CN103043628A - 超声波微波协同作用下溶剂热合成闪锌矿结构CZTSSe半导体材料的方法 - Google Patents

超声波微波协同作用下溶剂热合成闪锌矿结构CZTSSe半导体材料的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103043628A
CN103043628A CN2012105040379A CN201210504037A CN103043628A CN 103043628 A CN103043628 A CN 103043628A CN 2012105040379 A CN2012105040379 A CN 2012105040379A CN 201210504037 A CN201210504037 A CN 201210504037A CN 103043628 A CN103043628 A CN 103043628A
Authority
CN
China
Prior art keywords
reaction
ultrasonic
microwave
solvent
semiconductor material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012105040379A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103043628B (zh
Inventor
龙飞
池上森
莫淑一
郑国源
邹正光
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guilin University of Technology
Original Assignee
Guilin University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guilin University of Technology filed Critical Guilin University of Technology
Priority to CN201210504037.9A priority Critical patent/CN103043628B/zh
Publication of CN103043628A publication Critical patent/CN103043628A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103043628B publication Critical patent/CN103043628B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

本发明公开了一种超声波/微波协同作用下溶剂热合成立方闪锌矿结构Cu2ZnSn(S,Se)4半导体材料的方法。将反应原料溶于溶剂后置于超声波微波组合反应系统内，在超声场中通过微波加热完成溶剂热反应合成，反应过程中控制反应体系的反应温度，反应时间，超声功率以及超声时间进而达到合成目标产物—立方闪锌矿结构Cu2ZnSn(S,Se)4半导体材料之目的。产物的化学元素组成可以通过反应原料的摩尔配比进行精确控制，产物的形貌和结晶形态可通过反应过程各参数进行调控。本发明降低了对合成条件的要求，并且可以更灵活控制整个合成过程从而形成特定的结构，且本发明还具有反应装置简单、反应速度快速、反应过程可控性和可干预性强等特点。

Description

超声波微波协同作用下溶剂热合成闪锌矿结构CZTSSe半导体材料的方法
技术领域
本发明涉及一种超声波/微波协同作用下溶剂热合成立方闪锌矿结构Cu2ZnSn(S,Se)4（包括Cu2ZnSnS4和Cu2ZnSnSe4两个端元）半导体材料的方法，所合成的半导体材料应用于太阳电池吸收层制备，光电传感器等技术领域。 
背景技术
通常情况下，立方闪锌矿结构Cu2ZnSn(S,Se)4溶剂热合成需要高温高压密闭环境下长时间保温才能进行，这些传统合成方法灵活性差，反应的时间较长，不能够对反应中间过程进行干预。本发明利用微波辐射加热均匀一致的特点以及超声波在液体中的超声活化效应，降低合成温度，加快反应速度，达到在常压下快速合成目标产物的目的。 
发明内容
本发明的目的是以水、乙二醇、丙三醇、乙二胺和水合联氨中的一种或多种为溶剂，以铜盐、锌盐、锡盐和硫源(硒源)为原料，在常压下利用超声波和微波协同作用通过溶剂热方法快速合成立方闪锌矿结构Cu2ZnSn(S,Se)4半导体材料。 
具体步骤为： 
(1)按摩尔比Cu:Zn:Sn:S:Se=2:1:1:0~5:0~5，且S+Se的摩尔比=4~5称取铜盐、锌盐和锡盐溶于溶剂制得溶液A，称取硫源和硒源溶于或分散于溶剂制得溶液B，上述A、B两溶液混合均匀后加入三口瓶中，所述三口瓶置于超声波/微波组合反应系统中，且三口瓶的两边分别插入冷凝管和温度计、中间插入超声探头。 
(2)将步骤(1)中所述的超声波/微波组合反应系统设置参数如下：微波加热功率设置为50~1000瓦，超声波功率设置为10~80％，反应温度设置为100~250 ℃，超声时间设置为1~10秒，超声间隙时间设置为1~10秒。 
(3)开启步骤(2)设置的反应系统开始反应，待温度上升至设置温度后保温反应0.5~3小时，结束反应后待系统自然冷却，所得反应液经去离子水和无水乙醇分别离心洗涤3~4次，所得产物放入真空干燥箱内70~90℃下真空干燥7~9小时即制得立方闪锌矿结构Cu2ZnSn(S,Se)4半导体材料。 
所述铜盐为乙酸铜、二水氯化铜、硫酸铜和其它铜盐中的一种，所述锌盐 为乙酸锌、氯化锌、硫酸锌和其它锌盐中的一种，所述锡盐为二水合氯化亚锡、结晶四氯化锡和其它锡盐中的一种。 
所述硫源为硫脲、硫粉或硫代乙酰胺。 
所述硒源为亚硒酸或硒粉。 
所述溶剂为水、乙二醇、丙三醇、乙二胺和水合联氨中的一种或多种，当为多种时，所使用溶剂可以以任意体积比混合。 
本发明通过控制溶剂热合成过程中超声和微波的协同作用实现反应物的结构和组成控制，利用微波加热获得的均匀热场提供反应所需的基础热力学条件；利用超声作用控制形核和生长，形核阶段，利用超声作用在均匀液体中的空化作用快速、大量形核；晶体生长阶段，利用超声波在晶核与反应溶液两相界面上的聚焦效应快速、均匀、可控的长大。 
本发明通过控制反应温度，反应时间，微波功率，超声功率，超声发生时间以及超声间隙时间控制反应的进行速度和程度。 
与常见的溶剂热合成纳米粉工艺相比，超声波/微波辅助常压溶剂热合成立方闪锌矿结构Cu2ZnSn(S,Se)4半导体材料大大降低了对合成条件的要求，并且可以更灵活控制整个反应合成过程从而形成特定的结构，本发明所采用的超声波/微波协同作用具有显著的反应活化能力，可使合成反应在常规溶剂热难于发生的条件下迅速反应；同时具有反应装置简单，反应速度快，反应过程可控性和可干预性强等特点。 
附图说明:
图1为本发明制备工艺流程图。 
图2为本发明实施例1以丙三醇为溶剂超声波/微波协同作用下常压溶剂热合成立方闪锌矿结构Cu2ZnSnS4半导体材料的XRD衍射图。 
图3为本发明实施例1以丙三醇为溶剂超声波/微波协同作用下常压溶剂热合成立方闪锌矿结构Cu2ZnSnS4半导体材料的SEM形貌图。 
图4为本发明实施例2以乙二醇和水合联氨为复合溶剂超声波/微波协同作用下常压溶剂热合成Cu2ZnSnSe4半导材料的XRD衍射图。 
图5为本发明实施例2以乙二醇和水合联氨为复合溶剂超声波/微波协同作用下常压溶剂热合成Cu2ZnSnSe4半导材料的SEM形貌图。 
图6为本发明实施例3以丙三醇和水合联氨为复合溶剂超声波/微波协同作用下常压溶剂热合成Cu2ZnSn(S,Se)4半导材料的XRD衍射图。 
图7为本发明实施例3以丙三醇和水合联氨为复合溶剂超声波/微波协同作用下常压溶剂热合成Cu2ZnSn(S,Se)4半导材料的SEM形貌图。 
具体实施方式:
实施例1 
(1)称取0.2991克乙酸铜(Cu(CH3COO)2·H2O)、0.2744克乙酸锌(Zn (CH3COO)2·2H2O)和0.2821克二水合氯化亚锡(SnCl2·2H2O)溶于35毫升丙三醇，称取0.18033克硫粉(S)溶于15毫升丙三醇，所制得溶液混合均匀后加入三口瓶中，所述三口瓶置于超声波/微波组合反应系统中，且三口瓶的两边分别插入冷凝管和温度计、中间插入超声探头。 
(2)将步骤(1)中所述的超声波/微波组合反应系统设置参数如下：第1阶段210℃，10分钟，最大微波功率500瓦；第2阶段210℃，40分钟，最大微波功率400瓦；超声功率20％，超声时间2秒，间隙时间10秒。 
(3)按照步骤(2)设置的反应系统反应，待结束反应后系统自然冷却，所得反应液经去离子水和无水乙醇分别离心洗涤4次，所得产物放入真空干燥箱内80℃下真空干燥8小时即制得Cu2ZnSnS4半导体材料。 
所得Cu2ZnSnS4经XRD分析如附图2所示，为立方闪锌矿结构Cu2ZnSnS4；扫描电镜分析如附图3所示，粉体由不规则圆颗粒组成，颗粒的直径大约为100纳米左右。 
实施例2 
(1)称取0.4188克乙酸铜(Cu(CH3COO)2·H2O)、0.3841克乙酸锌(Zn (CH3COO)2·2H2O)和0.3949克二水合氯化亚锡(SnCl2·2H2O)溶于45毫升乙二醇，称取0.4063克亚硒酸(H2SeO3)溶于10毫升乙二醇和5毫升水合联氨的混合溶剂中，所制得溶液混合均匀后加入三口瓶中，所述三口瓶置于超声波/微波组合反应系统中，且三口瓶的两边分别插入冷凝管和温度计、中间插入超声探头。 
(2)将步骤(1)中所述的超声波/微波组合反应系统设置参数如下：第1阶段150℃，10分钟，最大微波功率600瓦；第2阶段150℃，20分钟，最大微波功率400瓦；超声功率30％，超声时间5秒，间隙时间10秒。 
(3) 按照步骤(2)设置的反应系统反应，待结束反应后系统自然冷却，所得反应液经去离子水和无水乙醇分别离心洗涤4次，所得产物放入真空干燥箱内80℃下真空干燥8小时即制得Cu2ZnSnSe4半导体材料。 
所得Cu2ZnSnSe4半导体材料经XRD分析如附图4所示，为立方闪锌矿结 构Cu2ZnSnSe4；扫描电镜分析如附图5所示，粉体主要由不规则圆颗粒组成，颗粒的直径大约为100-300纳米。 
实施例3 
(1) 称取0.4188克乙酸铜(Cu(CH3COO)2·H2O)、0.3841克乙酸锌(Zn (CH3COO)2·2H2O)和0.3949克二水合氯化亚锡(SnCl2·2H2O)溶于45毫升丙三醇，称取0.2664克硫粉(S)和0.2257克亚硒酸(H2SeO3)溶于20毫升丙三醇和5毫升水合联氨的混合溶剂中，所制得溶液混合均匀后加入三口瓶中，所述三口瓶置于超声波/微波组合反应系统中，且三口瓶的两边分别插入冷凝管和温度计、中间插入超声探头。 
(2)将步骤(1)中所述的超声波/微波组合反应系统设置参数如下：第1阶段210℃，10分钟，最大微波功率1000瓦；第2阶段210℃，80分钟，最大微波功率500瓦；超声功率20％，超声时间2秒，间隙时间10秒。 
(3) 按照步骤(2)设置的反应系统反应，待结束反应后系统自然冷却，所得反应液经去离子水和无水乙醇分别离心洗涤4次，所得产物放入真空干燥箱内80℃下真空干燥8小时即制得Cu2ZnSn(S,Se)4半导体材料。 
所得Cu2ZnSn(S,Se)4半导体材料经XRD分析如附图6所示，为立方闪锌矿结构Cu2ZnSn(S,Se)4；扫描电镜分析如附图7所示，粉体产物主要由不规则圆颗粒组成，颗粒的直径大约为100~600纳米。 
实施例4 
(1)称取0.2046克二水氯化铜(CuCl2·2H2O)、0.1636克氯化锌(ZnCl2)和0.4207克结晶四氯化锡(SnCl4·5H2O)溶于35毫升丙三醇，称取0.18033克硫粉(S)溶于15毫升丙三醇，所制得溶液混合均匀后加入三口瓶中，所述三口瓶置于超声波/微波组合反应系统中，且三口瓶的两边分别插入冷凝管和温度计、中间插入超声探头。 
(2)将步骤(1)中所述的超声波/微波组合反应系统设置参数如下：第1阶段210℃，10分钟，最大微波功率500瓦；第2阶段210℃，40分钟，最大微波功率400瓦；超声功率20％，超声时间2秒，间隙时间10秒。 
(3)按照步骤(2)设置的反应系统反应，待结束反应后系统自然冷却，所得反应液经去离子水和无水乙醇分别离心洗涤4次，所得产物放入真空干燥箱内80℃下真空干燥8小时即制得Cu2ZnSnS4半导体材料。 
实施例5 
(1)称取0.1915克硫酸铜(CuSO4)、0.1939克硫酸锌(ZnSO4)和0.4207克结晶四氯化锡(SnCl4·5H2O)溶于35毫升丙三醇，称取0.18033克硫粉(S)溶于15毫升丙三醇，所制得溶液混合均匀后加入三口瓶中，所述三口瓶置于超声波/微波组合反应系统中，且三口瓶的两边分别插入冷凝管和温度计、中间插入超声探头。 
(2)将步骤(1)中所述的超声波/微波组合反应系统设置参数如下：第1阶段210℃，10分钟，最大微波功率500瓦；第2阶段210℃，40分钟，最大微波功率400瓦；超声功率20％，超声时间2秒，间隙时间10秒。 
(3)按照步骤(2)设置的反应系统反应，待结束反应后系统自然冷却，所得反应液经去离子水和无水乙醇分别离心洗涤4次，所得产物放入真空干燥箱内80℃下真空干燥8小时即制得Cu2ZnSnS4半导体材料。 
实施例6 
(1)称取0.5967克二水氯化铜(CuCl2·2H2O)、0.2384克氯化锌(ZnCl2)和0.6136克结晶四氯化锡(SnCl4·5H2O)溶于45毫升乙二醇，称取0.2489克硒粉溶于10毫升乙二醇和5毫升水合联氨的混合溶剂中，所制得溶液混合均匀后加入三口瓶中，所述三口瓶置于超声波/微波组合反应系统中，且三口瓶的两边分别插入冷凝管和温度计、中间插入超声探头。 
(2)将步骤(1)中所述的超声波/微波组合反应系统设置参数如下：第1阶段150℃，10分钟，最大微波功率600瓦；第2阶段150℃，20分钟，最大微波功率400瓦；超声功率30％，超声时间5秒，间隙时间10秒。 
(3) 按照步骤(2)设置的反应系统反应，待结束反应后系统自然冷却，所得反应液经去离子水和无水乙醇分别离心洗涤4次，所得产物放入真空干燥箱内80℃下真空干燥8小时即制得Cu2ZnSnSe4半导体材料。 
实施例7 
(1)称取0.5587克硫酸铜(CuSO4)、0.2828克硫酸锌(ZnSO4)和0.3949克二水合氯化亚锡(SnCl2·2H2O)溶于45毫升乙二醇，称取0.4063克亚硒酸(H2SeO3)溶于10毫升乙二醇和5毫升水合联氨的混合溶剂中，所制得溶液混合均匀后加入三口瓶中，所述三口瓶置于超声波/微波组合反应系统中，且三口瓶的两边分别插入冷凝管和温度计、中间插入超声探头。 
(2)将步骤(1)中所述的超声波/微波组合反应系统设置参数如下：第1阶段150℃，10分钟，最大微波功率600瓦；第2阶段150℃，20分钟，最大微波功率400瓦；超声功率30％，超声时间5秒，间隙时间10秒。 
(3) 按照步骤(2)设置的反应系统反应，待结束反应后系统自然冷却，所得反应液经去离子水和无水乙醇分别离心洗涤4次，所得产物放入真空干燥箱内80℃下真空干燥8小时即制得Cu2ZnSnSe4半导体材料。 
实施例8 
(1) 称取0.5967克二水氯化铜(CuCl2·2H2O)、0.2384克氯化锌(ZnCl2)和0.6136克结晶四氯化锡(SnCl4·5H2O)溶于45毫升丙三醇，称取0.6243克硫代乙酰胺和0.2257克亚硒酸(H2SeO3)溶于20毫升丙三醇和5毫升水合联氨的混合溶剂中，所制得溶液混合均匀后加入三口瓶中，所述三口瓶置于超声波/微波组合反应系统中，且三口瓶的两边分别插入冷凝管和温度计、中间插入超声探头。 
(2)将步骤(1)中所述的超声波/微波组合反应系统设置参数如下：第1阶段210℃，10分钟，最大微波功率1000瓦；第2阶段210℃，80分钟，最大微波功率500瓦；超声功率20％，超声时间2秒，间隙时间10秒。 
(3) 按照步骤(2)设置的反应系统反应，待结束反应后系统自然冷却，所得反应液经去离子水和无水乙醇分别离心洗涤4次，所得产物放入真空干燥箱内80℃下真空干燥8小时即制得Cu2ZnSn(S,Se)4半导体材料。 
实施例9 
(1) 称取0.5587克硫酸铜(CuSO4)、0.2828克硫酸锌(ZnSO4)和0.3949克二水合氯化亚锡(SnCl2·2H2O)溶于45毫升丙三醇，称取0.2664克硫粉(S)和0.2257克亚硒酸(H2SeO3)溶于20毫升丙三醇和5毫升水合联氨的混合溶剂中，所制得溶液混合均匀后加入三口瓶中，所述三口瓶置于超声波/微波组合反应系统中，且三口瓶的两边分别插入冷凝管和温度计、中间插入超声探头。 
(2)将步骤(1)中所述的超声波/微波组合反应系统设置参数如下：第1阶段210℃，10分钟，最大微波功率1000瓦；第2阶段210℃，80分钟，最大微波功率500瓦；超声功率20％，超声时间2秒，间隙时间10秒。 
(3) 按照步骤(2)设置的反应系统反应，待结束反应后系统自然冷却，所得反应液经去离子水和无水乙醇分别离心洗涤4次，所得产物放入真空干燥箱内80℃下真空干燥8小时即制得Cu2ZnSn(S,Se)4半导体材料。 

Claims (3)

1.一种超声波/微波协同作用下溶剂热合成立方闪锌矿结构Cu2ZnSn(S,Se)4半导体材料的方法，其特征在于具体步骤为：
(1) 按摩尔比Cu:Zn:Sn:S:Se=2:1:1:0~5:0~5，且S+Se的摩尔比=4~5称取铜盐、锌盐、锡盐溶于溶剂制得溶液A，称取硫源和硒源溶于或分散于溶剂制得溶液B，上述A、B两溶液混合均匀后加入三口瓶中，所述三口瓶置于超声波/微波组合反应系统中，且三口瓶的两边分别插入冷凝管和温度计、中间插入超声探头；
(2)将步骤(1)中所述的超声波/微波组合反应系统设置参数如下：微波加热功率设置为50~1000瓦，超声波功率设置为10~80％，反应温度设置为100~250 ℃，超声时间设置为1~10秒，超声间隙时间设置为1~10秒；
(3)开启步骤(2)设置的反应系统开始反应，待温度上升至设置温度后保温反应0.5~3小时，结束反应后待系统自然冷却，所得反应液经去离子水和无水乙醇分别离心洗涤3~4次，所得产物放入真空干燥箱内70~90℃下真空干燥7~9小时即制得立方闪锌矿结构Cu2ZnSn(S,Se)4半导体材料；
所述铜盐为乙酸铜、二水氯化铜、硫酸铜和其它铜盐中的一种，所述锌盐为乙酸锌、氯化锌、硫酸锌和其它锌盐中的一种，所述锡盐为二水合氯化亚锡、结晶四氯化锡和其它锡盐中的一种；
所述硫源为硫脲、硫粉或硫代乙酰胺；
所述硒源为亚硒酸或硒粉；
所述溶剂为水、乙二醇、丙三醇、乙二胺和水合联氨中的一种或多种，当为多种时，所使用溶剂可以以任意体积比混合。
2.根据权利要求1所述的合成方法，其特征在于：通过控制溶剂热合成过程中超声和微波的协同作用实现反应物的结构和组成控制，利用微波加热获得的均匀热场提供反应所需的基础热力学条件，并利用超声作用控制形核和生长，形核阶段，利用超声作用在均匀液体中的空化作用快速、大量形核；晶体生长阶段，利用超声波在晶核与反应溶液两相界面上的聚焦效应快速、均匀、可控的长大。
3.根据权利要求1或2所述的合成方法，其特征在于：通过控制反应温度、反应时间、微波功率、超声功率、超声发生时间以及超声间隙时间来控制反应的进行速度和程度。
CN201210504037.9A 2012-12-02 2012-12-02 超声波微波协同作用下溶剂热合成闪锌矿结构CZTSSe半导体材料的方法 Expired - Fee Related CN103043628B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210504037.9A CN103043628B (zh) 2012-12-02 2012-12-02 超声波微波协同作用下溶剂热合成闪锌矿结构CZTSSe半导体材料的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210504037.9A CN103043628B (zh) 2012-12-02 2012-12-02 超声波微波协同作用下溶剂热合成闪锌矿结构CZTSSe半导体材料的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103043628A true CN103043628A (zh) 2013-04-17
CN103043628B CN103043628B (zh) 2014-10-29

Family

ID=48056521

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210504037.9A Expired - Fee Related CN103043628B (zh) 2012-12-02 2012-12-02 超声波微波协同作用下溶剂热合成闪锌矿结构CZTSSe半导体材料的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103043628B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014198497A1 (en) * 2013-06-11 2014-12-18 Imec Vzw Method for dissolving chalcogen elements and metal chalcogenides in non-hazardous solvents
CN105470113A (zh) * 2015-11-20 2016-04-06 中国电子科技集团公司第十八研究所 一种CZTSSe薄膜太阳电池吸收层的制备方法
CN107681009A (zh) * 2017-08-25 2018-02-09 广东工业大学 一种铜锌锡硫硒半导体薄膜的制备方法及其应用

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102557117A (zh) * 2012-03-08 2012-07-11 桂林理工大学 微波溶剂热合成Cu2ZnSnS4半导体材料的方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102557117A (zh) * 2012-03-08 2012-07-11 桂林理工大学 微波溶剂热合成Cu2ZnSnS4半导体材料的方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BRENDAN FLYNN,ET.AL.: "Microwave assisted synthesis of Cu2ZnSnS4 colloidal nanoparticle inks", 《PHYSICA STATUS SOLIDI (A)》, vol. 209, no. 11, 6 August 2012 (2012-08-06), pages 2186 - 2194 *
SEUNG WOOK SHIN,ET.AL.: "Quaternary Cu2ZnSnS4 nanocrystals: Facile and low cost synthesis by microwave-assisted solution method", 《JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS》, vol. 516, 6 December 2011 (2011-12-06), pages 96 - 101 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014198497A1 (en) * 2013-06-11 2014-12-18 Imec Vzw Method for dissolving chalcogen elements and metal chalcogenides in non-hazardous solvents
US9842733B2 (en) 2013-06-11 2017-12-12 Imec Vzw Method for dissolving chalcogen elements and metal chalcogenides in non-hazardous solvents
CN105470113A (zh) * 2015-11-20 2016-04-06 中国电子科技集团公司第十八研究所 一种CZTSSe薄膜太阳电池吸收层的制备方法
CN105470113B (zh) * 2015-11-20 2018-07-10 中国电子科技集团公司第十八研究所 一种CZTSSe薄膜太阳电池吸收层的制备方法
CN107681009A (zh) * 2017-08-25 2018-02-09 广东工业大学 一种铜锌锡硫硒半导体薄膜的制备方法及其应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN103043628B (zh) 2014-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103011261B (zh) 超声波微波协同作用下溶剂热合成纤锌矿结构CZTS(Se)半导体材料的方法
CN102923760B (zh) 超声波/微波协同作用下常压溶剂热合成立方结构和六方结构纳米ZnS半导体材料的方法
CN108502918B (zh) 一种无机钙钛矿纳米线的合成方法
CN102060273A (zh) 常压开放体系溶剂热合成ⅰ-ⅲ-ⅵ族半导体材料的方法
CN102557117A (zh) 微波溶剂热合成Cu2ZnSnS4半导体材料的方法
CN103043628B (zh) 超声波微波协同作用下溶剂热合成闪锌矿结构CZTSSe半导体材料的方法
CN103864137B (zh) 花状氧化锌纳米材料及其制备方法
CN102079541B (zh) 一种低温下制备掺杂型六方晶系纳米ZnS的方法
Wang et al. Effects of sulfur sources on properties of Cu 2 ZnSnS 4 nanoparticles
CN102234130B (zh) 一种简易的制备氧化铟纳米立方体的方法
CN101857265B (zh) 金属硫化物纳米晶的制备方法
CN106379931A (zh) 一种快速制备铜锌锡硫纳米颗粒的方法
KR101509332B1 (ko) 입자 크기 및 조성을 제어할 수 있는 구리 셀레나이드의 제조방법
CN106564928A (zh) 一种Mg掺杂ZnO纳米棒的CBD制备法
CN102249199A (zh) 微波-辅助溶剂热合成ⅰ-ⅲ-ⅵ族半导体材料纳米粉的方法
CN103466688B (zh) 一种制备ZnS纳米片的方法
Shen et al. Shape-controllable synthesis of ultrafine ZnO powders of different morphologies
CN101844798B (zh) 一种高分散尺寸可控的纳米羟基锡酸锌阵列的制备方法
CN106517314A (zh) 一种铜锌锡硫微粒的制备方法
Zhao et al. A simple way to prepare nickel selenide from NiSe2 to Ni1-xSe and their formation mechanism
CN104445366B (zh) 一种微波萃取合成纺锤花状结构ZnO纳米材料的方法
CN102358950A (zh) 一种钨酸镉单晶纳米带的制备方法
CN102585588B (zh) 铜锌锡硫墨水的制备方法
KR101465324B1 (ko) 초음파를 이용한 구리-갈륨 2원계 나노입자의 제조방법 및 이를 이용한 구리-인듐-갈륨 3원계 나노입자의 제조방법
CN103055774A (zh) 常压溶剂热合成ZnS/SnS/CuA核壳结构复合粉体的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20141029

Termination date: 20211202

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee