CN102947954B - 带有介电背反射覆层的太阳能电池及其制造方法 - Google Patents

带有介电背反射覆层的太阳能电池及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102947954B
CN102947954B CN201180022058.0A CN201180022058A CN102947954B CN 102947954 B CN102947954 B CN 102947954B CN 201180022058 A CN201180022058 A CN 201180022058A CN 102947954 B CN102947954 B CN 102947954B
Authority
CN
China
Prior art keywords
solaode
lamination
substrate
back side
silicon nitride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201180022058.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102947954A (zh
Inventor
阿道夫·闵塞尔
安德里亚斯·特佩
简·薛昂
莱因赫德·舒勒索尔
史蒂芬·科勒尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RCT Solution Limited Liability Company
Original Assignee
Rct Solution LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rct Solution LLC filed Critical Rct Solution LLC
Publication of CN102947954A publication Critical patent/CN102947954A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102947954B publication Critical patent/CN102947954B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0547—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the reflecting type, e.g. parabolic mirrors, concentrators using total internal reflection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H01L31/02366—Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/056—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means the light-reflecting means being of the back surface reflector [BSR] type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1864—Annealing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

用于制造太阳能电池（70）的方法，其中包括介电层（74，76）的一个叠层（74，76）被加到（14，16；54，56）一个太阳能电池基底（72）的背面，且该叠层（74，76）被加热和保持在至少700°C的温度下至少5分钟。本发明还涉及一种太阳能电池（70）。

Description

带有介电背反射覆层的太阳能电池及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种带有介电背反射覆层的太阳能电池及其制造方法。
背景技术
在光伏领域，目标是减小产生电流的成本。实现该目标的一种途径，是提高所制造的太阳能电池的效率，另一种途径是降低制造太阳能电池所需的成本。效率的提高需要使更大比例的照射光子产生电子空穴对和/或使更大比例的所产生的电子空穴对在它们重新结合之前被传导走。结果是所谓的量子产量或量子效率的提高。
由于长波的红光成分有较大的吸收长度，红光谱区特别有提高的潜力。由于更薄的太阳能电池基底（例如硅盘）被用于太阳能电池的工业生产，红光谱区也变得越来越重要。因此，为了提高量子效率，一个金属层作为光反射器被加到太阳能电池基底的背面，即太阳能电池基底背向入射光的一面。结果，入射到太阳能电池基底的正面上的长波光被反射到太阳能电池基底的背面。这加大了太阳能电池基底体内的吸收概率，从而加大了产生一个电子空穴对的概率。如果没有在太阳能电池基底背面的光反射器，更大部分的光未经吸收就穿过了太阳能电池基底。然而，已经显示了，这种类型的金属光反射器与金属与太阳能电池基底界面处的电荷载流子的高再结合率相关。这可以通过在太阳能电池基底的背面提供介电反射覆层而不是金属背反射层，而进行避免。为此，一或多个介电层被加在太阳能电池基底的背面。这些层被这样设计，即打在介电层上的光量子被全反射效应所反射。这种效应代替了在金属背反射层时发生的光量子至光密介质的反射。
借助这种类型的介电背反射覆层，电荷载流子的再结合率可大大减小。能够实现小于500cm/s的再结合率。而直到现在仍然是标准的带有背面区域（经常被称为背表面区）的全区域铝背触头则只实现了1000cm/s量级的再结合率。用作背反射器的没有背面区的欧姆金属背触头只有106cm/s的再结合率。
为了把产生的电流传导走，需要太阳能电池基底的背面的电触头。然而，这不能用介电层实现。因此，除了介电背反射层之外，还必须提供金属触头。这可通过例如在介电层上局部打孔并在孔中形成金属触头而实现。例如，可借助激光束汽化，在介电层上进行局部穿孔，且金属触头可被真空金属化。但这种背触头形成方法，与工业化太阳能电池生产中通常使用的印刷工艺（诸如屏网印刷或喷涂印刷工艺）相比，显得昂贵。但工业化生产中采用的这些印刷工艺不能不经改变地用于作为太阳能电池基底的背触头的介电层。这是由于这些印刷工艺中采用的糊含有玻璃成分，称为玻璃熔料。这些因素的效果是这些糊在形成触头所需的烧制工艺中烧穿了介电层，从而破坏了介电层。使用不含玻璃成分的糊已经被证明也是有问题的，因为这样的糊所产生的触头与太阳能电池基底的附着力不够。
为了防止含玻璃熔料的糊烧穿介电层，在原理上可以形成厚度足以防止烧制的介电层。但这使得生产成本大幅度加大。
如此，采用介电背反射覆层所带来的效率提高被与介电背反射覆层相关的生产成本加大所抵消了。
发明内容
在这种背景下，本发明的一个目的，是提供一种方法，它能够经济地提供太阳能电池基底的介电反射覆层和设置触头。
本发明的另一个目的，是提供带有可经济地生产的介电背反射层的太阳能电池。
本发明的其他有利改进在下文中说明。
在根据本发明的方法中，在太阳能电池基底的背面施加了包括介电层的一个叠层。该叠层被加热并保持在至少700°C至少5分钟。具有这些特征的方法已经解决了上述第一个问题。
令人意外的是，作为所述在至少700°C对叠层的加热和保持的结果，叠层中的一或多个介电层对含玻璃成分的糊的烧制的抵抗力得到了改善。这种抵抗力改善在此被简称为致密化。至此，还没有澄清在加热和至少700°C的温度的保持期间哪些过程在一个或多个介电层中发生了并导致一或多个介电层的致密化。
优选地，所述叠层在至少700°C的温度下保持至少10分钟的时间。
在理论上，叠层被保持在至少700°C的温度的期间，可被其间叠层处于低于700°C的温度的阶段所中断。所以，可以提供若干个时间段，在这些时间段中叠层被保持在至少700°C的温度。这些时间段累计起来有至少5分钟，优选地有至少10分钟。
优选地是采用硅太阳能电池基底作为太阳能电池基底。
优选地，一个叠层被加有厚度小于100nm的氧化硅层。特别是当采用硅太阳能电池基底时，这能够获得良好的表面缺陷态钝化。该氧化硅层的厚度优选地是在5nm与100m之间，特别优选地是在10nm与100nm之间。所述氧化硅层在原则上能够以现有技术中已知的任何方式施加。例如，该氧化硅层可用从汽相进行化学淀积的方式施加。如果采用硅太阳能电池基底，上述氧化硅层可通过硅太阳能电池基底的热氧化而形成。
实际中，采用带有厚度小于200nm的氮化硅层的叠层已经被证明是有效的。该氮化硅层能够例如借助化学汽相淀积而得到施加。在此情况下，特别地，可采用等离子体强化的化学汽相淀积（PECVD）或低压化学汽相淀积（LPCVD）。厚度小于200nm的氮化硅层可被经济地施加。优选地，氮化硅层的厚度在50nm与200nm之间，特别优选地是在70nm与150nm之间。
已经显示出，氮化硅层，通过被加热和在至少700°C的温度下保持至少5分钟，可得到致密化。除了氮化硅层，氧化硅、碳化硅、氧化铝、氧化钛、氮化钽层也可以此方式被致密化。
优选地，一个带有氧化硅层和氮化硅层的叠层被施加。在此情况下，优选地是首先把氧化硅层施加到太阳能电池基底的背面并随后把氮化硅层加到氧化硅层上。特别优选地的是，氧化硅层被直接加到太阳能电池基底且氮化硅层被直接加到氧化硅层上。这使得太阳能电池基底的背面得到了大范围的钝化，从而在太阳能电池基底的背面上只能实现非常低的电荷载流子再结合率。同时，由于致密化的氮化硅层，叠层对包含玻璃成分的糊的烧穿的抵抗力得到了提高。
优选地，在把叠层加到太阳能电池基底的背面之后，在一个扩散步骤中把掺杂物扩散到太阳能电池基底中，且在此扩散步骤中叠层在至少700°C的温度下被保持至少5分钟。以此方式，至少一个介电层的致密化能够被经济地整合到太阳能电池生产过程中，因为该至少一个介电层能够在总是需要进行的扩散步骤期间得到致密化。
优选地，该扩散步骤是一个发射极扩散步骤。这在原理上能够以现有技术中已知的任何方式进行设置。例如，它可以是来自气相的发射极扩散，例如一个POCl3扩散，或者是来自先驱体层的掺杂物的扩散（称为先驱体扩散）。根据所用的太阳能电池基底，该扩散步骤可以是n或p型扩散步骤。
在该扩散步骤中，叠层可被用作太阳能电池基底的背面的扩散掩膜。以此方式，能够以经济的方式实现单面的发射极扩散。这在经常采用的气相扩散中特别有利，例如在所述POCl3扩散中。这是因为，由于单面发射极扩散的结果，不再需要全接触发射极扩散所需的边缘绝缘，从而降低了制造成本。
有利地，在叠层上形成本地的开口。这可借助例如激光束蒸发进行。或者，可把一种适当的蚀刻糊局部地加到叠层上，从而对叠层通过蚀刻进行局部打孔。
如果借助激光束蒸发形成了本地开口，已经被证明有效的是以本地线形开口的形式形成该本地开口。与多个局部的、准点状的开口相比，这是有利的。这是由于在激光束蒸发中太阳能电池基底的表面被损坏了。结果，在多个局部的、准点状的开口的情况下，有问题的边缘区与好的中间区的比率不如线形开口的情况下好。另外，引入到本地开口中的金属化有助于背面的横向导电率的加大，这有利于所制造的太阳能电池的填充因数。可选地，为了减小激光束蒸发所造成的损坏，可借助例如碱性蚀刻溶液或包含氢氟酸的蚀刻溶液，对所述开口进行过蚀刻。
如果本地开口是借助局部施加的蚀刻糊形成的，则对形成准点状的开口有利。
或者，可借助具有非常高玻璃成分的、被局部施加在所述叠层上并烧穿叠层的金属糊，来形成所述本地开口。由于叠层具有至少一个致密化的介电层，高玻璃成分和烧穿工艺的适配是必需的。在这种变形实施例中，本地开口中已经填充了金属糊，为了形成设置在本地开口中的触头的导电连接，叠层可被平整地印刷上一种平常的金属糊。由于它具有较小的玻璃成分，平整施加的糊对具有至少一个致密化的介电层的叠层的任何烧穿都被阻止。
优选地，在叠层上广泛施加一种金属介质，从而使某些该金属介质由此被注入本地开口中。这能够例如借助现有技术的印刷工艺进行，例如屏网印刷工艺。如果太阳能电池基底的背面区被该金属介质覆盖了至少80％，这种施加就是广泛的。为了在本地开口中形成欧姆接触，太阳能电池基底被烧制。在烧制中，位于叠层上的金属介质的部分通过叠层的烧穿得到阻止。诸如温度和时间的烧制参数得到相应选择。例如，作为金属介质，可采用金属糊或印刷糊或一种金属流体。优选的是采用铝基糊或流体，因为以此方式可在本地开口的区域中形成一个局部背面区。这经常被称为局部背表面区并减小了本地开口和/或触头的区域中的电荷载流子再结合。在广泛的背面触头的情况下，经常发生太阳能电池的弯曲。在上述的变形实施例中，这得到了避免，或至少弯曲被减小了，因为触头只在本地开口中形成，因而只有在本地开口中金属介质才与太阳能电池基底直接接触。
优选地，在施加叠层之前，利用平滑化蚀刻溶液或抛光蚀刻溶液，对太阳能电池基底的背面进行蚀刻。以此方式，可在太阳能电池基底的背面制备一个平滑的表面，其对太阳能电池基底的反射行为有有利的效果。在此情况下，平滑化蚀刻溶液指的是这样一种蚀刻溶液，即借助该蚀刻溶液太阳能电池基底的表面能够被蚀刻成使波长在400nm与1000nm之间的入射光被反射至少15％且少于25％的状态。抛光蚀刻溶液指的是这样的蚀刻溶液，即借助该蚀刻溶液太阳能电池基底的表面能够被蚀刻到使波长在400nm与1000nm之间的入射光被反射至少25％。
优选地，太阳能电池基底的正面被施加纹理。这可借助一种蚀刻介质实现。特别优选的是，这借助一种纹理蚀刻溶液实现。作为这种施加纹理的一个结果，入射光更倾斜地入射到太阳能电池基底上，从而使更大部分的光能够被全反射至太阳能电池基底的背面。这能够改善所制造的太阳能电池的效率。
有利地，太阳能电池基底的正面在施加了所述叠层之后被施加纹理。在施加纹理期间，叠层被用作太阳能电池基底的背面的蚀刻掩膜。以此方式，能够以经济的方式实现太阳能电池基底的一侧的纹理施加。
在叠层被保持在至少700°C的温度下至少5分钟的时间之后，一个含氢的氮化硅层优选地被淀积到太阳能电池基底的正面。该含氢的氮化硅层因而在至少一个介电层的致密化之后被淀积到太阳能电池基底的正面上。这能够例如利用现有技术中已知的化学汽相淀积工艺实现。利用该含氢的氮化硅层，能够在太阳能电池基底体内进行缺陷钝化，其结果是使所制成的太阳能电池的效率得到了改善。除了借助含氢的氮化硅层的钝化之外，从原理上说，可以选择任何其他类型的氢钝化，例如借助氢等离子体的缺陷钝化。
根据本发明的太阳能电池具有设置在太阳能电池的背面的一个叠层。该叠层的至少一个介电层被致密化。
在本发明中，一个被致密化的介电层指的是这样的介电层，即：该介电层对带有玻璃成分的糊的烧穿的抵抗力，与它在刚刚淀积之后时的抵抗力相比，得到了提高。
通过加热该叠层和把该叠层保持在至少700°C的温度下至少5分钟的时间，获得了致密化的层。
已经被证明有效的，是采用具有厚度小于100nm的氧化硅层的叠层。优选地，它具有5nm与100nm之间的厚度，特别优选地是10nm与100nm之间的厚度。
有利的是，该叠层具有厚度小于200nm的一个氮化硅层。优选地，该厚度在50nm与200nm之间，特别优选地是在70nm与150nm之间。
所述厚度的氧化硅层和氮化硅层可借助现有技术中已知的方法以经济的方式被淀积，例如借助化学汽相淀积工艺。在硅太阳能电池基底的情况下，氧化硅层可借助太阳能电池基底的热氧化而形成。
有利的是，所述叠层具有氧化硅层和氮化硅层。氮化硅层被优选地设置在所述氧化硅层上。特别优选地是，氧化硅层被直接设置在太阳能电池基底上且氮化硅层被直接设置在氧化硅层上。
有利的是，在所述叠层上设置平坦的背触头，该背触头通过所述叠层局部地延伸并与太阳能电池基底的背面相接触。为此，可在叠层上提供若干本地开口，所述平坦的背触头通过该本地开口通过叠层延伸。
优选地，背触头从一种金属糊形成，优选地是从一种铝糊。这可以是例如一种屏网印刷触头，它优选地是作为一个单件实施的，因而在一个单一的屏网印刷工艺中施加。
该背触头优选地具有玻璃成分。这些可以是例如通常出现在屏网印刷糊中的玻璃熔料。这些玻璃成分使得背触头能够可靠地附着在所述叠层上。
以下结合附图对本发明进行更详细的说明。具有相同功能的部分被加了相同的标号。
附图说明
图1是根据本发明的方法的一个第一实施例的简化示意图。
图2是根据本发明的方法的一个第二实施例的简化示意图。
图3是根据本发明的方法的一个第三实施例的简化示意图。
图4是根据本发明的一个太阳能电池的示意图。
图5是图4的太阳能电池的背面的示意图。
具体实施方式
图1显示了根据本发明的方法的一个第一实施例。根据该实施例，太阳能电池基底首先借助纹理蚀刻溶液被施加上纹理10。然后，太阳能电池基底的背面在一种抛光蚀刻溶液中被蚀刻12并以现有技术已知的方式被清洗12。随后，一个氧化硅层被加到太阳能电池基底的背面14。这可借助例如化学汽相淀积实现。然而，优选的是，采用硅太阳能电池基底且热生长或等离子体相淀积出氧化硅层。
随后，一个氮化硅层被加到该氧化硅层上16。该氧化硅层与所述氮化硅层一起形成了一个叠层，该叠层起到所述太阳能电池基底的背面的一个介电反射覆层的作用。与太阳能电池基底的正面上的纹理一起，该叠层以上述方式使入射光有效地反射向太阳能电池基底的背面。
在该方法的随后步骤中，太阳能电池基底以现有技术中已知的方式被清洗18，例如在含盐酸和/或氢氟酸的清洗溶液中。这之后是发射极扩散20，其中由氧化硅层和氮化硅层构成的叠层被加热并在至少700°C的温度下被保持至少5分钟的时间，从而使氮化硅层被致密化20。该发射极扩散20可以是磷扩散，只要所用的太阳能电池基底具有p型的体掺杂。然而，在此，与在所有其他实施例中一样，也可采用n型掺杂的太阳能电池基底。那样，发射极扩散将是p型发射极扩散，例如硼扩散。
以下，假定在p型掺杂的硅太阳能电池基底中进行磷发射极扩散。这种磷扩散可以是例如POCl3扩散的形式的。然而，图1的实施例也适用于先驱体扩散，并且与连续扩散工艺和以批次模式进行的扩散都相容。
在发射极扩散20中，氧化硅层和氮化硅层构成的叠层起着太阳能电池基底的背面的扩散掩膜的作用。因此，在发射极扩散20中，没有掺杂物扩散到太阳能电池基底的背面。这避免了对边缘绝缘的需要。
在发射极扩散20之后，可以可选地对太阳能电池基底的正面进行激光扩散32。这涉及把一个激光束引导到正面的触头结构上。该触头结构是由将在随后设置正面触头的那些区域形成的。由于激光束被引导到这种触头结构上，发生了掺杂物从发射极扩散20期间使用的硅太阳能电池基底的表面上形成的一种硅酸盐玻璃至这些区域的加强扩散。如果发射极扩散20是磷扩散，则这是例如一个磷硅玻璃，附加的掺杂物从该磷硅玻璃局部扩散到硅太阳能电池基底的正面。在正面的激光扩散因而使得能够实现选择性的发射极结构。
随后，在叠层22中形成了本地开口。如上所述，这可借助例如激光束蒸发或采用局部施加的蚀刻糊来实现。
然后，在发射极扩散20期间形成的硅酸盐玻璃被蚀刻24并从而被除去。在磷发射极扩散的情况下，这将是磷硅玻璃。
之后，在太阳能电池基底的正面淀积26含氢的氮化硅层。如上所述，这使得太阳能电池基底体中的缺陷态能够得到钝化。
随后，太阳能电池基底的正面和背面被金属化28。这优选地借助屏网印刷工艺进行。然而，在原理上，也可采用另一方法，特别是另一种印刷方法。当背面被金属化时，优选地是把一种金属糊广泛施加在太阳能电池基底的背面并把一些金属糊注入到所述本地开口中。
在金属化28期间施加的金属糊包含玻璃成分。在一个随后的共烧制30中，设置在正面的金属糊被烧穿过正面上的所述氮化硅层并被烧结到太阳能电池基底中，从而形成一个正面欧姆触头。包含玻璃成分并被加到背面的金属糊在共烧制30期间没有被烧穿过背面的氮化硅层，因为背面的氮化硅层已经被致密化20因而对烧穿有更大的抵抗力。由于玻璃成分，烧制的糊可靠地附着在叠层上。只有在其中已经加入了糊的本地开口的区域中，才发生太阳能电池基底的背面上的金属糊的烧结和欧姆触头的形成。优选地，一种铝糊被用作用于背面的金属糊，从而在共烧制30期间，在本地开口的区域中形成一个局部的背面区。
图1的实施例因而代表了带有介电背面钝化和局部背面区的太阳能电池的一种经济的制造方法。图1的实施例已经被证明是有效的，特别是在从多晶的单晶硅片制造太阳能电池的场合。
在图2的实施例中，再次采用了硅太阳能电池基底。在开始步骤，硅太阳能电池基底在一种平滑蚀刻溶液中被蚀刻40，且该蚀刻除去了太阳能电池基底上的所有锯损伤。这产生了正面和背面都被平滑蚀刻的太阳能电池基底。
然后，如在图1的实施例中一样，一个氧化硅层被直接加到14太阳能电池基底的背面，且一个氮化硅层被加到16该氧化硅层上。
然后借助一种纹理蚀刻溶液施加纹理42。形成在太阳能电池基底的背面上的、包括氧化硅层和氮化硅层的叠层因而被作为蚀刻掩膜，从而只有太阳能电池基底的正面被施加纹理42。
其余的方法步骤与图1的实施例相对应。
在图2的实施例中，包括氮化硅层和氧化硅层的叠层因而不只被用作发射极扩散20期间的扩散掩膜，而且还被用作纹理施加42期间的蚀刻掩膜。结果，太阳能电池基底的背面的平滑和/或抛光蚀刻的费用能够有利地得到减小。已经证明，当用单晶硅片作为制造太阳能电池的太阳能电池基底时，图2的实施例是特别有效的。
在图3的实施例中，首先借助一种纹理蚀刻溶液在硅太阳能电池基底上施加纹理10。之后在一种抛光蚀刻溶液中如从图1已知的那样对背面进行蚀刻，并进行清洗12。
然后，在此情况下以硅太阳能电池基底的形式实施的太阳能电池基底被热氧化52。因而太阳能电池基底的整个表面被覆盖了一个氧化硅层。随后，在背面也就是在氧化硅层上施加54一个氮化硅层。
然后，以已经结合图1描述的方式，在氮化硅层和氧化硅层构成的叠层上形成本地开口。
进一步地，在太阳能电池基底的正面上的氧化硅层上形成56本地触头开口。随后在这些触头开口的区域中形成金属正面触头。这些本地触头开口能够例如借助激光束蒸发形成。或者，也可以局部施加蚀刻糊或另一种蚀刻介质。
如果在正面的本地触头开口和/或在叠层上的本地开口是借助激光束蒸发形成的，则借助蚀刻除去所产生的激光损伤是有利的，如可选的方法步骤59所提供的。在此情况下，可采用一种碱性蚀刻溶液，例如一种KOH溶液。
在太阳能电池基底的随后清洗58期间，氧化硅层被保留。因而在清洗58期间不使用氢氟酸。相反地，清洗58使用盐酸进行。
之后，进行一个掺杂物扩散60，其中太阳能电池基底被加热并保持在至少700°C的温度下至少5分钟，从而使该氮化硅层被致密化。在此掺杂物扩散60中，象在图1和2中的发射极扩散中一样，其可以是p型或n型扩散。它也可以是连续扩散或者是批次模式的扩散。在扩散60期间，太阳能电池基底背面上的氮化硅层和氧化硅层所构成的叠层再次被用作扩散掩膜。在太阳能电池基底的正面上，掺杂物能够不受阻碍地穿过本地触头开口而进入太阳能电池基底，从而对正面造成本地掺杂。如果采用已经具有在正面侧的平整发射极扩散的太阳能电池基底，掺杂物扩散60可仪容易地在本地触头开口的区域中实现具有重掺杂区的选择性发射极。
或者，可选的是，可把氧化硅层制备得非常薄并用它作为扩散阻挡层，从而在掺杂物扩散60期间，掺杂物以减小的量通过正面氧化硅层而进入太阳能电池基底，在那里它能够形成弱发射极掺杂。然而，在本地触头开口的区域中，掺杂物能够不受阻碍地穿入太阳能电池基底，并在那里形成重掺杂区。最后的结果是能够在单个的掺杂物扩散60中实现的选择性发射极结构。
该方法的其余步骤与图1中的相应步骤对应。
图4示意显示了根据本发明的一个实施例的太阳能电池70的剖视图；该太阳能电池具有一个太阳能电池基底72；该太阳能电池基底72的正面上设置有纹理73。在太阳能电池70的背面上设置有一个氧化硅层74，而该氧化硅层74是直接设置在太阳能电池基底72上的。在氧化硅层74上直接设置有一个致密化的氮化硅层76。氧化硅层74和氮化硅层一起形成了一个带有本地开口78的叠层，广泛的背触头80通过本地开口78延伸并与太阳能电池基底72的背面接触。在太阳能电池基底72的正面一侧，提供了一个另外的氮化硅层82，作为抗反射覆层。正面触头84通过该氮化硅层82延伸。
图5显示了图4的太阳能电池的背视图。图5中显示了广泛的背触头80。背触头80部分地与母线88重叠；母线通常是银制的并用作太阳能电池70的焊接触头。
如从图5可见，本地开口78具有线形开口的形式，从而使与母线88垂直延伸的金属化线86被设置在这些开口中。广泛的背触头80是由一种金属糊形成的并包含玻璃熔料。由于这种玻璃熔料成分，平坦的背触头80可靠地附着在氮化硅层76上。在一种特殊的变形实施例中，母线可在一些地方中断，从而产生单独的集流器部分，这些集流器部分被作为焊接触头。
附图标记：
10 借助纹理蚀刻溶液施加纹理
12 在抛光蚀刻溶液中的回蚀和清洗
14 在背面上施加氧化硅层
16 在氧化硅层上施加氮化硅层
18 清洗
20 氮化硅层的发射极扩散和致密化
22 在叠层上形成本地开口
24 蚀刻硅酸盐玻璃
26 在正面上淀积含氢的氮化硅层
28 正面和背面的金属化
30 共烧制
32 在正面激光扩散触头结构
40 在平滑蚀刻溶液中蚀刻锯损伤
42 借助纹理蚀刻溶液在正面上施加纹理
52 太阳能电池基底的热氧化
54 在背面上施加氮化硅层
56 在正面的氧化硅层上形成本地触头开口
58 在保持氧化硅层的同时进行清洗
59 对激光损伤进行蚀刻
60 氮化硅层的掺杂物扩散和致密化
70 太阳能电池
72 太阳能电池基底
73 纹理
74 氧化硅层
76 致密化的氮化硅层
78 开口
80 背触头
82 氮化硅层
84 正面触头
86 金属化线
88 母线

Claims (11)

1.用于制造太阳能电池的方法，其中
-把介电层构成的一个叠层加到一个太阳能电池基底的背面，
-在所述叠层上形成本地开口，
-在所述叠层上广泛地施加一种金属介质，使该金属介质被部分地注入所述本地开口，
-烧制所述太阳能电池基底，以在所述本地开口中形成欧姆接触，
-在烧制期间，设置在所述叠层上的金属介质的部分通过所述叠层的烧穿得到了阻止，
-借助一种蚀刻介质在所述太阳能电池基底的正面施加纹理,
-在所述金属介质被加到所述叠层上之前所述叠层被加热并在至少700℃的温度下被保持至少5分钟，
其特征在于
-在所述把叠层加到太阳能电池基底的背面的步骤之前，所述太阳能电池基底的背面被一种平滑蚀刻溶液或一种抛光蚀刻溶液所蚀刻,
-在所述把叠层施加到太阳能电池基底的背面的步骤之后，太阳能电池基底的正面被施加纹理，且在施加纹理期间所述叠层被用作太阳能电池基底的背面的蚀刻掩膜,
所述叠层具有厚度小于200nm的氮化硅层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述叠层具有厚度小于100nm的氧化硅层。
3.根据前述任何一项权利要求所述的方法，其特征在于：
所述氮化硅层的厚度是在50nm与200nm之间。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：
在叠层被施加到太阳能电池基底的背面的上述步骤中，所述氧化硅层先被加到所述太阳能电池基底的背面且随后所述氮化硅层被加到所述氧化硅层上。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于
在把所述叠层加到所述太阳能电池基底的背面之后，在一个扩散步骤中把掺杂物扩散到所述太阳能电池基底中，且在该扩散步骤中进行所述叠层被加热并在至少700℃的温度下被保持至少5分钟的操作。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于
所述蚀刻介质是一种纹理蚀刻溶液。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于
在所述叠层已经被保持在至少700℃的温度下至少5分钟之后，在所述太阳能电池基底的正面上淀积一个含氢的氮化硅层。
8.太阳能电池，该太阳能电池带有设置在所述太阳能电池的背面上的包括介电层的叠层，
其特征在于：
所述叠层的至少一个介电层以这样的方式被致密化，即使该介电层对具有玻璃成分的糊的烧穿的抵抗力比该介电层刚被淀积之后时的抵抗力有提高，
所述叠层具有一个氧化硅层和一个氮化硅层。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于：
所述叠层具有厚度小于100nm的氧化硅层。
10.根据权利要求8或9所述的太阳能电池，其特征在于：
所述氮化硅层的厚度小于200nm。
11.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于：
所述氮化硅层被设置在所述氧化硅层之上。
CN201180022058.0A 2010-03-03 2011-03-03 带有介电背反射覆层的太阳能电池及其制造方法 Expired - Fee Related CN102947954B (zh)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1020100102210 2010-03-03
DE102010010221 2010-03-03
DE1020100105619 2010-03-05
DE102010010561 2010-03-05
DE102010025983A DE102010025983A1 (de) 2010-03-03 2010-07-02 Solarzelle mit dielektrischer Rückseitenverspiegelung und Verfahren zu deren Herstellung
DE1020100259837 2010-07-02
PCT/DE2011/075036 WO2011107094A2 (de) 2010-03-03 2011-03-03 Solarzelle mit dielektrischer rückseitenverspiegelung und verfahren zu deren herstellung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102947954A CN102947954A (zh) 2013-02-27
CN102947954B true CN102947954B (zh) 2016-11-09

Family

ID=44503057

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180022058.0A Expired - Fee Related CN102947954B (zh) 2010-03-03 2011-03-03 带有介电背反射覆层的太阳能电池及其制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9276155B2 (zh)
EP (1) EP2543080A2 (zh)
KR (1) KR101830775B1 (zh)
CN (1) CN102947954B (zh)
DE (1) DE102010025983A1 (zh)
WO (1) WO2011107094A2 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010048437B4 (de) 2010-10-15 2014-06-05 Centrotherm Photovoltaics Ag Solarzelle mit dielektrischer Rückseitenbeschichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE102013016331A1 (de) * 2013-10-05 2015-04-09 Micronas Gmbh Schichtsystem
DE102014105358A1 (de) * 2014-04-15 2015-10-15 Solarworld Innovations Gmbh Solarzelle und Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle
CN110854241A (zh) * 2019-12-13 2020-02-28 浙江晶科能源有限公司 一种表面选择性织构太阳能电池的制造方法及太阳能电池
GB202020727D0 (en) * 2020-12-30 2021-02-10 Rec Solar Pte Ltd Solar cell

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101548392A (zh) * 2006-12-01 2009-09-30 夏普株式会社 太阳能电池及其制造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3459947B2 (ja) * 1996-06-18 2003-10-27 シャープ株式会社 太陽電池の製造方法
US7388147B2 (en) * 2003-04-10 2008-06-17 Sunpower Corporation Metal contact structure for solar cell and method of manufacture
JP2006073617A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Sharp Corp 太陽電池およびその製造方法
US7507629B2 (en) * 2004-09-10 2009-03-24 Gerald Lucovsky Semiconductor devices having an interfacial dielectric layer and related methods
DE102006046726A1 (de) * 2006-10-02 2008-04-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Solarzelle mit strukturierter Rückseitenpassivierungsschicht aus SIOx und SINx sowie Verfahren zur Herstellung
JP2009152222A (ja) * 2006-10-27 2009-07-09 Kyocera Corp 太陽電池素子の製造方法
JP5226255B2 (ja) 2007-07-13 2013-07-03 シャープ株式会社 太陽電池の製造方法
DE102007041392A1 (de) 2007-08-31 2009-03-05 Q-Cells Ag Verfahren zum Fertigen einer Solarzelle mit einer doppellagigen Dielektrikumschicht
EP2068369A1 (en) * 2007-12-03 2009-06-10 Interuniversitair Microelektronica Centrum (IMEC) Photovoltaic cells having metal wrap through and improved passivation
US8796066B2 (en) * 2008-11-07 2014-08-05 Sunpreme, Inc. Low-cost solar cells and methods for fabricating low cost substrates for solar cells
US20100275995A1 (en) * 2009-05-01 2010-11-04 Calisolar, Inc. Bifacial solar cells with back surface reflector

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101548392A (zh) * 2006-12-01 2009-09-30 夏普株式会社 太阳能电池及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011107094A2 (de) 2011-09-09
CN102947954A (zh) 2013-02-27
US20160133774A1 (en) 2016-05-12
US9276155B2 (en) 2016-03-01
US20130061924A1 (en) 2013-03-14
DE102010025983A1 (de) 2011-09-08
KR101830775B1 (ko) 2018-02-21
WO2011107094A3 (de) 2012-03-15
KR20130059320A (ko) 2013-06-05
EP2543080A2 (de) 2013-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100470850C (zh) 太阳能电池及其制造方法
JP5006826B2 (ja) 太陽電池及びその製造方法
JP4837662B2 (ja) 太陽電池素子の製造方法
US9196759B2 (en) High-efficiency photovoltaic back-contact solar cell structures and manufacturing methods
CN105247686B (zh) 太阳能电池单元及其制造方法、太阳能电池模块
CN102947954B (zh) 带有介电背反射覆层的太阳能电池及其制造方法
US20100012185A1 (en) Method for the Manufacture of a Solar Cell and the Resulting Solar Cell
US20050172998A1 (en) Buried-contact solar cells with self-doping contacts
CN102893404B (zh) 用于局部高掺杂和接通是太阳能电池或太阳能电池前体的半导体结构的方法
CN101853897A (zh) 一种n型晶体硅局部铝背发射极太阳电池的制备方法
CN103354954B (zh) 制作具有正面纹理和平滑背面表面的硅太阳能电池的方法
CN102208486A (zh) 一种mwt太阳能电池的制备方法
TW201133913A (en) Process for the production of solar cells comprising selective emitters
JP2015522951A (ja) 局所背面電界（ｌｂｓｆ）を有する太陽電池の製造方法
CN101853898A (zh) 一种n型晶体硅太阳电池的制备工艺
CN110546768A (zh) 太阳能电池元件以及太阳能电池元件的制造方法
CN102956723A (zh) 一种太阳能电池及其制备方法
CN103155161B (zh) 光伏装置及其制造方法
CN103560168A (zh) Perc太阳能电池的制备工艺
JP2005136081A (ja) 太陽電池の製造方法
JP5375414B2 (ja) 太陽電池及びその製造方法
CN208797019U (zh) P型晶体硅perc电池
TW200818526A (en) Method for forming a solar cell
CN102403406B (zh) 一种背接触硅太阳能电池的制备方法
JP2003273382A (ja) 太陽電池素子

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: TEPPE ANDREAS

Free format text: FORMER OWNER: CENTROTHERM PHOTOVOLTAICS AG

Effective date: 20141217

Owner name: STEPHEN KOEHLER

Effective date: 20141217

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20141217

Address after: Konstanz City Christie Ford Street No. 8 78467

Applicant after: Teppe Andreas

Applicant after: Keller Steffen

Address before: German Bulaobo ylem

Applicant before: Centrotherm Photovoltaics AG

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: RCT SOLUTION LLC

Free format text: FORMER OWNER: TEPPE ANDREAS

Effective date: 20150417

Free format text: FORMER OWNER: STEPHEN KOEHLER

Effective date: 20150417

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20150417

Address after: Konstanz city Teermu Street No. 20 78467

Applicant after: RCT Solution Limited Liability Company

Address before: Konstanz City Christie Ford street 878467

Applicant before: Teppe Andreas

Applicant before: Keller Steffen

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20161109

Termination date: 20210303

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee