CN103031535A

CN103031535A - 薄膜工艺设备及其制作方法

Info

Publication number: CN103031535A
Application number: CN2011103039029A
Authority: CN
Inventors: 萧盈诗; 吉村俊秋
Original assignee: HEXIN ENERGY INDUSTRIAL Co Ltd
Current assignee: HEXIN ENERGY INDUSTRIAL Co Ltd
Priority date: 2011-09-28
Filing date: 2011-09-28
Publication date: 2013-04-10
Anticipated expiration: 2031-09-28
Also published as: CN103031535B

Abstract

本发明是有关于一种薄膜工艺设备及一种薄膜制作方法，包括：一个反应室、一个供气机构及一个输送机构，本发明的技术特征在于：提供一种可以上下或左右移动的供气结构及可上下移动的载盘，由此可调整供气结构与基板的距离，配合具有循环泵热源的加热机构，使得生成薄膜效果更佳。

Description

薄膜工艺设备及其制作方法

技术领域

本发明是有关于一种薄膜工艺设备及薄膜制作方法，特别是有关于一种薄膜工艺设备中的供气结构，通过此供气结构的设计，可使薄膜工艺设备中的反应气体均匀混合并且加速完成反应。

背景技术

随着半导体工艺技术的演进，已有越来越多的产品需要使用薄膜工艺设备，在基板上成长一层薄膜。然而，目前主要用来成长薄膜的方法有几种，包括蒸镀法(spattering)、层积法(depositing)及有机金属化学气相沉积技术(MOCVD)等。特别是在太阳能光电相关产业中，大都使用有机金属化学气相沉积技术来成长薄膜，这是因为有机金属化学气相沉积技术(MOCVD)具有如下的优点：

(1)用于生长化合物半导体材料的各成分和掺杂剂都是以气态方式通入反应室，而有机金属化学气相沉积技术可以通过精确控制气态源的流量和通断时间来控制生成薄膜的成分、掺杂浓度、厚度等，适于生长薄层和超薄层材料。

(2)由于生长化合物半导体材料时，需要控制反应室中各种气体的反应时间，而有机金属化学气相沉积技术可以在反应室中改变化合物成分和掺杂浓度，适于进行异质结构和超晶格、量子阱的生长。

(3)由于薄膜生长是以热解化学反应的方式进行的，而有机金属化学气相沉积技术可以通过控制反应源气流和温度分布来达到薄膜生长的均匀性，因此，有机金属化学气相沉积技术适于多片和大片的生长薄膜，便于工业化大批量生产。

(4)由于有机金属化学气相沉积技术，因为没有等离子体(plasma)反应，反应炉体对真空度的规格要求较低，反应室的结构较简单，故可以降低设备的成本。

由于有机金属化学气相沉积技术具有上述优点，使得有机金属化学气相沉积技术相关技术及设备发展越益蓬勃。然而，有机金属化学气相沉积技术的主要方法是将有机金属气体于气态下与别的气体混合并反应，由于各种不同的气体是由不同的供气口提供，使得各种不同的气体经由不同的供气口将各种气体送至反应室中进行反应，因此在反应室的设计上，需要考虑供气结构上供气口的设计、供气口相较于基板(substrate)的相对距离及与加热温度间互相的配合，这三大因素对于有机金属化学气相沉积技术的最后形成薄膜的性质优劣，具有决定性影响。

请参考图1a为一种现有技术的薄膜工艺设备的示意图，而图1b则为一种供气结构上供气口的传统设计示意图；由图1a中可看出薄膜工艺设备的反应室200中的气体224及223是由供气结构221上的不同供气口提供并喷至反应室200中；而一般的在供气结构221上的供气口设计为正交或交错排列，如图1b所示。然而，这种正交或交错排列的供气方式，大都无法有效将不同气体混合均匀；现举一例说明：若以交错排列方式将二乙基锌(DEZn_(g))气体与水(H₂O_(g))气体在反应室中进行反应时，则会在反应室中于两种气体混合时才会生成氧化锌(ZnO)及乙炔(C₂H₆)；很明显地，由于供气口的设计因素，造成两气体的气流混合的区域不大，如图1c中的影线所示；使得气体在反应室中无法达到最佳的混合及反应结果，且产生的乙炔气由于具可燃性，为待清除废气，为清除乙炔气也增加气体均匀性控制的困难度。因此，在现有的薄膜工艺设备中的供气结构是可以有改善的空间。

发明内容

为了解决上述问题，本发明的一主要目的是于薄膜工艺设备中，设计一种新的供气结构，使得不同气体出气后，能混合更均匀，以利于增加气体混合暨反应效果，使得生成薄膜膜质及均匀性更佳。

本发明的另一主要目的是于薄膜工艺设备中，设计一种可以上下或左右移动的供气结构及可上下移动的载盘，由此可调整供气结构与基板(substrate)的距离，进一步控制薄膜生成状况，使得生成薄膜效果更佳。

本发明的再一主要目的是针对每一薄膜工艺设备，提供一可上下移动的加热机构，针对载盘进行加热与保温，同时可保温位于其上的基板(substrate)，使反应得以顺利进行。

本发明还有另一主要目的是提供一种新式供气结构，于喷气过程中，可同时移除废气，节省清除废气所需成本。

本发明的还有另一主要目的是提供一薄膜工艺设备，其中包含一传感器，使得于生成薄膜过程中，得以实时监测成膜进度，以利于有效控制，使得生成薄膜效果更佳。

本发明的再一主要目的在于提供一薄膜制作方法，经由本薄膜制作方法，可使得最后成膜效果更佳，且简化流程，更有利于使用者方便使用。

为达上述目的，本发明提供一种薄膜工艺设备，包括：用以承载一个基板的一载盘；一个反应室，为一密闭空间并具有一顶部及相对该顶部的一底部；一个供气机构，是配置于反应室内的顶部，具有一对相互隔离的供气口，可通过相互隔离的供气口向下喷出不同的气体；及一输送机构，是配置于反应室内的底部，供输送载盘及基板至反应室中；其中此薄膜工艺设备的特征在于：供气机构的为一同心圆结构的供气口。

本发明接着提供一种薄膜工艺设备，包括：用以承载一个基板的一载盘；一个反应室，是为一密闭空间且具有一顶部及相对该顶部的一底部；一个供气机构，是配置于反应室内的顶部，此供气机构是由多个具有同心圆结构的供气口所组成，每一同心圆结构的供气口的同心圆结构间是相互隔离，可通过每一同心圆结构的供气口向下喷出气体，同心圆内环及外环则各喷出不同气体；及一个输送机构，是配置于反应室内的底部，供输送载盘及基板至反应室中。

本发明接着再提供一种薄膜工艺系统，包括：用以承载一个基板的一载盘；一个第一反应室，此第一反应室配置一加温设备；一个第二反应室，经由一阀门与第一反应室隔离，此第二反应室具有一个顶部及相对顶部的底部；一个第三反应室，经由另一阀门与第二反应室隔离，用以提供一降温环境；一个输送机构，是配置于第一反应室、第二反应室及第三反应室内，用以输送载盘及基板通过每一至该反应室；其中薄膜工艺系统的特征在于：一供气机构，是配置于第二反应室内的顶部，而供气机构是由多个具有同心圆结构的供气口所组成，每一同心圆结构的供气口的同心圆结构间是相互隔离，可通过每一同心圆结构的供气口向下喷出气体，同心圆内环及外环则各喷出不同气体。

本发明接着再提供一种用以沉积一薄膜于基板上的薄膜制作方法，包括：提供一载盘，用以承载一个基板；提供一反应室，是为一密闭空间，具有一顶部及相对顶部的一底部；提供一供气机构，是配置于反应室内的顶部，供气机构具有至少一对相互隔离的同心圆结构供气口，可通过每一同心圆结构的供气口向下喷出气体，同心圆内环及外环则各喷出不同气体；提供一输送机构，是配置于反应室内的底部，供输送载盘及基板至反应室中，以使基板与对相互隔离的同心圆结构供气口分别向下所喷出的不同的气体进行反应。

经由本发明所提供的薄膜工艺设备及薄膜制作方法，其通过薄膜工艺设备的供气机构的为一同心圆结构的供气口的结构设计，可有效将反应气体混合均匀，且可控制供气口与基板间距，及基板温度，进一步可控制薄膜生成情形及其生成效率，使薄膜生成效果更佳，以利于使用者生成各式薄膜使用。

附图说明

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所附附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制，其中：

图1a为现有技术示意图。

图1b为现有技术的供气结构的供气口示意图。

图第1c为现有技术的供气结构的供气口的气流混合状态示意图。

图2a为本发明的薄膜工艺设备的供气机构的供气口剖面图。

图2b为本发明的薄膜工艺设备的供气机构的供气口下视图。

图2c为本发明的薄膜工艺设备的由多个供气口所形成的供气机构剖面图。

图3为本发明的供气机构的供气口的气流混合状态示意图。

图4a为本发明的载板设计的一实施例示意图。

图4b为本发明的载板设计的另一实施例示意图。

图4c为本发明的载板设计的另一实施例示意图。

图5a为本发明的薄膜工艺设备的一实施例示意图。

图5b为本发明的薄膜工艺设备的另一实施例示意图。

图6a为本发明的供气机构的移动方式示意图。

图6b为本发明的供气机构的另一移动方式示意图。

图7a为本发明的加热机构的载台示意图。

图7b为本发明的加热机构的载台上视图。

图8a为本发明的加热机构的载台的垂直剖面的一实施例示意图。

图8b为本发明的加热机构的载台的垂直剖面的另一实施例示意图。

图9为本发明的薄膜工艺设备的厚度控制装置及传感器示意图。

图10a为本发明的薄膜工艺设备的一实施例的侧视示意图。

图10b为本发明的薄膜工艺设备的一实施例的上视示意图。

图11a为本发明的薄膜工艺设备的另一实施例的侧视示意图。

图11b为本发明的薄膜工艺设备的另一实施例的上视示意图。

图12a为本发明的薄膜工艺设备的另一实施例的侧视示意图。

图12b为本发明的薄膜工艺设备的另一实施例的上视示意图。

图13a为本发明的薄膜工艺设备的另一实施例的侧视示意图。

图13b为本发明的薄膜工艺设备的另一实施例的上视示意图

图14为本发明的薄膜工艺系统的一实施例示意图。

图15为本发明的薄膜制作方法的示意图。

具体实施方式

由于本发明主要是揭露一种关于薄膜工艺设备1及薄膜制作方法2的基本构造及功能，为便于说明，后续是以一种有机金属化学气相沉积技术(MOCVD)进行说明；同时，在后续的有机金属化学气相沉积技术都将以MOCVD来表示，以增加说明书的阅读性。其中有关于有机金属化学气相沉积技术所形成的薄膜工艺设备1的基本构造及其作用，已为相关技术领域具有通常知识者所能明了，故以下文中的说明，仅针对与本发明的薄膜工艺设备1及薄膜制作方法2的特征处进行详细说明。同时，以下文中所对照的附图，是表达与本发明特征有关的结构示意，故未依据实际尺寸绘制，事先说明。

首先，请一并参考图2a至图2c，其中图2a为本发明的薄膜工艺设备中的的供气机构的供气口的下视图；图2b为本发明的薄膜工艺设备的供气机构的供气口的剖面图；图2c为本发明的薄膜工艺设备的由多个供气口所形成的供气机构的剖面图。如图2a所示，由图中可看出，本发明所提供的供气机构20是将供气口21设计为同心圆状，其是由内圆管214所形成的第一流道2141、外圆管215所形成的第二流道2151以及包覆内圆管214及外圆管215的外壳216所组成。很明显地，本发明的供气机构20可以将不同气体分别从内圆管214与外圆管215所组成的第一流道2141及第二流道2151喷出。举一实施例说明：若要成长一层氧化锌(ZnO)薄膜时，可以在本实施例的第一流道2141提供二乙基锌(DEZn_(g))气体，而在第二流道2151则提供水(H₂O_(g))的气体；当然，也可以是将第一流道2141改为提供水(H₂O_(g))的气体，而第二流道2151则改为二乙基锌(DEZn_(g))气体，对此，本发明并不加以限定反应气体从任一流道出口喷出；举另一实施例说明如下：若要成长一层二氟化镁薄膜(MgF₂)薄膜作为ARC抗反射镀层(Anti-reflective coating)时，可以在本实施例的第一流道2141提供双(甲基环戊二烯)镁气体(Mg(CH₃C₅H₄)_2(g))，而在第二流道2151则提供四氟化碳(CF_4(g))的气体；当然，也可以是将第一流道2141改为提供四氟化碳(CF_4(g))的气体，而第二流道2151则改为双(甲基环戊二烯)镁气体(Mg(CH₃C₅H₄)_2(g))，对此，本发明并不加以限定反应气体从任一流道出口喷出，且也不限制成长任一种薄膜使用。例如：二氟化镁(MgF₂)的ARC抗反射镀层(ARC film)成膜时，所需的有机金属镁(Metal-organic Mg)来源及氟素(F)来源气体可为以下所列：双(环戊二烯)镁(Mg(C₅H₅)₂)、双(环戊二烯)镁的异三十烷溶液(Mg(C₅H₅)₂in C₃OH₆₂)、双(甲基环戊二烯)镁(Mg(CH₃C₅H₄)₂)、双(异丙基环戊二烯基)镁(Mg(i-C₃H₇C₅H₄)₂)、双(甲基环戊二烯基)镁(Mg(CH₃C₅H₄)₂)；下述则为氟素来源气体的种类：四氟化碳(CF₄)、四氟乙烯(C₂F₄)、六氟乙烷(C₂F₆)、八氟丙烷(C₃F₈)、三氟化氮(NF₃)、氟气(F₂)、氟化氢(HF)、三氟化氯(ClF₃)。

故本发明的供气机构20通过其供气口21同心圆状设计，可有效增加反应气体混合的效果，其混合效果如图3中的斜线处所示，故明显改善现有技术两气体的气流混合的区域太小的现象。进一步而言，本发明还可以通过控制供气机构20的供气口21与基板33间的距离，事先计算出同心圆供气口21的气体混合状态，以利于寻找最适反应操作距离，有效使得反应气体生成薄膜效果更佳，此部份将于后续说明。

接着，由图2b的剖面图可看出，本发明的供气机构20的同心圆状供气口21，是以两不同长度圆管组合而成，分别为内圆管214及外圆管215组成，且内圆管214长度略长于外圆管215，而内圆管214的外径小于外圆管215的内径，举一实例说明：内圆管214的内径为：0.6-1.0mm，内圆管214的外径为：1.6-2.0mm，外圆管215的内径为：3.0-4.0mm，外圆管215的外径为：4.0-5.0mm。此外，两管材质可以是由不锈钢(SUS304、SUS316、SUS316L)、碳复合材料(Carbon Composite)或石墨(Graphite)所选出；而在一较佳的实施例中，本发明的供气机构20的内圆管214及外圆管215的表面皆经由钻石化碳(Diamond-Like Carbon；DLC)、二氧化硅(SiO₂)或碳化硅(SiC)处理过，有效改变其表面特性，使更为致密，而不会被反应气体腐蚀。

请再参考图2b，内圆管214及外圆管215两管的另一出口皆与不同反应气体流路相连接，其中内圆管214所形成的第一流道2141的一端是供气口21的喷出口，而相对供气口21的另一端是与气体容置空间211相通，故气体可经由通孔217被导入至容置空间211中，当容置空间211充满气体之后，气体再经由第一流道2141由供气口21喷出气体；而外圆管215所形成的第二流道2151的一端是供气口21的另一喷出口，而相对供气口21的另一端是与另一气体容置空间212相通，故气体可经由通孔218被导入至容置空间212中，当容置空间212充满气体之后，气体再经由第二流道2151由供气口21喷出气体；由于内圆管214及外圆管215是隔离的，使得不同的反应气体不会在供气机构20内部互相接触，故不会有产生反应的危险性。很明显地，不相通的内圆管214及外圆管215所通入的气体必须等到经由第一流道2141及第二流道2151喷出后，方才开始混合。

此外，本发明还可以在供气机构20中增加一个容置空间213，其主要目是于必要时，可将一热源经由通孔219送至容置空间213中，使得容置空间213具有保温的功能；因此，可以通过此容置空间213的设计，对通过第二流道2151的气体提供一热源，得使通过第二流道2151的气体的喷出温度维持在一温度范围；例如：将通过第二流道2151的气体的喷出温度保持在约60-70℃；此目的可以避免气体于反应后，于供气口21的第一流道2141及第二流道2151的出口处产生微尘的沉降或凝结，或粉尘堆积等现象，而使得第一流道2141及第二流道2151的出口被阻塞，而影响出气效率、成膜品质、成膜均匀性，及成膜速率。另外，于容置空间213提供热源的方式，可以通入较高温的热源(例如：热气、热水或热油等)或是于容置空间213装设加热装置等，本发明也不加以限制。此外，由于基板33的表面需要达到特定温度后，才能进行反应；故为增加混合气体于基板33表面的反应时间，本发明的另一加热方式是对基板33进行加温，然而，有关对基板33升温与维持，将于后段详细描述。

再接着，请参考图2c，是本发明的薄膜工艺设备的由多个供气口所形成的供气机构的剖面图。如图2c所示，本发明的具有多个供气口21所形成的供气机构20，其是将多个图2b中的供气口21并行地连接在一起，以形成具有多个供气口21的供气机构20。很明显地，在本实施例中，具有多个供气口21的供气机构20是由一个第一容置空间211、多个第二容置空间212以及多个第三容置空间213所形成，并经由第一容置空间211及多个第二容置空间212与多个第一流道2141以及多个第二流道2151相通；其中，多个供气口21中的每一个第二容置空间212是相连通的，同时每一个第三容置空间213也是相连通的，故气体可经由通孔218被导入至每一个第二容置空间212中，并当第二容置空间212充满气体之后，气体再经由每一个第二流道2151由每一个供气口21喷出气体；同样地，于必要时，可将一个热源经由通孔219送至每一个第三容置空间213中，使得每一个第三容置空间213都具有保温的功能，可得使通过每一个第二流道2151的气体的喷出温度维持在一个温度范围；此外，另一气体也可以经由通孔217被导入至第一容置空间211中，并当第一容置空间211充满气体之后，气体再经由每一个第一流道2141由每一个供气口21喷出气体。很明显地，在本实施例中，其可以执行较大面积的薄膜工艺。

请再参考图3，其为本发明的具有一个供气机构的供气口的气流混合状态示意图。由图3中可看出，两反应气体当离开供气机构20的供气口21后，即开始混合，且经由适当地设计与量测结果，可以设定成在混合气体当到达基板33位置时，已为混合区域中的反应气体已混合在良好状态，更有利于反应生成薄膜。

接着，请参考图4a，是本发明的供气机构的另一实施例的示意图。如图4a所示，本实施例是将多个同心圆供气口21配置于一载板22a上，以组合成一个条状的供气机构20a；同样地，通过前述的同心圆供气口21的结构，可以通过内圆管214及外圆管215的不同气体流路的设计，而可将一种气体经由通孔217导入至容置空间211中，当容置空间211充满气体之后，气体再经由每一个第一流道2141自供气口21喷出气体；同时，也可将一种气体经由通孔218导入至容置空间212中，当容置空间212充满气体之后，气体再经由每一个第二流道2151自供气口21喷出气体。很明显地，本发明对于形成的供气机构20a的数量并不加以限制；同时，对多个同心圆之间的距离也不加以限制，而可以依据使用者的需求，而予以配置多个同心圆状的供气结构。

再接着，请参考图4b，是本发明的供气机构的另一实施例的示意图。如图4b所示，本实施例是将多个同心圆供气口21配置于一平面载板22b上，以组合成一个平面式的供气机构20b；由于，多个同心圆的供气口21结构与前述相同，故不再加以赘述。由于，多个同心圆的供气口21结构与前述相同，故不再加以赘述。但要强调，在图4a、图4b及图4c的实施例中，由于要将气体通过第一流道2141时，其气体的通孔217可以不止一个，其可以依据使用者需求而增加，本发明也不加以限制。

再接着，请参考图4c，是本发明的供气机构的另一实施例的示意图。如图4c所示，本实施例是将多个同心圆供气口21配置于一平面载板22b上，以组合成一个平面式的供气机构20b，由图4c可看出与图4b的实施例差异处在于供气口21的相对位置，但是由于多个同心圆的供气口21结构与前述相同，故不再加以赘述。但要强调，在图4a、图4b及图4c的实施例中，由于要将气体通过第一流道2141时，其气体的通孔217可以不止一个，其可以依据使用者需求而增加，本发明也不加以限制。

再接着，请参考图5a，其为本发明的薄膜工艺设备的一实施例示意图。如图5a所示，本发明的薄膜工艺设备1主要是用来沉积一个薄膜层于一个基板33上；此薄膜工艺设备1包括：一个反应室10，是为一密闭空间，可于真空环境下提供反应气体于反应室10内反应以生成薄膜；一个供气机构20，是配置于反应室10中的顶部上，此供气机构20具有同心圆的供气口21，故可通过供气机构20的同心圆的供气口21向下喷出反应气体；一个输送机构30，其是由多个配置于反应室10内底部的滚动装置32(例如：一种滚轮)所组成；以及一个载盘(tray)31，用以承载一基板33，其与滚动装置32接触并通过滚动装置32往A方向移动，用以将载盘31及基板33送入薄膜工艺设备1中。

请再参考图5a，本发明的薄膜工艺设备1的制造方法的步骤包括，首先，将基板33置放于载盘31上；接着，将载盘31通过滚动装置32往A方向移动，用以将载盘31及基板33送入薄膜工艺设备1的反应室10中；于将薄膜工艺设备1上的阀门(未显示于图中)关紧密封，进行抽真空步骤，以使反应室10内保持在一真空状态；再接着，经由供气机构20的同心圆供气口21喷出将反应气体喷出，并使反应气体于基板33上开始反应并生成薄膜。很明显地，本实施例的特征即是通过供气机构20的同心圆供气口21喷出反应气体；例如：供气机构20的第一流道2141提供二乙基锌(DEZn_(g))气体，而在第二流道2151则提供水(H₂O_(g))的气体，也可以在第一流道2141提供水(H₂O_(g))的气体，第二流道2151提供二乙基锌(DEZn_(g))气体；通过此同心圆供气口21的设计，可有效增加反应气体的混合区域及效果，其混合区域如图3中的斜线处所示，故明显改善现有技术两气体的气流混合区域太小的现象。

本发明的薄膜工艺设备1中输送机构30的滚动装置32设计，其可是顺时针及逆时针两方向回转，故载盘31及基板33可以往A方向移动或B方向移动，且滚动装置32的速度亦为可控，用来间接控制反应气体于基板33上成膜速度及成膜的厚度；例如：若成膜速率较快时，可将滚动装置32的速度增快，以控制成膜的厚度；反的若成膜速率较慢时，可将滚动装置32的速度减慢。

本发明的薄膜工艺设备1中供气机构20可以移动，其可以在反应室10中沿A方向移动或B方向进行左右移动，如图6a所示；同时，供气机构20也可以在反应室10中沿X方向移动或Y方向进行上下移动，如图6b所示；其中A方向及B方向与X方向及Y方向是相互垂直的。同样地，可通过对供气机构20移动的控制，使得本发明的成膜速度及成膜的厚度可以控制的更精准。此外，带动供气机构20移动的方式，可以是步进马达(未显示于图中)。很明显地，前述的供气机构20a的实施例也适用在反应室10中沿A方向移动或B方向进行左右移动、也可以沿X方向移动或Y方向进行上下移动。

再接着，请参考图5b，其为本发明的薄膜工艺设备的另一实施例示意图。如图5b所示，本实施例的薄膜工艺设备1，包括：一个反应室10，是为一密闭空间，可于真空环境下提供反应气体于反应室10内反应以生成薄膜；一个供气机构20b，是配置于反应室10中的顶部上，此供气机构20b为一配置有多个同心圆供气口21的一平面载板22b，故可通过供气机构20b的同心圆的供气口21向下喷出反应气体；一个输送机构30，其是由多个配置于反应室10内底部的滚动装置32所组成；以及一个载盘31，用以承载一基板33，其与滚动装置32接触并通过滚动装置32往A方向移动，用以将载盘31及基板33送入薄膜工艺设备1中。由于图5b与图5a间的差异处在于图5b中的供气机构20b为一配置有多个同心圆供气口21的一平面载板22b，故供气机构20b可以通过供气机构20b的同心圆的供气口21向下喷出反应气体，来提供一个面积的成膜；因此，在图5b的实施例中，供气机构20b只需要对X方向移动或Y方向进行上下的移动，即可达到对成膜速度及成膜的厚度的精准控制。而图5b其它的制造步骤与图5a的实施方式相同，故不再赘述。

请参考图7a及图7b，其为本发明的具有加热机构的薄膜工艺设备的实施例示意图，其中图7a为加热机构40在薄膜工艺设备1中的移动位置示意图(于图中未显示滚动装置32)；而图7b为相对图7a的上视图。如图7a所示，当输送机构30被送至反应室10内，之后，可移动的加热机构40即会与载盘31接触，是通过加热机构40的载台41与载盘31接触，其中，加热机构40的载台41还可以具有上下移动(即于X方向移动或Y方向移动)的功能，将载盘31及位于载盘31上的基板33向供气机构20的同心圆供气口21处移动；可通过对载台41位置的移动来控制基板33向供气机构20的同心圆供气口21间的距离，来达到控制成膜速度及成膜的厚度。此外，也可由图7b中可看出，载盘31是通过滚动装置32滚动方式，往前或往后输送移动，图中虚线部位为载台41的大小示意，亦即与载盘31接触范围的示意图。

再接着，为了增加混合气体于基板33表面的反应时间，需要将基板33加热；故本实施例的加热机构40即具有加热保温及上下移动功能，除可以由载台41的上下移动来带动载盘31及基板33于反应室10中上下移动，故可于成膜过程中控制供气口21与基板33间的距离，使得可有效控制薄膜生长的效果外；加热机构40还具有加热的功能，其结构说明如下。

请参考图8a，为本发明的加热机构的一实施例的剖面示意图。如图8a所示，加热机构40为一中空的构造，即在加热机构40中形成一个储存区42，此储存区42可以容置或储存一热源；例如：本实施的热源是使用一种油，其经一个加热器43对油源区44的油进行加热后，将被加热后的油送至储存区42中，使得加热机构40的载台41温度升高；当载台41升起并与载盘31接触后，即可将热由载盘31传递到基板33上，使得基板33的表面温度升高。故当加热机构40中的储存区42持续处于油浴保温状态中时，即能维持基板33的表面在一定温度范围，可让两混合气体于载台41附近反应，以增加混合气体于基板33表面的反应时间。当然，在本实施例中，是通过一个温度控制器45来控制油温。在此要强调，本发明是以控制油温来进行对基板33加热的目的，是因为对油温的控制精确度可以达到±0.5℃；同时，油温还可以被加热至最高温可至350℃，故适合于生成氧化锌(ZnO)薄膜时的工艺(因于生成氧化锌(ZnO)薄膜的操作温度为180-230℃)。故本发明即是使用油具有温度控制的精确度并且可以提供较高的温度操作区间的特性，使得本实施例通过对基板33的表面温度的精确控制，可让薄膜成长的厚度精准控制。此外，本发明并不限制对油源区44的油进行加热的方式，也可以选择卤素灯、辐射增温、电阻抗型加温等方式加热。

请再参考图8b，为本发明的加热机构的另一实施例的垂直剖面示意图。如图8b所示，本实施例的加热机构40中配置有循环管路46，此循环管路46的一端是与油源区44相通，而循环管路46的另一端是与油源区44连接。故油源区44的油经加热器43加热后，再经由泵(pump)输送至循环管路46，于循环管路46中绕一圈后回至油源区44后，再经加热器43加热；同时，本实施例还安装一温度控制器45，故对温度低或高进行设定及控制，以增加温度精确度。经此则加热后的油可于循环管路46中循环流动，故可使载台41维持在设定温度，同时载台41上的基板33也可维持在设定温度。

现将本发明的油浴加热法与传统的电阻丝加热法优异处予以详述如下：若为300mm×300mm大小基板33，采用传统电阻丝加热法若设定温度为200℃时，此时量测基板33的温度区间介于189.5-201.5℃之间，需花极高成本才能达温度区间介于190-201℃之间；若为1000mm×1000mm大小以上的基板33，由于基板33面积加大，造成控温更为不易，若同样设定温度为200℃时，此时若量测基板33的温度区间介于187-203℃之间，同样需花极高成本下才能让温度区间介于189.5-201.5℃之间，而本发明所采用的油浴控温法，可节省控温成本，且不因基板33大小而增加成本，且能有效将基板33温度控制在±0.5℃，较现有基板33加热方式有明显改良，且进一步循环管路46的设计更使得供油浴使用油循环流动，使得油浴温度更为均匀，且由于循环流动因素，故供油浴的油不易变质，能增加使用寿命。

请参考图9，为本发明的薄膜工艺设备的厚度控制装置及传感器示意图。如图9所示，本实施例的薄膜工艺设备1的顶端安装了至少一个传感器(sensor)51，传感器51排列可以是呈间隔排列方式；本实施例的感测方式是以激光或特定波长范围的光束(未显示于图中)照射基板33后，传感器51侦测基板33的反射光信号，并将反射光信号传送至厚度控制装置50后，厚度控制装置50根据反射光信号即可精确地计算出目前薄膜成长的厚度或膜质的特性；若当计算出薄膜厚度较低时会增加两个反应气体的供给量，以加快薄膜成长的速率；若当计算出薄膜厚度较高时，则会减少两个反应气体的供给量，以减缓薄膜成长的速率。以及膜质发生变动时，可以改变两个反应气体的供给量比例或调整温度控制器以微调加热器的温度，达到微调膜质至最佳化的状态。通过此厚度控制装置50以及传感器51的配置，使得使用者可以方便地设定及控制薄膜成长的反应速率。

接着，将本发明前述的功能进行完整的操作说明。首先，请参考图10a及图10b，为本发明的薄膜工艺设备一实施例的侧视示意图，而图10b则为图10a的上视示意图。如图10a所示，薄膜工艺设备1包括：一个反应室10，是为一密闭空间，可于真空环境下提供反应气体于反应室10内反应以生成薄膜；一个供气机构20，是配置于反应室10中的顶部上，此供气机构20具有同心圆的供气口21，故可通过供气机构20的同心圆的供气口21向下喷出反应气体；一个输送机构30，其是由多个配置于反应室10内底部的滚动装置32所组成；以及一个载盘31，用以承载一基板33，其与滚动装置32接触并通过滚动装置32往A方向移动，用以将载盘31及基板33送入薄膜工艺设备1中。在本实施例中，其适用供气机构20(即图2a的供气机构)及供气机构20a(即图4a的供气机构)，其可通过在反应室10顶部上配置的第一传动机构22(例如：步进马达)，使得供气机构20及供气机构20a可以在第一方向上向前及向后移动；同时，也可再通过在反应室10顶部上配置的第二传动机构11(例如：步进马达)，使得供气机构20及供气机构20a可以在水平方向上相互正交的第二方向上向左及向右移动；亦即本实施例的供气机构20及供气机构20a可以经由传动机构11、22的带动，使得供气机构20及供气机构20a可以在反应室10顶部的水平位置上进行前后左右的移动，使其移动范围可以涵盖载盘31及基板33。同时，在本实施例中，还可以提供一个加热机构40，通过此加热机构40的载台41(未显示于图10a中，但请参考图7a)与载盘31接触，除了可以对位于载盘31上的基板33加热外，也可以将载盘31及基板33升高，使得基板33与供气机构20及供气机构20a间的距离缩小，来达到控制薄膜的成长。在此要强调，图10a及图10b中的传动机构11、22是使用现有的技术来达成，故未对传动机构11、22的结构作详细的说明，然此并不会对本发明的技术手段及特征造成影响。

请再参考图11a及图11b，其中图11a为本发明的薄膜工艺设备的另一实施例的侧视示意图，而图11b则为图11a的上视示意图。本实施例的图11a是于图10a的实施例中，再增加供气机构20及供气机构20a可以在反应室10的X方向移动或Y方向移动的功能，使得本实施例的薄膜工艺设备1更具有控制薄膜成长的能力。同样地，于图11a及图11b中的传动机构11、22以及带动供气机构20及供气机构20a在X方向移动及Y方向移动的机构，都是使用即有的技术来达成，故未对传动机构11、22以及带动供气机构20及供气机构20a在X方向移动及Y方向移动的机构的结构作详细的说明，然此并不会对本发明的技术手段及特征造成影响。

请参考图12a及图12b，为本发明的薄膜工艺设备的另一实施例的侧视示意图，图12b则为图12a实施例的上视示意图。如图12a所示，本实施例的薄膜工艺设备1，包括：一个反应室10，是为一密闭空间，可于真空环境下提供反应气体于反应室10内反应以生成薄膜；一个供气机构20b，是配置于反应室10中的顶部上，此供气机构20b为一配置有多个同心圆供气口21的一平面载板22b，故可通过供气机构20b的同心圆的供气口21向下喷出反应气体；一个输送机构30，其是由多个配置于反应室10内底部的滚动装置32所组成；以及一个载盘31，用以承载一基板33，其与滚动装置32接触并通过滚动装置32往A方向移动，用以将载盘31及基板33送入薄膜工艺设备1中；其中本实施例的供气机构20b为一个配置有多个同心圆供气口21的一平面载板22b，故供气机构20b可以通过供气机构20b的同心圆的供气口21向下喷出反应气体，来提供一个面积的成膜；同时，在本实施例中，还可以提供一个加热机构40，通过此加热机构40的载台41(未显示于图12a中，但请参考图7a)与载盘31接触，除了可以对位于载盘31上的基板33加热外，也可以将载盘31及基板33升高，使得基板33与供气机构20b间的距离缩小，来达到控制薄膜的成长。

请参考图13a及图13b，为本发明的薄膜工艺设备的另一实施例的侧视示意图，图13b则为图13a实施例的上视示意图。本实施例的图13a是于图12a的实施例中，再增加对供气机构20b在反应室10的X方向移动或Y方向移动的功能，也同时可以调整基板33与供气机构20b间的距离，使得本实施例的薄膜工艺设备1可以缩短薄膜成长的时间。

请再参考图14，为本发明的薄膜工艺系统的一实施例示意图。如图14所示，本发明的薄膜工艺系统是将多个薄膜工艺设备1相连接并组成一完整机台。首先，将基板33放置于载盘31上，其中基板33的大小为从300×300mm至2200×2500mm的玻璃基板33；之后，将载盘31及基板33由方向A送进第一薄膜工艺设备1a为，接着，于反应室10中先以卤素灯(lamp)辐射加温方式，将基板33加热至约140-220℃，在此加热的同时，第二薄膜工艺设备1b、第三薄膜工艺设备1c、第四薄膜工艺设备1d以真空泵抽至真空状态约0.01Torr以下，且每一薄膜工艺设备1间皆是以闸阀相间隔，具良好隔绝性，当闸阀关闭后，不同薄膜工艺设备1间并不会互相影响，所生成薄膜亦不会互相污染。接着，本实施例以生成氧化锌(ZnO)薄膜为例，来说明薄膜工艺系统的操作过程。当基板33进入第二薄膜工艺设备1b时，两种反应气体分别为二乙基锌(DEZn_(g))及水(H₂O_(g))且经由供气机构20的同心圆供气口21喷入反应室10内部空间；当此处供气机构20的为供气机构20b的平板设计，则每一个同心圆供气口21待闸阀关闭后，即开始出气混合反应成膜；若此处的供气机构20为条状结构的供气机构20a时，则每一个同心圆供气口21会先于载盘31上进行预喷动作，待气流混合呈稳定态后，才开始喷出两种反应气体于基板33上成膜，此时基板33的表面温度可以由加热机构40的载台41(未显示于图14中，但请参考图7a)与载盘31接触，加热并维持约140-200℃，以使反应气体于基板33上生成氧化锌(ZnO)薄膜；当侦测到氧化锌(ZnO)薄膜的厚度到达设定值后，则停止出气并离开第二薄膜工艺设备1b进入第三薄膜工艺设备1c；此时，即可根据第三薄膜工艺设备1c中所供应的不同反应气体的种类、喷气速率及基板33温度的设定，即可改生成不同种类的薄膜；例如：以Mg(CH₃C₅H₄)_2(g)(双(甲基环戊二烯)镁)及四氟化碳(CF_4(g))反应生成二氟化镁薄膜(MgF₂)薄膜；同样地，待第三薄膜工艺设备1c成长完成后，即可再进入第四薄膜工艺设备1d，以成长另一薄膜层；由于各薄膜工艺设备1间彼此独立，故并不互相影响，故可依使用者安排，生成工艺所需薄膜。当薄膜生长完成后，此时进入最后一个薄膜工艺设备1，于此单元中以加入氮气(N₂)方式，予以降温至约30-60℃，并供后续处理，且于任一薄膜工艺设备1其中的供气机构20，均可以上下或左右移动，同时加热机构40的载台41也可以升高或降低，由此来对供气机构20供气口21与基板33间距离配置薄膜成长的厚度做最佳的控制，以利于生成高品质的薄膜。

本发明还具一特出优异点，陈述如下：以生成氧化锌(ZnO)薄膜为例，当二乙基锌(DEZn_(g))及水(H₂O_(g))反应后除生成氧化锌(ZnO)外，同时会产生乙炔气体，为待清除废气，传统方式必需加强真空抽气，但抽气过强会影响反应气体气流的均匀性，本发明的供气机构20的同心圆供气口21结构，则由于混合良好缘故，故虽同样有乙炔气体生成，但每一同心圆供气口21就如一风扇般，不断喷出反应气体，有效取代了乙炔的位置，使得乙炔气体的排除过程不会影响成膜均匀性，且清除更为简易，此点亦为本发明的一大优点。

接着，请参考图15，是本发明的薄膜制作流程的示意图。如图15所示，本发明提供一种用以沉积生成薄膜于基板33上的薄膜制作流程2之方法，包括：步骤1501：提供一反应室10，是形成一密闭空间，供反应气体于反应室10内反应并生成薄膜；步骤1502：提供一供气机构20，是安置于反应室10内上部，可通过供气口21向下喷反应气体，其中供气机构20的供气口21是呈同心圆状；步骤1503：提供一输送机构30，是安置于反应室10内下部，供输送基板33使用；及步骤1504：提供一加热机构40，是安置于输送机构30下方，一面与输送机构30底面相接触，以加热基板33。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并非用以限定本发明的中请专利范围；同时以上的描述，对于熟知本技术领域的专门人士应可明了及实施，因此其它未脱离本发明所揭示的精神下所完成的等效改变或修饰，均应包含在本发明的权利要求范围中。

Claims

1.一种薄膜工艺设备，包括：

一底板，具有一第一面及一相对该第一面的一第二面，而该第一面用以承载一基板；

一反应室，为一密闭空间，具有一顶部及相对该顶部的一底部；

一供气机构，配置于该反应室内的该顶部；及

一输送机构，配置于该反应室内的该底部的两侧边上，供输送该底板及该基板至该反应室中；

一加热机构，配置于该反应室内的该底部的两侧边之间，与该底板该第二面相接触，用以加热该基板。

2.一种薄膜工艺设备，包括：

一供气机构，配置于该反应室内的该顶部；及

一加热机构，配置于该反应室内的该底部的两侧边之间，与该底板该第二面相接触，且该加热机构被一传动机构带动于该反应室的该顶部与该底部之间移动。

3.依据权利要求1或2所述的薄膜工艺设备，其中该加热机构内部具有一储存区。

4.依据权利要求3所述的薄膜工艺设备，其中该加热机构的该储存区中储存热油。

5.依据权利要求3所述的薄膜工艺设备，其中该加热机构中配置一循环管路及一泵，通过该泵来将热源输送至循环管路中。

6.依据权利要求1或2所述的薄膜工艺设备，其中该供气机构被一传动机构带动于该顶部的两侧间移动。

7.依据权利要求1或2所述的薄膜工艺设备，其中该供气机构被一传动机构带动于该顶部与该底部之间移动。

8.依据权利要求1或2所述的薄膜工艺设备，其进一步于该反应室的该顶部上配合多个感应装置。

9.一种用以沉积一薄膜于一基板上的薄膜制作方法，包括：

提供一底板，其具有一第一面及一相对该第一面的一第二面，而该第一面用以承载一基板；

提供一反应室，为一密闭空间，具有一顶部及相对该顶部的一底部；

提供一供气机构，配置于该反应室内的该顶部，可通过该供气机构向下喷出不同的气体；

提供一输送机构，配置于该反应室内的该底部的两侧边上，供输送该底板及该基板至该反应室中；

提供一加热机构，配置于该反应室内的该底部的两侧边之间，与该底板该第二面相接触，用以加热该基板。

10.依据权利要求9所述的薄膜制作方法，其中该加热机构内部具有一储存区。

11.依据权利要求9所述的薄膜制作方法，其中该加热机构中配置一循环管路及一泵，通过该泵来将热源输送至循环管路中。

12.依据权利要求9所述的薄膜制作方法，其中该供气机构被一传动机构带动于该顶部的两侧间移动。

13.依据权利要求9所述的薄膜制作方法，其中该供气机构被一传动机构带动于该顶部与该底部之间移动。

14.依据权利要求9所述的薄膜制作方法，其中该加热机构被一传动机构带动于该反应室的该顶部与该底部之间移动。

15.一种薄膜工艺系统，包括：

一第一反应室，该第一反应室配置一加温设备；

一第二反应室，经由一阀门与该第一反应室隔离，该第二反应室具有一顶部及相对该顶部的一底部；

一第三反应室，经由另一阀门与该第二反应室隔离，用以提供一降温环境；

一输送机构，配置于该第一反应室、该第二反应室及该第三反应室内的该底部的两侧边上，用以输送该底板及该基板通过每一该反应室；

其中该薄膜工艺系统的特征在于：

一供气机构，配置于该第二反应室内的该顶部，可通过该供气机构向下喷出不同的气体；

一加热机构，配置于该第二反应室内的该底部的两侧边之间，与该底板该第二面相接触，用以加热该基板。

16.依据权利要求15所述的薄膜工艺系统，其中该加热机构内部具有一热源储存区。

17.依据权利要求15所述的薄膜工艺系统，其中该加热机构中配置一循环管路及一泵，通过该泵来将热源输送至循环管路中。

18.依据权利要求15所述的薄膜工艺系统，其中该加热机构被一传动机构带动于该第二反应室的该顶部与该底部之间移动。

19.依据权利要求15所述的薄膜工艺系统，其中该供气机构被一传动机构带动于该顶部的两侧间移动。

20.依据权利要求15所述的薄膜工艺系统，其中该供气机构被一传动机构带动于该顶部与该底部之间移动。