CN103053024B - 用于制造光电子半导体组件的方法和光电子半导体组件 - Google Patents
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Abstract
本发明提出一种用于制造光电子半导体组件的方法，其具有下述步骤：-将具有pn结（104）的半导体层堆叠（101）设置在衬底（100）上，-将半导体层堆叠（101）横向地结构化成第一半导体本体（1）和第二半导体本体（2）的多个对，所述第一半导体本体和第二半导体本体在横向方向上彼此间隔，-从第一半导体本体（1）和第二半导体本体（2）的对中移除衬底（100），-将第一半导体本体（1）和第二半导体本体（2）的至少一对施加到连接载体（3）上，所述连接载体具有电连接部位（4）和/或至少一条带状导线（5），-借助于连接部位（3）和/或至少一条带状导线（4）将第一半导体本体（1）和第二半导体本体（2）对的半导体本体（1）电连接成，使得第一半导体本体（1）的pn结（104）与第二半导体本体（2）的pn结（104）反并联。
Description
技术领域
本发明提出一种用于制造光电子半导体组件的方法。此外，提出一种光电子半导体组件。
发明内容
要实现的目的在于，提出一种尤其低成本的用于制造光电子半导体组件的方法。
根据用于制造光电子半导体组件的方法的至少一个实施形式，在第一方法步骤中，在衬底上设置包括pn结的半导体层堆叠。例如，半导体层堆叠外延地沉积在衬底上。在此，半导体层堆叠优选包括至少一个n型传导层和p型传导层。在n型传导层和p型传导层之间设置有pn结。pn结优选包括至少一个有源区域，所述有源区域设置用于产生或检测电磁辐射。
例如，半导体层堆叠基于III/V族化合物半导体材料，所述III/V族化合物半导体材料具有至少一种来自于第三主族的元素和来自于第五主族的元素，所述第三主族的元素例如是铝、镓、铟，并且所述来自于第五主族的元素例如是氮、磷、砷。特别地，III/V族化合物半导体材料的概念包括二元化合物、三元化合物和四元化合物的组，所述二元化合物、三元化合物和四元化合物包含至少一种来自于第三主族的元素和至少一种来自于第五主族的元素，例如氮化物化合物半导体或磷化物化合物半导体。N型传导层或者p型传导层能够通过相应地掺杂半导体材料产生。
衬底例如为生长衬底，所述生长衬底当前还能够由蓝宝石或硅制成，或者能够包含蓝宝石或硅。
根据方法的至少一个实施形式，将半导体层堆叠在其施加在衬底上之后横向地结构化成第一半导体本体和第二半导体本体的多个对。在此，横向地结构化表示：将半导体层堆叠划分成第一半导体本体和第二半导体本体的多个对，其中所述对在横向方向上彼此间隔。在此，横向方向是平行于衬底的外面的方向，在所述外面上设置有半导体层堆叠。
例如，每对第一半导体本体和第二半导体本体在横向地结构化之后沿横向方向彼此间隔地设置。也就是说，因此，在第一半导体本体和第二半导体本体之间存在沟槽，所述沟槽能够从半导体层堆叠的背离衬底的上侧延伸至衬底或延伸到衬底中。在此，例如能够借助于蚀刻台面沟槽和/或借助于激光分离法来实现结构化。通过横向地结构化半导体层堆叠形成第一半导体本体和第二半导体本体，第一半导体本体和第二半导体本体分别包括半导体层堆叠的pn结的区域。也就是说，第一半导体本体和第二半导体本体也分别具有pn结。在横向地结构化之后，每对第一半导体本体和第二半导体本体的pn结彼此电绝缘。
根据方法的至少一个实施形式，将衬底被从第一半导体本体和第二半导体本体的对中移除。在此，在将半导体层堆叠横向地结构化成第一半导体本体和第二半导体本体的多个对之后进行衬底的移除。移除例如能够借助于蚀刻、锯割、磨削和/或激光剥离法来进行。
根据方法的至少一个实施形式，第一半导体本体和第二半导体本体的至少一对施加到连接载体上。在此，能够在移除衬底之前或之后施加第一半导体本体和第二半导体本体的对。在此，第一半导体本体和第二半导体本体的对同时地，即在相同的工作步骤中施加到连接载体上。
连接载体例如为下述类型的电路板，所述电路板具有电连接部位和/或至少一条带状导线。例如，连接载体包括陶瓷基体，在所述陶瓷基体的外面上施加例如呈结构化的金属覆层形式的至少一条带状导线和/或电连接部位。陶瓷基体尤其能够由如氮化硅、氧化铝或者氮化硼的陶瓷材料制成或者包含所述陶瓷材料中的一种。此外可能的是，连接载体为金属芯电路板或印刷电路板，例如也是柔性的印刷电路板。优选地，连接载体无论如何都具有电连接部位和/或至少一条带状导线。
根据方法的至少一个实施形式，第一半导体本体和第二半导体本体的对中的半导体本体借助于连接载体的连接部位和/或至少一条带状导线彼此电连接，使得第一半导体本体的pn结与第二半导体本体的pn结反并联。
在此，“反并联”表示，第一半导体本体和第二半导体相互并联成，使得第一半导体本体的p型传导区域与第二半导体本体的n型传导区域电连接，并且第一半导体本体的n型传导区域与第二半导体本体的p型传导区域电连接。由于存在pn结，第一半导体本体和第二半导体本体形成二极管，所述二极管借助于连接载体的连接部位和/或至少一条带状导线彼此反并联。在此，在将第一半导体本体和第二半导体本体的对施加到连接载体上时或者在这之后将半导体本体电连接。尤其不在施加到连接载体上之前进行电连接。在施加到连接载体之前，第一半导体本体和第二半导体本体的pn结彼此电分离。
根据方法的至少一个实施形式，在第一半导体本体施加和测试之后才连接至少一条带状导线，其中所述带状导线用于将第一半导体本体和第二半导体本体电连接，使得半导体本体的pn结反并联。第二半导体本体以该方式不干扰对第一半导体本体的功能性进行测试。
此外提出一种光电子半导体组件。光电子半导体组件能够借助在此所描述的方法来制造，也就是说，所有针对用于制造光电子半导体组件的方法所公开的特征也针对光电子半导体组件来公开，并且反之亦然。
根据光电子半导体组件的至少一个实施形式，光电子半导体组件包括具有电连接部位和至少一条带状导线的连接载体。
此外，光电子半导体组件包括具有pn结的第一半导体本体和具有pn结的第二半导体本体。在此，第一半导体本体和第二半导体本体优选构成为是同类的。对此“构成为是同类的”表示，半导体本体例如包括相同顺序的半导体层。
根据光电子半导体组件的至少一个实施形式，第一半导体本体和第二半导体本体具有相同的厚度。在此，沿垂直于横向方向延伸的垂直方向测量厚度。相同的厚度在制造公差的范围内理解为在外延地沉积半导体层堆叠时可实现的相同的厚度。构成为是同类的并且具有相同厚度的第一半导体本体和第二半导体本体例如能够通过将半导体层堆叠横向地结构化成第一半导体本体和第二半导体本体的多个对来制造。
根据光电子半导体组件的至少一个实施形式，第一半导体本体和第二半导体本体以相同的定向施加到连接载体上。也就是说，例如在两个半导体本体中，n型传导层设置在相应的半导体本体的背离连接载体的一侧。因此，半导体本体的p型传导层分别朝向连接载体。
根据光电子半导体组件的实施形式的至少一个实施形式，第一半导体本体和第二半导体本体与相关联的电连接部位导电连接，并且第一半导体本体和第二半导体本体借助于电连接部位和/或至少一条带状导线相互连接，使得第一半导体本体的pn结与第二半导体本体的pn结反并联。
根据光电子半导体组件的至少一个实施形式，半导体组件包括具有电连接部位和/或至少一条带状导线的连接载体。此外，半导体组件包括具有pn结的第一半导体本体和具有pn结的第二半导体本体。在此，第一半导体本体和第二半导体本体构成为是同类的并且具有相同的厚度。第一半导体本体和第二半导体本体与相关联的电连接部位导电连接，并且借助于连接载体的电连接部位和/或至少一条带状导线彼此连接成，使得第一半导体本体的pn结与第二半导体本体的pn结反并联。
根据光电子半导体组件的至少一个实施形式，第一半导体本体在半导体组件工作时设置用于产生电磁辐射。因此，第一半导体本体例如为发光二极管芯片。
根据一个实施形式，第二半导体本体设置为用于第一半导体本体的ESD保护二极管。
在此，此处描述的方法和此处描述的半导体组件还以下述思想为基础：借助所描述的方法，例如能够在单独的晶圆上制造发光二极管芯片——第一半导体本体——和ESD保护二极管——第二半导体本体。在此，ESD保护二极管与发光二极管芯片并联。与发光二极管芯片的常规的制造相比，除了将半导体层堆叠横向地结构化成第一半导体本体和第二半导体本体之外不需要附加的工作步骤。由此可以制造在生产中产生尤其低的成本的ESD保护二极管。此外，ESD保护二极管具有与发光二极管芯片相同的厚度，使得能够产生尤其薄的半导体组件，例如尤其低成本的具有陶瓷基体的连接载体能够用于所述半导体组件。此外，在此描述的用于制造半导体组件的方法的特征在于，能够通过如下方式在不连接ESD保护二极管的情况下测试在连接载体上的发光二极管芯片，即在将半导体本体施加到连接载体上并对其进行测试之后才进行第一半导体本体和第二半导体本体之间的连接。以该方式能够保证，ESD保护二极管的存在既不干扰发光二极管芯片即第一半导体本体的测试的测量结果也不使其失真。
根据光电子半导体组件的至少一个实施形式，第一半导体本体具有与第二半导体本体的基本面积相比更大的基本面积。在此，在平行于连接载体的主延伸方向的平面中例如通过半导体本体的在其背离连接载体的一侧上的面积来测量基本面积。尤其地，第一半导体本体和第二半导体本体可主要在其不同的基本面积方面来彼此区分。
根据至少一个实施形式，第二半导体本体的基本面积最高为第一半导体本体的基本面积的10%。也就是说，第二半导体本体在其横向伸展方面显著小于第一半导体本体。例如，第一半导体本体具有1mm×1mm的基本面积。那么第二半导体本体例如具有100μm×60μm的基本面积。
根据至少一个实施形式，第一半导体本体和第二半导体本体具有至多10μm的厚度，例如大约为6μm。换而言之，半导体本体构成为是尤其薄的，这能够通过将衬底完全地从包括半导体本体的半导体层堆叠中移除来实现。
根据至少一个实施形式，第一半导体本体和第二半导体本体是表面可装配的，其中第一半导体本体和第二半导体本体在它们朝向连接载体的底面上具有接触部位。例如，至少一个通孔能够从接触部位分别延伸到第一半导体本体和第二半导体本体中，所述通孔例如设置用于接触半导体本体的p型传导区域或n型传导区域。
根据至少一个实施形式，第一半导体本体在其背离连接载体的上侧具有辐射出射面，由第一半导体本体在工作时所产生的电磁辐射的很大一部分穿过所述辐射出射面射出，其中完全在辐射出射面之下进行电流分配以用于对第一半导体本体的pn结通电。换而言之，在第一半导体本体的背离连接载体的上侧不设置能够吸收或者反射例如为光的所射出的电磁辐射的接触部位或电流分配带。因此，半导体本体在其上侧上没有金属化部。这可通过在辐射出射面之下进行电流分配而实现。
根据至少一个实施形式，第一半导体本体和/或第二半导体本体的至少一个接触部位经由连接载体的带状导线与连接载体的连接部位连接，所述带状导线局部地在半导体本体之下延伸并且局部地与半导体本体横向间隔。换而言之，经由连接载体的带状导线将半导体本体的接触沿横向方向延伸到连接载体的未被半导体本体覆盖的区域中。这允许尤其简单地接触连接载体的连接部位。
根据至少一个实施形式，第一半导体本体和第二半导体本体的多个对借助于连接载体的带状导线导电地彼此连接。也就是说，光电子半导体组件包括第一半导体本体和第二半导体本体的至少两个对，其中第一半导体本体彼此串联并且每个第一半导体本体与其第二半导体本体反并联。以该方式得到例如如下发光二极管芯片的串联电路，所述发光二极管芯片分别通过其所属的ESD保护二极管来保护。在此，各个第一半导体本体的互联通过连接载体的带状导线来实现，所述带状导线例如将连接载体的相应的连接部位彼此连接。
根据至少一个实施形式，在第二半导体本体的背离连接载体的上侧上设置有导电层。导电层提高第二半导体本体中的p型传导层的横向电导率。在此可能的是，通孔穿过第二半导体本体的n型传导层和p型传导层延伸直至导电层。导电层例如借助如金的金属形成。导电层尤其能够构成为是辐射不可穿透的。在工作中，在第二半导体本体2中不产生辐射，或者所述辐射在射出时被导电层有利地抑制。
附图说明
下面，根据实施例和与其所属的附图详细地阐明在此描述的方法以及在此描述的半导体组件。
图1A、1B、1C、1D、1E、1F根据示意图示出在此描述的光电子半导体组件的实施例的半导体本体的断面和半导体本体。
图2A、2B、2C、3A、3B、4A、4B、5A、5B和5C示出在此描述的光电子半导体组件的实施例的示意图。
具体实施形式
相同的、相类的和起相同作用的元件在附图中设有相同的附图标记。附图以及附图中所描述的元件相互间的大小比例不应视为是按比例的。相反地，为了更好的描述和/或更好的理解能够夸张大地示出各个元件。
图1A示出在移除衬底100之前的、具有在此描述的光电子半导体组件的第一半导体本体1和第二半导体本体2的对的立体图。在例如包括蓝宝石或硅的衬底100上外延地沉积半导体层堆叠101。半导体层堆叠101包括p型传导层102和n型传导层103。在p型传导层和n型传导层103之间设置有pn结104，所述pn结例如包括至少一个适合于产生电磁辐射的区域。
半导体层堆叠当前沿横向方向l结构化成第一半导体本体1和第二半导体本体2。在此，第一半导体本体1具有至少十倍于第二半导体本体的基本面积大小的基本面积。
第一半导体本体1和第二半导体本体2当前通过沟槽107彼此分离，沟槽从半导体层堆叠101的背离衬底100的一侧延伸至衬底100。
在半导体层堆叠101的背离衬底100的一侧上对例如呈金属化部形式的电接触部位105进行结构化。接触部位105用于在n侧或在p侧上接触半导体本体1、2。
在图1A中的实施例中，第二半导体本体2与第一半导体本体1横向间隔地设置在第一半导体本体的面之外。第二半导体本体2例如具有60μm的宽度和100μm的长度。第一半导体本体1例如能够分别具有1mm的宽度和长度。
在制成的光电子半导体组件中，第一半导体本体1用作为用于产生例如为光的电磁辐射的发光二极管芯片。第二半导体本体2用作为ESD保护二极管。
第一半导体本体1和第二半导体本体2当前通过形成层堆叠101来共同地构成在衬底100上并且因此具有基本上相同的厚度和相同的组分。在此，“基本上”表示，第一半导体本体和第二半导体本体在组分和厚度方面由于由制造引起的波动而能够不同。
例如，第一半导体本体的厚度和第二半导体本体的厚度，也就是说半导体层堆叠101的厚度d≤10μm，例如d=6μm。
结合图1B的示意立体图示出在此描述的光电子半导体组件的实施例的第一半导体本体1和第二半导体本体2的另一对。与图1A中的实施例不同的是，第二半导体本体2在此设置在第一半导体本体1的面中。以该方式尽可能少地浪费外延制造的半导体层堆叠的材料。为了更好的电分离，在第一半导体本体1和第二半导体本体2之间的沟槽107填充有例如氮化硅和/或二氧化硅的电绝缘材料106。
结合图1C的示意立体图示出在此描述的光电子半导体组件的实施例的第一半导体本体和第二半导体本体的对的另一实施形式。在所述实施例中，通过沟槽107与第一半导体本体101分离的第二半导体本体沿着第一半导体本体1的整个芯片侧面延伸。在该情况下，第二半导体本体2能够形成用于第一半导体本体1的尤其耐抗的ESD保护二极管。
结合图1D的示意立体图详细阐明用于实施第一半导体本体和第二半导体本体的对的实例。在此，图1D示出半导体本体1、2的背离衬底100的一侧的视图。在第一半导体本体1的区域中例如设置p型侧的接触部位105b。在第一半导体本体1的边缘区域中能够设置用于n型侧接触的接触部位105a。半导体本体1在其背离衬底100的一侧上能够具有后侧金属化部108，所述后侧金属化部例如通过下述层序列形成：钛/铂/金。在后侧金属化部108和p型传导区域102之间例如能够设置包含银或者由银制成的层序列并且作用为镜。层序列例如如下构造：铂/银/钛。
结合图1E中的示意立体图详细示出n型接触部位105a例如能够构成为穿过p型传导层102的通孔，所述通孔借助例如二氧化硅的电绝缘材料106与剩余的半导体本体绝缘（为此也参见图1F的断面放大图）。
根据图2A、2B和2C的示意图详细阐明在此描述的光电子半导体组件的第一实施例。在光电子半导体组件中，如结合图1A至1F之一所描述，例如使用第一半导体本体1和第二半导体本体2的对。光电子半导体组件包括连接载体3。连接载体3包括用陶瓷材料构成的陶瓷基体30。例如，陶瓷材料为氮化硅、氧化铝或者氮化硼。
在图2A，2B中的实施例中，在连接载体3的朝向半导体本体1、2的一侧上设置有两个连接部位4（为此尤其参见图2B中的示意俯视图）。例如将半导体本体1、2焊接在连接部位4上。设置为ESD保护二极管的半导体本体2与设置用于产生辐射的第一半导体本体1反并联。也就是说，两个半导体本体1、2的pn结104经由连接载体3的连接部位4相互反并联。
在此，半导体本体1、2以相同的定向施加到连接载体3上。也就是说，在两个半导体本体1、2中，例如n型传导层103远离半导体本体3指向。
根据图2C的示意侧视图阐明：在第一半导体本体1和第二半导体本体2中的通孔109分别穿过p型传导层102延伸到n型传导层103中。以该方式，第一半导体本体和第二半导体本体1、2能够表面装配。
半导体本体1、2的背离连接载体3的表面没有接触部位或者电导体。
然而如从图2C中可见，能够在第二半导体本体2的背离连接载体3的上侧设置导电层200。导电层200提高第二半导体本体2中的p型传导层103的横向电导率。在此可能的是，通孔109延伸至导电层200。导电层200例如通过如金的金属构成。导电层200尤其能够构成为是辐射不可穿透的。
结合图3A、3B详细阐明在此描述的光电子半导体组件的另一实施例。与图2A、2B中的实施例不同的是，在所述实施例中，半导体本体1、2通过连接载体3的连接部位4和带状导线5相互反并联。在此，带状导线5初始，即直接在施加半导体本体1、2之后具有中断件110。换而言之，第一半导体本体1和第二半导体本体2直接在它们被施加到连接载体3上之后不相互反并联。因此，第二半导体本体2首先不作用为用于发射辐射的半导体本体1的ESD保护二极管。在该状态下，测试半导体本体1的功能性。在测试之后，例如借助于丝网印刷或者分注导电浆料来接通中断件110。也就是说，在测试半导体本体1之后，第一半导体本体1和第二半导体本体2相互反并联，使得第二半导体本体2能够识别其作为用于第一半导体本体1的ESD保护二极管的功能。
图4A和4B中的示意图示出，在此描述的光电子半导体组件的另一实施例。在图4A和4B中所描述的光电子半导体组件能够借助于外部的连接部位112进行表面装配。在连接载体3的基体30中设置通孔111，所述通孔111将基体30的具有半导体本体1、2的上侧与背离半导体本体1、2的下侧连接。借助于通孔111，建立在外部的连接部位112和在连接载体3的基体30的上侧的带状导线5之间的导电连接（为此尤其参见图4B的示意剖面图）。
将带状导线5与第一半导体本体1和第二半导体本体2的接触部位105导电连接。两个半导体本体经由带状导线5相互反并联。此外，用例如包含硅树脂和/或环氧树脂的辐射可穿透的浇注件113形状配合地包围半导体本体1。浇注件113在半导体组件的横向的侧面上与连接载体3的基体30齐平。在第一半导体本体1的区域中，浇注件113能够透镜状地远离连接载体3地向外凸起地弯曲，以用于提高辐射输出效率。
根据示意俯视图结合图5A、5B、5C详细阐明在此描述的光电子半导体组件的其它实施例。在此，实施例的共性是，例如至少第一半导体本体1的n型接触部位105a借助于例如构成为金属化部的带状导线5与连接载体3的相关联的连接部位4连接。带状导线5至少局部地在第一半导体本体1之下延伸，即在连接载体3的基体30和半导体本体1的朝向连接载体3的下侧之间延伸。在带状导线5和半导体本体1之间设置有电绝缘材料106，例如为由二氧化硅和/或氮化硅制成的层。
结合图5B示出，半导体本体的剩余的下侧然后例如能够用作为p型侧的接触部位105b。借助于带状导线5，用于半导体本体1、2的接触部在半导体本体之下横向地向外延伸。如图5C中所示，这种布置能够尤其好地用于第一半导体本体1与反并联的第二半导体本体2的串联电路。
在所有的实施例中还可能的是，接触部位105b形成n型侧的接触部位并且接触部位105a形成p型侧的接触部位。
整体上，在此描述的光电子半导体组件的特征在于其低成本的可制造性、其平面的、节约空间的结构以及其灵活应用的可能性。
不通过根据实施例进行的描述将本发明限制于此。相反地，本发明包括每个新的特征以及特征的任意的组合，这尤其是包含在权利要求中的特征的任意的组合，即使这些特征或这些组合本身没有明确地在权利要求中或在实施例说明是也如此。
本专利申请要求德国专利申请102010032813.8的优先权，其公开内容在此通过参引并入本文。
Claims (16)
1.用于制造光电子半导体组件的方法，具有下述步骤：
-将具有pn结(104)的半导体层堆叠(101)设置在衬底(100)上，
-将所述半导体层堆叠(101)横向地结构化成第一半导体本体(1)和第二半导体本体(2)的多个对，所述第一半导体本体和第二半导体本体在横向方向(1)上彼此间隔，
-从第一半导体本体(1)和第二半导体本体(2)的所述对中移除所述衬底(100)，
-将第一半导体本体(1)和第二半导体本体(2)的至少一对施加到连接载体(3)上，所述连接载体具有电连接部位(4)和至少一条带状导线(5)，
-借助于所述连接部位(4)和所述至少一条带状导线(5)将第一半导体本体(1)和第二半导体本体(2)的对的半导体本体电连接，使得所述第一半导体本体(1)的所述pn结(104)与所述第二半导体本体(2)的所述pn结(104)反并联，并且
所述至少一条带状导线(5)直接在施加所述第一半导体本体(1)和所述第二半导体本体(2)之后具有中断件(110)，其中在测试所述第一半导体本体(1)的功能性之后接通所述中断件(110)。
2.根据权利要求1所述的方法，其中在将第一半导体本体(1)和第二半导体本体(2)的至少一对施加到所述连接载体(3)上之后，移除所述衬底(100)。
3.光电子半导体组件，具有：
-连接载体(3)，所述连接载体(3)具有电连接部位(4)和至少一条带状导线(5)，
-第一半导体本体(1)，所述第一半导体本体具有p型传导层(102)、n型传导层(103)和pn结(104)，
-第二半导体本体(2)，所述第二半导体本体具有p型传导层(102)、n型传导层(103)和pn结(104)，以及
-所述第一半导体本体(1)中的通孔(109)和所述第二半导体本体(2)中的通孔(109)，其中
-所述通孔分别穿过所述p型传导层延伸到所述n型传导层中以用于接触所述半导体本体的所述n型传导层，
-所述第一半导体本体(1)和所述第二半导体本体(2)被构造为是同类的，
-所述第一半导体本体(1)和所述第二半导体本体(2)具有相同的厚度(d)，
-所述第一半导体本体(1)和所述第二半导体本体(2)与相关联的电连接部位(4)导电地连接，以及
-所述第一半导体本体(1)和所述第二半导体本体(2)借助于所述电连接部位(4)和所述至少一条带状导线(5)连接成，使得所述第一半导体本体(1)的所述pn结(104)与所述第二半导体本体(2)的所述pn结(104)反并联，
其中所述至少一条带状导线(5)具有中断件(110)，所述中断件借助导电浆料接通。
4.根据权利要求3所述的光电子半导体组件，其中所述第一半导体本体(1)和所述第二半导体本体(2)没有生长衬底(100)。
5.根据权利要求3或4所述的光电子半导体组件，其中
-所述第一半导体本体(1)在所述半导体组件工作时设置用于产生电磁辐射，以及
-所述第二半导体本体(2)设置为用于所述第一半导体本体(1)的ESD保护二极管。
6.根据权利要求3或4所述的光电子半导体组件，其中所述第一半导体本体(1)的基本面积大于所述第二半导体本体(2)的基本面积。
7.根据权利要求6所述的光电子半导体组件，其中所述第二半导体本体(2)的所述基本面积最大为所述第一半导体本体(1)的所述基本面积的10％。
8.根据权利要求3或4所述的光电子半导体组件，其中所述第一半导体本体(1)和所述第二半导体本体(2)具有最高10μm的厚度(d)。
9.根据权利要求3或4所述的光电子半导体组件，其中所述第一半导体本体(1)和所述第二半导体本体(2)是能够表面装配的，其中
-所述第一半导体本体(1)和所述第二半导体本体(2)在它们朝向所述连接载体(3)的底面上具有接触部位(105)。
10.根据权利要求3或4所述的光电子半导体组件，其中所述第一半导体本体(1)在其背离所述连接载体(2)的上侧上具有辐射出射面(1a)，由所述第一半导体本体(1)在工作时产生的电磁辐射的很大一部分穿过所述辐射出射面(1a)射出，其中完全在辐射出射面(1a)之下进行电流分配以用于对所述第一半导体本体(1)的所述pn结(104)通电。
11.根据权利要求3或4所述的光电子半导体组件，其中所述第一半导体本体(1)在其背离所述连接载体(2)的上侧上没有金属化部、接触部位和电流分配带。
12.根据权利要求3或4所述的光电子半导体组件，其中所述连接载体(3)包括陶瓷基体(30)，在所述陶瓷基体(30)的外面上施加有所述连接部位(4,112)和/或所述至少一条带状导线(5)作为结构化的金属化部。
13.根据权利要求3或4所述的光电子半导体组件，其中所述第一半导体本体(1)的和/或所述第二半导体本体(2)的至少一个接触部位(105)借助于所述连接载体(3)的带状导线(5)与所述连接载体(3)的连接部位(4,112)连接，所述带状导线局部地在所述半导体本体(1,2)之下延伸并且局部地与所述半导体本体(1,2)横向地间隔。
14.根据权利要求3或4所述的光电子半导体组件，具有
-第一半导体本体(1)和第二半导体本体(2)的多个对，所述第一半导体本体和所述第二半导体本体借助于所述连接载体(3)的带状导线(5)导电地相互连接。
15.根据权利要求3或4所述的光电子半导体组件，其中在所述第二半导体本体(2)背离所述连接载体(3)的上侧上设置有导电的、金属的层(200)。
16.根据权利要求15所述的光电子半导体组件，其中所述导电的金属的层(200)设置用于提高在所述第二半导体本体中的所述p型传导层(103)的横向电导率。
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