CN110265543B - 差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片及其高温压力传感器，该压敏芯片由生瓷片与Pt浆料通过高温烧结而成，包括经叠片技术层压成一个整体的第一生瓷片、第二生瓷片、第三生瓷片、第四生瓷片、第五生瓷片、第六生瓷片、第七生瓷片、第八生瓷片；第一生瓷片的下表面丝印一电容上极板Pt浆料层，第二生瓷片上开设有与电容上极板Pt浆料层相配合的第一空腔；第三生瓷片的下表面丝印一电容中间板Pt浆料层，第五生瓷片的下表面丝印一电容下极板Pt浆料层。本发明可实现高温环境下压力参数的动态精准测量，且后端电路无需进行温度补偿、灵敏度高、可靠性高、动态响应快、稳定性好。

Description

差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片
技术领域
本发明涉及高温压力传感器领域，具体涉及一种差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片及其高温压力传感器。
背景技术
电容式压力传感器由于其低成本，易加工等优点被广泛应用于工业生产设备的压力测量。但传统的电容式压力传感器由于芯片材料以及传感器封装方法的限制，不能工作于较高温环境，且在变温环境中，传统的电容式压力传感器会产生较大的温度漂移，可靠性低。另一方面由于单电容的设计，导致其灵敏度低，这些均制约了电容式高温压力传感器的工程化应用。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供了一种差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片及其高温压力传感器。
为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：
一种差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片，该芯片由生瓷片与Pt浆料通过高温烧结而成，包括经叠片技术层压成一个整体的第一生瓷片、第二生瓷片、第三生瓷片、第四生瓷片、第五生瓷片、第六生瓷片、第七生瓷片、第八生瓷片；
第一生瓷片的下表面丝印一电容上极板Pt浆料层，第二生瓷片上开设有与电容上极板Pt浆料层相配合的第一空腔；电容上极板Pt浆料层与第二生瓷片的1号通孔、第三生瓷片的2号通孔、第四生瓷片的3号通孔、第五生瓷片的4号通孔、第六生瓷片的5号通孔、第七生瓷片的6号通孔、第八生瓷片的 7号通孔通过填充浆料相连后，在第八生瓷片上形成与电容上极板相连的焊点；
第三生瓷片的下表面丝印一电容中间板Pt浆料层，第四瓷片上开设有与电容中间板Pt浆料层相配合的第二空腔；电容中间板Pt浆料层与第四生瓷片的8号通孔、第五生瓷片的9号通孔、第六生瓷片的10号通孔、第七生瓷片的11号通孔、第八生瓷片的12号通孔通过填充浆料相连后，在第八生瓷片上形成与电容中间板相连的焊点；
第五生瓷片的下表面丝印一电容下极板Pt浆料层，电容下极板Pt浆料与第六生瓷片的13号通孔、第七生瓷片的14号通孔、第八生瓷片的15号通通过填充浆料相连后，在第八生瓷片上形成与电容下极板相连的焊点。
进一步地，第一生瓷片左端留有1号排气孔，层压之后与第二生瓷片的空腔贯通，使第二生瓷片的空腔与外界相通，受压时电容上极板Pt浆料层不发生形变。
进一步地，第一生瓷片留有2号排气孔，层压后与第二生瓷片上的3号排气孔、第三生瓷片上的4号排气孔、第四生瓷片上的空腔相通，此排气孔的目的在于防止生瓷片烧结过程中空腔内填充的碳膜由于排气不畅使瓷片弯曲。
进一步地，该压敏芯片通过以下步骤制备所得：
该压敏芯片通过以下步骤制备所得：
S1、根据尺寸要求完成第一生瓷片、第二生瓷片、第三生瓷片、第四生瓷片、第五生瓷片、第六生瓷片、第七生瓷片、第八生瓷片的加工；
S2、在第一生瓷片的下表面丝印一电容上极板Pt浆料层，并在第二生瓷片上开设与电容上极板Pt浆料层相配合的第一空腔；
在第三生瓷片的下表面丝印一电容中间板Pt浆料层，并在第四瓷片上开设有与电容中间板Pt浆料层相配合的第二空腔；
在第五生瓷片的下表面丝印一电容下极板Pt浆料层；
S3、将第一生瓷片、第二生瓷片、第三生瓷片、第四生瓷片、第五生瓷片、第六生瓷片、第七生瓷片、第八生瓷片从上往下依次叠加层压，通过在相应的通孔内填充浆料将电容上极板Pt浆料层与第二生瓷片的1号通孔，第三生瓷片的2号通孔，第四生瓷片的3号通孔，第五生瓷片的4号通孔，第六生瓷片的5号通孔，第七生瓷片的6号通孔，第八生瓷片的7号通孔连接在一起，从而在第八生瓷片上形成与电容上极板相连的焊点；
同时，通过在相应的通孔内填充浆料将电容中间板Pt浆料层与第四生瓷片的8号通孔，第五生瓷片的9号通孔，第六生瓷片的10号通孔，第七生瓷片的11号通孔，第八生瓷片的12号通孔连接在一起，从而在第八生瓷片上形成与电容中间板相连的焊点。
通过在相应的通孔内填充浆料将电容下极板Pt浆料层11与填充浆料的第六生瓷片的13号通孔，第七生瓷片的14号通孔，第八生瓷片的15号通孔连接在一起，从而在第八生瓷片上形成与电容下极板相连的焊点；
S4、在电容下极板Pt浆料层下方叠加多片相同的生瓷片，叠片完成，通过高温烧结将生瓷片与Pt浆料烧结为一个完整的差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片。
进一步地，为了防止在烧结过程中空腔塌陷，在烧结前第二生瓷片的空腔内填充与空腔高度相同的碳膜；同样的，为了防止在烧结过程中空腔塌陷，在烧结前第四生瓷片的空腔内填充与空腔高度相同的碳膜。
进一步地，在整体烧结完成后，再用玻璃浆料将2号排气孔堵死，保证气密性。
本发明的差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片可用于制作高温压力传感器，包括如下步骤：
首先使用高温烧结工艺将差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片与高温丝的前端焊接在一起，将电容式压敏芯片放置于隔热型芯片基座上，并使得高温丝穿过隔热型芯片基座通孔，接着将基座置于前端散热型外壳内；
然后将通气顶盖利用螺纹结构置于前端散热型外壳的最前端，通过激光焊接技术将通气顶盖与前端散热型外壳焊接为一体，气流经过通气顶盖上的通气道到达电容式压敏芯片；
将隔热气凝胶套在隔热型芯片基座后端，高温丝穿过圆形陶瓷片通孔，并将圆形陶瓷片焊接在前端散热型外壳尾部，然后在圆形陶瓷片通孔位置采用针封工艺使整个封装结构前端达到密封效果；
将高温丝的尾端连接在C-V转换电路板输入端上，解调出的电压从C-V 转换电路板输出端输出，接着将C-V转换电路板、隔热气凝胶置于后端封装外壳内，使得隔热气凝胶位于C-V转换电路板与后端封装外壳的内壁之间，并通过螺纹结构将前端散热型外壳与后端封装外壳相连，并利用激光焊接技术焊接在连接缝隙处，实现永久连接；
最后通过后端封装外壳的线路接口将隔热硅胶灌入C-V转换电路板与隔热气凝胶的缝隙内。
进一步地，所述前端散热型外壳上均匀布置有若干散热片，后端封装外壳的尾部设有一环形槽，用于减少外壳到达线路接口的导热面积，从而起到保护输出线路的效果。
本发明具有以下有益效果：
本发明突破了传统电容式传感器不能工作于高温环境的局限，设计的陶瓷压敏芯片能实现高温环境下的测量。在变温环境中，差动电容式传感器不受温度变化所产生的温度漂移影响，可靠性高。另一方面相比传统传感器单电容的设计，差动电容式传感器灵敏度提高一倍。此外，本发明通过使用隔热材料和设计散热结构，利用激光焊和针封技术达到传感器密封效果，封装完好的高温压力传感器可实现工程化应用。
附图说明
图1为本发明的差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片的截面结构图。
图2为本发明的差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片的分层结构图。
图3为本发明的差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片的将电容上极板Pt浆料丝印在第一生瓷片下表面的结构图。
图4为本发明的差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片的第二生瓷片的结构图。
图5为本发明的差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片的将电容中间板Pt浆料丝印在第三生瓷片下表面的结构图。
图6为本发明的差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片的第四生瓷片的结构图。
图7为本发明的差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片的将电容下极板Pt浆料丝印在第五生瓷片下表面的结构图。
图8为本发明的差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片的第六生瓷片的结构图。
图9为本发明的差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片的第七生瓷片的结构图。
图10为本发明的差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片的第八生瓷片的结构图。
图11为本发明的工程高温压力传感器封装结构的整体剖面图。
图12为本发明的工程高温压力传感器封装结构的立体图。
图13为本发明的工程高温压力传感器的通气顶盖的结构示意图。
图14为本发明的工程高温压力传感器的前端散热型外壳的结构示意图。
图15为本发明的工程高温压力传感器的隔热型芯片基座的结构图。
图16为本发明的工程高温压力传感器的隔热型芯片基座的立体图。
图17为本发明的工程高温压力传感器的隔热气凝胶套的结构图。
图18为本发明的工程高温压力传感器的圆形陶瓷片的结构图。
图19为本发明的工程高温压力传感器的隔热气凝胶的结构图。
图20为本发明的工程高温压力传感器的后端封装外壳的结构图。
图中：1-第一生瓷片、2-第二生瓷片、3-第三生瓷片、4-第四生瓷片、5- 第五生瓷片、6-第六生瓷片、7-第七生瓷片、8-第八生瓷片、9-电容上极板 Pt浆料层、10-电容中间板Pt浆料层、11-电容下极板Pt浆料层、12-第一生瓷片1号排气孔、13-第二生瓷片空腔、14-第二生瓷片通孔、15-第三生瓷片通孔、16-第四生瓷片通孔、17-第五生瓷片通孔、18-第六生瓷片通孔、19- 第七生瓷片通孔、20-第八生瓷片通孔、21-第四生瓷片通孔、22-第五生瓷片通孔、23-第六生瓷片通孔、24-第七生瓷片通孔、25-第八生瓷片通孔、26- 第六生瓷片通孔、27-第七生瓷片通孔、28-第八生瓷片通孔、29-第一生瓷片 2号排气孔、30-第二生瓷片排气孔、31-第三生瓷片排气孔、32-第四生瓷片空腔、33-通气顶盖、34-前端散热型外壳、35-电容式压敏芯片、36-高温丝、 37-隔热型芯片基座、38-隔热气凝胶1、39-圆形陶瓷片、40-隔热气凝胶2、 41-C-V转换电路板、42-后端封装外壳、43-隔热硅胶、44-通气顶盖的通气道、 45-散热片、46-隔热型芯片基座通孔、47-圆形陶瓷片通孔、48-C-V转换电路板输入端、49-C-V转换电路板输出端、50-后端封装外壳的线路接口、51-环形槽。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进。这些都属于本发明的保护范围。
如图1-图10所示，本发明实施例的一种差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片由生瓷片与Pt浆料通过高温烧结而成，包括经叠片技术层压成一个整体的第一生瓷片1、第二生瓷片2、第三生瓷片3、第四生瓷片4、第五生瓷片5、第六生瓷片6、第七生瓷片7、第八生瓷片8；
第一生瓷片1的下表面丝印一电容上极板Pt浆料层9，第二生瓷片2上开设有与电容上极板Pt浆料层9相配合的第一空腔13；电容上极板Pt浆料层9与第二生瓷片的1号通孔14、第三生瓷片的2号通孔15、第四生瓷片的 3号通孔16、第五生瓷片的4号通孔17、第六生瓷片的5号通孔18、第七生瓷片的6号通孔19、第八生瓷片的7号通孔20通过填充浆料相连后，在第八生瓷片上形成与电容上极板相连的焊点；
第三生瓷片3的下表面丝印一电容中间板Pt浆料层10，第四瓷片4上开设有与电容中间板Pt浆料层10相配合的第二空腔32；电容中间板Pt浆料层 10与第四生瓷片的8号通孔21、第五生瓷片的9号通孔22、第六生瓷片的10 号通孔23、第七生瓷片的11号通孔24、第八生瓷片的12号通孔25通过填充浆料相连后，在第八生瓷片上形成与电容中间板相连的焊点；
第五生瓷片5的下表面丝印一电容下极板Pt浆料层11，电容下极板Pt 浆料层11与第六生瓷片的13号通孔26、第七生瓷片的14号通孔27、第八生瓷片的15号通孔28通过填充浆料相连后，在第八生瓷片上形成与电容下极板相连的焊点。
第一生瓷片1左端留有1号排气孔12，层压之后与第二生瓷片2的空腔 13贯通，使第二生瓷片2的空腔与外界相通，受压时电容上极板Pt浆料层9 不发生形变；第一生瓷片留有2号排气孔29，层压后与第二生瓷片上的3号排气孔30、第三生瓷片上的4号排气孔31、第四生瓷片上的空腔32相通，此排气孔的目的在于防止生瓷片烧结过程中空腔内填充的碳膜由于排气不畅使瓷片弯曲。
该压敏芯片通过以下步骤制备所得：
S1、根据尺寸要求完成第一生瓷片1、第二生瓷片2、第三生瓷片3、第四生瓷片4、第五生瓷片5、第六生瓷片6、第七生瓷片7、第八生瓷片8的加工；包括外形以及其上通孔、排气孔的开设；
S2、在第一生瓷片1的下表面丝印一电容上极板Pt浆料层9，并在第二生瓷片2上开设与电容上极板Pt浆料层9相配合的第一空腔13；
在第三生瓷片3的下表面丝印一电容中间板Pt浆料层10，并在第四瓷片 4上开设有与电容中间板Pt浆料层10相配合的第二空腔32；
在第五生瓷片5的下表面丝印一电容下极板Pt浆料层11；
S3、将第一生瓷片1、第二生瓷片2、第三生瓷片3、第四生瓷片4、第五生瓷片5从上往下依次叠加层压，通过在相应的通孔内填充浆料将电容上极板 Pt浆料层9与第二生瓷片的1号通孔14，第三生瓷片的2号通孔15，第四生瓷片的3号通孔16，第五生瓷片的4号通孔17，第六生瓷片的5号通孔18，第七生瓷片的6号通孔19，第八生瓷片的7号通孔20连接在一起，从而在第八生瓷片上形成与电容上极板相连的焊点；
同时，通过在相应的通孔内填充浆料将电容中间板Pt浆料层10与第四生瓷片的8号通孔21，第五生瓷片的9号通孔22，第六生瓷片的10号通孔23，第七生瓷片的11号通孔24，第八生瓷片的12号通孔25连接在一起，从而在第八生瓷片上形成与电容中间板相连的焊点。
通过在相应的通孔内填充浆料将电容下极板Pt浆料层11与填充浆料的第六生瓷片的13号通孔26，第七生瓷片的14号通孔27，第八生瓷片的15号通孔28连接在一起，从而在第八生瓷片上形成与电容下极板相连的焊点；
S4、在电容下极板Pt浆料层下方叠加多片相同的生瓷片，叠片完成，通过高温烧结将生瓷片与Pt浆料烧结为一个完整的差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片。为了防止在烧结过程中空腔塌陷，在烧结前第二生瓷片的空腔内填充与空腔高度相同的碳膜；同样的，为了防止在烧结过程中空腔塌陷，在烧结前第四生瓷片的空腔内填充与空腔高度相同的碳膜。在整体烧结完成后，再用玻璃浆料将2号排气孔堵死，保证气密性。
本发明的差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片可用于制作工程高温压力传感器，该高温压力传感器的结构如图11-20所示，包括前端散热型外壳34、与前端散热型外壳34螺纹连接的后端封装外壳42、置于前端散热型外壳34内的隔热型芯片基座37、置于隔热型芯片基座37上的电容式压敏芯片35、焊接在前端散热型外壳34尾部的圆形陶瓷片39、安装在后端封装外壳42内的C-V 转换电路板41，电容式压敏芯片35与高温丝36的前端焊接，高温丝36的尾端依次穿过隔热型芯片基座上的通孔A46、圆形陶瓷片39上的通孔B47与C-V 转换电路板的输入端48相连，前端散热型外壳34前端焊接有一通气顶盖33，气流经过通气顶盖上的通气道44到达电容式压敏芯，隔热型芯片基座的后端套接有一隔热气凝胶38，C-V转换电路板与后端封装外壳42之间设有隔热气凝胶40，且C-V转换电路板与隔热气凝胶40之间缝隙内填充有隔热硅胶43。所述前端散热型外壳34上均匀布置有若干散热片45，做到足够多且足够薄，达到最大的散热效果，后端封装外壳的尾部设有一环形槽51，用于减少外壳到达线路接口的导热面积，从而起到保护输出线路的效果通气顶盖、前端散热型外壳、后端封装外壳均采用高温合金材料；安装顺序如下：
首先使用高温烧结工艺将差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片与高温丝的前端焊接在一起，将电容式压敏芯片放置于隔热型芯片基座上，并使得高温丝穿过隔热型芯片基座通孔46，接着将基座置于前端散热型外壳内；
然后将通气顶盖利用螺纹结构置于前端散热型外壳的最前端，通过激光焊接技术将通气顶盖与前端散热型外壳焊接为一体，气流经过通气顶盖上的通气道44到达电容式压敏芯片；
将隔热气凝胶套在隔热型芯片基座后端，高温丝穿过圆形陶瓷片通孔47，并将圆形陶瓷片焊接在前端散热型外壳尾部，然后在圆形陶瓷片通孔位置采用针封工艺使整个封装结构前端达到密封效果；
将高温丝的尾端连接在C-V转换电路板输入端48上，解调出的电压从C-V 转换电路板输出端49输出，接着将C-V转换电路板、隔热气凝胶置于后端封装外壳内，使得隔热气凝胶位于C-V转换电路板与后端封装外壳的内壁之间，并通过螺纹结构将前端散热型外壳与后端封装外壳相连，并利用激光焊接技术焊接在连接缝隙处，实现永久连接；
最后通过后端封装外壳的线路接口50将隔热硅胶灌入C-V转换电路板与隔热气凝胶的缝隙内。
本具体实施使用时，利用通气顶盖前端的螺纹结构将整个传感器工程样机与被测物体连接，气流经过通气顶盖上的通气道到达差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片，气压经过第一生瓷片上的1号排气孔直接到达第二生瓷片的空腔位置，且第四层生瓷片的空腔密闭，空腔内部与第三生瓷片上表面产生压强差，从而使第三生瓷片受卸压发生形变，使丝印在第三生瓷片上的电容中间板位置上下移动，其与电容上极板与电容下极板的极间距离同时发生变化。由于第一生瓷片的排气孔与外界相连，第二生瓷片的空腔内压强与外界压强相同，所以第一生瓷片不发生形变，丝印于其下表面的电容上极板，也不会上下移动。而电容下极板丝印的第五生瓷片下方层压了多层生瓷片，厚度变大承压能力也就相对更大，在一定的压强范围内当第三生瓷片发生形变时，多层叠加的第五、第六、第七、第八生瓷片基本不会发生形变。从而在受压时只有电容中间板上下移动，这样就形成了一个电容上极板与电容中间板的电容和一个电容中间板与电容下极板的电容，两个电容相减可以计算出一个精确的ΔC，并且在相减的同时排除了温度对电容值的影响且增加一倍的灵敏度。两电容值通过各通孔的浆料传输到第八生瓷片的底部焊盘位置，应用烧结工艺将焊盘与高温丝焊接在一起，高温丝穿过隔热型芯片基座通孔、圆形陶瓷片通孔连接在C-V转换电路板的输入端，并经过C-V转换电路板将电容信息解调出来并输出。而被测物体通过热接触传输给传感器的热量经过隔热型芯片基座、散热片、隔热棉、高温隔热硅胶以及环形槽，到达C-V转换电路板及输出线路的热量已经足够小，从而使传感器达到工程化使用的要求。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变化或修改，这并不影响本发明的实质内容。在不冲突的情况下，本申请的实施例和实施例中的特征可以任意相互组合。

Claims (4)

1.一种差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片，其特征在于：该压敏芯片由生瓷片与Pt浆料通过高温烧结而成，包括经叠片技术层压成一个整体的第一生瓷片（1）、第二生瓷片（2）、第三生瓷片（3）、第四生瓷片（4）、第五生瓷片（5）、第六生瓷片（6）、第七生瓷片（7）、第八生瓷片（8）；
第一生瓷片（1）的下表面丝印一电容上极板Pt浆料层（9），第二生瓷片（2）上开设有与电容上极板Pt浆料层（9）相配合的第一空腔（13）；电容上极板Pt浆料层（9）与第二生瓷片的1号通孔（14）、第三生瓷片的2号通孔（15）、第四生瓷片的3号通孔（16）、第五生瓷片的4号通孔（17）、第六生瓷片的5号通孔（18）、第七生瓷片的6号通孔（19）、第八生瓷片的7号通孔（20）通过填充浆料相连后，在第八生瓷片上形成与电容上极板相连的焊点；
第三生瓷片（3）的下表面丝印一电容中间板Pt浆料层（10），第四生瓷片（4）上开设有与电容中间板Pt浆料层（10）相配合的第二空腔（32）；电容中间板Pt浆料层（10）与第四生瓷片的8号通孔（21）、第五生瓷片的9号通孔（22）、第六生瓷片的10号通孔（23）、第七生瓷片的11号通孔（24）、第八生瓷片的12号通孔（25）通过填充浆料相连后，在第八生瓷片上形成与电容中间板相连的焊点；
第五生瓷片（5）的下表面丝印一电容下极板Pt浆料层（11），电容下极板Pt浆料层（11）与第六生瓷片的13号通孔（26）、第七生瓷片的14号通孔（27）、第八生瓷片的15号通孔（28）通过填充浆料相连后，在第八生瓷片上形成与电容下极板相连的焊点；
第一生瓷片（1）左端留有1号排气孔（12），层压之后与第二生瓷片（2）的第一空腔（13）贯通，使第二生瓷片（2）的空腔与外界相通，受压时电容上极板Pt浆料层（9）不发生形变；
第一生瓷片留有2号排气孔（29），层压后与第二生瓷片上的3号排气孔（30）、第三生瓷片上的4号排气孔（31）、第四生瓷片上的第二空腔（32）相通，排气孔能够防止生瓷片烧结过程中空腔内填充的碳膜因排气不畅使瓷片弯曲。
2.如权利要求1所述的一种差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片，其特征在于：该压敏芯片通过以下步骤制备所得：
S1、根据尺寸要求完成第一生瓷片（1）、第二生瓷片（2）、第三生瓷片（3）、第四生瓷片（4）、第五生瓷片（5）、第六生瓷片（6）、第七生瓷片（7）、第八生瓷片（8）的加工；
S2、在第一生瓷片（1）的下表面丝印一电容上极板Pt浆料层（9），并在第二生瓷片（2）上开设与电容上极板Pt浆料层（9）相配合的第一空腔（13）；
在第三生瓷片（3）的下表面丝印一电容中间板Pt浆料层（10），并在第四生瓷片（4）上开设有与电容中间板Pt浆料层（10）相配合的第二空腔（32）；
在第五生瓷片（5）的下表面丝印一电容下极板Pt浆料层（11）；
S3、将第一生瓷片（1）、第二生瓷片（2）、第三生瓷片（3）、第四生瓷片（4）、第五生瓷片（5）、第六生瓷片（6）、第七生瓷片（7）、第八生瓷片（8）从上往下依次叠加层压，通过在相应的通孔内填充浆料将电容上极板Pt浆料层（9）与第二生瓷片的1号通孔（14），第三生瓷片的2号通孔（15），第四生瓷片的3号通孔（16），第五生瓷片的4号通孔（17），第六生瓷片的5号通孔（18），第七生瓷片的6号通孔（19），第八生瓷片的7号通孔（20）连接在一起，从而在第八生瓷片上形成与电容上极板相连的焊点；
同时，通过在相应的通孔内填充浆料将电容中间板Pt浆料层（10）与第四生瓷片的8号通孔（21），第五生瓷片的9号通孔（22），第六生瓷片的10号通孔（23），第七生瓷片的11号通孔（24），第八生瓷片的12号通孔（25）连接在一起，从而在第八生瓷片上形成与电容中间板相连的焊点；
通过在相应的通孔内填充浆料将电容下极板Pt浆料层（11）与填充浆料的第六生瓷片的13号通孔（26），第七生瓷片的14号通孔（27），第八生瓷片的15号通孔（28）连接在一起，从而在第八生瓷片上形成与电容下极板相连的焊点；
S4、在电容下极板Pt浆料层下方叠加多片相同的生瓷片，叠片完成，通过高温烧结将生瓷片与Pt浆料烧结为一个完整的差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片。
3.如权利要求2所述的一种差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片，其特征在于：为了防止在烧结过程中空腔塌陷，在烧结前第二生瓷片的空腔内填充与空腔高度相同的碳膜；同样的，为了防止在烧结过程中空腔塌陷，在烧结前第四生瓷片的空腔内填充与空腔高度相同的碳膜。
4.如权利要求1所述的一种差动电容式陶瓷耐高温压敏芯片，其特征在于：在整体烧结完成后，再用玻璃浆料将2号排气孔堵死，保证气密性。
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