CN113611607A - 半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法 - Google Patents
半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113611607A CN113611607A CN202110986211.7A CN202110986211A CN113611607A CN 113611607 A CN113611607 A CN 113611607A CN 202110986211 A CN202110986211 A CN 202110986211A CN 113611607 A CN113611607 A CN 113611607A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- electrophoresis
- fast recovery
- recovery chip
- discrete device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 238000011084 recovery Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 28
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 27
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 23
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 102100021765 E3 ubiquitin-protein ligase RNF139 Human genes 0.000 claims description 7
- 101001106970 Homo sapiens E3 ubiquitin-protein ligase RNF139 Proteins 0.000 claims description 7
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 5
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 4
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- GVVPGTZRZFNKDS-JXMROGBWSA-N geranyl diphosphate Chemical compound CC(C)=CCC\C(C)=C\CO[P@](O)(=O)OP(O)(O)=O GVVPGTZRZFNKDS-JXMROGBWSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
- H01L29/6609—Diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
本发明涉及一种半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法，属于快恢复芯片生产领域，其特征在于，首先对晶圆进行清洗，保证其表面洁净，然后采用低温化学气相沉积法在晶圆表面形成一层氧化隔离膜，膜厚在＞6000埃；再依次经光刻、沟槽蚀刻、电泳法玻璃钝化、金属化制得快恢复芯片；本发明在晶圆表面形成一层致密的隔离膜，通过把控氧化温度及时间保证其隔离膜能有效的保阻断钝化时玻璃粉在台面上的沉积，同时又保证产品TRR不受温度影响，确保产品的一致性，实现快恢复芯片的规模化生产。
Description
技术领域
本发明涉及快恢复芯片生产领域，具体涉及一种半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法。
背景技术
随着高频大功率半导体器件研发和制造技术的快速发展，尤以 IGBT、VDMOS为代表的功率开关器件在生活中的应用愈加广泛和深入，快速恢复二极管市场需求量非常巨大。
现有技术中，快恢复芯片的生产多采用刮涂法工艺，其产品玻璃均匀性较差，对台面的保护不好同时刮涂法在作业过程对人员的依赖性较高，不利于规模化生产。
电泳工艺是GPP芯片常用的生产工艺，其采用自动化设备进行作业，在一定程度上摆脱劳动力的限制。但是，由于快恢复芯片扩散掺杂铂金以及产品TRR参数的特性，电泳工艺中所涉氧化方式生成的绝缘隔离介质膜会对产品TRR的一致性造成影响。因此，现有的电泳工艺无法适用于快恢复芯片的制造工艺中。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种解决快恢复芯片生产过程中由于常规氧化影响产品TRR一致性的问题的半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法，光刻前在晶圆表面形成一层致密的隔离膜，通过把控氧化温度及时间保证其隔离膜能有效的阻断钝化时玻璃粉在台面上的沉积，同时又保证产品TRR不受温度影响，确保产品的一致性。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法，其特征在于，首先对晶圆进行清洗，保证其表面洁净，然后采用低温化学气相沉积法在晶圆表面形成一层氧化隔离膜，膜厚在＞6000埃；再依次经光刻、沟槽蚀刻、电泳法玻璃钝化、金属化制得快恢复芯片，进一步的，晶圆清洗过程中依次采用酸洗、RCA1溶液清洗、纯水来对晶圆进行清洗。
更进一步的，所述酸洗过程中酸液采用体积比为18:1:1的HNO3:HF:冰乙酸的混酸。
更进一步的，所述RCA1溶液清洗过程中采用标准RCA湿式化学清洗法1号液即水：双氧水：氨水的体积比= 5:1:1。
进一步的，所述氧化隔离膜的形成是在LPCVD设备中完成的，通过LPCVD设备在上述清洗后得到的晶圆片上制备LTO薄膜，膜厚在6000埃-7000埃，膜厚均匀性在10％以内。
更进一步的，LPCVD设备中，控制沉积的气体流量SIH4 110sccm、O2 150sccm，沉积压力SIH4 1.5-2.5bar O2/N2 2-6bar，沉积温度600℃，保证LTO薄膜的折射率、膜厚、均匀性。
进一步的，所述光刻是在光刻机中进行，将表面匀好光刻胶的晶圆放置在设备操作盘上，利用和光刻版软接触的方式，进行曝光,然后晶圆片浸入显影液中进行显定影。
进一步的，所述沟槽蚀刻即将光刻后的晶圆放置在-7℃的酸液中，其中酸液采用HNO3:HF:CH3COOH:H2SO4的体积比=9:9:12:4的混酸，通过控制酸液的腐蚀时间500 -700s来达到规格要求的槽深和槽宽，腐蚀后将晶圆表面的光刻胶通过硫酸和双氧水的混合溶液去除，抽水并甩干。
进一步的，所述电泳法玻璃钝化为：将晶圆片放置在电泳液中，开启电泳机，通过控制玻璃粉的重量以及电泳时间使玻璃粉均匀饱满地附着在沟槽内，电泳完的晶圆通过钝化炉高温熔融形成晶体玻璃。
具体地，将硅片平行置于夹具的正负极板间的沟槽内，夹具固定在电泳设备上，通过设备的上下提动放置在电泳溶液内，通电后电泳溶液中丙酮是作为悬浊介质，硝酸作为电解质，使玻璃粉离子带负电，在直流电场的作用下玻璃颗粒向正电极上硅片方向运动，沉淀在硅片上，晶圆表面因附着一层致密的LTO 氧化膜，阻挡玻璃粉在表面的沉淀，通过控制玻璃粉的重量以及电泳时间使玻璃粉匀均饱满的附着在沟槽内，电泳完的晶圆通过钝化高温熔融形成晶体玻璃，来达到保护PN结的目的。
进一步的，所述金属化是指在晶圆表面通过镀镍机电镀的方式在表面电镀一层镍金属。
本发明的有益效果是：本发明改善快恢复芯片的传统生产工艺，采用电泳工艺并配以特定不可更改的工艺顺序，即在光刻工序前通过LPCVD（低温化学气相沉积）工艺方式，在晶圆表面沉积一层致密氧化膜，LPCVD 拥有极佳的台阶覆盖性，良好的组成成分和结构控制性，较高的沉积速率，其隔离膜能有效的保阻断钝化时玻璃粉在台面上的沉积，并且这种方法不需要载离子气体，大大降低了颗粒污染，应用于快恢复芯片的电泳工艺中，能够有效解决生产过程中常规氧化影响产品TRR一致性的问题，保证产品TRR不受温度影响，确保产品的一致性。从而实现了快恢复芯片的电泳工艺制作，能够实现快恢复芯片的规模化生产。相比现有技术中在电泳工序后施加LTO保护，其目的是对产片沟槽结构的保护，提升产品可靠性；而本发明的制作流程顺序不得变更，本发明低温氧化隔离膜的作用如前所述与LTO后置于电泳工序所起的作用截然不同。
附图说明
图1是本发明的工艺流程图。
具体实施方式
下面对本发明的原理和特征进行描述，所举实施例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
如图1所示，本实施例的半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法，包括如下步骤：
1）依次采用酸洗、RCA1溶液清洗、纯水来对晶圆进行清洗，保证其表面洁净。其中，酸洗过程中酸液采用体积比为18:1:1的HNO3:HF:冰乙酸的混酸，RCA1溶液清洗过程中采用标准RCA湿式化学清洗法1号液即水：双氧水：氨水的体积比= 5:1:1。
2）采用低温化学气相沉积法在晶圆表面形成一层氧化隔离膜，膜厚在＞6000埃。该过程是在LPCVD设备中完成的，通过LPCVD设备在上述清洗后得到的晶圆片上制备LTO薄膜，膜厚在6000埃-7000埃，膜厚均匀性在10％以内；
LPCVD设备中，控制沉积的气体流量SIH4 110sccm、O2 150sccm，沉积压力SIH41.5-2.5bar O2/N2 2-6bar，沉积温度600℃，保证LTO薄膜的折射率、膜厚、均匀性。
3）光刻：在光刻机中进行，将表面匀好光刻胶的晶圆放置在设备操作盘上，利用和光刻版软接触的方式，进行曝光10S,然后晶圆片浸入显影液中进行显定影。
4）沟槽蚀刻：将光刻后的晶圆放置在-7℃的酸液中，其中酸液采用HNO3:HF:CH3COOH:H2SO4的体积比=9:9:12:4的混酸，通过控制酸液的腐蚀时间500 -700s来达到规格要求的槽深和槽宽，腐蚀后将晶圆表面的光刻胶通过硫酸和双氧水的混合溶液去除（硫酸和双氧水的比例为2:1），抽水10分钟放入甩干机甩干。
5）电泳法玻璃钝化：将晶圆片放置在电泳液（丙酮8L+玻璃粉30g-40g+硝酸1ml）中，开启电泳机，通过控制玻璃粉的重量以及电泳时间使玻璃粉均匀饱满地附着在沟槽内，电泳完的晶圆通过钝化炉高温熔融形成晶体玻璃；
具体地，将硅片平行置于夹具的正负极板间的沟槽内，夹具固定在电泳设备上，通过设备的上下提动放置在电泳溶液内，通电后电泳溶液中丙酮是作为悬浊介质，硝酸作为电解质，使玻璃粉离子带负电，在直流电场的作用下玻璃颗粒向正电极上硅片方向运动，沉淀在硅片上，晶圆表面因附着一层致密的LTO 氧化膜，阻挡玻璃粉在表面的沉淀，通过控制玻璃粉的重量以及电泳时间使玻璃粉匀均饱满的附着在沟槽内，电泳完的晶圆通过钝化高温熔融形成晶体玻璃，来达到保护PN结的目的。
6）金属化：在晶圆表面通过镀镍机电镀的方式在表面电镀一层镍金属，制得快恢复芯片。
对比例
本对比例采用现有常用的刮涂法制备快恢复芯片，其生产流程为：光刻、蚀刻、RCA清洗、刮涂、金属化。具体步骤如下：
1）光刻即在光刻机中进行，将表面匀好光刻胶的晶圆放置在设备操作盘上，利用和光刻版软接触的方式，进行曝光,然后晶圆片浸入显影液中进行显定影。
2）沟槽蚀刻即将光刻后的晶圆放置在-7℃的酸液中，其中酸液采用HNO3:HF:CH3COOH:H2SO4的体积比=9:9:12:4的混酸，通过控制酸液的腐蚀时间500 -700s来达到规格要求的槽深和槽宽，腐蚀后将晶圆表面的光刻胶通过硫酸和双氧水的混合溶液去除，冲水并甩干。
3）RCA1溶液清洗过程中采用标准RCA湿式化学清洗法1号液即水：双氧水：氨水的体积比= 5:1:1。
4）刮涂即将清洗好的晶圆通过人工涂抹的方式将配好的玻璃粉（无水乙醇：玻璃粉 1:1.5）匀均的涂抹在沟槽内，完成涂抹后将晶圆片放置在石英舟，然后通过玻璃钝化炉进行高温的熔融。
5）金属化是指在晶圆表面通过镀镍机电镀的方式在表面电镀一层镍金属，作为电路的内引线。
上述实施例和对比例所得产品的技术参数见下表。
备注：快恢复产品包括FR 产品及SF产品
FR （Fast Recovery Rectifier Diode): 快恢复二极管
SF (Super Fast Recovery Rectifier Diode）: 超快恢复二极管
VF: 最大正向压降
VR: 反向击穿电压
IR: 反向漏电流
TRR：反向恢复时间。
通过上述表中数据及批量生产表明，实施例采用电泳方法生产的产品与现有技术中现用工艺即对比例刮涂法生产的产品品质相当，技术参数与可靠性有明显优势。
Claims (10)
1.半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法，其特征在于，首先对晶圆进行清洗，保证其表面洁净，然后采用低温化学气相沉积法在晶圆表面形成一层氧化隔离膜，膜厚在＞6000埃；再依次经光刻、沟槽蚀刻、电泳法玻璃钝化、金属化制得快恢复芯片。
2.根据权利要求1所述的半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法，其特征在于，晶圆清洗过程中依次采用酸洗、RCA1溶液清洗、纯水来对晶圆进行清洗。
3.根据权利要求2所述的半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法，其特征在于，所述酸洗过程中酸液采用体积比为18:1:1的HNO3:HF:冰乙酸的混酸。
4.根据权利要求2所述所述的半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法，其特征在于，所述RCA1溶液清洗过程中采用标准RCA湿式化学清洗法1号液即水：双氧水：氨水的体积比= 5:1:1。
5.根据权利要求1所述所述的半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法，其特征在于，所述氧化隔离膜的形成是在LPCVD设备中完成的，通过LPCVD设备在上述清洗后得到的晶圆片上制备LTO薄膜，膜厚均匀性在10％以内。
6.根据权利要求5所述所述的半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法，其特征在于，LPCVD设备中，控制沉积的气体流量SIH4 110sccm、O2 150sccm，沉积压力SIH4 1.5-2.5bar O2/N2 2-6bar，沉积温度600℃。
7.根据权利要求1所述所述的半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法，其特征在于，所述光刻是在光刻机中进行，将表面匀好光刻胶的晶圆放置在设备操作盘上，利用和光刻版软接触的方式，进行曝光,然后晶圆片浸入显影液中进行显定影。
8.根据权利要求1所述所述的半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法，其特征在于，所述沟槽蚀刻即将光刻后的晶圆放置在-7℃的酸液中，其中酸液采用HNO3:HF:CH3COOH:H2SO4的体积比=9:9:12:4的混酸，通过控制酸液的腐蚀时间500-700s来达到规格要求的槽深和槽宽，腐蚀后将晶圆表面的光刻胶通过硫酸和双氧水的混合溶液去除，抽水并甩干。
9.根据权利要求1所述所述的半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法，其特征在于，所述电泳法玻璃钝化为：将晶圆片放置在电泳液中，开启电泳机，通过控制玻璃粉的重量以及电泳时间使玻璃粉均匀饱满地附着在沟槽内，电泳完的晶圆通过钝化炉高温熔融形成晶体玻璃。
10.根据权利要求1所述所述的半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法，其特征在于，所述金属化是指在晶圆表面通过镀镍机电镀的方式在表面电镀一层镍金属。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110986211.7A CN113611607A (zh) | 2021-08-26 | 2021-08-26 | 半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110986211.7A CN113611607A (zh) | 2021-08-26 | 2021-08-26 | 半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113611607A true CN113611607A (zh) | 2021-11-05 |
Family
ID=78342070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110986211.7A Pending CN113611607A (zh) | 2021-08-26 | 2021-08-26 | 半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113611607A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116959979A (zh) * | 2023-07-14 | 2023-10-27 | 常州银河电器有限公司 | 耐高温的gpp芯片的生产工艺 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5190792A (en) * | 1989-09-27 | 1993-03-02 | International Business Machines Corporation | High-throughput, low-temperature process for depositing oxides |
| US20020106898A1 (en) * | 2001-02-05 | 2002-08-08 | Ming-Sheng Tsai | Methods for removing silicon-oxy-nitride layer and wafer surface cleaning |
| CN111370537A (zh) * | 2020-03-24 | 2020-07-03 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种离子注入后的清洗方法 |
| CN111640788A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-09-08 | 上海瞬雷科技有限公司 | Gpp单向瞬间电压抑制二极管芯片及其生产方法 |
| CN113113324A (zh) * | 2021-04-07 | 2021-07-13 | 捷捷半导体有限公司 | 一种钝化层制作方法 |
-
2021
- 2021-08-26 CN CN202110986211.7A patent/CN113611607A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5190792A (en) * | 1989-09-27 | 1993-03-02 | International Business Machines Corporation | High-throughput, low-temperature process for depositing oxides |
| US20020106898A1 (en) * | 2001-02-05 | 2002-08-08 | Ming-Sheng Tsai | Methods for removing silicon-oxy-nitride layer and wafer surface cleaning |
| CN111370537A (zh) * | 2020-03-24 | 2020-07-03 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种离子注入后的清洗方法 |
| CN111640788A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-09-08 | 上海瞬雷科技有限公司 | Gpp单向瞬间电压抑制二极管芯片及其生产方法 |
| CN113113324A (zh) * | 2021-04-07 | 2021-07-13 | 捷捷半导体有限公司 | 一种钝化层制作方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116959979A (zh) * | 2023-07-14 | 2023-10-27 | 常州银河电器有限公司 | 耐高温的gpp芯片的生产工艺 |
| CN116959979B (zh) * | 2023-07-14 | 2024-02-23 | 常州银河电器有限公司 | 耐高温的gpp芯片的生产工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2619414A (en) | Surface treatment of germanium circuit elements | |
| CN107170671A (zh) | 一种基于离子注入的GaN功率器件及其制造方法 | |
| US9824891B1 (en) | Method of manufacturing the thin film | |
| CN108172573B (zh) | 适用于35GHz交流频率下工作的GaN整流器及其制备方法 | |
| CN113793801B (zh) | 一种磷化铟衬底晶片的清洗方法 | |
| JP2013502736A (ja) | シリコン基板表面の洗浄方法 | |
| CN113611607A (zh) | 半导体分立器件快恢复芯片的电泳工艺制造方法 | |
| CN105070663B (zh) | 一种碳化硅mosfet沟道自对准工艺实现方法 | |
| CN107393822A (zh) | 一种具有瞬态电压抑制和整流功能的玻璃钝化续流二极管的制造方法 | |
| CN110335919B (zh) | 一种改善激光磷硅玻璃掺杂电池表面激光损伤的方法 | |
| CN110660649B (zh) | 一种8英寸vdmos功率管用硅外延片的制造方法 | |
| CN107301949A (zh) | 一种采用钨电极制造高可靠瞬态电压抑制二极管的制造方法 | |
| CN111403280A (zh) | 一种碳化硅mos电容器件及其制作方法 | |
| CN104616986B (zh) | 一种快恢复二极管的制备方法 | |
| CN109103095B (zh) | 一种二极管及其制备方法 | |
| CN113871488A (zh) | 一种复合结构的垂直氧化镓异质结二极管及其制作方法 | |
| CN108573857B (zh) | 高可靠性gpp芯片制备方法 | |
| CN101556967A (zh) | 功率半导体器件及其制造方法 | |
| CN111725330A (zh) | 一种碳化硅mos电容栅氧化层的制备方法 | |
| CN110993486B (zh) | 提高栅氧化层质量的制备工艺 | |
| CN103489759A (zh) | SiC衬底同质网状生长Web Growth外延方法 | |
| CN109004054B (zh) | 一种硫化钼薄膜异质结太阳能电池及其制造方法 | |
| CN106711237B (zh) | 一种高压功率型肖特基二极管的制作方法 | |
| CN105047551A (zh) | 一种镍化硅合金的制备方法 | |
| CN113299641B (zh) | 能够改进ESD保护回路回冲特性的SiC MOS器件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |