CN102947742B - 隐私保护滤光片及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种隐私保护滤光片及其制造方法，更具体而言，涉及一种隐私保护滤光片及其制造方法，其中，所述隐私保护滤光片包括：第一透明基板；第二透明基板，其以与第一透明基板间隔预定的距离且相对地设置；电解质，其填充在第一透明基板和第二透明基板之间；和第二透明导电层，其设置在电解质与第二透明基板之间，其中第一透明基板包括：具有线栅和沟槽的凸凹图形，其形成于第一透明基板上；第一透明导电层，其形成于凸凹图形的线栅和沟槽上；和电致变色层，其沿着线栅的侧壁在第一透明导电层上形成，并且包含电致变色材料以根据是否施加电信号来透射或吸收可见光。本发明的隐私保护滤光片在隐私模式下有效地阻挡了光的侧向透射而没有损失前侧透射，实现宽视野模式和窄视野模式之间的快速转换，并确保优异的滤光性能和驱动稳定性。

Description

隐私保护滤光片及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种隐私保护滤光片(privacy filter)及其制造方法，更具体而言，涉及一种隐私保护滤光片及其制造方法，其中，所述隐私保护滤光片将无机电致变色材料用于高深宽比的凸凹图形以降低侧向透射而不会使前侧透射劣化，因此增强了隐私模式功能，实现宽视野模式和窄视野模式之间快速转换，并且确保在滤光性能和驱动稳定性方面优异。
背景技术
随着强烈的隐私保护需求的增加，在不同领域已经开发了多种相关的产品。在保护隐私的产品中，对安装在移动电话或计算机屏幕上以阻挡侧向透射并使屏幕视角变窄的隐私保护滤光片的需求每年都在增加。然而，在不从屏幕上移开隐私保护滤光片的情况下，视角一旦变窄就不可恢复，导致在不需要隐私保护功能的时候不得不从屏幕移开隐私保护滤光片的不便利性。
为了消除上述不便利性，最近已经开发一种可转换的隐私保护滤光片，其不包括附加膜，而根据接收的电信号选择性地控制视角。对于可转换的隐私保护滤光片，可以以不同的方式实现阻挡光，例如，使用PDLC(聚合物分散的液晶)或PNLC(聚合物网络液晶)作为光吸收材料；采用单独的LCD结构；或应用电致变色材料。然而，由这些不同方法实现的可转换的隐私保护滤光片的共同缺点为在隐私模式下差的侧向透射、极低的前侧透射、在宽视野模式和窄视野模式之间的缓慢转换、在连续的模式转化中变差的性能和驱动稳定性等。已经做出了持续的研究以寻求这些问题的解决方案，但是满足上述需求的隐私保护滤光片仍没有明显发展。
发明内容
技术问题
因此，本发明的一个目是提供一种使用电致变色材料的隐私保护滤光片及其制造方法，其中在没有使前侧透射劣化的情况下，所述隐私保护滤光片具有相当优异的光的侧向透射，实现宽视野模式和窄视野模式之间的快速转换并且在连续的模式转换中确保优异的滤光性能和驱动稳定性。
技术方案
为了实现本发明的目的，提供了一种隐私保护滤光片，其包括：第一透明基板；第二透明基板，其以与第一透明基板间隔预定的距离且相对地设置；电解质，其填充在第一和第二透明基板之间；第二透明导电层，其设置在电解质与第二透明基板之间。所述第一透明基板包括：具有线栅和沟槽的凸凹图形，其形成于第一透明基板上；第一透明导电层，其形成于凸凹图形的线栅和沟槽上；和电致变色层，其沿着线栅的侧壁在第一透明导电层上形成，并且包含电致变色材料以根据是否施加电信号来透射或吸收可见光。
关于此，所述电致变色层可以还形成在凸凹图形的线栅顶部和沟槽底部上的第一透明导电层上。优选地，所述电致变色层为包含普鲁士蓝或过渡金属氧化物的无机材料。
此外，提供了一种用于制造隐私保护滤光片的方法，该方法包括：(a)在第一透明基板上形成具有线栅和沟槽的凸凹图形；(b)在凸凹图形上形成第一透明导电层；(c)在凸凹图形的第一透明导电层上形成电致变色层；和(d)利用其上形成有第二透明导电层的第二透明基板将间隔物设置在步骤(c)的基板和第二透明基板之间，注入电解质，然后使两个基板结合并密封在一起。
上述方法还包括：在步骤c)在第一透明导电层上形成电致变色层之后，对在线栅顶部和沟槽底部上的第一透明导电层上形成的电致变色层进行干法蚀刻。
形成电致变色层的步骤(c)包括在30至60μA/cm2的电流密度下采用电沉积电镀法形成普鲁士蓝或过渡金属化合物。
在下文中，将对本发明给出更加详细的描述。
本发明涉及一种可应用于显示器的可转换的隐私保护滤光片。
与阻挡层为简单的线栅结构的一般的屏幕防窥膜不同，本发明提供了一种具有薄阻挡层的隐私保护滤光片结构，所述薄阻挡层适形地形成在具有线栅和沟槽的高深宽比凸凹图形上，或者仅形成在线栅结构的侧壁上。
此外，本发明使用无机材料作为形成阻挡层的电致变色材料，并且采用电镀法，例如电沉积电镀法，而不是常规的溅射法。
因此，本发明可以实现在收到电信号之后立即在宽视野模式和窄视野模式(即，隐私模式)之间的快速转换，并且在隐私模式下在不使前侧透射劣化的情况下阻挡光的侧向透射。
在下文中，将参照附图描述根据本发明的优选的实施方式的隐私保护滤光片及其制造方法。
图1为示意性地显示根据本发明的一个实施方式的隐私保护滤光片的结构的模拟图；图2为示意性地显示根据本发明的另一实施方式的隐私保护滤光片的结构的模拟图。
如图1和图2所示，本发明的隐私保护滤光片基本包括：第一透明基板10；第二透明基板12，其以与第一透明基板10间隔预定的距离且相对地设置；电解质50，其填充上述两个基板之间；和第二透明导电层32，其设置在电解质50与第二透明基板12之间。该隐私保护滤光片还包括间隔物60，其设置在第一透明基板10和第二透明基板12的两端上以使这两个基板固定。
第一透明基板10包括：具有线栅和沟槽的高深宽比凸凹图形20；第一透明导电层30，其形成于凸凹图形的线栅和沟槽上；和电致变色层40，其包含电致变色材料以根据是否施加电信号来透射或吸收可见光。
优选地，所述凸凹图形20包括以预定的间隔形成于第一透明基板10上的线栅和沟槽以具有高深宽比。
更优选地，所述凸凹图形的结构为：线栅和沟槽的宽度为约10μm或更小，由下面的公式1表示的沟槽深宽比(深度与宽度比)至少为约2。
[公式1]
沟槽深宽比=沟槽深度/沟槽宽度
为了使线栅图形不可见，在所述凸凹图形中的线栅和沟槽的宽度优选为约10μm或更小，更优选为约1μm或更小。更具体而言，当沟槽宽度大于10μm时，观察到线栅图形使显示器的屏幕散射，这对于隐私保护滤光片而言是不合适的。此外，当由公式1表示的沟槽的深宽比(深度与宽度之比)小于2时，即使在窄视野模式下，侧向亮度也不会充分降低，这导致作为隐私保护滤光片功能的失败。关于此，所述凸凹图形可以为由光刻胶材料形成的绝缘层。
第一透明导电层30适形地形成在凸凹图形20的线栅和沟槽上以得到凸凹图形结构。
电致变色层40优选沿着线栅的侧壁形成在第一透明导电层30上。当需要时，电致变色层40可以还选择性地形成在凸凹图形的线栅顶部和沟槽底部上的第一透明导体层30上。
因此，如图1所示，根据本发明的一个优选实施方式的隐私保护滤光片包括：第一透明基板10；第二透明基板12，其以与第一透明基板10间隔预定的距离且相对地设置；电解质50，其填充在第一透明基板10和第二透明基板12之间；和第二透明导电层32，其设置在电解质50与第二透明基板12之间。此外，第一透明基板10可以包括：具有线栅和沟槽的凸凹图形20，其形成在第一透明基板10上；第一透明导电层30，其形成在凸凹图形的线栅和沟槽上；和电致变色层40，其沿着线栅的侧壁形成在第一透明导电层30上，并且包含根据是否施加电信号来透射或吸收可见光的电致变色材料。在上述两个基板之间设置有间隔物60。在这种结构中，电致变色层40没有形成在凸凹图形的线栅顶部(a)和沟槽底部(b)上的第一透明导电层30上，而是仅沿着线栅的侧壁和沟槽的内部形成在第一透明导电层上。
此外，如图2所示，根据本发明的另一优选实施方式的隐私保护滤光片包括：第一透明基板10；第二透明基板12，其以与所述第一透明基板10间隔预定的距离且相对地设置；电解质50，其填充在第一透明基板10和第二透明基板12之间；和第二透明导电层32，其设置在电解质50与第二透明基板12之间。关于此，第一透明基板10可以包括：具有线栅和沟槽的凸凹图形20，其形成在第一透明基板10上；第一透明导电层30，其形成在凸凹图形的线栅和沟槽上；和电致变色层40，其形成在凸凹图形的线栅和沟槽上的第一透明导电层上，并且包含根据是否施加电信号来透射或吸收可见光的电致变色材料。在上述两个基板之间设置有间隔物60。关于此，电致变色层40还形成在凸凹图形的线栅顶部(a)和沟槽底部(b)上的第一透明导电层30上。
图1的结构在本发明中是更优选的，该结构由此在隐私模式下能够有效阻挡光的侧向透射而不使前侧透射劣化。图3为显示当将电流施加到本发明的隐私保护滤光片上时，宽视野模式和窄视野模式原理的模拟图。
如图3所示，当将电流施加到可转换的隐私保护滤光片时，在该隐私保护滤光片中，包括凸凹图形的第一透明基板连接到负(-)极，第二透明基板连接到正(+)极，光的透射导致电致变色层褪色，从而开启宽视野模式。在以反向施加电流时，电致变色层着色，从而开启窄视野模式(即，隐私模式)。在隐私模式下，在650nm的波长下本发明的结构可以具有至少约60%的前侧透射率，以及在45°的视角下可以具有约10%或更小的侧向透射率。更优选地，在650nm的波长下本发明可以具有至少约80%的前侧透射率，以及在45°的视角下可以具有约5%或更小的侧向透射率。
在下文中，将参照附图详细描述根据本发明优选的实施方式的制造隐私保护滤光片的方法。
图4至7为显示根据本发明一个实施方式的隐私保护滤光片的制造过程的模拟图。
首先，本发明的隐私保护滤光片的制造方法包括：(a)在第一透明基板上形成具有线栅和沟槽的凸凹图形；(b)在凸凹图形上形成第一透明导电层；(c)在凸凹图形的第一透明导电层上形成电致变色层；和(d)利用其上形成有第二透明导电层的第二透明基板将间隔物设置在步骤(c)的基板和该第二透明基板之间，注入电解质，然后使两个基板结合并密封在一起以完成可转换的隐私保护滤光片。
步骤(a)为在透明基板上形成高深宽比沟槽图形或制造具有高深宽比沟槽图形的透明基板。但是，在本发明中形成高深宽比凸凹图形的方法不限于上述具体说明的方法，而可以包括本领域中的任何已知的方法。
关于此，在透明基板上形成高深宽比沟槽图形的步骤可以采用使用形成绝缘层的材料的光刻法。此外，制造具有高深宽比沟槽图形的透明基板的步骤可以使用母模成型法(master molding method)或物理加工法。
优选地，形成凸凹图形的步骤(a)包括使用光刻法、母模成型法或物理加工法在所述第一透明基板上形成凸凹图形。
光刻法可以包括将光敏剂或高透射光刻胶的涂料施用到第一透明基板上，并进行掩模曝光以形成所述凸凹图形。如在此使用的形成绝缘层的材料并不受特别限制，并且可以包括光敏剂或常规的高透射厚光刻胶(例如，SU-8)。
除了光刻法以外，形成高深宽比图形的方法可以使用提供高深宽比母模，然后使用热固化或UV固化聚合物树脂复制一聚合物膜的方法；或者用激光或机械方法直接加工第一透明基板以形成具有高深宽比的凸凹图形的方法。
关于此，将通过举例说明在透明基板上形成高深宽比凸凹图形的方法来描述步骤(a)。图4为显示在根据本发明一个实施方式的隐私保护滤光片的制造过程中，在第一透明基板上形成凸凹图形的方法的模拟图。
参照图4，利用光刻胶将形成绝缘层的材料的涂料施用在第一透明基板10上，然后进行掩模曝光以形成具有线栅和沟槽的高深宽比凸凹图形20。
为了形成具有线栅和沟槽的高宽深比凸凹图形，本发明优选对线栅图形的宽度(A)和线栅图形的节距(pitch)进行控制。
在第一透明基板10上形成的凸凹图形结构中，线栅宽度(A)和沟槽宽度(B)优选被控制为不明显的，在约10μm或更小的范围内，优选在约1μm或更小的范围内。考虑到阻挡侧向光透射，越高的沟槽深宽比越有利，构造高深宽比凸凹图形，使得基于沟槽宽度(B)的由下面公式1所表示的沟槽深宽比优选至少为约2，更优选为3至4。
[公式1]
沟槽深宽比=沟槽深度(C)/沟槽宽度(B)
对所述第一透明基板没有特别限定，并且可以为透明玻璃基板，透明聚合物膜或透明塑料基板。
如图5所示，步骤(b)为在高深宽比的凸凹图形20的线栅和沟槽上形成第一透明导电层30。图5为显示在根据本发明一个实施方式的隐私保护滤光片的制造过程中，在图4的凸凹图形上形成第一透明导电层方法的模拟图。
在本发明中，将第一透明导电层适形地沉积在高深宽比凸凹图形上以具有预定的厚度。关于此，优选对第一透明导电层的厚度进行控制，因为对于可转换的隐私保护滤光片，在所述凸凹图形的线栅侧壁和沟槽上的第一透明导电层的沉积厚度和透明度对透射率以及宽视野模式和窄视野模式之间的转换速率有影响。换言之，在线栅侧壁和沟槽内部上的第一透明导电层的极高的厚度导致侧向透射劣化而与电致变色材料无关。因此，优选将在线栅侧壁和沟槽内部上的第一透明导电层的沉积厚度控制在约20至200nm的范围内。
所述第一透明导电层不受特别限制，并且可以包括通常用于制造器件的任何种类的透明导电层，例如，导电金属膜、ITO、FTO(SnO2:F)、ZnO等，优选ITO。
如图6a所示，步骤(c)为在步骤(b)中形成的具有凸凹图形的第一透明导电层30上形成电致变色层40。图6a显示在根据本发明一个实施方式的隐私保护滤光片的制造过程中，在图5的第一透明导电层上形成电致变色层的方法的模拟图。
参照图6a，电沉积电致变色层(普鲁士蓝)的工艺包括：在K3[Fe(CN)6]、FeCl3·6H2O和HCl的混合溶液中，将正(+)极连接到铂(Pt)电极或石墨电极上，将负(-)极连接到具有第一透明导电层的基板上，然后电沉积普鲁士蓝作为电致变色层。电沉积是在约30至60μA/cm2的电流密度下进行的。通过电沉积，电致变色层40以预定厚度完全形成在具有形成于第一透明基板10上的凸凹图形的第一透明导电层30上。所述电致变色层的厚度优选为约10nm至1μm，更优选为100至500nm。
如果没有特别限制，在本发明的结构中使用的电致变色材料优选为普鲁士蓝，其成本低于过渡金属氧化物(例如，WO3或LixNiyO2)或有机电致变色材料(例如，紫罗碱)。此外，在工艺方面而言，普鲁士蓝为最合适的电致变色材料，因为电致变色层可以通过电沉积法而不是高成本的溅射法适形地形成在凸凹图形上。换言之，利用高深宽比凸凹图形的本发明可以使用过渡金属氧化物(例如，WO3或LixNiyO2)和普鲁士蓝，但是就费用或工艺方面而言，优选的电致变色材料为普鲁士蓝。
关于此，完全电沉积在具有高深宽比凸凹图形的第一透明导电层上的电致变色层用于在着色过程(即，在隐私模式下)中降低前侧透射率。因此，为了必要时仅降低侧向透射而不降低前侧透射率，如在图6b中所示，更优选在图6a的结构中的部分电致变色层上进行干法蚀刻。
参照图6b，在所述第一透明导电层上形成电致变色层的步骤(c)之后，所述方法还包括对线栅顶部和沟槽底部上的第一透明导电层30上形成的电致变色层40进行干法蚀刻的步骤，以仅在凸凹图形的沟槽内侧壁上保留电致变色层。该步骤除去了在凸凹图形的线栅顶部(a)和沟槽底部(b)上的第一透明导电层30上形成的电致变色层40，从而仅在凸凹图形的线栅侧壁和沟槽内侧壁上保留电致变色层。干法蚀刻可以采用ICP RIE(电感耦合等离子体反应离子蚀刻)。在此使用的蚀刻气体不受特别限制，并且可以为氩(Ar)气。
以这种方式，所述干法蚀刻步骤形成图1的结构。在没有干法蚀刻的步骤的情况下，完成了图2的结构。但是，如果前侧透射率减小与隐私保护滤光片的用途无关，则可以省去干法蚀刻步骤。
在步骤(d)中使用的导电透明基板不受特别限制，并且可以包括通常用于相关领域中的ITO玻璃或ITO膜。
图7为使用图6b的结构和第二透明基板制造的隐私保护滤光片的剖视图，其中，该隐私保护滤光片包括：第一透明基板10，其包括具有上述凸凹图形的第一透明导电层30和电致变色层40；第二透明基板12，其以与第一透明基板10间隔预定的距离且相对地设置；间隔物膜60，其设置在第一和第二透明基板之间；和电解质50，其注入在两个透明基板之间，且通过使两个透明基板粘附结合并密封在一起而防止泄漏。
在此使用的电解质可以为选自KCl、HCl或LiClO4-碳酸丙烯酯(propylenecarbonate)的水溶液中的至少一种，优选浓度为约0.2至2M，更优选浓度为约0.5至1.5M。此外，间隔物膜60用于保持上和下基板彼此不直接接触，并且提供用于注入电解质的空间，其类型不受特别限制，但是包括，例如，聚合物膜、或薄塑料或玻璃。
有益效果
本发明通过使用电沉积电镀法形成电致变色层，该电致变色层由仅在具有凸凹图形的部分透明导电层上或仅在透明导电层的侧壁上的无机材料组成，因而在隐私模式下有效地阻挡了光的侧向透射而没有损失前侧透射，实现宽视野模式和窄视野模式之间的快速转换，并在模式的连续转换下确保优异的滤光性能和驱动稳定性。
附图说明
图1为示意性地显示根据本发明一个实施方式的隐私保护滤光片的结构的模拟图。
图2为示意性地显示根据本发明另一实施方式的隐私保护滤光片的结构的模拟图。
图3为显示当将电流施加到本发明的隐私保护滤光片上时宽视野模式和窄视野模式原理的模拟图。
图4为显示在根据本发明一个实施方式的隐私保护滤光片的制造过程中，在第一透明基板上形成凸凹图形的方法的模拟图。
图5为显示在根据本发明一个实施方式的隐私保护滤光片的制造过程中，在图4的凸凹图形上形成第一透明导电层的方法的模拟图。
图6a显示在根据本发明一个实施方式的隐私保护滤光片的制造过程中，在图5的第一透明导电层上形成电致变色层的方法的模拟图。
图6b显示在根据本发明一个实施方式的隐私保护滤光片的制造过程中，在图6a的结构上干法蚀刻部分电致变色层的方法的模拟图。
图7为显示在根据本发明一个实施方式的隐私保护滤光片的制造过程中，使用图6b的结构和第二透明基板制造隐私保护滤光片的方法的模拟图。
图8显示根据本发明的实施例1制造的隐私保护滤光片的照片。
具体实施方式
在下文中，通过本发明的详细实施例的方式将进一步详细描述本发明的功能和效果，给出本发明的实施例仅用于说明，而非用来限制本发明的范围。
实施例1
将AZ 4620光刻胶施用在0.63t玻璃基板上达8μm的厚度，然后用掩模曝光形成具有图4所示结构的高深宽比凸凹图形。由此得到的高深宽比凸凹图形具有宽度为2μm和节距为4μm的线栅图形，其中，线栅和沟槽图形的深宽比为4。
在具有高深宽比的AZ 4620凸凹图形上，在凸凹图形的顶部和沟槽的内壁上均匀地沉积150nm厚的ITO层(参见图5)。
接着，以2:2:1的体积比制造0.05M K3[Fe(CN)6]、FeCl3·6H2O和HCl的混合溶液，并用于电镀普鲁士蓝(电致变色层)中，同时将正(+)极连接到铂(Pt)电极，将负(-)极连接到具有ITO凸凹图形的基板上(参见图6a)。在该过程中，在50μA/cm2的电流密度下以100nm的厚度电沉积普鲁士蓝。
然后，如图6b所示，使用Ar气在沉积的普鲁士蓝上进行ICP RIE (电感耦合等离子体反应离子蚀刻)，仅在侧壁上留下普鲁士蓝。该过程完成了具有凸凹图形的第一透明基板，其中普鲁士蓝仅形成在沟槽的内壁，而没有形成在ITO凸凹图形的线栅顶部(a)和沟槽底部(b)上。第二透明基板为具有150nm厚ITO沉积的玻璃。在第一和第二基板之间设置30μm厚的间隔物膜，然后注入电解质(1M KCl水溶液)。将两个基板粘附结合并密封在一起以防止电解质的泄漏，因此完成了隐私保护滤光片(参见图8)。
将电流施加到隐私保护滤光片上，其中，将负(-)极连接到具有凸凹结构的第一透明基板上，将正(+)极连接到第二透明基板上。这导致普鲁士蓝褪色，从而使宽视野模式开启。反向施加电流导致普鲁士蓝着色，从而使窄视野模式(即，隐私模式)开启。
此外，在600nm的波长下，可转换的隐私保护滤光片的前侧透射率为50%，在45°视角下侧向透射率为15%。
[附图标记说明]
10：第一透明基板
12：第二透明基板
20：高深宽比凸凹图形
30：第一透明导电层
32：第二透明导电层
40：电致变色层
50：电解质
60：间隔物
A：在凸凹图形中线栅的宽度
B：在凸凹图形中沟槽的宽度
C：在凸凹图形中沟槽的深度
a：在凸凹图形的线栅上的第一透明导电层的顶部
b：在凸凹图形的沟槽底部上的第一透明导电层的顶部

Claims (22)

1.一种隐私保护滤光片，包括：
第一透明基板；
第二透明基板，其以与第一透明基板间隔预定的距离且相对地设置；
电解质，其填充在第一透明基板和第二透明基板之间；和
第二透明导电层，其设置在电解质与第二透明基板之间，
其中第一透明基板包括：
具有线栅和沟槽的凸凹图形，其形成于第一透明基板上；
第一透明导电层，其形成于凸凹图形的线栅和沟槽上；和
电致变色层，其沿着线栅的侧壁在第一透明导电层上形成，并且包含电致变色材料以根据是否施加电信号来透射或吸收可见光。
2.根据权利要求1所述的隐私保护滤光片，其中，所述电致变色层还形成在凸凹图形的线栅顶部和沟槽底部上的第一透明导电层上。
3.根据权利要求1所述的隐私保护滤光片，其中，所述电致变色层为包括普鲁士蓝或过渡金属氧化物的无机材料。
4.根据权利要求3所述的隐私保护滤光片，其中，所述电致变色层为普鲁士蓝。
5.根据权利要求3所述的隐私保护滤光片，其中，所述电致变色层包括作为过渡金属氧化物的WO3或LiNiO2。
6.根据权利要求1所述的隐私保护滤光片，其中，所述凸凹图形具有如下图形结构：线栅和沟槽的宽度为10μm或小于10μm，以及由下面的公式1表示的沟槽深宽比至少为2，
[公式1]
沟槽深宽比＝沟槽深度/沟槽宽度。
7.根据权利要求1所述的隐私保护滤光片，其中，所述凸凹图形为由光敏剂形成的绝缘层。
8.根据权利要求1所述的隐私保护滤光片，其中，所述电致变色层的厚度为10nm至1μm。
9.根据权利要求1所述的隐私保护滤光片，其中，在所述凸凹图形的线栅和沟槽内部上的所述第一透明导电层的侧壁厚度为20至200nm。
10.根据权利要求1所述的隐私保护滤光片，其中，所述第一透明导电层和所述第二透明导电层选自导电金属膜、ITO、FTO和ZnO中。
11.根据权利要求1所述的隐私保护滤光片，其中，所述第一透明基板和所述第二透明基板为透明玻璃、聚合物膜或透明塑料基板。
12.根据权利要求1所述的隐私保护滤光片，还包括：
用于固定所述第一透明基板和所述第二透明基板的间隔物。
13.一种用于制造隐私保护滤光片的方法，包括：
(a)在第一透明基板上形成具有线栅和沟槽的凸凹图形；
(b)在凸凹图形上形成第一透明导电层；
(c)在凸凹图形的第一透明导电层上形成电致变色层；和
(d)利用其上形成有第二透明导电层的第二透明基板将间隔物设置在步骤(c)的基板和第二透明基板之间，注入电解质，然后使两个基板结合并密封在一起。
14.根据权利要求13所述的方法，还包括：
在步骤(c)在第一透明导电层上形成电致变色层之后，对在线栅顶部和沟槽底部上的第一透明导电层上形成的电致变色层进行干法蚀刻。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述干法蚀刻采用ICP-RIE。
16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述形成电致变色层的步骤(c)包括在30至60μA/cm2的电流密度下采用电沉积电镀法形成普鲁士蓝或过渡金属化合物。
17.根据权利要求13所述的方法，其中，所述形成凸凹图形的步骤(a)包括采用光刻法、母模成型法或物理加工法在所述第一透明基板上形成凸凹图形。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，在所述形成凸凹图形的步骤(a)中所述光刻法包括将用于形成绝缘层的物质的涂料施用到所述第一透明基板上，并进行掩模曝光以形成凸凹图形。
19.根据权利要求17所述的方法，其中，在所述形成凸凹图形的步骤(a)中所述母模成型法包括用母模复制膜以形成凸凹图形。
20.根据权利要求17所述的方法，其中，在所述形成凸凹图形的步骤(a)中所述物理加工法包括使用激光束或机械方法对所述第一透明基板进行加工以形成凸凹图形。
21.根据权利要求13所述的方法，其中，所述电解质为选自0.2-2M的KCl水溶液、0.2-2M的HCl水溶液和0.2-2M的LiClO4-碳酸丙烯酯水溶液中的至少一种。
22.一种显示装置，包括根据权利要求1所述的隐私保护滤光片。
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