃—常温,降温速率3℃—3.1℃/min,
8)、烧结完成后将玻璃微珠放于气孔处按照设定的升温烧结曲线进行高温二次烧结,常温—500℃,升温速率22℃—25℃/min; 500℃—650℃,升温速率6℃—8℃/min; 650℃—820℃,升温速率8℃—9℃/min; 820℃—850℃,升温速率1℃—2℃/min;850℃,恒温15—20min;850℃—700℃,降温速率6℃—8℃/min;700℃—常温,自然降温。使玻璃珠熔化进行封口或使用DB—2A耐高温玻璃浆料进行高温密封,其密封性好、热膨胀系数与陶瓷相似且粘稠度好,烧结完成后表面光亮平整与瓷体结合强度高使空腔与外界有很好的隔离,
9)、实验并测试完成压力传感器的制备。
本发明所提供的基于LTCC的高温压力传感器结构小巧,制造工艺简便,整体成本较低,便于工业化生产,优于已为人知的高温压力传感器,可应用在化工、石油、航天等领域的恶劣环境中具有重要的实用价值。

Claims (3)

1.一种高温压力传感器,其特征在于其包括自上而下的四层,第一层即顶层上表面一侧刷有平面方形螺旋电感,顶层上表面另一侧刷有电容上极板,电容上极板与平面方形螺旋电感的外圈串联;第二层设有密封的压力空腔,第三层覆盖于第四层上表面将电容下极板与压力空腔隔开;第四层即底层上表面刷有电容下极板,电容下极板通过填充有银浆的过孔与顶层平面方形螺旋电感的内部环心连接。
2.根据权利要求1所述的高温压力传感器,其特征在于所述的四层结构采用LTCC低温陶瓷材料,电感和电容极板采用银浆。
3.根据权利要求2所述的高温压力传感器的制备方法,其特征在于步骤如下:
1)、准备生瓷片,将切好的生瓷片放于烘干炉中预处理,
2)、冲压第一、二、三层生瓷片上的过孔、第二层上的空腔结构以及第一层对应空腔结构处的气孔,打孔时将生瓷片膜置于上面,
 3)、在填孔机中置过孔网版,加入银浆,对第一、二、三层生瓷片上过孔进行填充,并进行烘干烧结实现金属化,即互联通孔金属化,填充机采用顶层抽吸的方法来实现通孔的填充,在通孔内填上金属浆料并进行烘干烧结实现金属化,
4)、将金属图形网版置于丝网印刷机上,待生瓷片与丝网印刷版对准后加入银浆料,通过精密丝网印刷使每层生瓷片形成电路图形,再对第三层生瓷片用调制好的碳浆料进行多次印刷,使其厚度等于生瓷片的厚度,
5)、将印刷好的生瓷片置于烘干炉中烘干,使浆料干结,通过叠片机将印刷好的金属化图形和形成互联通孔的生瓷片,按照预先设计的层数和次序叠到一起,紧密粘结,形成一个完整的多层基板胚体,其中第二层为含空腔的方孔生瓷片,对空腔进行碳浆料的填充,
6)、将各层生瓷片进行叠片,将生瓷片包封好保证包封不漏气且层压板四个边上有销钉定位,将包封好的生瓷片置于层压机中进行层压,
7)、将层压后的瓷片按照设定的升温曲线进行烧结,常温~450℃,升温速率2.5℃~2.7℃/min; 450℃~850℃,升温速率4.5℃~4.8℃/min;450℃,恒温22.3min; 850℃~常温,降温速率3℃~3.1℃/min; 
8)、烧结完成后将玻璃微珠放于气孔处按照设定的升温烧结曲线进行高温二次烧结,常温~500℃,升温速率22℃~25℃/min; 500℃~650℃,升温速率6℃~8℃/min; 650℃~820℃,升温速率8℃~9℃/min; 820℃~850℃,升温速率1℃~2℃/min;850℃,恒温15~20min;850℃~700℃,降温速率6℃~8℃/min;700℃~常温,自然降温。
CN201310029417.6A 2013-01-25 2013-01-25 高温压力传感器制备方法 Expired - Fee Related CN103115704B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310029417.6A CN103115704B (zh) 2013-01-25 2013-01-25 高温压力传感器制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310029417.6A CN103115704B (zh) 2013-01-25 2013-01-25 高温压力传感器制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103115704A true CN103115704A (zh) 2013-05-22
CN103115704B CN103115704B (zh) 2015-01-28

Family

ID=48414125

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310029417.6A Expired - Fee Related CN103115704B (zh) 2013-01-25 2013-01-25 高温压力传感器制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103115704B (zh)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103456646A (zh) * 2013-09-05 2013-12-18 中国电子科技集团公司第十研究所 多层低温共烧陶瓷基板集成液冷循环通道的制备方法
CN103471653A (zh) * 2013-09-06 2013-12-25 中北大学 基于共烧陶瓷技术的高温无线无源三参数集成传感器
CN103675040A (zh) * 2013-11-20 2014-03-26 中北大学 基于低温共烧陶瓷技术的非接触无源气体传感器
CN103674405A (zh) * 2013-12-13 2014-03-26 中北大学 差动式htcc无线无源高温压力传感器及其制造方法
CN103922869A (zh) * 2014-03-28 2014-07-16 中国电子科技集团公司第五十四研究所 一种用于单膜层ltcc内埋腔体结构的制造方法
CN104535228A (zh) * 2015-01-28 2015-04-22 厦门大学 一种无上下互连电极的lc无线无源压力传感器
CN104931188A (zh) * 2014-03-20 2015-09-23 立锜科技股份有限公司 微机电压力计以及其制作方法
CN105021326A (zh) * 2015-07-30 2015-11-04 湖北美标中芯电子科技有限公司 一种一体式陶瓷电容压力传感器及其制造方法
CN106163979A (zh) * 2013-11-11 2016-11-23 数字光学Mems公司 微机电系统电触点系统和方法
CN107144378A (zh) * 2017-06-07 2017-09-08 深圳信息职业技术学院 Mems压力传感器
US9880371B2 (en) 2010-11-15 2018-01-30 Digitaloptics Corporation MEMS electrical contact systems and methods
CN107702788A (zh) * 2017-11-21 2018-02-16 中北大学 一种陶瓷高温振动传感器及其制备方法
CN109141689A (zh) * 2018-07-17 2019-01-04 东莞成启瓷创新材料有限公司 一种低温共烧陶瓷ltcc压力传感器
CN110057487A (zh) * 2019-04-19 2019-07-26 中北大学 全陶瓷超高温压力传感器及其封装方法
CN110360919A (zh) * 2019-08-06 2019-10-22 中国电子科技集团公司第四十九研究所 一种超高温位移传感器
CN110542455A (zh) * 2019-09-16 2019-12-06 中北大学 一种压力/振动同步测量的htcc复合微传感器及其制备方法
CN114199420A (zh) * 2021-12-10 2022-03-18 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 一种基于ltcc的耐高温压力传感器及其制作方法
CN114295277A (zh) * 2021-12-07 2022-04-08 无锡胜脉电子有限公司 一种基于三层结构的陶瓷压力传感器及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19716521C2 (de) * 1997-04-19 2001-03-01 Bosch Gmbh Robert Kraftsensor in LTCC-Technologie
CN101111750A (zh) * 2004-12-02 2008-01-23 霍尼韦尔国际公司 用于医疗应用的一次性和可微调的无线压力传感器
US7919909B2 (en) * 2009-04-24 2011-04-05 Delaware Capital Formation, Inc. Integrated coupling structures
CN102494833A (zh) * 2011-12-16 2012-06-13 淮阴工学院 基于su-8聚合物的微型压力传感器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19716521C2 (de) * 1997-04-19 2001-03-01 Bosch Gmbh Robert Kraftsensor in LTCC-Technologie
CN101111750A (zh) * 2004-12-02 2008-01-23 霍尼韦尔国际公司 用于医疗应用的一次性和可微调的无线压力传感器
US7919909B2 (en) * 2009-04-24 2011-04-05 Delaware Capital Formation, Inc. Integrated coupling structures
CN102494833A (zh) * 2011-12-16 2012-06-13 淮阴工学院 基于su-8聚合物的微型压力传感器

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
MICHAEL A.FONSECA,ETC: "Wireless micromachined ceramic pressure sensor for high-temperature applications", 《JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS》 *

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9880371B2 (en) 2010-11-15 2018-01-30 Digitaloptics Corporation MEMS electrical contact systems and methods
CN103456646A (zh) * 2013-09-05 2013-12-18 中国电子科技集团公司第十研究所 多层低温共烧陶瓷基板集成液冷循环通道的制备方法
CN103456646B (zh) * 2013-09-05 2016-06-15 中国电子科技集团公司第十研究所 多层低温共烧陶瓷基板集成液冷循环通道的制备方法
CN103471653B (zh) * 2013-09-06 2015-08-19 中北大学 基于共烧陶瓷技术的高温无线无源三参数集成传感器
CN103471653A (zh) * 2013-09-06 2013-12-25 中北大学 基于共烧陶瓷技术的高温无线无源三参数集成传感器
CN106163979B (zh) * 2013-11-11 2018-08-28 数字光学Mems公司 微机电系统电触点系统和方法
CN106163979A (zh) * 2013-11-11 2016-11-23 数字光学Mems公司 微机电系统电触点系统和方法
CN103675040A (zh) * 2013-11-20 2014-03-26 中北大学 基于低温共烧陶瓷技术的非接触无源气体传感器
CN103675040B (zh) * 2013-11-20 2016-06-29 中北大学 基于低温共烧陶瓷技术的非接触无源气体传感器
CN103674405A (zh) * 2013-12-13 2014-03-26 中北大学 差动式htcc无线无源高温压力传感器及其制造方法
CN104931188A (zh) * 2014-03-20 2015-09-23 立锜科技股份有限公司 微机电压力计以及其制作方法
CN103922869A (zh) * 2014-03-28 2014-07-16 中国电子科技集团公司第五十四研究所 一种用于单膜层ltcc内埋腔体结构的制造方法
CN104535228A (zh) * 2015-01-28 2015-04-22 厦门大学 一种无上下互连电极的lc无线无源压力传感器
CN105021326A (zh) * 2015-07-30 2015-11-04 湖北美标中芯电子科技有限公司 一种一体式陶瓷电容压力传感器及其制造方法
CN105021326B (zh) * 2015-07-30 2018-06-05 襄阳臻芯传感科技有限公司 一种一体式陶瓷电容压力传感器及其制造方法
CN107144378A (zh) * 2017-06-07 2017-09-08 深圳信息职业技术学院 Mems压力传感器
CN107702788A (zh) * 2017-11-21 2018-02-16 中北大学 一种陶瓷高温振动传感器及其制备方法
CN107702788B (zh) * 2017-11-21 2019-10-01 中北大学 一种陶瓷高温振动传感器及其制备方法
CN109141689A (zh) * 2018-07-17 2019-01-04 东莞成启瓷创新材料有限公司 一种低温共烧陶瓷ltcc压力传感器
CN110057487A (zh) * 2019-04-19 2019-07-26 中北大学 全陶瓷超高温压力传感器及其封装方法
CN112729623A (zh) * 2019-04-19 2021-04-30 中北大学 一种基于氧化铝陶瓷的超高温燃气压力传感器封装工艺方法
CN112729623B (zh) * 2019-04-19 2022-05-17 中北大学 一种基于氧化铝陶瓷的超高温燃气压力传感器封装工艺方法
CN110360919A (zh) * 2019-08-06 2019-10-22 中国电子科技集团公司第四十九研究所 一种超高温位移传感器
CN110360919B (zh) * 2019-08-06 2021-04-02 中国电子科技集团公司第四十九研究所 一种超高温位移传感器
CN110542455A (zh) * 2019-09-16 2019-12-06 中北大学 一种压力/振动同步测量的htcc复合微传感器及其制备方法
CN110542455B (zh) * 2019-09-16 2021-11-05 中北大学 一种压力/振动同步测量的htcc复合微传感器及其制备方法
CN114295277A (zh) * 2021-12-07 2022-04-08 无锡胜脉电子有限公司 一种基于三层结构的陶瓷压力传感器及其制备方法
CN114295277B (zh) * 2021-12-07 2024-04-26 无锡胜脉电子有限公司 一种基于三层结构的陶瓷压力传感器及其制备方法
CN114199420A (zh) * 2021-12-10 2022-03-18 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 一种基于ltcc的耐高温压力传感器及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103115704B (zh) 2015-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103115704B (zh) 高温压力传感器制备方法
CN103487176B (zh) 一种压力传感器的封装结构及方法
CN108507621B (zh) 基于ltcc的无源无线压力、温度集成传感器及其制备方法
CN105021326B (zh) 一种一体式陶瓷电容压力传感器及其制造方法
CN104535228B (zh) 一种无上下互连电极的lc无线无源压力传感器
CN102331323A (zh) 流体压力感测装置和压力感测元件
CN110057487A (zh) 全陶瓷超高温压力传感器及其封装方法
CN102288320A (zh) 基于金属片的ntc热敏电阻温度传感器及其制作方法
CN104600037A (zh) 多管芯大功率二极管外壳及其制作方法、芯片封装方法
CN106018484A (zh) 半导体气体传感器芯片、传感器及传感器的制备方法
CN110265543B (zh) 差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片
CN103344679A (zh) 基于ltcc的无源lc湿度传感器
CN103489655B (zh) 一种新型平面阵列多芯混联固体钽电容器及其制造方法
CN203536467U (zh) 一种具有过渡基板的led器件
CN204831646U (zh) 一种一体式陶瓷电容压力传感器
CN107702788B (zh) 一种陶瓷高温振动传感器及其制备方法
CN205808982U (zh) 半导体气体传感器芯片及传感器
CN204705422U (zh) 一种基于htcc技术的无源压力敏感头
CN109802302B (zh) 基于ltcc工艺的密闭式平面三电极开关芯片
CN105043605A (zh) 一种基于htcc技术的无源压力敏感头
CN202633053U (zh) 一种多芯组陶瓷电容器
CN110542455B (zh) 一种压力/振动同步测量的htcc复合微传感器及其制备方法
CN104766833B (zh) 一种ltcc基板正反面布置电路的微波电路三维封装结构
CN210426857U (zh) 一种结构简单的含油封装压力传感器
CN203896578U (zh) 一种导热型双面电路板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20150128

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee