CN102938241A - 有机发光二极管显示装置 - Google Patents

Abstract

一种有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述有机发光二极管显示装置包括一电源电路及一画素。电源电路用以提供一第一电压。画素包括一第一晶体管、一第二晶体管、一第三晶体管、一第四晶体管、一第五晶体管、一电容及一有机发光二极管。在一程序化期间，电容的第一端透过导通的第一晶体管接收一资料电压，第二晶体管的第一端接收第一电压，第二晶体管的控制端耦接电容的第二端且透过导通的第三晶体管耦接第二晶体管的第二端，并且电源电路调整第一电压的电压准位或电流以加速第二晶体管的控制端的电压准位达到一目标电压。

Description

有机发光二极管显示装置

技术领域

本发明是有关于一种显示装置，且特别是有关于一种有机发光二极管显示装置。

背景技术

随着科技的进步，平面显示器成为近年来最受瞩目的显示技术。其中，有机发光二极管（organic light emitting diode, OLED）显示器因其自发光、广视角、省电、制程简易、低成本、低温度操作范围、高应答速度以及全彩化等优点而具有极大的应用潜力，可望成为下一代的平面显示器之主流。

为了控制有机发光二极管的发光亮度，有机发光二极管通常会串接一晶体管。透过控制晶体管的导通程度，可控制流经有机发光二极管的电流，进而控制有机发光二极管的发光亮度。一般而言，在对画素进行程序化时，会希望将与有机发光二极管耦接的晶体管的闸极与源极间的电压控制为等于临界电压，以便后序进行编码补偿。因此，如何透过电路设计或调整驱动方式使与有机发光二极管耦接的晶体管的闸极与源极间的电压等于临界电压成为驱动有机发光二极管的一个重要课题。

发明内容

本发明提供一种有机发光二极管显示装置，可提升其显示质量。

本发明提出一种有机发光二极管显示装置，包括一电源电路及一画素。电源电路用以提供一第一电压。画素包括：一第一晶体管、一第二晶体管、一第三晶体管、一第四晶体管、一第五晶体管、一电容及一有机发光二极管。第一晶体管的第一端接收一资料电压，第一晶体管的控制端接收一扫描信号。电容的第一端耦接第一晶体管的第二端。第二晶体管的第一端接收第一电压，第二晶体管的控制端耦接电容的第二端。第三晶体管的第一端耦接第二晶体管的控制端，第三晶体管的控制端接收扫描信号，第三晶体管的第二端耦接第二晶体管的第二端。第四晶体管的第一端耦接第二晶体管的第二端，第四晶体管的控制端接收一发光信号。有机发光二极管，与第二晶体管及第四晶体管串联耦接于第一电压与一第二电压之间。第五晶体管的第一端接收一初始电压，第五晶体管的控制端接收发光信号，第五晶体管的第二端耦接电容的第一端。在一程序化期间，致能扫描信号且禁能发光信号，并且电源电路调整第一电压的电压准位或电流以加速第二晶体管的控制端的电压准位达到一目标电压。

在本发明一实施例中，调整第一电压的一调整期间小于程序化期间。

在本发明一实施例中，当第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管及第五晶体管分别为一P型晶体管时，第一电压为一系统高电压，第二电压为一接地电压。

在本发明一实施例中，目标电压为系统高电压减去第二晶体管的一临界电压。

在本发明一实施例中，电源电路包括一第一电源供应单元及一第一多工器。第一电源供应单元用以提供一第一参考电压及一第二参考电压，第二参考电压高于第一参考电压。第一多工器耦接第一电源供应单元以接收第一参考电压及第二参考电压，且接收一调整信号。当调整信号为致能时，第一多工器依据调整信号输出第二参考电压以作为系统高电压；当调整信号为禁能时，第一多工器依据调整信号输出第一参考电压以作为系统高电压。

在本发明一实施例中，调整信号致能于调整系统高电压的一调整期间。

在本发明一实施例中，第一多工器包括一第六晶体管及一第七晶体管。第六晶体管的第一端接收第一参考电压，第六晶体管的控制端接收调整信号，第六晶体管的第二端耦接第二晶体管的第一端。第七晶体管的第一端接收第二参考电压，第七晶体管的控制端接收调整信号，第七晶体管的第二端耦接第二晶体管的第一端。其中，第六晶体管及第七晶体管分别为一P型晶体管及一N型晶体管。

在本发明一实施例中，当第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管及第五晶体管分别为一N型晶体管时，第一电压为一系统低电压，第二电压为一系统高电压。

在本发明一实施例中，目标电压为系统低电压与第二晶体管的一临界电压的总和。

在本发明一实施例中，电源电路包括一第二电源供应单元及一第二多工器。第二电源供应单元用以提供一第三参考电压及一第四参考电压，第四参考电压低于第三参考电压。第二多工器耦接第二电源供应单元以接收第三参考电压及第四参考电压，且接收一调整信号。当调整信号为致能时，第二多工器依据调整信号输出第四参考电压以作为系统低电压；当调整信号为禁能时，第二多工器依据调整信号输出第三参考电压以作为系统低电压。

在本发明一实施例中，调整信号致能于调整系统低电压的一调整期间。

在本发明一实施例中，第二多工器包括一第八晶体管及一第九晶体管。第八晶体管的第一端接收第三参考电压，第八晶体管的控制端接收调整信号，第八晶体管的第二端耦接第二晶体管的第一端。第九晶体管的第一端接收第四参考电压，第九晶体管的控制端接收调整信号，第九晶体管的第二端耦接第二晶体管的第一端。其中，第八晶体管及第九晶体管分别为一P型晶体管及一N型晶体管。

在本发明一实施例中，电源电路包括一第三电源供应单元及一第三多工器。第三电源供应单元用以提供第一电压及一参考电流，且参考电流为一固定电流。第三多工器，耦接第三电源供应单元以接收第一电压及参考电流，且接收一调整信号。当调整信号为致能时，第二多工器依据调整信号输出参考电流至第二晶体管的第一端；当调整信号为禁能时，第二多工器依据调整信号输出第一电压至第二晶体管的第一端。

在本发明一实施例中，调整信号致能于调整第一电压的一调整期间。

在本发明一实施例中，第三多工器包括一第十晶体管及一第十一晶体管。第十晶体管的第一端接收第一电压，第十晶体管的控制端接收调整信号，第十晶体管的第二端耦接第二晶体管的第一端。第十一晶体管的第一端接收参考电流，第十一晶体管的控制端接收调整信号，第十一晶体管的第二端耦接第二晶体管的第一端。其中，第十晶体管及第十一晶体管分别为一P型晶体管及一N型晶体管。

在本发明一实施例中，在一发光期间，禁能扫描信号且致能发光信号。

在本发明一实施例中，有机发光二极管显示装置，更包括一资料驱动器，用以提供资料电压。

在本发明一实施例中，有机发光二极管显示装置，更包括一扫描驱动器，用以提供扫描信号及发光信号。

基于上述，本发明实施例的有机发光二极管显示装置，在程序化期间，调整第一电压的电压准位或电流，以加速第二晶体管的控制端的电压准位达到目标电压。藉此，可降低每一画素的取样错误率，进而提升有机发光二极管显示装置的显示质量。其中，取样错误率为发光期间中第二晶体管的闸极的实际电压准位与预期的电压准位的误差值。

附图说明

图1为本发明第一实施例的有机发光二极管显示装置的系统示意图。

图2A为本发明第一实施例的驱动波形示意图。

图2B为本发明第一实施例的画素于程序化期间的等效示意图。

图2C为本发明第一实施例的系统高电压提升及未提高时晶体管的闸极电压曲线对比示意图。

图3为本发明第一实施例的电源电路的电路示意图。

图4为本发明第二实施例的画素的电路示意图。

图5A为本发明第三实施例的有机发光二极管显示装置的系统示意图。

图5B为本发明第三实施例的驱动波形示意图。

图6为本发明第三实施例的电源电路的电路示意图。

图7为本发明第四实施例的画素的电路示意图。

图8为本发明第一实施例的另一电源电路的电路示意图。

图9为本发明第五实施例的画素的电路示意图。

注：

    100、500：有机发光二极管显示装置

    110、510：时序控制器

    120、520：扫描驱动器

    130、530：资料驱动器

    140、140a、140b、540、540a：电源电路

    150、550：显示面板

    210、220：曲线

    310：第一电源供应单元

    320：第一多工器

    610：第二电源供应单元

    620：第二多工器

    810：第三电源供应单元

    820：第三多工器

    C1、C2：电容

    GND：接地电压

    Ic、Id1：电流

    IR1：参考电流

    OLD1、OLD2：有机发光二极管

    PA1、PA2：调整期间

    PE1、PE2：发光期间

    PP1、PP2：程序化期间

    PX1~PX5：画素

    SA1、SA2、SA3：调整信号

    SC1、SC2：扫描信号

    SEM1、SEM2：发光信号

    T1~T16：晶体管

    VDD：电压准位

    VDD1、VDD2：系统高电压

    VDT1、VDT2：资料电压

    Vint1、Vint2：初始电压

    VR1：第一参考电压

    VR2：第二参考电压

    VR3：第三参考电压

    VR4：第四参考电压

    VSS：系统低电压

    Vth：临界电压。

具体实施方式

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

图1为依据本发明第一实施例的有机发光二极管显示装置的系统示意图。请参照图1，在本实施例中，有机发光二极管显示装置100包括时序控制器110、扫描驱动器120、资料驱动器130、电源电路140及显示面板150。扫描驱动器120耦接时序控制器110及显示面板150，且受控于时序控制器110提供多个扫描信号SC1及多个发光信号SEM1至显示面板150。资料驱动器130耦接时序控制器110及显示面板150，且受控于时序控制器110提供多个资料电压VDT1至显示面板150。

电源电路140耦接显示面板150，且提供系统高电压VDD1（对应第一电压）及接地电压GND（对应第二电压）至显示面板150。显示面板150具有多个画素PX1，且每一画素PX1接收系统高电压VDD1、接地电压GND、对应的资料电压VDT1、对应的扫描信号SC1及对应的发光信号SEM1。

每一画素PX1包括多个晶体管T1~T5（对应第一晶体管至第五晶体管）、电容C1及有机发光二极管OLD1，其中晶体管T1~T5皆为P型晶体管。晶体管T1的源极（对应第一端）接收对应的资料电压VDT1，晶体管T1的闸极（对应控制端）接收对应的扫描信号SC1。电容C1的第一端耦接晶体管T1的汲极（对应第二端）。晶体管T2的源极（对应第一端）接收系统高电压VDD1，晶体管T2的闸极（对应控制端）耦接电容C1的第二端。晶体管T3的源极（对应第一端）耦接晶体管T2的闸极，晶体管T3的闸极（对应控制端）接收对应的扫描信号SC1，晶体管T3的汲极（对应第二端）耦接晶体管T2的汲极（对应第二端）。晶体管T4的源极（对应第一端）耦接晶体管T2的汲极，晶体管T4的闸极（对应控制端）接收对应的发光信号SEM1。有机发光二极管OLD1的阳极耦接晶体管T4的汲极，有机发光二极管OLD1的阴极耦接接地电压GND。晶体管T5的源极（对应第一端）接收初始电压Vint1，晶体管T5的闸极（对应控制端）接收对应的发光信号SEM1，晶体管T5的源极（对应第二端）耦接电容C1的第一端。

在本实施例中，有机发光二极管OLD1顺向耦接于晶体管T4的汲极与接地电压GND之间，但在其他实施例中，有机发光二极管OLD1可顺向耦接于系统高电压VDD1与晶体管T2的源极之间，亦即有机发光二极管OLD1与晶体管T2及T4串联耦接于系统高电压VDD1与接地电压GND之间即可。

图2A为图1依据本发明第一实施例的驱动波形示意图。图2B为图2A的画素于程序化期间的等效示意图。请参照图1、图2A及图2B，在此以单一画素PX1为例，并且，其中每一发光信号SEM1的电压准位设定为相反于对应的扫描信号SC1。在程序化期间PP1中，扫描驱动器120会致能对应的扫描信号SC1（在此扫描信号SC1的致能准位以低电压准位为例）且禁能对应的发光信号SEM1（在此发光信号SEM1的禁能准位以高电压准位为例），并且资料驱动器130会设定对应的资料电压VDT1的电压准位。此时，晶体管T1及T3会受控于对应的扫描信号SC1而导通（on），晶体管T4及T5会受控于对应的发光信号SEM1而不导通（off）。其中，晶体管T2的闸极的电压准位会低于系统高电压VDD1，晶体管T2的闸极的电压准位与系统高电压VDD1之间的压差会大于等于晶体管T2的临界电压，因此晶体管T2会导通，并且晶体管T2的闸极的电压准位会受经由导通的晶体管T2及T3所传送的电流Id1开始充电而升高，以致于影响了晶体管T2的导通状态，但晶体管T2的闸极的电压准位与系统高电压VDD1之间的压差仍会大于等于晶体管T2的临界电压。

在发光期间PE1中，扫描驱动器120会禁能对应的扫描信号SC1（在此扫描信号SC1的禁能准位以高电压准位为例）且致能对应的发光信号SEM1（在此发光信号SEM1的致能准位以低电压准位为例），并且资料驱动器130会重置对应的资料电压VDT1的电压准位。此时，晶体管T1及T3会受控于对应的扫描信号SC1而不导通（off），晶体管T4及T5会受控于对应的发光信号SEM1而导通（on），其中晶体管T2的导通程度会对应于晶体管T2的闸极的电压准位，而晶体管T2的闸极的电压准位决定于初始电压Vint1及电容C1的跨压。

如图2B所示，在程序化期间PP1，流经电容C1的电流Ic会等于流经晶体管T2的电流Id1，并且电流Id1会受制于晶体管T2的闸极的电压准位，其关系式的推演可参照下述：

其中Id1(t)为电流Id1的瞬间电流大小，Ic(t)为电流Ic的瞬间电流大小，VG(t)为晶体管T2的闸极的瞬间电压准位，C为电容C1的电容值，VDT为资料电压VDT1的电压大小，k0为晶体管T2的电流系数，电压准位VDD为系统高电压VDD1的电压大小，Vth为晶体管T2的临界电压，I0为初始电流，Cs为一常数。

依据上述，在t=∞的情况下，晶体管T2的闸极的电压准位会等于VDD-|Vth|（亦即系统高电压VDD1减去晶体管T2的临界电压Vth，对应目标电压）。然而，当晶体管T2的闸极的电压准位越高时，晶体管T2的电洞迁移率（hole mobility）及电子迁移率（electron mobility）会降低，以至于在限定的时间内，晶体管T2的闸极的电压准位无法达到VDD-|Vth|。

在本实施例中，为了加速晶体管T2的闸极的电压准位达到系统高电压VDD1减去晶体管T2的临界电压Vth，可控制电源电路140在调整期间PA1内会调高系统高电压VDD1的电压准位。其中，调整期间PA1在此设定为程序化期间PP1的一半，本发明实施例不以此为限，但调整期间PA1会小于程序化期间PP1。

图2C为图2B的系统高电压提升及未提高时晶体管的闸极电压曲线对比示意图。请参照图2A及图2C，曲线210为对应未提高系统高电压VDD1，曲线220为对应提高后的系统高电压VDD1，并且程序化期间PP1以5微秒为例。在调高系统高电压VDD1的电压准位后，晶体管T2的闸极的电压准位上升所朝向的电压准位为调高后的系统高电压VDD1的电压准位减去晶体管T2的临界电压Vth，因此可加速晶体管T2的闸极的电压准位达到系统高电压VDD1减去晶体管T2的临界电压Vth，进而可降低每一画素PX1的取样错误率。其中，取样错误率为发光期间PE1中晶体管T2的闸极的实际电压准位与预期的电压准位的误差值。

图3为图1依据本发明第一实施例的电源电路的电路示意图。请参照图1及图3，在本实施例中，电源电路140a包括第一电源供应单元310及第一多工器320。第一电源供应单元310提供第一参考电压VR1、第二参考电压VR2及接地电压GND，其中第二参考电压VR2高于第一参考电压VR1。第一多工器320耦接第一电源供应单元310以接收第一参考电压VR1及第二参考电压VR2，且接收调整信号SA1。当调整信号SA1致能于调整系统高电压VDD1的调整期间（如图2A所示PA1）时（在此调整信号SA1的致能准位以高电压准位为例），第一多工器320依据调整信号SA1输出第二参考电压VR2以作为系统高电压VDD1；反之，当调整信号SA1为禁能时（在此调整信号SA1的禁能准位以低电压准位为例），第一多工器320依据调整信号SA1输出第一参考电压VR1以作为系统高电压VDD1。其中，调整信号SA1可以由一控制电路所产生，例如时序控制器110，但本发明实施例不以此为限。

进一步来说，在本实施例中，第一多工器320包括晶体管T6及T7（对应第六晶体管及第七晶体管），其中晶体管T6为P型晶体管，晶体管T7为N型晶体管。晶体管T6的源极（对应第一端）接收第一参考电压VR1，晶体管T6的闸极（对应控制端）接收调整信号SA1，晶体管T6的汲极（对应第二端）耦接晶体管T2的源极。晶体管T7的汲极（对应第一端）接收第二参考电压VR2，晶体管T7的闸极（对应控制端）接收调整信号SA1，晶体管T7的源极（对应第二端）耦接晶体管T2的源极。

当调整信号SA1为致能时（在此调整信号SA1的致能准位以高电压准位为例），晶体管T6会不导通，而晶体管T7会导通，以致于第二参考电压VR2会输出至晶体管T2的源极作为系统高电压VDD1；当调整信号SA1为禁能时（在此调整信号SA1的禁能准位以低电压准位为例），晶体管T6会导通，而晶体管T7会不导通，以致于第一参考电压VR1会输出至晶体管T2的源极作为系统高电压VDD1。

图4为图1依据本发明第二实施例的画素的电路示意图。请参照图1、图3及图4，在图3的实施例中，多工器320为配置于电源电路140a中。在本实施例中，画素PX2大致相同于画素PX1所示，其不同之处在于将多工器320的晶体管T6及T7配置于画素PX2中，亦即电源电路140可仅配置第一电源供应单元310，而其耦接关系可参照上述实施例，在此则不再赘述。

图5A为依据本发明第三实施例的有机发光二极管显示装置的系统示意图。请参照图5A，在本实施例中，有机发光二极管显示装置500包括时序控制器510、扫描驱动器520、资料驱动器530、电源电路540及显示面板550。扫描驱动器510耦接时序控制器510及显示面板550，且受控于时序控制器510提供多个扫描信号SC2及多个发光信号SEM2至显示面板550。资料驱动器530耦接时序控制器510及显示面板550，且受控于时序控制器510提供多个资料电压VDT2至显示面板550。

电源电路540耦接显示面板550，且提供系统高电压VDD2（对应第二电压）及系统低电压VSS（对应第一电压）至显示面板550。显示面板550具有多个画素PX3，且每一画素PX3接收系统高电压VDD2、系统低电压VSS、对应的资料电压VDT2、对应的扫描信号CS2及对应的发光信号SEM。

每一画素PX3包括多个晶体管T8~T12（对应第一晶体管至第五晶体管）、电容C2及有机发光二极管OLD2，其中晶体管T8~T12皆为N型晶体管。晶体管T8的汲极（对应第一端）接收对应的资料电压VDT2，晶体管T8的闸极（对应控制端）接收对应的扫描信号SC2。电容C2的第一端耦接晶体管T8的源极（对应第二端）。晶体管T9的闸极（对应控制端）耦接电容C2的第二端。晶体管T10的源极（对应第一端）耦接晶体管T9的闸极，晶体管T10的闸极（对应控制端）接收对应的扫描信号SC2，晶体管T10的汲极（对应第二端）耦接晶体管T9的汲极（对应第二端）。晶体管T11的源极（对应第一端）耦接晶体管T9的汲极（对应第二端），晶体管T11的闸极（对应控制端）接收对应的发光信号SEM2，晶体管T11的汲极（对应第二端）接收系统高电压VDD2。有机发光二极管OLD2的阳极耦接晶体管T9的源极（对应第一端），有机发光二极管OLD2的阴极耦接系统低电压VSS。晶体管T12的汲极（对应第一端）接收初始电压Vint2，晶体管T12的闸极（对应控制端）接收对应的发光信号SEM2，晶体管T12的汲极（对应第二端）耦接电容C2的第一端。其中，晶体管T9的源极透过有机发光二极管OLD2接收系统低电压VSS。

在本实施例中，有机发光二极管OLD2顺向耦接于晶体管T9的源极与系统低电压VSS之间，但在其他实施例中，有机发光二极管OLD2可顺向耦接于系统高电压VDD2与晶体管T11的汲极之间，亦即有机发光二极管OLD2与晶体管T9及T11串联耦接于系统高电压VDD2与系统低电压VSS之间即可。

图5B为图5A依据本发明第三实施例的驱动波形示意图。在此以单一画素PX3为例，其中每一发光信号SEM2的电压准位设定为相反于对应的扫描信号SC2。在程序化期间PP2中，扫描驱动器520会致能对应的扫描信号SC2（在此扫描信号SC2的致能准位以高电压准位为例）且禁能对应的发光信号SEM2（在此发光信号SEM2的禁能准位以低电压准位为例），并且资料驱动器530会设定对应的资料电压VDT2的电压准位。此时，晶体管T8及T10会受控于对应的扫描信号SC2而导通（on），晶体管T11及T12会受控于对应的发光信号SEM2而不导通（off）。其中，晶体管T9的闸极的电压准位会高于系统低电压VSS，且晶体管T9的闸极的电压准位与系统低电压VSS之间的压差会大于等于晶体管T9的临界电压，因此晶体管T9会导通，并且晶体管T9的闸极的电压准位会经由导通的晶体管T9及T10接收到系统低电压VSS而开始放电并降低，以致于影响了晶体管T9的导通状态，但晶体管T9的闸极的电压准位与系统低电压VSS之间的压差仍会大于等于晶体管T9的临界电压。

在发光期间PE2中，扫描驱动器520会禁能对应的扫描信号SC2（在此扫描信号SC2的禁能准位以低电压准位为例）且致能对应的发光信号SEM2（在此发光信号SEM2的致能准位以高电压准位为例），并且资料驱动器530会重置对应的资料电压VDT2的电压准位。此时，晶体管T8及T10会受控于对应的扫描信号SC2而不导通（off），晶体管T11及T12会受控于对应的发光信号SEM2而导通（on），其中晶体管T9的导通程度会对应于晶体管T9的闸极的电压准位，而晶体管T9的闸极的电压准位决定于初始电压Vint2及电容C2的跨压。

在本实施例中，为了加速晶体管T9的闸极的电压准位达到系统低电压VSS与晶体管T9的临界电压Vth的总和（即目标电压），可控制电源电路540在调整期间PA2内调低系统低电压VSS的电压准位。其中，调整期间PA2在此设定为程序化期间PP2的一半，本发明实施例不以此为限，但调整期间PA2会小于程序化期间PP2。

图6为图5A依据本发明第三实施例的电源电路的电路示意图。请参照图5A及图6，在本实施例中，电源电路540a包括第二电源供应单元610及第二多工器620。第二电源供应单元610提供第三参考电压VR3、第四参考电压VR4及系统高电压VDD2，其中第四参考电压VR4低于第三参考电压VR3。第二多工器620耦接第二电源供应单元610以接收第三参考电压VR3及第四参考电压VR4，且接收调整信号SA2。当调整信号SA2致能于调整系统低电压VSS的调整期间（如图5B所示PA2）时（在此调整信号SA2的致能准位以高电压准位为例），第二多工器620依据调整信号SA2输出第四参考电压VR4以作为系统低电压VSS；反之，当调整信号SA2为禁能时（在此调整信号SA2的禁能准位以低电压准位为例），第二多工器620依据调整信号SA2输出第三参考电压VR3以作为系统低电压VSS。其中，调整信号SA2可以由一控制电路所产生，例如时序控制器510，但本发明实施例不以此为限。

进一步来说，在本实施例中，第二多工器620包括晶体管T13及T14（对应第八晶体管及第九晶体管），其中晶体管T13为P型晶体管，晶体管T14为N型晶体管。晶体管T13的源极（对应第一端）接收第三参考电压VR3，晶体管T13的闸极（对应控制端）接收调整信号SA2，晶体管T13的汲极（对应第二端）耦接有机发光二极管OLD2的阴极。晶体管T14的汲极（对应第一端）接收第四参考电压VR4，晶体管T14的闸极（对应控制端）接收调整信号SA2，晶体管T14的源极（对应第二端）耦接有机发光二极管OLD2的阴极。

当调整信号SA2为致能时（在此调整信号SA2的致能准位以高电压准位为例），晶体管T13会不导通，而晶体管T14会导通，以致于第四参考电压VR4会输出至耦接有机发光二极管OLD2的阴极作为系统低电压VSS；当调整信号SA2为禁能时（在此调整信号SA2的禁能准位以低电压准位为例），晶体管T13会导通，而晶体管T14会不导通，以致于第三参考电压VR3会输出至耦接有机发光二极管OLD2的阴极作为系统低电压VSS。

图7为图5A依据本发明第四实施例的画素的电路示意图。请参照图5A、图6及图7，在图6的实施例中，多工器620为配置于电源电路540a中。在本实施例中，画素PX4大致相同于画素PX3所示，其不同之处在于将多工器620的晶体管T13及T14配置于画素PX4中，亦即电源电路540可仅配置第二电源供应单元610，而其耦接关系可参照上述实施例，在此则不再赘述。

在上述实施例中，为透过调整电压的方式加速与有机发光二极管耦接的晶体管的闸极的电压准位达到目标电压，但在其他实施例中，亦可调整流进与有机发光二极管耦接的晶体管的电流来实现。

图8为图1依据本发明第一实施例的另一电源电路的电路示意图。请参照图1及图8，在本实施例中，电源电路140b包括第三电源供应单元810及第三多工器820。第三电源供应单元810提供系统高电压VDD1、参考电流IR1及接地电压GND，其中参考电流IR1为一固定电流，并且可透过电流镜或类似的方式来产生。第三多工器820耦接第三电源供应单元810以接收系统高电压VDD1及参考电流IR1，且接收调整信号SA3。当调整信号SA3致能于调整系统高电压VDD1的调整期间（如图2A所示PA1）时（在此调整信号SA3的致能准位以高电压准位为例），第三多工器820依据调整信号SA3输出参考电流IR1；反之，当调整信号SA3为禁能时（在此调整信号SA3的禁能准位以低电压准位为例），第三多工器820依据调整信号SA3输出系统高电压VDD1。其中，调整信号SA3可以由一控制电路所产生，例如时序控制器110，但本发明实施例不以此为限。

进一步来说，在本实施例中，第三多工器820包括晶体管T15及T16（对应第十晶体管及第十一晶体管），其中晶体管T15为P型晶体管，晶体管T16为N型晶体管。晶体管T15的源极（对应第一端）接收系统高电压VDD1，晶体管T15的闸极（对应控制端）接收调整信号SA3，晶体管T15的汲极（对应第二端）耦接晶体管T2的源极。晶体管T16的汲极（对应第一端）接收参考电流IR1，晶体管T16的闸极（对应控制端）接收调整信号SA3，晶体管T16的源极（对应第二端）耦接晶体管T2的源极。

当调整信号SA3为致能时（在此调整信号SA3的致能准位以高电压准位为例），晶体管T15会不导通，而晶体管T16会导通，以致于参考电流IR1会输出至晶体管T2的源极；当调整信号SA3为禁能时（在此调整信号SA3的禁能准位以低电压准位为例），晶体管T15会导通，而晶体管T16会不导通，以致于系统高电压VDD1会输出至晶体管T2的源极。

图9为图1依据本发明第五实施例的画素的电路示意图。请参照图1、图8及图9，在图8的实施例中，多工器820为配置于电源电路140b中。在本实施例中，画素PX5大致相同于画素PX1所示，其不同之处在于将多工器820的晶体管T15及T16配置于画素PX5中，亦即电源电路140可仅配置第三电源供应单元810，而其耦接关系可参照上述实施例，在此则不再赘述。

综上所述，本发明实施例的有机发光二极管显示装置，在程序化期间，调整系统高电压或系统低电压的电压准位或电流，以加速耦接有机发光二极管的晶体管的闸极的电压准位达到目标电压。藉此，可降低每一画素的取样错误率，进而提升有机发光二极管显示装置的显示质量。其中，取样错误率为发光期间中耦接有机发光二极管的晶体管的闸极的实际电压准位与预期的电压准位的误差值。

虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明之精神和范围内，当可作些许之更动与润饰，故本发明之保护范围当视后附之申请专利范围所界定者为准。

Claims (18)

1.一种有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述有机发光二极管显示装置包括：

一电源电路，用以提供一第一电压；以及

一画素，包括：

一第一晶体管，所述第一晶体管的第一端接收一资料电压，所述第一晶体管的控制端接收一扫描信号；

一电容，所述电容的第一端耦接所述第一晶体管的第二端；

一第二晶体管，所述第二晶体管的第一端接收所述第一电压，所述第二晶体管的控制端耦接所述电容的第二端；

一第三晶体管，所述第三晶体管的第一端耦接所述第二晶体管的控制端，所述第三晶体管的控制端接收所述扫描信号，所述第三晶体管的第二端耦接所述第二晶体管的第二端；

一第四晶体管，所述第四晶体管的第一端耦接所述第二晶体管的第二端，所述第四晶体管的控制端接收一发光信号；

一有机发光二极管，与所述第二晶体管及所述第四晶体管串联耦接于所述第一电压与一第二电压之间；以及

一第五晶体管，所述第五晶体管的第一端接收一初始电压，所述第五晶体管的控制端接收所述发光信号，所述第五晶体管的第二端耦接所述电容的第一端；

其中，在一程序化期间，致能所述扫描信号且禁能所述发光信号，并且所述电源电路调整所述第一电压的电压准位或电流以加速所述第二晶体管的控制端的电压准位达到一目标电压。

2.根据权利要求1所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于：所述电源电路调整所述第一电压的一调整期间小于所述程序化期间。

3.根据权利要求1所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于：当所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管及所述第五晶体管分别为一P型晶体管时，所述第一电压为一系统高电压，所述第二电压为一接地电压。

4.根据权利要求3所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于：所述目标电压为所述系统高电压减去所述第二晶体管的一临界电压。

5.根据权利要求3所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于：所述电源电路包括：

一第一电源供应单元，用以提供一第一参考电压及一第二参考电压，所述第二参考电压高于所述第一参考电压；

一第一多工器，耦接所述第一电源供应单元以接收所述第一参考电压及所述第二参考电压，且接收一调整信号，当所述调整信号为致能时，所述第一多工器依据所述调整信号输出所述第二参考电压以作为所述系统高电压，当所述调整信号为禁能时，所述第一多工器依据所述调整信号输出所述第一参考电压以作为所述系统高电压。

6.根据权利要求5所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于：所述调整信号致能于调整所述系统高电压的一调整期间。

7.根据权利要求5所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于：第一多工器包括：

一第六晶体管，所述第六晶体管的第一端接收所述第一参考电压，所述第六晶体管的控制端接收所述调整信号，所述第六晶体管的第二端耦接所述第二晶体管的第一端；以及

一第七晶体管，所述第七晶体管的第一端接收所述第二参考电压，所述第七晶体管的控制端接收所述调整信号，所述第七晶体管的第二端耦接所述第二晶体管的第一端；

其中，所述第六晶体管及第七晶体管分别为一P型晶体管及一N型晶体管。

8.根据权利要求1所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于：当所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管及所述第五晶体管分别为一N型晶体管时，所述第一电压为一系统低电压，所述第二电压为一系统高电压。

9.根据权利要求8所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于：所述目标电压为所述系统低电压与所述第二晶体管的一临界电压的总和。

10.根据权利要求8所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于：所述电源电路包括：

一第二电源供应单元，用以提供一第三参考电压及一第四参考电压，所述第四参考电压低于所述第三参考电压；

一第二多工器，耦接所述第二电源供应单元以接收所述第三参考电压及所述第四参考电压，且接收一调整信号，当所述调整信号为致能时，所述第二多工器依据所述调整信号输出所述第四参考电压以作为所述系统低电压，当所述调整信号为禁能时，所述第二多工器依据所述调整信号输出所述第三参考电压以作为所述系统低电压。

11.根据权利要求10所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于：所述调整信号致能于调整所述系统低电压的一调整期间。

12.根据权利要求11所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于：第二多工器包括：

一第八晶体管，所述第八晶体管的第一端接收所述第三参考电压，所述第八晶体管的控制端接收所述调整信号，所述第八晶体管的第二端耦接所述第二晶体管的第一端；以及

一第九晶体管，所述第九晶体管的第一端接收所述第四参考电压，所述第九晶体管的控制端接收所述调整信号，所述第九晶体管的第二端耦接所述第二晶体管的第一端；

其中，所述第八晶体管及第九晶体管分别为一P型晶体管及一N型晶体管。

13.根据权利要求1所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于：所述电源电路包括：

一第三电源供应单元，用以提供所述第一电压及一参考电流，所述参考电流为一固定电流；

一第三多工器，耦接所述第三电源供应单元以接收所述第一电压及所述参考电流，且接收一调整信号，当所述调整信号为致能时，所述第二多工器依据所述调整信号输出所述参考电流至所述第二晶体管的第一端，当所述调整信号为禁能时，所述第二多工器依据所述调整信号输出所述第一电压至所述第二晶体管的第一端。

14.根据权利要求13所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于：所述调整信号致能于调整所述第一电压的一调整期间。

15.根据权利要求13所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于：第三多工器包括：

一第十晶体管，所述第十晶体管的第一端接收所述第一电压，所述第十晶体管的控制端接收所述调整信号，所述第十晶体管的第二端耦接所述第二晶体管的第一端；以及

一第十一晶体管，所述第十一晶体管的第一端接收所述参考电流，所述第十一晶体管的控制端接收所述调整信号，所述第十一晶体管的第二端耦接所述第二晶体管的第一端；

其中，所述第十晶体管及第十一晶体管分别为一P型晶体管及一N型晶体管。

16.根据权利要求1所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于：在一发光期间，禁能所述扫描信号且致能所述发光信号。

17.根据权利要求1所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于：还包括一资料驱动器，用以提供所述资料电压。

18.根据权利要求1所述的一种有机发光二极管显示装置，其特征在于：还包括一扫描驱动器，用以提供所述扫描信号及所述发光信号。

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