CN102945106B - 一种电容式内嵌触摸屏及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电容式内嵌触摸屏及显示装置，将TFT阵列基板中整面连接的公共电极层进行分割，形成相互绝缘的触控感应电极和触控驱动电极，并分别设置与对应的各触控驱动电极和各触控感应电极电性相连的金属驱动电极和金属感应电极，以降低触控驱动电极和触控感应电极的阻值，对触控驱动电极和触控感应电极进行分时驱动，以实现触控功能和显示功能。由于本发明实施例提供的触摸屏是对公共电极层结构进行变更以实现触控功能，因此，在现有的TFT阵列基板制备工艺的基础上，不需要增加额外的工艺即可制成触摸屏，节省了生产成本，提高了生产效率。并且，由于采用分时驱动触控和显示功能，也能够降低相互干扰，提高画面品质和触控准确性。

Description

一种电容式内嵌触摸屏及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种电容式内嵌触摸屏及显示装置。

背景技术

随着显示技术的飞速发展，触摸屏（TouchScreenPanel）已经逐渐遍及人们的生活中。目前，触摸屏按照组成结构可以分为：外挂式触摸屏（AddonModeTouchPanel）、覆盖表面式触摸屏（OnCellTouchPanel）、以及内嵌式触摸屏（InCellTouchPanel）。其中，外挂式触摸屏是将触摸屏与液晶显示屏（LiquidCrystalDisplay，LCD）分开生产，然后贴合到一起成为具有触摸功能的液晶显示屏，外挂式触摸屏存在制作成本较高、光透过率较低、模组较厚等缺点。而内嵌式触摸屏将触摸屏的触控电极内嵌在液晶显示屏内部，可以减薄模组整体的厚度，又可以大大降低触摸屏的制作成本，受到各大面板厂家青睐。

目前，现有的电容式内嵌（incell）触摸屏是在现有的TFT（ThinFilmTransistor，薄膜场效应晶体管）阵列基板上直接另外增加触控扫描线和触控感应线实现的，即在TFT阵列基板的表面制作两层相互异面相交的条状ITO电极，这两层ITO（IndiumTinOxides，铟锡金属氧化物）电极分别作为触摸屏的触控驱动线和触控感应线，在两条ITO电极的异面相交处形成感应电容。其工作过程为：在对作为触控驱动线的ITO电极加载触控驱动信号时，检测触控感应线通过感应电容耦合出的电压信号，在此过程中，有人体接触触摸屏时，人体电场就会作用在感应电容上，使感应电容的电容值发生变化，进而改变触控感应线耦合出的电压信号，根据电压信号的变化，就可以确定触点位置。

上述电容式内嵌触摸屏的结构设计，需要在现有的TFT阵列基板上增加新的膜层，导致在制作TFT阵列基板时需要增加新的工艺，使生产成本增加，不利于提高生产效率。

发明内容

本发明实施例提供了一种电容式内嵌触摸屏及显示装置，用以实现成本较低、生产效率较高的电容式内嵌触摸屏。

本发明实施例提供的一种电容式内嵌触摸屏，包括具有公共电极层的TFT阵列基板，在所述TFT阵列基板内设有呈矩阵排列的多个像素单元，

所述公共电极层具有相互绝缘的触控感应电极和触控驱动电极；在显示时间段，对所述触控驱动电极和所述触控感应电极施加公共电极信号；在触控时间段，对所述触控驱动电极施加触控扫描信号，所述触控感应电极用于耦合所述触控扫描信号的电压信号并输出；

所述TFT阵列基板具有沿像素单元的行方向延伸的多条金属驱动电极和/或多条金属感应电极，所述金属驱动电极位于相邻行的像素单元之间的间隙处，且与对应的所述触控驱动电极电性相连；所述金属感应电极位于相邻行的像素单元之间的间隙处，且与对应的所述触控感应电极电性相连。

本发明实施例提供的一种显示装置，包括本发明实施例提供的电容式内嵌触摸屏。

本发明实施例的有益效果包括：

本发明实施例提供的一种电容式内嵌触摸屏及显示装置，将TFT阵列基板中整面连接的公共电极层进行分割，形成相互绝缘的触控感应电极和触控驱动电极，对触控驱动电极和触控感应电极进行分时驱动，以实现触控功能和显示功能。由于本发明实施例提供的触摸屏是对TFT阵列基板的公共电极层结构进行变更以实现触控功能，因此，在现有的TFT阵列基板制备工艺的基础上，不需要增加额外的工艺即可制成触摸屏，节省了生产成本，提高了生产效率。并且，由于采用分时驱动触控和显示功能，也能够降低相互干扰，提高画面品质和触控准确性。

此外，由于触控驱动电极和触控感应电极在显示阶段具有公共电极层的作用，因此，各触控驱动电极和各触控感应电极通常由电阻较高的诸如ITO或IZO材料制备，在显示阶段传递触控信号时容易产生信号时延的问题，而本发明实施例提供的触摸屏中，为了降低各触控驱动电极和/或触控感应电极的阻值，降低信号时延，在TFT阵列基板中设置了与各触控驱动电极电性相连的多条金属驱动电极，以及与各触控感应电极电性相连的多条金属感应电极，极大的减小了触控驱动电极和触控感应电极的阻值，并且这些金属驱动电极和金属感应电极位于相邻行的像素单元之间，也不会占用触摸屏的开口区域，从而保证了触摸屏所需的开口率。

附图说明

图1为本发明实施例提供的触摸屏中公共电极层图形的示意图之一；

图2为本发明实施例提供的触摸屏中公共电极层图形的示意图之二；

图3为本发明实施例提供的图2中A处的放大图；

图4为本发明实施例提供的图3中B处的结构细节图；

图5为本发明实施例提供的TFT阵列基板中的金属触控电极、金属感应电极以及金属公共电极的分布示意图；

图6为本发明实施例提供的触摸屏中双栅结构的结构示意图；

图7为本发明实施例提供的图3中C处的放大示意图。

具体实施方式

目前，能够实现宽视角的液晶显示技术主要有平面内开关（IPS，In-PlaneSwitch）技术和高级超维场开关（ADS，AdvancedSuperDimensionSwitch）技术；其中，ADS技术通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（pushMura）等优点。H-ADS（高开口率-高级超维场开关）是ADS技术的一种重要实现方式。

本发明实施例正是基于ADS技术和H-ADS技术提出了一种新的电容式内嵌触摸屏结构。下面结合附图，对本发明实施例提供的电容式内嵌触摸屏、其驱动方法及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。

附图中各层薄膜厚度和形状不反映TFT阵列基板或彩膜基板的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

本发明实施例提供的一种电容式内嵌触摸屏，具体包括：具有公共电极层的TFT阵列基板，在TFT阵列基板内设有呈矩阵排列的多个像素单元；

该公共电极层具有相互绝缘的触控感应电极和触控驱动电极；在显示时间段，对触控驱动电极和触控感应电极施加公共电极信号；在触控时间段，对触控驱动电极施加触控扫描信号，触控感应电极用于耦合触控扫描信号的电压信号并输出；

TFT阵列基板具有沿像素单元的行方向延伸的多条金属驱动电极和/或多条金属感应电极，金属驱动电极位于相邻行的像素单元之间的间隙处，且与对应的触控驱动电极电性相连；金属感应电极位于相邻行的像素单元之间的间隙处，且与对应的触控感应电极电性相连。

本发明实施例提供的触摸屏将整面连接的公共电极层图形进行重新设计优化，形成触控驱动电极和触控感应电极，采用分时驱动显示和触控功能，即一帧时间内分成显示时刻和触控时刻，在显示时刻对触控感应电极和触控驱动电极施加公共电极信号，在触控时刻对触控驱动电极施加触控扫描信号，触控感应电极同时耦合触控扫描信号的电压信号。由于是对公共电极层的结构进行变更，因此，可以在现有的TFT阵列基板制备工艺的基础上，不增加额外的工艺即可制成触摸屏，节省了生产成本，提高了生产效率。并且，由于采用分时驱动触控和显示功能，也能够降低相互干扰，提高画面品质和触控准确性。

此外，由于触控驱动电极和触控感应电极在显示阶段具有公共电极层的作用，因此，各触控驱动电极和各触控感应电极通常由电阻较高的诸如ITO或IZO材料制备，在显示阶段传递触控信号时容易产生信号时延的问题，而本发明实施例提供的触摸屏中，为了降低各触控驱动电极和/或触控感应电极的阻值，降低信号时延，在TFT阵列基板中设置了与各触控驱动电极电性相连的多条金属驱动电极，以及与各触控感应电极电性相连的多条金属感应电极，极大的减小了触控驱动电极和触控感应电极的阻值，并且这些金属驱动电极和金属感应电极位于相邻行的像素单元之间，也不会占用触摸屏的开口区域，从而保证了触摸屏所需的开口率。

下面对上述触摸屏的公共电极层的具体结构进行详细的说明。

具体地，利用公共电极层形成的触控感应电极一般沿TFT阵列基板的像素单元的列方向延伸；触控驱动电极一般沿TFT阵列基板的像素单元的行方向延伸，当然触控感应电极和触控驱动电极的延伸方向也可以沿着其他方向，在此不做限定。一般地，触摸屏的精度通常在毫米级，可以根据所需的触控精度选择触控驱动电极和触控感应电极的密度和宽度以保证所需的触控精度，通常触控驱动电极和触控感应电极的宽度控制在5-7mm为佳。而液晶显示的精度通常在微米级，因此，一般一个触控驱动电极和触控感应电极会覆盖多行或多列液晶显示的像素单元。本发明实施例中所指的精度是指的触摸屏的一个触控单元或者显示屏的像素单元的尺寸。

具体地，在公共电极层中布置的触控驱动电极和触控感应电极可以具有条状电极结构、菱形电极结构（如图1所示）或插指电极阵列结构（如图2所示），在图1和图2中示出的触控感应电极01沿着图中的垂直方向布线，触控驱动电极02沿着图中的水平方向布线，由于触控感应电极01和触控驱动电极02在同层布置，因此，组成一条触控驱动电极02的多个触控驱动子电极之间相互绝缘（如图1所示的菱形结构中由5个触控驱动子电极组成一条触控驱动电极02，如图2所示的插指电极结构中由4个触控驱动子电极组成一条触控驱动电极02），可以通过金属桥将组成同一条触控驱动电极的各触控驱动子电极桥接后，利用一根信号线对其输入触控扫描信号，也可以对组成同一条触控驱动电极的各触控驱动子电极分别设置信号线对其输入驱动信号，如图2所示，在此不做限定。如图2中虚线框A表示一个触控单元，触控单元的个数本发明实施例中不做限定，图2中示例性的给出了2*3个触控单元。

较佳地，当触控驱动电极和触控感应电极采用插指电极阵列结构设计时，相对于条状电极结构和菱形电极结构，能够增大触控感应电极和触控驱动电极之间的互感电容，从而提高触控的灵敏性和准确性。

进一步地，如图2所示，由于触摸屏的精度通常在毫米级，而液晶显示的精度通常在微米级，因此，在设置触控感应电极和触控驱动电极时，两者之间会存在几列像素单元的间隙，这样，在公共电极层位于触控感应电极和触控驱动电极之间的间隙处还可以具有公共电极03，该公共电极03与触控感应电极01和触控驱动电极02相互绝缘，公共电极03在工作时接入公共电极信号，保证在公共电极03对应区域的像素单元能够进行正常的显示工作。

进一步地，由于公共电极03分布在触控感应电极01和触控驱动电极02的间隙处，在其接入公共电极信号时有可能会受到触控感应电极01和触控驱动电极02中接入的触控信号的影响，因此，如图2所示，在公共电极层的边缘处还可以具有包围公共电极03、触控感应电极01以及触控驱动电极02的公共电极环04，将接入公共电极03的公共电极信号同时接入到公共电极环04中，以稳定输入整个面板的公共电极信号的电压，这样可以提高整体的显示性能。

图3为图2中A区域的放大图，图4为图3中B区域的放大图，在图4中利用阴影区域划分触控感应电极01和触控驱动电极02，图中其余部分为公共电极03。

进一步地，根据上述触摸屏具体应用的液晶显示面板的模式，如上所述，触摸屏的精度通常在毫米级，液晶显示的精度通常在微米级，因此，如图4所示，每个触控驱动电极02、触控感应电极01和公共电极03一般会覆盖多行或多列液晶显示的像素单元，当然不排除各电极只覆盖单行或单列像素单元的情况，也不排除各电极只覆盖半行或半列像素单元的情况。并且，触控各触控感应电极01、触控驱动电极02以及公共电极03之间一般沿着像素单元的间隙分隔。这样，组成公共电极层的每条触控感应电极01、触控驱动电极02和公共电极03与像素单元的开口区域对应的位置具有条状透明电极结构或板状透明电极结构。

具体地，在ADS模式时组成公共电极层的每条触控感应电极01、触控驱动电极02和公共电极03与像素单元的开口区域对应的区域具有条状结构，而像素电极具有板状结构：在显示时间段，对公共电极层中的各电极施加公共电极信号，与像素电极之间产生电场控制液晶分子旋转，实现显示功能；在触控时间段，公共电极层中的各触控驱动电极上加载触控扫描信号，与触控驱动电极形成插指电极结构的触控感应电极耦合该触控扫描信号的电压信号并输出，通过侦测此时触控感应电极上的电压信号可以实现触控功能；在触控时间段，公共电极层中的公共电极上可以一直加载公共电极信号，但是由于与各像素单元的TFT关闭，在像素电极上未加载显示信号，因此与公共电极、触控感应电极和触控驱动电极对应的各像素单元都不会显示图像。

类似地，在HADS模式时组成公共电极层的每条触控感应电极01、触控驱动电极02和公共电极03与像素单元的开口区域对应的区域具有板状结构，像素电极具有条状结构，其工作原理与上述ADS模式的触摸屏类似，在此不做详述。并且，由于ADS模式和HADS模式的液晶面板的具体结构属于现有技术，在此也不在赘述。

在具体实施时，如图5所示，可以将用于降低触控驱动电极01电阻值的金属驱动电极061与TFT阵列基板中的数据信号线Data1、Data2、Data3、Data4和Data5同层设置，金属驱动电极061通过至少一个过孔与触控驱动电极01电性相连，并且，由于数据信号线Data1、Data2、Data3、Data4和Data5沿着像素单元的列方向延伸，因此，需要将金属驱动电极061与数据信号线Data1、Data2、Data3、Data4和Data5相互绝缘设置。这样，在制备TFT阵列基板时不需要增加额外的制备工序，只需要通过一次构图工艺即可形成数据信号线和金属驱动电极的图形能够节省制备成本，提升产品附加值。

同理，也可以将金属驱动电极与TFT阵列基板中的栅极信号线同层设置，金属驱动电极通过至少一个过孔与触控驱动电极电性相连，并且，为了避免信号干扰，还需要将金属驱动电极与栅极信号线相互绝缘设置。这样，在制备TFT阵列基板时不需要增加额外的制备工序，只需要通过一次构图工艺即可形成栅极信号线和金属驱动电极的图形能够节省制备成本，提升产品附加值。

进一步地，在具体实施时，金属驱动电极还可以直接设置在触控驱动电极的上层，也可以直接设置在触控驱动电极的下层，还可以在触控驱动电极的上层和下层同时设置金属驱动电极，在此不限定金属驱动电极的具体位置。直接与触控驱动电极电性相连的金属驱动电极能更好的减少触控驱动电极的电阻，避免信号时延。但是，与触控驱动电极直接电性相连的金属驱动电极需要通过单独的构图工艺制备，因此，虽然分别在触控驱动电极的上下两层都设置直接电性相连的金属驱动电极能够最大程度的降低其阻值，但是也会带来制备工艺的增加，因此，可以根据实际需要选择制备的金属驱动电极的层数和层级关系。

类似地，在具体实施时，如图5所示，可以将用于降低触控感应电极02电阻值的金属感应电极062与TFT阵列基板中的数据信号线Data1、Data2、Data3、Data4和Data5同层设置，金属感应电极062通过至少一个过孔与触控感应电极02电性相连，并且，由于数据信号线Data1、Data2、Data3、Data4和Data5沿着像素单元的列方向延伸，因此，需要将金属感应电极062与数据信号线Data1、Data2、Data3、Data4和Data5相互绝缘设置。这样，在制备TFT阵列基板时不需要增加额外的制备工序，只需要通过一次构图工艺即可形成数据信号线和金属感应电极的图形能够节省制备成本，提升产品附加值。

同理，也可以将金属感应电极与TFT阵列基板中的栅极信号线同层设置，金属感应电极通过至少一个过孔与触控感应电极电性相连，并且，为了避免信号干扰，还需要将金属感应电极与栅极信号线相互绝缘设置。这样，在制备TFT阵列基板时不需要增加额外的制备工序，只需要通过一次构图工艺即可形成栅极信号线和金属感应电极的图形能够节省制备成本，提升产品附加值。

进一步地，在具体实施时，金属感应电极还可以直接设置在触控感应电极的上层，也可以直接设置在触控感应电极的下层，还可以在触控感应电极的上层和下层同时设置金属感应电极，在此不限定金属感应电极的具体位置。直接与触控感应电极电性相连的金属感应电极能更好的减少触控感应电极的电阻，避免信号时延。但是，与触控感应电极直接电性相连的金属感应电极需要通过单独的构图工艺制备，因此，虽然分别在触控感应电极的上下两层都设置直接电性相连的金属感应电极能够最大程度的降低其阻值，但是也会带来制备工艺的增加，因此，可以根据实际需要选择制备的金属感应电极的层数和层级关系。

进一步地，当在公共电极层位于触控感应电极02和触控驱动电极01之间的间隙处还具有公共电极03时，如图5所示，在TFT阵列基板中还可以设置有与对应的公共电极03电性相连的多条金属公共电极063，金属公共电极063位于相邻行的像素单元之间的间隙处，与金属感应电极062或金属驱动电极061同层设置且相互绝缘。

具体地，可以根据实际金属驱动电极和金属感应电极的层级关系，将金属公共电极与栅极信号线同层设置，或与数据信号线同层设置，还可以直接将金属公共电极设置在公共电极的上层和/或下层，在此不再详述。

下面对上述触摸屏的公共电极层中的触控感应电极、触控驱动电极和公共电极的信号接入方式进行详细的说明。

在具体实施时，可以在TFT阵列基板上单独布置与公共电极层中的触控感应电极、触控驱动电极对应的信号线，即，在各像素单元之间的间隙处设置与各触控感应电极、触控驱动电极以及公共电极对应的信号线，在实现触控功能和显示功能时对其输入或输出相应的信号，上述这种在像素单元之间布置信号线的布线方式会占用部分液晶显示屏开口区域，导致开口率降低。

较佳地，为了能够最大限度的提高触摸显示屏的开口率，本发明实施例提供的触摸屏的TFT阵列基板中的像素结构在具体实施时可以采用双栅（DualGate）结构，如图6所示，在该结构中，TFT阵列基板上的相邻行的像素单元之间具有两条栅极信号线Gate1和Gate2、Gate3和Gate4，且以相邻的两列像素单元为一组像素单元列，每组像素单元列共用一条位于该两列像素单元之间的数据信号线Date1、Date2、Date3、Date4。

上述这种双栅结构通过增加一倍数量的栅极信号线，节省出一部分数据信号线的位置。这样，如图6所示，就可以在相邻组像素单元列之间的间隙处设置与数据信号线Date1、Date2、Date3、Date4同层设置的金属信号线05，当然本领域人员可知，该金属信号线05和数据信号线之间也可以是不同层设置，之间通过绝缘层隔开，在此不做限定。利用这些金属信号线05对公共电极层中的各电极输入或输出对应的电信号，上述这种布线方式利用双栅结构节省出的一部分数据线的位置布置金属信号线，不会过多占用开口区域，能够最大限度的保证显示屏的开口率。

具体地，如图2中A处放大图图3所示，上述双栅结构中的金属信号线按照功能可以分为以下三种：触控信号输出线051、触控信号输入线052以及公共电极信号输入线053；其中，

触控信号输入线052与触控驱动电极02电连接；触控信号输出线051与触控感应电极01电连接；公共电极信号输入线053与公共电极03电连接，具体地，可以通过过孔将金属信号线与对应的电极电性连接传递电信号。

为了示意图中能更清晰的示出触控信号输入线052与触控驱动电极02的连接，图3中第n行触控驱动电极02的宽度略小于第n+1行触控单元中触控驱动电极02的宽度。较优的，相邻行触控驱动电极02的宽度也可以设置成一致，这样可以保证电阻一致性，且工艺上不会增加复杂度，触控准确性更高。

进一步地，如图3中C处的放大示意图图7所示，在将相邻行触控驱动电极02（图7中Tx1、Tx2、Tx3和Tx4所示）的宽度设置成一致时，可以将与各触控驱动电极02连接的触控信号输入线052设置成如图7中所示的折线形状，并且，在折线形状的触控信号输入线052与数据信号线交叉区域使用桥接形式避免信号串扰。对应的，由于相邻的触控驱动电极02的宽度一致，因此，公共电极03的宽度上下也一致，宽度一致的公共电极03的电阻值相对均匀，最大程度的降低信号传输的时延；并且，与公共电极03连接的公共电极信号输入线053的形状可以设置成如图7所示的“山”字形，本领域技术人员可知，图7指示示意出了个金属信号线的布线方式，在具体实施时，可以根据实际设计要求对金属信号线的形状进行改进，并不局限于图7所示的方式。

进一步地，由于公共电极层一般由透明电极材料如ITO材料制成，进一步的为了最大限度的降低公共电极层的电阻，提高各电极传递电信号的信噪比，如图3中B处的放大图图4所示，可以将触控驱动电极02与对应的触控信号输入线052通过多个过孔电性相连；触控感应电极01与对应的触控信号输出线051通过多个过孔电性相连；公共电极03与对应的公共电极信号输入线053通过多个过孔电性相连。即相当于将ITO电极和多个由信号线组成的金属电阻并联，这样能最大限度的减少电极的电阻，从而提高电极传递信号时的信噪比。

并且，如图5所示，还可以将与同一触控驱动电极01电性相连的各金属触控电极061和各触控信号输入线051相互电连接；与同一触控感应电极02电性相连的各金属感应电极062和各触控信号输出线052相互电连接；与同一公共电极03电性相连的各金属公共电极063和各公共电极信号输入线053相互电连接。这样，金属驱动电极061、金属感应电极062以及金属公共电极063都带有电信号，可以进一步减少信号传输的时延。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述电容式内嵌触摸屏，该显示装置的实施可以参见上述电容式内嵌触摸屏的实施例，重复之处不再赘述。

本发明实施例提供的一种电容式内嵌触摸屏及显示装置，将TFT阵列基板中整面连接的公共电极层进行分割，形成相互绝缘的触控感应电极和触控驱动电极，对触控驱动电极和触控感应电极进行分时驱动，以实现触控功能和显示功能。由于本发明实施例提供的触摸屏是对TFT阵列基板的公共电极层结构进行变更以实现触控功能，因此，在现有的TFT阵列基板制备工艺的基础上，不需要增加额外的工艺即可制成触摸屏，节省了生产成本，提高了生产效率。并且，由于采用分时驱动触控和显示功能，也能够降低相互干扰，提高画面品质和触控准确性。

此外，由于触控驱动电极和触控感应电极在显示阶段具有公共电极层的作用，因此，各触控驱动电极和各触控感应电极通常由电阻较高的诸如ITO或IZO材料制备，在显示阶段传递触控信号时容易产生信号时延的问题，而本发明实施例提供的触摸屏中，为了降低各触控驱动电极和/或触控感应电极的阻值，降低信号时延，在TFT阵列基板中设置了与各触控驱动电极电性相连的多条金属驱动电极，以及与各触控感应电极电性相连的多条金属感应电极，极大的减小了触控驱动电极和触控感应电极的阻值，并且这些金属驱动电极和金属感应电极位于相邻行的像素单元之间，也不会占用触摸屏的开口区域，从而保证了触摸屏所需的开口率。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (13)

1.一种电容式内嵌触摸屏，包括具有公共电极层的TFT阵列基板，在所述TFT阵列基板内设有呈矩阵排列的多个像素单元，其特征在于，

所述公共电极层具有相互绝缘的触控感应电极和触控驱动电极；所述触控驱动电极覆盖多行或多列所述像素单元；所述触控感应电极覆盖多行或多列所述像素单元；在显示时间段，对所述触控驱动电极和所述触控感应电极施加公共电极信号；在触控时间段，对所述触控驱动电极施加触控扫描信号，所述触控感应电极用于耦合所述触控扫描信号的电压信号并输出；

所述TFT阵列基板具有沿像素单元的行方向延伸的多条金属驱动电极和/或多条金属感应电极，所述金属驱动电极位于相邻行的像素单元之间的间隙处，且与对应的所述触控驱动电极电性相连；所述金属感应电极位于相邻行的像素单元之间的间隙处，且与对应的所述触控感应电极电性相连；

各条所述金属驱动电极与所述TFT阵列基板中的数据信号线或栅极信号线同层设置且相互绝缘；

各条所述金属感应电极与所述TFT阵列基板中的数据信号线或栅极信号线同层设置且相互绝缘。

2.如权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，各条所述金属驱动电极位于所述触控驱动电极的上层和/或下层；

各条金属感应电极位于所述触控感应电极的上层和/或下层。

3.如权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，所述触控感应电极沿TFT阵列基板的像素单元的列方向延伸；所述触控驱动电极沿TFT阵列基板的像素单元的行方向延伸。

4.如权利要求1所述的触摸屏，其特征在于，所述触控驱动电极和所述触控感应电极具有条状电极结构、菱形电极结构或插指电极阵列结构。

5.如权利要求1-4任一项所述的触摸屏，其特征在于，在所述公共电极层位于所述触控感应电极和所述触控驱动电极之间的间隙处具有公共电极，所述公共电极与所述触控感应电极和触控驱动电极相互绝缘。

6.如权利要求5所述的触摸屏，其特征在于，还包括：与对应的公共电极电性相连的多条金属公共电极，所述金属公共电极位于相邻行的像素单元之间的间隙处，与所述金属感应电极或所述金属驱动电极同层设置且相互绝缘。

7.如权利要求5所述的触摸屏，其特征在于，所述触控感应电极、所述触控驱动电极和所述公共电极与像素单元的开口区域对应的位置具有狭缝状透明电极或板状透明电极结构。

8.如权利要求5所述的触摸屏，其特征在于，所述公共电极层的边缘处具有包围所述公共电极、所述触控感应电极以及所述触控驱动电极的公共电极环。

9.如权利要求6所述的触摸屏，其特征在于，在所述TFT阵列基板相邻行的像素单元之间具有两条栅极信号线，且以相邻的两列像素单元为一组像素单元列，每组像素单元列共用一条位于该两列像素单元之间的数据信号线。

10.如权利要求9所述的触摸屏，其特征在于，在相邻组像素单元列之间的间隙处还具有与数据信号线同层设置的金属信号线；所述金属信号线具体包括：触控信号输入线、触控信号输出线以及公共电极信号输入线，其中，

所述触控信号输入线与所述触控驱动电极电连接；所述触控信号输出线与所述触控感应电极电连接；公共电极信号输入线与所述公共电极电连接。

11.如权利要求10所述的触摸屏，其特征在于，所述触控驱动电极与对应的所述触控信号输入线通过多个过孔电性相连；所述触控感应电极与对应的所述触控信号输出线通过多个过孔电性相连；所述公共电极与对应的所述公共电极信号输入线通过多个过孔电性相连。

12.如权利要求10所述的触摸屏，其特征在于，与同一触控驱动电极电性相连的各金属触控电极和各触控信号输入线相互电连接；与同一触控感应电极电性相连的各金属感应电极和各触控信号输出线相互电连接；与同一公共电极电性相连的各金属公共电极和各公共电极信号输入线相互电连接。

13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-12任一项所述的电容式内嵌触摸屏。