CN103050394A - 超厚光刻胶的刻蚀方法 - Google Patents
超厚光刻胶的刻蚀方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103050394A CN103050394A CN2011103096267A CN201110309626A CN103050394A CN 103050394 A CN103050394 A CN 103050394A CN 2011103096267 A CN2011103096267 A CN 2011103096267A CN 201110309626 A CN201110309626 A CN 201110309626A CN 103050394 A CN103050394 A CN 103050394A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- etching
- thick photoresist
- lithographic method
- super thick
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
Claims (10)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110309626.7A CN103050394B (zh) | 2011-10-13 | 2011-10-13 | 超厚光刻胶的刻蚀方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201110309626.7A CN103050394B (zh) | 2011-10-13 | 2011-10-13 | 超厚光刻胶的刻蚀方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103050394A true CN103050394A (zh) | 2013-04-17 |
CN103050394B CN103050394B (zh) | 2015-10-14 |
Family
ID=48062995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201110309626.7A Active CN103050394B (zh) | 2011-10-13 | 2011-10-13 | 超厚光刻胶的刻蚀方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103050394B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110211871A (zh) * | 2019-06-19 | 2019-09-06 | 英特尔半导体(大连)有限公司 | 半导体结构表面清洗方法与设备 |
CN112582262A (zh) * | 2020-11-27 | 2021-03-30 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种多层材料的非选择性湿法腐蚀方法及其应用 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107369619B (zh) * | 2016-05-12 | 2021-04-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件及制备方法、电子装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1218277A (zh) * | 1997-11-21 | 1999-06-02 | 三星电子株式会社 | 制造半导体器件的方法 |
US20030113673A1 (en) * | 2001-12-14 | 2003-06-19 | Seung-Hyun Ahn | Photoresist stripper compositions |
CN101300529A (zh) * | 2005-11-18 | 2008-11-05 | 株式会社东进世美肯 | 用于去除光刻胶的稀释剂组合物 |
CN101738879A (zh) * | 2008-11-04 | 2010-06-16 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种用于厚膜光刻胶的清洗剂 |
-
2011
- 2011-10-13 CN CN201110309626.7A patent/CN103050394B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1218277A (zh) * | 1997-11-21 | 1999-06-02 | 三星电子株式会社 | 制造半导体器件的方法 |
US20030113673A1 (en) * | 2001-12-14 | 2003-06-19 | Seung-Hyun Ahn | Photoresist stripper compositions |
CN101300529A (zh) * | 2005-11-18 | 2008-11-05 | 株式会社东进世美肯 | 用于去除光刻胶的稀释剂组合物 |
CN101738879A (zh) * | 2008-11-04 | 2010-06-16 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种用于厚膜光刻胶的清洗剂 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110211871A (zh) * | 2019-06-19 | 2019-09-06 | 英特尔半导体(大连)有限公司 | 半导体结构表面清洗方法与设备 |
CN112582262A (zh) * | 2020-11-27 | 2021-03-30 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种多层材料的非选择性湿法腐蚀方法及其应用 |
CN112582262B (zh) * | 2020-11-27 | 2022-10-04 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种多层材料的非选择性湿法腐蚀方法及其应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103050394B (zh) | 2015-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4837285B2 (ja) | シリコン表面および層のためのエッチングペースト | |
WO2024077795A1 (zh) | 一种无掩膜层联合钝化背接触电池及其制备方法 | |
CN103050394A (zh) | 超厚光刻胶的刻蚀方法 | |
CN103985664B (zh) | 硅基氮化镓外延层剥离转移的方法 | |
CN102226983B (zh) | 刻蚀清洗设备及刻蚀清洗工艺 | |
CN111223756A (zh) | 晶圆清洗方法及半导体器件制作方法 | |
CN104294369A (zh) | 一种用于多晶硅片酸制绒的添加剂及使用方法 | |
CN103422175A (zh) | 太阳能电池硅片的抛光方法 | |
CN104393094B (zh) | 一种用于hit电池的n型硅片清洗制绒方法 | |
CN110571309A (zh) | 一种新型的去除Poly绕镀清洗方法 | |
CN103197514A (zh) | 有效减少孔显影缺陷的显影方法 | |
CN102117861A (zh) | 一种非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器的制造方法 | |
CN102324386A (zh) | 一种平面型固体放电管芯片制造工艺用硅片制备方法 | |
CN101211846A (zh) | 一种片上系统器件的厚栅氧化层制造方法 | |
CN101211114A (zh) | 一种改进型栅极多晶硅掩膜层去除方法 | |
CN103165406A (zh) | 刻蚀超厚非感光性光刻胶的刻蚀方法 | |
CN109192769A (zh) | 具有低正向压降高电压的二极管整流芯片及其制造方法 | |
CN105655239A (zh) | 硅晶片清洗工艺 | |
CN104347772B (zh) | Ito的完整蚀刻方法及led芯片制作方法 | |
CN110993485B (zh) | 一种氮化硅陶瓷覆铜基板的表面钝化方法 | |
CN113611607A (zh) | 半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法 | |
CN101271845B (zh) | 一种提高mos器件阈值电压稳定性的方法 | |
CN103137455B (zh) | 拥有低压逻辑器件和高压器件的芯片制造方法 | |
CN103137453A (zh) | 生长用于高压金属氧化物半导体器件厚栅极氧化层的方法 | |
CN105448943B (zh) | 一种背照式传感器及其制作工艺 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SHANGHAI HUAHONG GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING Free format text: FORMER OWNER: HUAHONG NEC ELECTRONICS CO LTD, SHANGHAI Effective date: 20140108 |
|
C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 201206 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI TO: 201203 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI |
|
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20140108 Address after: 201203 Shanghai city Zuchongzhi road Pudong New Area Zhangjiang hi tech Park No. 1399 Applicant after: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation Address before: 201206, Shanghai, Pudong New Area, Sichuan Road, No. 1188 Bridge Applicant before: Shanghai Huahong NEC Electronics Co., Ltd. |
|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |