CN103014677B - 等离子体的监控及杂散电容的最小化 - Google Patents
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Abstract
本发明基本上涉及一种电容耦合的等离子体(CCP)处理腔、一种用于减小或防止杂散电容的方法和一种用于测量在所述处理腔内的等离子体状态的方法。由于CCP处理腔尺寸上的增大，杂散电容有会对工艺产生负面影响的趋势。此外，RF接地带可能断裂。通过增大腔背板和腔壁之间的间隔，可以将杂散电容最小化。此外，可以通过在背板而不是在匹配网络测量等离子体的状态来监控等离子体。在这样的测量中，可以分析等离子体的谐波数据以展示腔中的等离子体处理状态。
Description
技术领域
本发明的实施例基本涉及一种电容耦合的等离子体(CCP)处理腔、一种用于减小或防止杂散电容的方法和一种用于测量在所述处理腔内的等离子体状态的方法。
背景技术
大多数、若不是全部制造的计算机和电视都是平板显示器(FPD)。某些FPD相当大并且几乎所有的FPD都大于现代个人计算机中使用的半导体芯片。为了制造FPD，通常使用大面积处理腔(也就是，处理腔的大小按照处理具有大于约1600cm2的表面积的基板制作)而不是通常用于制造半导体芯片的较小的腔(也就是，按照用于处理直径最多为大约450mm的基板的大小制作)。大面积处理腔按处理稍后可以切成数个FPD的大面积基板的大小制作。
一种类型的大面积处理腔为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理腔。有数种类型的可用PECVD腔，诸如电感耦合的等离子体(ICP)腔和CCP腔。对于CCP腔，对一个电极施加射频(RF)电流以激发到等离子体中的处理气体，其中所述等离子体在基板上沉积材料。对电极施加的RF电流旨在返回驱动RF电流的源，这通常被称为RF接地或RF返回。在CCP处理腔中，RF接地是许多问题的源头，诸如杂散电容和等离子体监控中的困难。
因此，本领域中需要一种有效的用于监控CCP腔中的等离子体并限制杂散电容的方法。
发明内容
本发明基本涉及一种CCP处理腔、一种用于减小或防止杂散电容的方法和一种用于测量处理腔中的等离子体状态的方法。由于CCP处理腔尺寸上的增大，杂散电容有会对工艺产生负面影响的趋势。此外，RF接地带可能断裂。通过增加腔背板和腔壁之间的空间，可以将杂散电容最小化。此外，可以通过在背板而不是在匹配网络处测量等离子体的状态来监控等离子体。在这样的测量中，可以分析等离子体的谐波数据以展现腔中的等离子体处理状态。
在一个实施例中，一种装置包括：大小适用于处理表面积大于大约1600cm2的基板的腔体；耦合到腔体的腔盖；耦合到腔盖的隔离板，所述隔离板具有大于0.190英寸的厚度；和耦合到隔离板的背板。
在另一个实施例中，一种方法包括：通过匹配网络从RF功率源传送RF功率到电容耦合的等离子体腔；激发电容耦合的等离子体腔中的等离子体；以及通过在与匹配网络隔开的位置处测量等离子体参数来检测等离子体的状态。
在另一个实施例中，一种方法包括：通过匹配网络从RF功率源传送RF功率到电容耦合的等离子体腔的背板；激发电容耦合的等离子体腔中的等离子体；以及在与匹配网络隔开的位置处测量等离子体的一个或多个第二和第三谐波。
在另一个实施例中，一种等离子体增强化学气相沉积方法包括：激发等离子体增强化学气相沉积腔中的等离子体，所述腔包括匹配网络、背板和气体分配喷头；以及测量在腔中产生的等离子体的至少一个或多个第二和第三谐波，所述测量在背板发生。
附图说明
以使本发明的上述特征可被详细理解的方式，可通过参考某些在附图中描述的实施例，对如上面所简要概括的本发明作出更加具体的描述。但是，应当注意的是，附图仅仅示出本发明的典型实施例，并不能因此认为所述附图限制本发明的范围，因为本发明可允许其他等效的实施例。
图1是根据本发明一个实施例的PECVD装置的横截面视图。
图2是耦合到喷头的背板的示意图。
图3是一图表，示出了在测量等离子体状态中第二谐波的灵敏度。
图4是一图表，示出了在测量等离子体状态中基频的不灵敏度。
图5是一流程图，示出了根据一个实施例的测量等离子体状态的方法。
为了便于理解，在可能的情况下，已使用同样的附图标记来指示附图中共用的相同的元件。可以理解，在一个实施例中公开的元件可以有益地用于其他实施例中而不需要明确的记载。
具体实施方式
本发明基本上涉及一种CCP处理腔、一种减小或防止杂散电容的方法和一种用于测量处理腔中等离子体状态的方法。由于CCP处理腔尺寸上的增大，杂散电容有会对工艺产生负面影响的趋势。此外，RF接地带可能断裂。通过增加腔背板和腔壁之间的空间，可以将杂散电容最小化。此外，可以通过在背板而不是在匹配网络处测量等离子体的状态来监控等离子体。在这样的测量中，可以分析等离子体的谐波数据以展现腔中的等离子体处理状态。
在此讨论的实施例可以在可从AKT美国、加利福尼亚的圣克拉拉(SantaClara)的应用材料公司的子公司获得的PECVD腔中实施。将理解的是，在此讨论的实施例可以在其他处理系统中实施，包括其他制造商销售的那些系统。
图1是根据本发明一个实施例的PECVD装置的横截面视图。所述装置包括腔100，在所述腔100中将一个或多个膜沉积在基板120上。所述腔100大体包括壁102、底104和喷头106，所述壁102、底104和喷头106限定了工艺空间。在所述工艺空间中配置基板支撑件118。经狭缝式阀门开口108访问所述工艺空间，这样可以将基板120转移到腔100中和从腔100中转移出。基板支撑件118可以耦合到致动器116以升高和降低基板支撑件118。经基板支撑件118可移动地配置升降杆122，以将基板移动到基板接收表面和从基板接收表面离开。基板支撑件118还可以包括加热和/或冷却元件124，以将基板支撑件118维持在一个期望的温度。基板支撑件118还可以包括RF返回带126，以在基板支撑件118外围提供RF返回路径给腔底104或壁102。
喷头106通过紧固机构150耦合到背板112。喷头106可以通过一个或多个紧固机构150耦合到背板112，以帮助防止下垂和/或控制喷头106的平直度/曲率。在一个实施例中，可使用12个紧固机构150以将喷头106耦合到背板112。紧固机构150可以包括一套螺母螺栓组件。在一个实施例中，螺母螺栓组件可以由电绝缘材料制成。在另一个实施例中，螺栓可以由金属制成并且由电绝缘材料围绕。在还有一个实施例中，可以在喷头106上车上螺纹以接收螺栓。而在另一个实施例中，螺母可以由电绝缘材料形成。电绝缘材料帮助防止紧固机构150变为电耦合到腔100中可能存在的任意等离子体。
气体源132耦合到背板112，以通过喷头106中的气体通道向喷头106和基板120之间的处理区域提供气体。真空泵110耦合到腔100以将工艺空间控制在期望的压力。RF源128通过匹配网络190耦合到背板112和/或喷头106，以向喷头106提供RF电流。RF电流在喷头106和基板支撑件118之间产生电场，使得可以从喷头106和基板支撑件118之间的气体产生等离子体。可以使用变频，诸如大约0.3MHz和大约200MHz之间的频率。在一个实施例中，RF电流以13.56MHz的频率设置。
远程等离子体源130，诸如电感耦合的远程等离子体源130，也可以耦接在气体源132和背板112之间。在处理基板之间，可以提供清洁气体给远程等离子体源130从而产生远程等离子体。可以将来自远程等离子体的原子团提供给腔100以清洁腔100的组件。清洁气体可以进一步由提供给喷头106的RF源128激励。合适的清洁气体包括但是不限于NF3、F2、SF6和Cl2。基板120的顶表面和喷头106之间的间隔可以在大约400mil和大约1200mil之间。在一个实施例中，间隔可以在大约400mil和大约800mil之间。
可以由支撑组件138支撑背板112。一个或多个锚定螺栓140可从支撑组件138向下延伸到支撑环144。支撑环144通过一个或多个紧固机构142与背板112耦接。在一个实施例中，紧固机构142可以包括一个螺母螺栓组件。在另一个实施例中，紧固机构142可以包括耦接到背板112的带螺纹的接收表面的带螺纹的螺栓。支撑环144可以在大致背板112的中心与背板112耦接。背板112的中心是背板112在没有支撑环144情况下的支撑量最少的区域。因此，支撑背板112的中心区域可以减小和/或防止背板112的下垂。在一个实施例中，支撑环144可以耦接到控制背板112形状的致动器，使得背板112的中心可以相对于背板112的边缘升高或者降低。背板112的运动可响应处理期间获得的尺度发生。在一个实施例中，所述尺度是被沉积层的厚度。在另一个实施例中，所述尺度是沉积层的组分。背板112的运动与处理同步发生。在一个实施例中，一个或多个紧固机构142可以经背板112延伸到喷头106。
喷头106可以另外通过喷头悬挂件134耦接到背板112。在一个实施例中，喷头悬挂件134是柔性金属裙部。喷头悬挂件134可以有唇部136，喷头106可以搁置在所述唇部136的上面。背板112可以搁置在与腔壁102耦接的壁架114的上表面以密封腔100。腔盖152可以与腔壁102耦接并且通过区域154与背板112隔开。在一个实施例中，区域154可以为开放空间(例如，腔壁和背板112之间的间隙)。在另一个实施例中，区域154可以为电绝缘材料。腔盖152可具有穿过所述腔盖152的开口，以允许一个或多个紧固机构142与背板112和气体进给管道156耦接，从而向腔100提供处理气体。在一个实施例中，支撑环144可以布置在腔盖152下，并且基本上位于腔盖152的开口内的中心。
RF返回板146可以与环144和腔盖152耦接。RF返回板146通过紧固机构148与腔盖152耦接。在一个实施例中，紧固机构148包括方头螺钉。RF返回板146可以耦合在紧固机构142和环144之间。RF返回板146为可从紧固机构142传播到环144的任意RF电流提供到RF源128的返回路径。RF返回板146为RF电流提供向下回流到腔盖152并随后流至RF源128的路径。
图2是耦合到喷头106的背板112的示意图。喷头悬挂件134耦合在背板112和喷头106之间。喷头悬挂件134通常由导电材料制成，诸如铝，从而将喷头106电耦合到背板112。喷头悬挂件134通过紧固组件272连接到背板112。紧固组件272可以为带螺纹的螺栓、螺钉或焊接件。在一个实施例中，紧固组件272还可以包括弹簧或其他张力机构。
背板112布置在壁架114的上表面上。壁架114耦接到腔体或是腔体不可或缺的一部分，并且与腔壁电气连通。壁架114还支撑壁架114上表面上的腔盖152。腔盖152和壁架114通常也彼此电气连通。
壁架114通过电隔离器260、262、264和266与背板112电气绝缘。电隔离器260、262、264和266可以为诸如聚四氟乙烯(例如，聚合物)之类的电绝缘材料，或可以包括用聚四氟乙烯涂层的电绝缘材料。用于涂层的合适的电绝缘材料包括陶瓷、氧化铝或其他介电材料。电隔离器260、262和266的存在用于填充有助于将潜在电弧最小化的空隙。当存在时，电绝缘器260、262和266可以在壁架114、喷头106和背板112之间提供电气隔离。图2的实施例额外包括了可选的电隔离器276。电隔离器276接触壁架114和喷头106，并且提供它们之间的电气隔离。电隔离器276还可以提供对电隔离器260和262的支撑，或者可以包含来自围绕喷头106流动的并且进入处理腔不期望区域的处理气体。
在图2的实施例中，在电隔离器260、262、264和266、壁架114、背板112和电隔离器276之间存在空间290。空间290在处理期间部分合并以允许热膨胀。由于将RF功率应用于处理腔的方法，空间290还生成电弧和寄生等离子体可能形成的潜在位置。
RF功率依靠“皮肤效应”传播遍及整个处理系统，例如，RF电流在导电组件的表面上传播。在图2的实施例中，RF电流从RF源(未示出)流出，流过背板112的面对盖152的表面，向下到达面对电隔离器262的喷头悬挂件134的表面，并且流过面对处理区域的喷头106的表面。然后RF电流经在处理腔的处理区域中产生的等离子体电容耦接到基板支撑件118。然后RF电流试图通过向下传播经过基板支撑件118或RF返回带126、向上经过腔体壁到达RF源，来返回到RF源。从RF源流出的RF电流被称作“RF热”，而返回到RF源的RF电流被称作“RF返回”。
由于壁架114耦接到腔体或为腔体的一部分，壁架114是RF返回路径的一部分。相反地，由于RF功率正从RF源施加，穿过喷头悬挂件134到处理区域中的电容耦合的等离子体，喷头悬挂件134为“RF热”。空间290位于作为RF返回路径的壁架114和作为RF热的喷头悬挂件134之间。由此，在空间290之间存在电势。因此，如果处理气体位于空间290中，那么壁架114和喷头悬挂件134之间的电势可能在空间290内产生电弧或形成寄生等离子体。这是一个不希望的效果，所述效果强占来自期望工艺的RF功率，导致所期望的工艺效率更低并且更贵。
随着更大的处理腔，诸如处理腔的大小可以用来处理具有大约90000cm2或更大的表面积的基板，有一个窄的RF处理窗口。窄的RF处理窗口导致处理中更高的反射功率和在同样功率下匹配网络中更高的电弧概率。窄的处理窗口归因于非常高的Q因子，所述Q因子被定义为Fr/ΔF。Fr是中心频率，而ΔF是3dB带宽。当腔具有高Q时，频率相对反射功率的图表的曲线是非常尖锐的。反射功率响应的高Q对于腔体不是理想的，因为高Q导致非常窄的处理窗口、高电流、高电压、匹配网络中电弧的高概率和RPS馈通里面寄生等离子体的高概率。与半导体设备相比，大面积处理腔具有非常低的电阻和高的电感。主要原因是由于大腔室尺寸。另一个原因是因为隔离器264非常薄。这种薄的隔离器264导致腔室中非常大的杂散电容，并导致匹配网络输出处非常低的电阻。
当杂散电容减小时，电阻将增加并且因此Q将自然地减小。在相同的环境中，增大背板112和腔盖152之间的间隙或减小隔离器264的接触面积将同样降低Q。已经发现，通过增大隔离器264的厚度(也就是，触摸壁架114的隔离器264的表面和触摸腔盖112的隔离器264的表面之间的距离)到大于0.190英寸，阻抗的实部增大而阻抗的虚部减小，这导致降低Q。在相同的环境中，增大背板112和腔盖152之间的间隙或减小隔离器264的接触面积同样是降低Q的方式。
降低Q具有许多优点，包括较宽的RF处理窗口(这导致高功率处理的较宽容限)和使用频率调谐产生器的处理之中的低反射功率。此外，匹配网络190中需要较少的负载电容，所述匹配网络提供财务激励以降低Q。由于降低了Q，产生电弧的概率同样减小了。
杂散电容导致匹配网络190中不必要的电流。杂散电容将增大匹配网络190中的电流和电压。因此，杂散电容导致产生电弧。降低Q得到更有效的腔，因为通过杂散电容的减小将减小不必要的电流，并且将引起腔中在不希望位置处的较少的功率消散。由于减小的杂散电流，降低Q导致用于检测的更高的灵敏度。
等离子体监控
诸如RF电压、直流电压、RF电流和相位角之类的RF参数总是与等离子体状态紧密相关。例如，通过观察较小处理腔中的这些参数(诸如那些在半导体处理区域中使用的参数)，可容易地检测到电弧和基板裂口。测量RF参数使用户可预测膜的性质。如果等离子体的状态改变，对应的RF参数也相应地改变。因此，获得用于检测原处等离子体性质的原处RF参数是有益的。
典型地，通过检测基频的电压和电流，在匹配网络中完成RF参数的获得。但是，由于腔室大小的增加，匹配网络中RF参数测量的灵敏度和一致性大大地降低，并且对指示等离子体状态的精确的RF参数的检测难得多。此外，匹配网络中基频的电压和电流每次运行和在每个腔中都是不一致的。匹配网络中基频的电压和电流对由于电弧、基板裂口或升降杆裂口产生的异常等离子体动作的检测同样不够灵敏。非线性的等离子体运动自然产生非线性谐波信号。因为由等离子体产生非线性谐波，所以非线性谐波更精确地代表了等离子体的动作。但是，非线性谐波在匹配网络中难于检测，因为非线性谐波非常小。
由非线性等离子体动作产生的并且能够更加精确地识别等离子体动作的强非线性谐波信号，可以通过将测量的位置移动到背板来检测。如果在匹配网络以外的位置(诸如背板)执行RF参数测量，则与匹配网络处测量的基频信号相比，RF参数显示出非常强的谐波信号。实际上，背板处测量的谐波信号足够强到用于分析。表I和II的每一个分别示出了在匹配网络(位置194)处和背板(位置192)处测量的RF参数。当比较表I和II时，背板处测量的RF参数示出了大约低10倍的电压信号。沉积氮化硅膜的处理条件为大约900sccm流率的硅烷、大约10000sccm流率的N2、大约3250sccm流率的NH、大约1700mTorr的腔压和大约1150mil的基板到喷头的间隔。背板处测量的RF参数允许低比率分压器的使用。高比率分压器降低了灵敏度，却增加了SNR(信噪比)。使用低比率分压器，可以更精确地检测等离子体处理状态。每一个谐波信号的强度和相位可以具有等离子体状态的更精确的信息。采用在背板处获得的RF参数数据，可以更加容易和精确地检测等离子体的动作。例如，可以容易地并更精确地检测到电弧、基板裂口或任意不期望的异常动作。
表I
表II
关于RF电压(Vrf)和直流电压(Vdc)，它们都是标识腔状态的良好参考量。当Vrf和Vdc与正常范围不同时，Vrf和Vdc指示某些东西异常，诸如电弧、基板裂口、基板下的粒子等，已经在腔中发生。因此，非常期望灵敏的Vrf和Vdc测量。但是，大面积处理腔对于异常动作的响应有限。例如，当基板断裂时，在匹配网络处测量时Vrf和Vdc基本上仍然正常。但是在匹配网络处对峰值一峰值电压(Vpp)和Vdc的监控对于检测Vpp和Vdc不够灵敏。Vpp和Vdc是可用于确定要在腔中处理的下个基板的输入参数的有用的数据。RF和直流电压的变化在每次运行和在各个腔中可以很大，使得匹配网络处的Vpp和Vdc测量无法被信赖。更灵敏的测量是必需的。通过测量背板上而不是匹配网络上的电压，信号更加灵敏，以精确指示原处的腔的状态。
背板上的任意位置都是用于测量的好位置。在一个实施例中，可以在RF电压耦合到背板的位置192处进行测量。在另一个实施例中，可以在背板的边缘196处进行测量。边缘196会更加灵敏，因为边缘196更接近等离子体。作为示例，断裂的玻璃基板被插入到处理腔中未断裂的玻璃下面。当与仅存在未断裂的玻璃基板时的测量比较，断裂的玻璃基板示出了在同样条件下相当不同的Vpp和Vdc。对于当仅有未断裂玻璃基板的情况，Vdc为大约-6V，而Vpp为大约60V。对于未断裂的玻璃基板下存在未断裂玻璃的情况，Vdc为大约-35V，而Vpp为大约280V。因此，在背板边缘测量时的信号为强到足以检测原处腔状态的信号。
图5为示出根据一个实施例测量等离子体状态的方法的流程图500。最初，基板插入到处理腔中(502)并且位于基座上(504)。然后在腔中激发等离子体(506)，尽管可能远程地激发等离子体并且传送原子团到腔室。然后测量(508)并分析等离子体的谐波。如果基于谐波测量检测到问题(510)，处理停止(512)，使得可以校正断裂的接地带或与腔相关的其它问题。因此，仅腔中当前的基板被浪费了。
通过经常测量等离子体的不同谐波，最小化浪费的更有效的工艺发生了。人们可以想象不测量谐波的情况。如果不测量谐波，那么整个一批基板会使用不期望的条件处理。在材料的浪费和生产量的损失方面，整个一批基板的浪费将是相当昂贵的。此外，如果坏基板没有被及时识别出来(也就是，在产品进入市场之前)，那么较低质量的产品将可能进入市场，这将损害公司的品牌并且对未来销售产生负面影响。
如上讨论的，Vpp对于各种目的都是非常有指示性的因子。特别地，Vpp是公知的用于膜厚度的经验预测因子。膜的厚度应是公知的，用于有效地对膜进行退火。例如，当膜的厚度大于预期时，应使用较高的功率来对较厚的膜进行激光退火。因此，Vpp灵敏而一致的测量从处理点的视角看是有益的。大面积CCP腔通过等离子体的非线性产生第二谐波信号。图3示出的第二谐波电压的灵敏度比图4中示出的基频或复合频率(即，基频+第二谐波+第三谐波等)的灵敏度灵敏得多。因此，通过监控第二谐波而不是基频，能够精确得多地预测膜的厚度。
在大面积CCP处理腔中使用RF返回或接地带，使基座接近参考电压(0V)。如果接地带断裂，诸如均匀性和膜特性之类的处理结果是变化的且难以获得一致结果。在不停止处理并且不打破腔真空的情况下，难以在沉积期间监控接地带。但是，谐波信号的相位，诸如第二谐波和第三谐波，对于断裂的接地带非常灵敏。因此，通过监控谐波信号的形状，可以确认接地带状态。在不打破腔真空的情况下可以在原处或外部的测量期间检测这种相位。表III和IV示出了分别对氮化硅和非晶硅的未断裂接地带和断裂接地带相位的第二和第三谐波的灵敏度。如表格所示，第二谐波和第三谐波都足够灵敏以记录未断裂接地带和断裂接地带之间的相位差。
表III
表IV
通过增加沉积在背板和CCP腔的壁架之间的隔离器的厚度，且通过增大背板和腔盖之间的距离，可以减小或甚至消除杂散电容。此外，通过测量在从匹配网络布置的位置处的等离子体参数，可以进行更灵敏且精确的等离子体测量。
虽然前述内容针对的是本发明的各实施例，本发明的其他和进一步的实施例可在没有脱离本发明基本范围的情况下作出，本发明的范围由下面的权利要求书确定。
Claims (20)
1.一种用于测量电容耦合的等离子体腔中的等离子体状态的方法，包括：
经匹配网络从RF功率源传送RF功率到所述电容耦合的等离子体腔的背板；
在所述电容耦合的等离子体腔中激发等离子体；和
在与所述匹配网络隔开的位置测量所述等离子体的第二和第三谐波的一个或多个相位，
其中，所述电容耦合的等离子体腔的壁架通过电隔离器与所述背板电气绝缘，且
其中，所述电隔离器的厚度以及所述背板和所述电容耦合的等离子体腔的腔盖之间的距离都被增大，从而减小或消除杂散电容。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：响应所述测量替换断裂的RF返回带。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：响应所述测量从所述电容耦合的等离子体腔移除断裂的基板。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述位置为所述电容耦合的等离子体腔的电极的中心。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述位置为所述电容耦合的等离子体腔的电极的边缘。
6.一种用于测量电容耦合的等离子体腔中的等离子体状态的方法，包括：
经匹配网络从RF功率源传送RF功率到所述电容耦合的等离子体腔的背板；
在所述电容耦合的等离子体腔中激发等离子体；和
通过在与所述匹配网络隔开的位置测量所述等离子体的第二谐波的当前相位并将所述第二谐波的所述当前相位与所述第二谐波的先前相位进行比较，来检测所述第二谐波的相位差，
其中，所述电容耦合的等离子体腔的壁架通过电隔离器与所述背板电气绝缘，且
其中，所述电隔离器的厚度以及所述背板和所述电容耦合的等离子体腔的腔盖之间的距离都被增大，从而减小或消除杂散电容。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括基于检测的相位差停止所述方法。
8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述检测另外包括：通过在与所述匹配网络隔开的位置测量所述等离子体的第三谐波的当前相位并将所述第三谐波的所述当前相位与所述第三谐波的先前相位进行比较，来检测所述第三谐波的相位差。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述位置对应于布置在所述腔中的背板的边缘。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，进一步包括：响应所述第二谐波的所述检测的相位差和所述第三谐波的所述检测的相位差，来替换断裂的RF返回带。
11.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述位置对应布置在所述腔中的背板的中心。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，进一步包括：响应所述第二谐波的所述检测的相位差，来替换断裂的RF返回带。
13.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：响应所述第二谐波的所述检测的相位差，来替换断裂的RF返回带。
14.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述位置对应布置在所述腔中的背板的边缘。
15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，进一步包括：响应所述第二谐波的所述检测的相位差，来替换断裂的RF返回带。
16.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述位置对应布置在所述腔中的背板的中心。
17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，进一步包括：响应所述第三谐波的所述检测的相位差，来替换断裂的RF返回带。
18.如权利要求8所述的方法，其特征在于，进一步包括：响应所述第三谐波的所述检测的相位差，来替换断裂的RF返回带。
19.一种等离子体增强化学气相沉积方法，包括：
在等离子体增强化学气相沉积腔中激发等离子体，所述腔包括匹配网络、背板和气体分配喷头；和
测量所述腔中产生的所述等离子体的第二和第三谐波中至少一个的相位，所述测量在所述背板发生，
其中，所述腔的壁架通过电隔离器与所述背板电气绝缘，且
其中，所述电隔离器的厚度以及所述背板和所述腔的腔盖之间的距离都被增大，从而减小或消除杂散电容。
20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，进一步包括：响应所述测量，来替换断裂的接地带。
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