CN103094099A - 一种键合后晶圆退火方法 - Google Patents
一种键合后晶圆退火方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103094099A CN103094099A CN2013100126700A CN201310012670A CN103094099A CN 103094099 A CN103094099 A CN 103094099A CN 2013100126700 A CN2013100126700 A CN 2013100126700A CN 201310012670 A CN201310012670 A CN 201310012670A CN 103094099 A CN103094099 A CN 103094099A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- annealing
- bonding
- temperature
- rate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
Description
Claims (5)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2013100126700A CN103094099A (zh) | 2013-01-14 | 2013-01-14 | 一种键合后晶圆退火方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2013100126700A CN103094099A (zh) | 2013-01-14 | 2013-01-14 | 一种键合后晶圆退火方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103094099A true CN103094099A (zh) | 2013-05-08 |
Family
ID=48206527
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2013100126700A Pending CN103094099A (zh) | 2013-01-14 | 2013-01-14 | 一种键合后晶圆退火方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103094099A (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106586947A (zh) * | 2015-10-15 | 2017-04-26 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种mems器件及其制备方法、电子装置 |
CN107698278A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-02-16 | 湖北天宝光电科技有限公司 | 一种陶瓷后盖的退火方法 |
CN107939387A (zh) * | 2017-11-14 | 2018-04-20 | 中国石油大学(北京) | 一种微观岩石网络模型制作方法 |
CN110197790A (zh) * | 2019-06-17 | 2019-09-03 | 苏州长瑞光电有限公司 | 一种iii-v族半导体晶圆的退火方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0954014A1 (en) * | 1998-04-23 | 1999-11-03 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | A method of fabricating an SOI wafer by hydrogen ion delamination method and SOI wafer fabricated thereby |
CN101924069A (zh) * | 2010-05-13 | 2010-12-22 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法 |
CN102485639A (zh) * | 2011-09-28 | 2012-06-06 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 基于金诱导非晶硅结晶的低温键合方法 |
CN102593039A (zh) * | 2011-11-16 | 2012-07-18 | 西安电子科技大学 | 基于AlN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法 |
-
2013
- 2013-01-14 CN CN2013100126700A patent/CN103094099A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0954014A1 (en) * | 1998-04-23 | 1999-11-03 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | A method of fabricating an SOI wafer by hydrogen ion delamination method and SOI wafer fabricated thereby |
CN101924069A (zh) * | 2010-05-13 | 2010-12-22 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法 |
CN102485639A (zh) * | 2011-09-28 | 2012-06-06 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 基于金诱导非晶硅结晶的低温键合方法 |
CN102593039A (zh) * | 2011-11-16 | 2012-07-18 | 西安电子科技大学 | 基于AlN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106586947A (zh) * | 2015-10-15 | 2017-04-26 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种mems器件及其制备方法、电子装置 |
CN107698278A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-02-16 | 湖北天宝光电科技有限公司 | 一种陶瓷后盖的退火方法 |
CN107698278B (zh) * | 2017-10-31 | 2021-01-05 | 湖北天宝光电科技有限公司 | 一种陶瓷后盖的退火方法 |
CN107939387A (zh) * | 2017-11-14 | 2018-04-20 | 中国石油大学(北京) | 一种微观岩石网络模型制作方法 |
CN107939387B (zh) * | 2017-11-14 | 2021-04-09 | 中国石油大学(北京) | 一种微观岩石网络模型制作方法 |
CN110197790A (zh) * | 2019-06-17 | 2019-09-03 | 苏州长瑞光电有限公司 | 一种iii-v族半导体晶圆的退火方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103094099A (zh) | 一种键合后晶圆退火方法 | |
CN104843979A (zh) | 一种钢化玻璃加工工艺 | |
CN204243004U (zh) | 热退火设备 | |
CN103397169A (zh) | 合金铝线连续退火冷却装置 | |
CN202971119U (zh) | 一种抽真空系统装置 | |
CN105314830B (zh) | 玻璃母材的制造方法 | |
CN105185691A (zh) | 一种消除首片效应的方法 | |
CN103964375A (zh) | 芯片键合方法 | |
CN103882195A (zh) | 对zg275-485h钢进行正火回火的热处理工艺 | |
CN102797033A (zh) | 泡生法生长大尺寸蓝宝石晶体引晶过程控制方法 | |
CN103072265B (zh) | 一种塑料管材扩口加热箱 | |
CN202945372U (zh) | 快速降温高温炉 | |
CN104037148A (zh) | 一种低废品率轴向二极管引线及其焊接方法 | |
CN204329633U (zh) | 一种用于铝合金生产线熔炉冷却装置的冷却池 | |
CN103882200A (zh) | 对ZG35SiMn钢进行正火回火的热处理工艺 | |
CN104131342A (zh) | 电磁扰动多晶硅除杂装置及其方法 | |
CN202089888U (zh) | 一种大直径石英坩埚制造装置 | |
CN204412300U (zh) | 远程监控的便携式培养液保温箱 | |
CN203720689U (zh) | 一种反应釜电气控制系统 | |
CN102054656B (zh) | 快速热处理中控制晶片温度的方法 | |
CN102491628A (zh) | 一种玻璃退火装置及退火方法 | |
CN201581153U (zh) | 一种装备轴向静磁场的真空晶体生长设备 | |
CN203999734U (zh) | 一种钢丝水浴热处理装置 | |
CN204359119U (zh) | 一种铝合金生产线用的熔炉加温装置 | |
CN105177230A (zh) | 一种锻件的余温淬火装置及其工艺 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: WUHAN XINXIN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: LU WEI Effective date: 20130716 |
|
C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 200124 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI TO: 430205 WUHAN, HUBEI PROVINCE |
|
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20130716 Address after: 430205 Wuhan Province, East Lake City Development Zone, No., No. four high road, No. 18 Applicant after: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Address before: 200124, room 9, No. 905, Lane 301, Haiyang Road, Shanghai, Pudong New Area Applicant before: Lu Wei |
|
C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20130508 |