CN102953044A - 用于在花键轴上形成类金刚石碳膜的方法以及热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置 - Google Patents

用于在花键轴上形成类金刚石碳膜的方法以及热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102953044A
CN102953044A CN2012103053302A CN201210305330A CN102953044A CN 102953044 A CN102953044 A CN 102953044A CN 2012103053302 A CN2012103053302 A CN 2012103053302A CN 201210305330 A CN201210305330 A CN 201210305330A CN 102953044 A CN102953044 A CN 102953044A
Authority
CN
China
Prior art keywords
plasma body
vacuum chamber
positive spline
spline part
coil
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012103053302A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102953044B (zh
Inventor
安藤淳二
铃木知朗
小川友树
岩井昭宪
吉村信义
桥富弘幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JTEKT Corp
JTEKT Coating Corp
Original Assignee
CNK Co Ltd Japan
JTEKT Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CNK Co Ltd Japan, JTEKT Corp filed Critical CNK Co Ltd Japan
Publication of CN102953044A publication Critical patent/CN102953044A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102953044B publication Critical patent/CN102953044B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0605—Carbon
    • C23C14/0611—Diamond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16C—SHAFTS; FLEXIBLE SHAFTS; ELEMENTS OR CRANKSHAFT MECHANISMS; ROTARY BODIES OTHER THAN GEARING ELEMENTS; BEARINGS
    • F16C3/00—Shafts; Axles; Cranks; Eccentrics
    • F16C3/02—Shafts; Axles
    • F16C3/03—Shafts; Axles telescopic
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16D—COUPLINGS FOR TRANSMITTING ROTATION; CLUTCHES; BRAKES
    • F16D3/00—Yielding couplings, i.e. with means permitting movement between the connected parts during the drive
    • F16D3/02—Yielding couplings, i.e. with means permitting movement between the connected parts during the drive adapted to specific functions
    • F16D3/06—Yielding couplings, i.e. with means permitting movement between the connected parts during the drive adapted to specific functions specially adapted to allow axial displacement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266—Magnetic control means
    • H01J37/32669—Particular magnets or magnet arrangements for controlling the discharge
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16C—SHAFTS; FLEXIBLE SHAFTS; ELEMENTS OR CRANKSHAFT MECHANISMS; ROTARY BODIES OTHER THAN GEARING ELEMENTS; BEARINGS
    • F16C2206/00—Materials with ceramics, cermets, hard carbon or similar non-metallic hard materials as main constituents
    • F16C2206/02—Carbon based material
    • F16C2206/04—Diamond like carbon [DLC]
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16C—SHAFTS; FLEXIBLE SHAFTS; ELEMENTS OR CRANKSHAFT MECHANISMS; ROTARY BODIES OTHER THAN GEARING ELEMENTS; BEARINGS
    • F16C2326/00—Articles relating to transporting
    • F16C2326/01—Parts of vehicles in general
    • F16C2326/06—Drive shafts
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16D—COUPLINGS FOR TRANSMITTING ROTATION; CLUTCHES; BRAKES
    • F16D2250/00—Manufacturing; Assembly
    • F16D2250/0038—Surface treatment
    • F16D2250/0046—Coating
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16D—COUPLINGS FOR TRANSMITTING ROTATION; CLUTCHES; BRAKES
    • F16D2300/00—Special features for couplings or clutches
    • F16D2300/10—Surface characteristics; Details related to material surfaces

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ocean & Marine Engineering (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

多个花键轴(10)绕柱状等离子体(70a)布置，并且多个花键轴(10)在真空室(60)内沿柱状等离子体(70a)延伸的方向同轴地对准。多个同轴地对准的花键轴(10)定位为在相应的阳花键部(16)之间形成轴向间隙。多个阳花键部(16)的轴向间隙定位在柱状等离子体(70a)的沿柱状等离子体(70a)延伸的方向的中心处。

Description

用于在花键轴上形成类金刚石碳膜的方法以及热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置
技术领域
本发明涉及一种用于通过利用热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置在花键轴的阳花键部上形成DLC(类金刚石碳)膜的方法，还涉及热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置。
背景技术
在例如车辆中使用的传动轴中，两个轴通过花键相互匹配以允许轴向滑动运动。花键部需要滑动能力和耐磨性。在这些花键部上形成DLC(类金刚石)膜以满足这种要求在现有技术中是已知的(见日本专利申请公报No.2011-122663(JP 2011-122663A))。
用于形成DLC膜的方法已知包括CVD(化学气相沉积)方法、PVD(物理气相沉积)方法、离子气相沉积方法等。CVD方法还包括利用热阴极PIG型等离子源的热阴极PIG(潘宁电离计)等离子CVD方法(见日本专利申请公报No.2006-169589(JP 2006-169589A))。
通常，将多个花键轴放置在装置内，在多个花键轴的阳花键部上同时形成DLC膜。优选减小在相应的阳花键部上形成的DLC膜的膜厚度的不规则性，以降低多个阳花键部之间性能的个体变化。
发明内容
本发明提供了一种在花键轴上形成DLC膜的方法，该方法能够在通过热阴极PIG等离子CVD方法和热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置在阳花键部上形成DLC膜时，减小DLC膜的厚度变化。
根据本发明的用于在花键轴上形成DLC膜的方法的第一方面是一种用于通过热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置在花键轴的阳花键部上形成DLC膜的方法。该方法中使用的热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置包括：i)真空室，真空室容纳花键轴；ii)等离子枪；iii)反射电极，反射电极布置在真空室内；iv)第一线圈，第一线圈绕等离子枪布置；v)第二线圈，第二线圈布置在反射线圈侧，第二线圈面对第一线圈；vi)热阴极PIG型等离子源，热阴极PIG型等离子源在真空室中形成柱状等离子体，该柱状等离子体具有凸出的中心部；和vii)材料气体给送部，材料气体给送部向真空室供给材料气体，材料气体用作用于DLC膜的材料。上述方法包括：在真空室中绕柱状等离子体布置多个花键轴；沿柱状等离子体延伸的方向同轴地对准多个花键轴；将多个同轴地对准的花键轴布置为在相应的阳花键部之间形成轴向间隙；以及将阳花键部的轴向间隙定位在柱状等离子体的沿柱状等离子体延伸的方向的中心处。
本发明人注意到如下事实：DLC膜的厚度和真空室中的等离子体的中心处的凸出部之间存在关联。更具体地，本发明人认知到如下关系：当DLC膜更靠近等离子体的更大的凸出部时，该DLC膜的厚度变得更大。因此，将沿柱状等离子体延伸的方向对准的多个阳花键部的轴向间隙定位在柱状等离子体的沿柱状等离子体延伸方向的中心处。即，没有阳花键部放置在柱状等离子体的沿柱状等离子体的方向的中心处。换言之，在处理过程中不使用等离子体凸出部为最大的中心部来在阳花键部上形成DLC膜。因此，在处理过程中使用除了等离子体中心以外的各部在阳花键部上形成DLC膜。结果，能够减小阳花键部上的DLC膜的厚度变化。
在本发明的实施方式中，可以在真空室中使偶数个花键轴沿柱状等离子体延伸的方向对准。
等离子体的凸出部在中心处最大，并且等离子体的凸出部朝向边缘变得更小。本发明的实施方式能够减小DLC膜的厚度变化，并且通过对准偶数个所述多个花键轴来有效地利用等离子体两边缘。即，能够将多个花键轴布置在真空室内，能够同时在花键轴的多个阳花键部上形成DLC膜。
此外，本发明的实施方式中使用的花键轴可以包括阳花键部和形成为U形的轭部，轭部能够联接至其他构件，在所述轭部形成为与所述阳花键部分体的件之后，所述轭部与所述阳花键部结合为一件。只有花键轴的阳花键部可以放置在真空室内。在真空室内，四个或更多个阳花键部可以沿柱状等离子体延伸的方向对准。此外，靠近柱状等离子的沿柱状等离子体延伸的方向的中心处放置的两个阳花键部可以定位为在两个花键部之间形成轴向间隙。定位在柱状等离子体的沿柱状等离子体延伸的方向的中心以外的两个阳花键部可以在彼此抵靠的同时定位。
通过将两个花键轴的阳花键部以抵靠状态布置在非柱状等离子体的沿柱状等离子体延伸的方向的中心的位置处，能够将花键轴的多个阳花键部牢固地放置在真空室内。
此外，上述实施方式中的花键轴可以包括阳花键部和形成为U形形状的轭部，该轭部能够联接至其他构件并且与阳花键部一体地形成为一件。在真空室内沿柱状等离子体延伸的方向对准的多个花键轴可以布置为使得相应的轭部沿轴向方向彼此面对和交叠。相应的轭部可以放置在相应的阳花键部之间的定位在柱状等离子体的沿柱状等离子体延伸的方向的中心处的轴向间隙处。
如果花键轴包括阳花键部以及与阳花键部形成为一体件的轭部，则无需在轭部上形成DLC膜。因此，浪费了真空室中的用于轭部的区域。然而，通过将多个花键轴的相应的轭部布置为使得相应的轭部沿轴向方向彼此面对和交叠，能够使不需形成DLC膜的区域尽可能变窄。此外，通过将相应的交叠的轭部放置为在柱状等离子体的沿柱状等离子体延伸的方向的中心部处彼此面对，能够有效地利用多个阳花键部之间的轴向间隙。由于能够有效地利用真空室的内部，故而能够减小DLC膜的厚度变化并且能够将多个花键轴放置在真空室内。
此外，在上述实施方式中，可以将沿柱状等离子体延伸的方向被对准从而使得相应的轭部彼此面对的多个花键轴设定为第一组，可以将沿柱状等离子体延伸的方向被对准从而使得相应的轭部面向外的多个花键轴设定为第二组，第一组和第二组可以绕柱状等离子体沿圆周方向交替布置。
在真空室内沿圆周方向布置的所有多个花键轴中，如果相应的轭部布置为沿轴向方向彼此面对并且交叠，则有必要沿圆周方向扩宽间隙，使得沿圆周方向相邻的轭部彼此不接触。然而，在上述实施方式中，能够通过交替地布置其中轭部彼此面对地定位的第一组和其中轭部面向外地定位的第二组来使沿圆周方向的间隙变窄。即，能够将多个花键轴沿圆周方向定位在真空室内。
此外，在本实施方式中，第一组中的阳花键部和第二组中的阳花键部可以布置在沿柱状等离子体延伸的方向的相同位置。
通过将相应的阳花键部布置在沿柱状等离子体延伸的方向的相同位置，当第一组和第二组沿圆周方向交替布置时，能够减小第一组中的阳花键部的DCL膜的厚度以及第二组中的阳花键部的DCL膜的厚度中的变化。
根据本发明的第二方面的一种热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置包括：真空室，真空室容纳花键轴；等离子枪；反射电极，反射电极布置在真空室内；第一线圈，第一线圈布置为围绕等离子枪；第二线圈，第二线圈布置在反射电极侧，第二线圈面对第一线圈；热阴极PIG型等离子源，热阴极PIG型等离子源在真空室中形成柱状等离子体，柱状等离子体具有凸出的中心部；以及材料气体给送部，材料气体给送部将材料气体给送至真空室中，材料气体用作用于DLC膜的材料。真空室构造为：i)多个花键轴在真空室中绕柱状等离子体布置；ii)多个花键轴沿柱状等离子体延伸的方向同轴地对准；iii)多个同轴地对准的花键轴布置为在相应的阳花键部之间形成轴向间隙，以及iv)多个阳花键部的轴向间隙定位在柱状等离子体的沿柱状等离子体延伸的方向的中心处。
附图说明
下文将参照附图描述本发明示例性实施方式的特征、优点和技术工业重要性，附图中相同的附图标记指代相同的元件，在附图中：
图1是示出了传动轴的总体结构的局部截面图，该传动轴包括用作本发明实施方式的实施方式的花键轴的第一轴；
图2是示出了构造图1的传动轴的第一轴的视图；
图3是示出了在通过摩擦压力焊接而结合成一体以前的构造图2的第一轴的两段式构件的视图；
图4是示出了图3中示出的第一轴的阳花键部的表面侧的截面图；
图5是示出了第一实施方式的用于对图3中示出的阳花键部进行表面处理的热阴极PIG等离子装置的视图；
图6是热阴极PIG等离子装置的沿图5中的截面图的VI-VI线截取的径向截面图；
图7是示出了利用图5中示出的装置进行用于图3中示出的阳花键部的表面处理方法的流程图；
图8是示出了图5中示出的装置中的阳花键部的DLC膜的膜厚度和轴向位置之间关系的图；
图9是示出了第二实施方式的用于对包含有图2中示出的一体式第一轴的阳花键部进行表面处理的热阴极PIG等离子装置的视图；
图10是沿图9中的截面图的X-X线截取的热阴极PIG等离子装置的径向截面图；
图11是定位在图9和图10中示出的装置中的真空室内的多个第一轴沿圆周方向布置的状态的放置图；
图12是示出了图9中示出的装置的阳花键部中的DLC膜的膜厚度和轴向位置之间关系的图。
具体实施方式
接下来将利用车辆传动轴的第一轴作为示例描述本发明第一实施方式的花键轴。传动轴的结构参照图1至图4进行描述。传动轴1是用于将驱动力从发动机传输至差速装置的轴。存在不同的驱动系统，但传动轴1包括前传动轴和后传动轴。在任何情况下，这些部件均将发动机联结至差速装置并且定位成向车辆前后方向延伸。
如图1中示出的，传动轴1包括第一轴10和第二轴20，第二轴20放置为允许相对于第一轴10进行轴向滑动运动。例如，第一轴10联结至位于发动机侧的构件30，第二轴20联结至位于差速装置侧的构件40。
如图1和图2中示出的，第一轴10包括第一轭部11和阳花键部16。第一轭部11为万向节的以应用角度联接至另一构件30的零件。第一轭部11的末端形成为朝向图2中的左侧敞开的U形。阳花键部16形成为圆柱形，并且在第一轭部11的U形底部结合为一件，而且与第一轭部11同轴地定位。
第二轴20包括第二轭部21、阴花键部22和居间管部23。这些部件通过在单独地形成所述部件中的每一个之后摩擦焊接而形成为一件。第二轴20的第二轭部21是以应用角度联接至另一构件40的万向节的零件。第二轭21的末端形成为朝向图1中的右侧敞开的U形。第二轴20的阴花键部22通过花键配合与第一轴10的阳花键部16相匹配，并且能够相对于阳花键部16作轴向滑动运动。居间管部23同轴地并且一体地结合至第二轭部21和阴花键部22。
在此实施方式中，如图2和图3所示，在第一轭部11和阳花键部16形成为单独的零件以后，第一轴10通过由两个构件摩擦焊接而形成为一件。第一轴10的阳花键部16进行表面处理以改进滑动能力和耐磨性。如图4中示出的，阳花键部16包含基材16a、居间层膜16b和DLC膜16c，基材16a以铁为主要成分，居间层膜16b以铬为主要成分。居间层膜16b形成在基材16a的表面上。DLC膜16c形成在居间层膜16b的表面上。居间层膜16b由PVD方法以及具体地由溅射法形成。DLC膜16c由热阴极PIG等离子CVD方法形成。位于阳花键部16的表面侧的DLC膜16c具有分级的组成，其硅(Si)含量越靠近表面变得越低。
接下来，参照图5和图6描述用于对第一轴10的阳花键部16进行表面处理的热阴极PIG等离子装置50。热阴极PIG等离子装置50是用于由PVD方法在阳花键部16的基材16a的表面上形成居间层膜16b、以及由CVD方法形成DLC膜16c同时放射热阴极PIG等离子的装置。
如图5和图6中示出的，热阴极PIG等离子装置50包括真空室60、热阴极PIG型等离子源70、支承装置110、材料气体给送部120、溅射源130和加热器140。
真空室60由具有高耐腐蚀性和高耐热性的金属例如不锈钢形成为筒形。真空室60的壁部连接至地(GND)电位。在图5中，在外周围壁中远离中心轴线的位置形成有排气开口61。沿着真空室60的中心轴线，在边缘壁表面(图5中的上边缘壁表面)上形成有用以供给等离子的开口62。用作用于表面处理的对象物的多个阳花键部16定位在真空室60内。
热阴极PIG型等离子源70在真空室60内形成在中心部段凸出的柱形形状等离子体70a。此热阴极PIG型等离子源70包括等离子枪80、反射电极91、第一线圈92和第二线圈93。
等离子枪80布置在真空室60的开口62外。等离子枪80包括壳体81、绝缘部82、热阴极83、阳极84、电子注入电极85和气体喷嘴86。壳体81形成为管状并且由不锈钢制成。壳体81设置为覆盖真空室60的开口62。由氟树脂或铝制成的绝缘部82居于壳体81和真空室60之间。
热阴极83、阳极84和电子注入电极85布置在壳体81内。例如，热阴极83由钨丝制成。热阴极83布置在距离壳体81中的开口62最远的位置(图5中的顶端)。热阴极83连接至直流电源101并且由来自于直流电源101的直流电功率(阴极电功率)加热。热阴极83通过将热阴极83加热至引起热电子放射的温度以放射热电子。
阳极84形成为扁平环形并且由钼制成。阳极84布置在热阴极83和开口62之间，使得中空部分面向开口62。阳极电源102向阳极84施加电压，该电压相对于热阴极83为正。电子注入电极85以相同的方式形成为阳极84，经由电子注入电源103连接至热阴极83，并且同样也接地。此外，热阴极83、阳极84和电子注入电极85相对于等离子枪80的壳体81悬置。
气体喷嘴86从壳体81外部向壳体81的内部给送放电气体例如氩气和氢气。换言之，通过向热阴极83、阳极84和电子注入电极85供给电功率以及从气体喷嘴86供给放电气体，在壳体81内产生等离子。
反射电极91由钢或不锈钢制成，并且定位在真空室60内以面向等离子枪80。反射电极91朝向等离子枪80侧反射从等离子枪80向真空室60中供给的等离子体70a的粒子。反射电极91处于绝缘电压电位。
第一线圈92布置为围绕等离子枪80的壳体81的外围，并且定位成面对真空室60的一个边缘壁表面(图5中的顶部侧表面)的外表面。通过向第一线圈92供给直流电流使第一线圈92产生磁场以促使等离子枪80的壳体81内的放电。第二线圈93定位为面对第一线圈92，并且定位为面对真空室60的另一边缘壁表面(图5中的底部侧表面)的外表面。换言之，第二线圈93定位在反射电极91侧。通过供给有直流电流，此第二线圈93产生用于将等离子体70a限制在真空室60中的柱形形状(束状)磁场。即，等离子体70a具有柱形形状，并且等离子体70a的两端均分别位于反射电极91和开口62处。等离子体70a在沿着柱延伸的方向延伸的中心部段具有凸出形状。
支承装置110设置在真空室60内的另一边缘壁侧(图5中的底部侧)。支承装置110能够支承等离子体70a周围的多个阳花键部16。如图5和图6中示出的，支承装置110包括第一旋转台111、第二旋转台112、马达113、支承部114和脉冲电源装置115。第一旋转台111形成为盘形并且设置为允许相对于真空室60的壁表面旋转。第一旋转台111通过对马达113进行驱动而旋转。多个第二旋转台112沿圆周方向设置在第一旋转台111上并且能够相对于第一旋转台111旋转。齿轮机构使第二旋转台112随第一旋转台111的旋转而旋转。支承部114固定至第二旋转台112上。支承部114能够插入穿过多个阳花键部16。即，对马达13进行驱动导致阳花键部16绕第一旋转台111的中心公转，还绕支承部114的中心自转。
脉冲电源装置115安装在真空室60外，脉冲电源装置115经由第一旋转台111、第二旋转台112和支承部114向阳花键部116施加作为偏压的非对称脉冲电压。
在真空室60的外围壁上设置有材料气体给送部120。材料气体给送部120从真空室60外向真空室60内供给TMS(四甲基硅烷)气体和乙炔气，以便在阳花键部16的表面上形成DLC膜。溅射源130在真空室60内布置在外围壁附近。适用的溅射源130的标靶由主要成分为铬的材料制成。加热器140在真空室60内布置在外围壁附近，用于加热用作用于处理的对象物的阳花键部16。
接下来，参照图5和图6描述多个阳花键部16在真空室60内的放置。四个阳花键部16插入穿过相应的支承部114。即，随着在真空室60内将多个阳花键部16设置在等离子区70周围，多个阳花键部沿等离子体70a的柱延伸的方向同轴地布置。
更具体地，多个阳花键部16如下文所述地放置在真空室60内。首先，第一阳花键部16从结合至阳花键部16中的第一轭部11的一侧的表面插入相应的支承部114中。随后，将第二阳花键部16从与阳花键部16中的第一轭部11相结合的一侧相反的表面插入支承部114。此处，在与第一轭部11相反的一侧，第一阳花键部16和第二阳花键部16的表面相互抵靠。
在插入第二阳花键部16以后，将圆柱体间隔部150插入支承部114。接下来，将第三阳花键部16从结合至阳花键部16中的第一轭部11的一侧的表面插入支承部114。随后，第四阳花键部16从与结合至第一轭部11的一侧相反的表面插入支承部114。此处，在与第一轭部11相反的一侧，第三阳花键部16和第四花键部16相互抵靠。
因此，四个阳花键部16同轴地对准成一排以便在布置后的四个阳花键部16的中心附近在第二阳花键部16和第三阳花键部16之间形成轴向间隙。两组两个阳花键部16布置为将间隔部150夹在中间。借此，在阳花键部16之间放置间隔部150的轴向间隙定位在沿等离子体70a延伸的方向的中心。即，间隔部150定位在位于等离子体70a中心的最大凸出部周围，而等离子体70a的最大凸出部周围未布置阳花键部16。
接下来，参照图7中的流程图描述用于对阳花键部16进行表面处理的方法。首先，在步骤S1中，马达113受到驱动，向加热器140供给电功率以加热用作用于处理的对象物的阳花键部16。以此方式，进行阳花键部16的脱气。
随后，在步骤S2中，停止向加热器140的电功率，进行放电清洗过程。在放电清洗过程中，从气体喷嘴86向等离子枪80的壳体81供给氩气和氢气。此外，在此步骤中，向热阴极83、阳极84、电子注入电极85、第一线圈92和第二线圈93供给电功率。借此，通过加热热阴极83放射热电子，使热电子的速度朝向阳极84加速。加速后的热电子与氩气粒子和氢气粒子碰撞，碰撞使氩气粒子和氢气粒子电离以在壳体81内产生等离子。
壳体81内产生的等离子从开口62供给至真空室60，等离子朝向反射电极91运动。然而，反射电极91处于绝缘电压电位，使得等离子内的电子被反射电极91反射并且朝向等离子枪80运动。然而，等离子枪80的壳体81也处于绝缘电压电位，使得等离子内的电子在等离子枪80和反射电极91直接的电场中振荡。此外，由第一线圈92和第二线圈93产生的磁场将等离子体70a限制在柱形形状中，在真空室60内产生在等离子体70a的中心处凸出的柱状等离子体70a。
脉冲电源装置115向阳花键部16施加偏压。因此，等离子体70a中的氩离子和氢离子与阳花键部16的表面碰撞。以此方式，对阳花键部16的表面进行清洁。清洁完成时，停止供给氢气。
接下来，在步骤S3中，居间层膜16b由溅射法、即PVD方法中的一种形成。向溅射源130的标靶供给电功率。随后，氩离子与标靶的表面碰撞以从标靶强有力地驱除铬粒子。铬粒子与阳花键部16的表面碰撞并蓄积在该表面上。以此方式，在阳花键部16的基材16a的表面上形成以铬为主要成分的居间层膜16b。随后，停止向溅射源130的标靶供给电功率。
接下来，在步骤S4中，通过热阴极PIG等离子CVD方法形成DLC膜16c。材料气供给部120向真空室60中供给TMS气体和乙炔气。随后，等离子体70a使TMS气体和乙炔气电离以在真空室60中形成等离子。由TMS气体和乙炔气产生的等离子在阳花键部16的表面上引起化学反应以形成含硅(Si)的DLC膜16c。
接下来，参照图8描述通过相同的支承部114对准的第一至第四阳花键部16的DLC膜16c的膜厚度。在图8中，纵轴示出了在真空室60中的轴向(图5中的上下方向)位置，横轴示出了阳花键部16的DLC膜16c的厚度。
如图8中示出的，当真空室60内形成的等离子体70a的中心部呈凸出的柱形形状时，等离子体70a的凸出部的尺寸和DLC膜16c的厚度之间存在关联。更具体地，当等离子体70a的凸出部更大时，DLC膜16c变得更厚。即，膜在沿柱状等离子体70a延伸的方向中心处最厚，当阳花键部16的位置沿柱状等离子体70a延伸的方向更接近柱状等离子体70a的端部时，膜变得更薄。
如上所述，第一至第四阳花键部16布置在真空室60中。换言之，第一阳花键部16上形成的阳花键定位在从Y1至Y2的范围内。第二阳花键部16上形成的阳花键定位在从Y2至Y3的范围内。第三阳花键部16上形成的阳花键定位在从Y4至Y5的范围内。第四阳花键部16上形成的阳花键定位在从Y5至Y6的范围内。间隔部150定位在从Y3至Y4的范围内。即，间隔部150设置在柱状等离子体70a的中心沿柱状等离子体70a的延伸方向延伸的位置。
因此，第一和第二阳花键部16上的DLC膜16c的厚度介于从T1至T2的范围内。类似地，第三和第四阳花键部16上的DLC膜16c的厚度介于相同的从T1至T2的范围内。此处，T1大于等于V1，V1是最小要求膜厚度。此处，T2小于等于膜厚度V2，V2是最大要求膜厚度。假设已经定位了阳花键部16并且形成了DLC膜16c，则没有阳花键部16定位在DCL膜16c变得最厚的范围内。DLC膜16c的最厚部分以及与该最厚部分相邻的部分的厚度大于作为最大要求膜厚度的V2。因此，当在阳花键部16上同时形成DLC膜16c时，能够减小DLC膜16c的厚度变化。
在此实施方式中，为了简化描述，Y1处的膜厚度和Y6处的膜厚度均描述为T1，Y3处的膜厚度和Y4处的膜厚度均描述为T2。然而，这些值中的每一个均可以分别是不同的值，并且这些值通常分别是不同的值。Y1处的膜厚度和Y6处的膜厚度可以大于等于最小要求膜厚度V1，Y3处的膜厚度和Y4处的膜厚度可以小于等于最大要求膜厚度V2。即，用于第一、第二、第三和第四阳花键部16的DLC膜16c的膜厚度可以大于等于最小要求膜厚度V1，并且进一步可以小于等于最大要求膜厚度V2。
将偶数个阳花键部16插入支承部114，将相同数量的阳花键部16定位在间隔部150的两侧。因此，能够减小DLC膜16c的厚度变化，并且能够有效地利用等离子体70a的两端部侧。换言之，能够将多个阳花键部16放置在真空室60内，并且能够在该多个阳花键部16上形成DLC膜16c。
具体地，能够通过将第一轴10分为第一轭部11和阳花键部16并且仅将阳花键部16放置在真空室60内而将多个阳花键部16放置在真空室60内。此外，能够通过除了在等离子体70a的沿柱状等离子体70a延伸的方向的中心处以外的位置、将两个阳花键部16放置为彼此直接接触而将更多数量的阳花键部16牢固地放置在真空室60内。
在上述实施方式中，将四个阳花键部16插入支承部114中。然而，可以插入两个阳花键部16，可以插入六个或更多个偶数的阳花键部16。
接下来，描述第二实施方式中用于形成DLC膜16c的方法。在本实施方式中，放置在真空室60内的用于处理的对象物是图2中示出的第一轴10。即，将由第一轭部11和阳花键部16形成的第一轴10作为一体件放入真空室60。
如图9中示出的，两个第一轴10插入一个支承部114。此处，用于插入两个第一轴10的方法使两个第一轴10成组为第一组A1，并且使两个第一轴10成组为第二组A2。
用作第一组A1的两个第一轴10沿柱状等离子体70a延伸的方向对准，使得相应的第一轭部11沿两个第一轴的方向彼此面对并且交叠。更具体地，第一轭部11中的每一个均布置为相互移位90°。换言之，万向节的两个轭部布置为彼此更为靠近。即，第一轭部11中的每一个均放置在第一组A1的两个第一轴10的阳花键部16之间的沿第一轴10的轴向方向的空间中。首先，将间隔部200插在支承部114中，随后插入两个第一轴10。间隔部200的长度调整为，使得阳花键部16之间的沿轴向方向的空间定位在柱状等离子体70a的沿柱状等离子体70a延伸的方向的中心处。沿第一旋转台111的圆周方向，每隔一个第二旋转台112布置有第一组A1。
用作第二组A2的两个第一轴10沿柱状等离子体70a延伸的方向对准，使得相应的第一轭部11面向外。将间隔部210设置在第二组A2的两个第一轴10之间的沿第一轴10的轴向方向的空间中。此间隔部210的轴向长度设定为使得第一组A1的阳花键部16和第二组A2的阳花键部16设定在沿柱状等离子体70a延伸的方向的相同位置。即，间隔部210的沿轴向方向的中心定位在柱状等离子体70a的沿柱状等离子体70a延伸的方向的中心处。沿第一旋转台111的圆周方向，每隔一个第二旋转台112布置有第二组A2。即，如图10所示，第一组A1和第二组A2沿第一旋转台111的圆周方向绕等离子体70a交替地布置。
此外，在真空室60内，掩模构件220将相应的第一轭部11覆盖以防止处理第一轭部11的表面。在图9和图11中，掩模构件220由虚线示出。
接下来，将参照图12描述通过相同的支承部114对准的两个第一轴10的阳花键部16的DLC膜16c的厚度。在图12中，纵轴示出了在真空室60中的轴向(图9中的上下方向)位置，横轴示出了阳花键部16的DLC膜16c的厚度。
如图12中示出的，第一阳花键部16上形成的阳花键定位在从Y11至Y12的范围内。第二阳花键部16上形成的阳花键定位在从Y13至Y14的范围内。定位在第一组A1的两个第一轴10的阳花键部16之间的沿两个第一轴10的轴向方向的空间处的第一轭部11定位在从Y12至Y13的范围内。即，第一轭部11定位在柱状等离子体70a的沿柱状等离子体70a延伸的方向的中心处。定位在第二组A2的两个第一轴10之间的沿轴向方向的空间处的间隔部210定位在从Y12至Y13的范围内。
因此，两个第一轴10的阳花键部16的DLC膜16c的厚度介于从T11至T12的范围内。此处，T11大于等于最小要求膜厚度V1。此外，T12小于最大要求膜厚度V2。假设定位了阳花键部16并且形成了DLC膜16c，则没有阳花键部16定位在DLC膜16c的厚度变得最大的范围内。DLC膜16c的最厚部分以及与该最厚部分相邻的部分的厚度大于最大要求膜厚度V12。因此，当在阳花键部16上同时形成DLC膜16c时，能够减小DLC膜16c的厚度变化。
在本实施方式中，为了简化描述，将Y11处的膜厚度以及Y14处的膜厚度均描述为T11，将Y12处的膜厚度以及Y13处的膜厚度均描述为T12。然而，这些值中的每一个均可以分别是不同的值，并且这些值通常分别是不同的。Y11处的膜厚度和Y14处的膜厚度可以大于等于最小要求膜厚度V11，Y12处的膜厚度和Y13处的膜厚度可以小于等于最大要求膜厚度V12。即，用于第一组A1的第一和第二阳花键部16、以及也用于第二组A2的第一和第二阳花键部16的DLC膜16c的膜厚度大于等于最小要求膜厚度V11，进一步小于等于最大要求膜厚度V12。
因为无需在第一轭部11上形成DLC膜，所以浪费了真空室60内用于第一轭部11的区域。然而，因为多个第一轴10的相应的第一轭部11对准为使得相应的第一轭部11沿轴向方向彼此面对并且交叠，所以能够使不需要形成DLC膜的区域尽可能变窄。此外，通过将相应的第一轭部11的彼此面对的重叠部定位在柱状等离子体70a的沿柱状等离子体70a延伸的方向的中心处，能够有效地利用多个阳花键部16之间的轴向间隙。由于能够有效地利用真空室60的内部，故而能够减小DLC膜16c的厚度变化，并且能够将多个第一轴10放置在真空室内。
此外，通过沿圆周方向与第一组A1的两个第一轴10相邻地将两个第一轴10设定为第二组A2，能够防止第一组A1的第一轭部11与第一组A2的第一轭部11沿圆周方向接触。换言之，通过将第一组A1和第二组A2沿圆周方向在交错位置放置在真空室60内，能够使第一组A1和第二组A2之间的沿圆周方向的间隙变窄。

Claims (7)

1.一种用于通过热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置(50)在花键轴(1)的阳花键部(16)上形成类金刚石碳膜(16c)的方法，其中，所述热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置(50)包括：i)真空室(60)，所述真空室(60)容纳所述花键轴(1)；ii)等离子枪(80)；iii)反射电极(91)，所述反射电极(91)布置在所述真空室(60)内；iv)第一线圈(92)，所述第一线圈(92)绕所述等离子枪(80)布置；v)第二线圈(93)，所述第二线圈(93)布置在反射电极(91)侧，所述第二线圈(93)面对所述第一线圈(92)；vi)热阴极潘宁电离计型等离子源(70)，所述热阴极潘宁电离计型等离子源(70)在所述真空室(60)中形成柱状等离子体(70a)，该柱状等离子体(70a)具有凸出中心部；和vii)材料气体给送部(120)，所述材料气体给送部(120)向所述真空室(60)供给材料气体，所述材料气体用作用于类金刚石碳膜(16c)的材料，所述方法的特征在于包括，
在所述真空室(60)中绕所述柱状等离子体(70a)布置多个所述花键轴(1)；
沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向同轴地对准多个所述花键轴(1)；
将多个同轴地对准的所述花键轴(1)布置为在相应的所述阳花键部(16)之间形成轴向间隙；以及
将多个所述阳花键部(16)的所述轴向间隙定位在所述柱状等离子体的沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向的中心处。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将偶数个的多个所述花键轴(1)在所述真空室(60)中沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向对准。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述花键轴(1)包括：i)所述阳花键部(16)；以及ii)形成为U形的轭部(11)，所述轭部(11)能够联接至其他构件，在所述轭部(11)形成为与所述阳花键部(16)分体的件之后，所述轭部(11)与所述阳花键部(16)结合为一件，
仅所述花键轴(1)的所述阳花键部(16)放置在所述真空室(60)内，
四个或更多个所述阳花键部(16)在所述真空室(60)内沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向对准，
靠近所述柱状等离子体的沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向的中心处放置的两个所述阳花键部被定位为在两个所述阳花键部之间形成轴向间隙，并且
定位在所述柱状等离子体的沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向的中心以外的两个所述阳花键部(16)以彼此抵靠的方式定位。
4.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其特征在于，所述花键轴(1)包括所述阳花键部(16)和U形的轭部(11)，所述轭部(11)联接至其他构件并且与所述阳花键部(16)一体地形成为一件，
在所述真空室(60)内沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向对准的多个所述花键轴(1)布置为使得相应的所述轭部(11)沿轴向方向彼此面对并且交叠，并且
相应的所述轭部(11)放置在相应的所述阳花键部(16)之间的定位在所述柱状等离子体(70a)的沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向的中心处的轴向间隙处。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向被对准从而使得相应的所述轭部(11)彼此面对的多个所述花键轴(1)为第一组(A1)，
沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向(11)被对准从而使得相应的所述轭部面向外的多个所述花键轴(1)为第二组(A2)，以及
所述第一组(A1)和所述第二组(A2)绕所述柱状等离子体(70a)沿圆周方向交替地布置。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一组(A1)的所述阳花键部(16)和所述第二组(A2)的所述阳花键部(16)沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向布置在相同位置。
7.一种热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置(50)，包括：
真空室(60)，所述真空室(60)容纳花键轴(1)；
等离子枪(80)；
反射电极(91)，所述反射电极(91)布置在所述真空室(60)内；
第一线圈(92)，所述第一线圈(92)布置为围绕所述等离子枪(80)；
第二线圈(93)，所述第二线圈(93)布置在反射电极(91)侧，所述第二线圈(93)面对所述第一线圈(92)；
热阴极潘宁电离计型等离子源(70)，所述热阴极潘宁电离计型等离子源(70)在所述真空室(60)中形成柱状等离子体(70a)，所述柱状等离子体(70a)具有凸出中心部；以及
材料气体给送部(120)，所述材料气体给送部(120)将材料气体给送至所述真空室(60)中，所述材料气体用作用于类金刚石碳膜(16c)的材料，
所述热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置(50)的特征在于，所述真空室(60)构造为：
(i)多个所述花键轴(1)在所述真空室(60)中绕所述柱状等离子体(70a)布置；
(ii)多个所述花键轴(1)沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向同轴地对准；
(iii)多个同轴地对准的所述花键轴(1)布置为在相应的所述阳花键部(16)之间形成轴向间隙，以及
(iv)多个所述阳花键部(16)的所述轴向间隙定位在所述柱状等离子体(70a)的沿所述柱状等离子体(70a)延伸的方向的中心处。
CN201210305330.2A 2011-08-26 2012-08-24 用于在花键轴上形成类金刚石碳膜的方法以及热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置 Active CN102953044B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011184372A JP5808198B2 (ja) 2011-08-26 2011-08-26 スプラインシャフトのｄｌｃ被膜の形成方法
JP2011-184372 2011-08-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102953044A true CN102953044A (zh) 2013-03-06
CN102953044B CN102953044B (zh) 2016-06-29

Family

ID=47262964

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210305330.2A Active CN102953044B (zh) 2011-08-26 2012-08-24 用于在花键轴上形成类金刚石碳膜的方法以及热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9217196B2 (zh)
EP (1) EP2562289B1 (zh)
JP (1) JP5808198B2 (zh)
CN (1) CN102953044B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105229317A (zh) * 2013-04-18 2016-01-06 本田技研工业株式会社 球节及其制造方法
CN105244250A (zh) * 2014-07-03 2016-01-13 斯克林集团公司 蚀刻装置及蚀刻方法
CN108990245A (zh) * 2018-06-04 2018-12-11 台州学院 一种小型面积可调等离子体源
CN110419091A (zh) * 2017-03-24 2019-11-05 应用材料公司 等离子体反应器中类金刚石碳的沉积或处理和等离子体反应器

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5889741B2 (ja) * 2012-07-12 2016-03-22 日立オートモティブシステムズ九州株式会社 アルミニウム合金製プロペラシャフトの摩擦圧接方法
JP6151536B2 (ja) * 2013-03-08 2017-06-21 本田技研工業株式会社 動力伝達装置
US9956985B2 (en) * 2016-02-16 2018-05-01 Steering Solutions Ip Holding Corporation Steering shaft assembly
US10882070B2 (en) 2017-03-28 2021-01-05 Steering Solutions Ip Holding Corporation Method of manufacturing a steering shaft assembly

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100210488A1 (en) * 2009-02-17 2010-08-19 Jtekt Corporation Sliding member
JP2011026660A (ja) * 2009-07-24 2011-02-10 Jtekt Corp 摺動部材およびその製造方法
CN201746583U (zh) * 2010-06-25 2011-02-16 合肥科烨电物理设备制造有限公司 一种潘宁放电离子源柔性材料真空镀膜电极
CN102373437A (zh) * 2010-08-06 2012-03-14 株式会社捷太格特 覆层的形成方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006169589A (ja) * 2004-12-16 2006-06-29 Shinko Seiki Co Ltd 表面処理装置
JP2007177955A (ja) 2005-12-28 2007-07-12 Toyota Motor Corp プロペラシャフト
JP5544855B2 (ja) * 2009-12-10 2014-07-09 株式会社ジェイテクト プロペラシャフト

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100210488A1 (en) * 2009-02-17 2010-08-19 Jtekt Corporation Sliding member
JP2011026660A (ja) * 2009-07-24 2011-02-10 Jtekt Corp 摺動部材およびその製造方法
CN201746583U (zh) * 2010-06-25 2011-02-16 合肥科烨电物理设备制造有限公司 一种潘宁放电离子源柔性材料真空镀膜电极
CN102373437A (zh) * 2010-08-06 2012-03-14 株式会社捷太格特 覆层的形成方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105229317A (zh) * 2013-04-18 2016-01-06 本田技研工业株式会社 球节及其制造方法
CN105229317B (zh) * 2013-04-18 2018-06-08 本田技研工业株式会社 球节及其制造方法
CN105244250A (zh) * 2014-07-03 2016-01-13 斯克林集团公司 蚀刻装置及蚀刻方法
CN105244250B (zh) * 2014-07-03 2017-06-09 斯克林集团公司 蚀刻装置及蚀刻方法
CN110419091A (zh) * 2017-03-24 2019-11-05 应用材料公司 等离子体反应器中类金刚石碳的沉积或处理和等离子体反应器
CN108990245A (zh) * 2018-06-04 2018-12-11 台州学院 一种小型面积可调等离子体源

Also Published As

Publication number Publication date
CN102953044B (zh) 2016-06-29
JP5808198B2 (ja) 2015-11-10
JP2013044041A (ja) 2013-03-04
US9217196B2 (en) 2015-12-22
EP2562289B1 (en) 2017-06-07
US20130220798A1 (en) 2013-08-29
EP2562289A1 (en) 2013-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102953044A (zh) 用于在花键轴上形成类金刚石碳膜的方法以及热阴极潘宁电离计型等离子化学气相沉积装置
US8734913B2 (en) Formation method of coating
JP6084032B2 (ja) スチール被覆物品およびその製造方法
EP2882882B1 (en) Inverted cylindrical magnetron (icm) system and methods of use
JP4362460B2 (ja) ターゲットを含むスパッタ・カソードの操作方法
TWI577814B (zh) 電流絕緣軸承組件及軸承及塗覆軸承組件的方法
JP6636728B2 (ja) 境界潤滑状態となる高温で動作する堆積物のコーティングおよびその方法
JP6861160B2 (ja) 回転対称処理対象物を保持するための磁気手段を含む固定具
KR20200066377A (ko) 마그네트론 스퍼터링 장치용 회전식 캐소드 유닛
JP4300762B2 (ja) 炭素膜被覆物品及びその製造方法
JP2011089195A (ja) Ｄｌｃ膜形成方法およびｄｌｃ膜
TW201144464A (en) Rotatable target, backing tube, sputtering installation and method for producing a rotatable target
EP3242025B1 (en) Linear compressor and method for manufacturing a linear compressor
US20130299346A1 (en) Sputtering device with a tubular target
US20120312233A1 (en) Magnetically Enhanced Thin Film Coating Method and Apparatus
WO2016180443A1 (en) Radio frequency (rf) - sputter deposition source, deposition apparatus and method of operating thereof
US20150090587A1 (en) Rotatable sputter target
US9422619B2 (en) Processing apparatus and shield
JP5880474B2 (ja) 真空成膜装置
TW201538768A (zh) 用於沈積設備之電極組以及用於組裝電極組之方法
JP2024067972A (ja) アーク蒸発源
JP2009155670A (ja) 硬質薄膜の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant