CN102737581A - 像素驱动电路、像素显示单元和显示电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种像素驱动电路、像素显示单元和显示电路；其中像素驱动电路包括：第一扫描线，与T4的栅极、电容C2的负极和T 3的栅极相连，电容C2的正极与电容C1的正极相连；第二扫描线，与T5的栅极和T2的栅极相连；数据线，与T4的源极或漏极相连，T4的漏极或源极、电容C1的负极和T5的漏极或源极相连；T5的源极或漏极与VREF相连；T1的栅极、电容C1的正极和T3的漏极或源极相连；T1的源极或漏极、T3的源极或漏极和T2的漏极或源极相连，T1漏极或源极构成像素驱动电路的第一连接端；T2源极或漏极构成像素驱动电路的第二连接端。通过设置电容C2，有效增加T1栅极的电压，降低流过驱动T1的电流，使得暗态时流过直流电致发光器件的电流减小，提高对比度。

Description

像素驱动电路、像素显示单元和显示电路
技术领域
本发明涉及驱动电路技术领域,具体是一种像素驱动电路、像素显示单元和显示电路。
背景技术
中国专利文献CN102110407A公开了一种像素驱动电路、放电方法、数据写入方法及驱动显示方法，具体公开了一种驱动电路，参见图1所示，包括数据线、扫描线、用于连接电源极的电源线、用于连接接地极的地线以及OLED(有机发光二极管，全称为Organic Light-Emitting Diode）器件，还包括：电容充电场效应晶体管、发光驱动场效应晶体管以及数据存储电容。该专利文献通过使用三个薄膜晶体管和一个电容的结构，相对于现有四个薄膜晶体管和一个电容结构的驱动电路，减少了电源负载、降低功耗。
对主动有机发光显示器（AMOLED）而言，发光器件OLED的亮度是由驱动TFT产生的电流的大小来决定，因此发光器件OLED的暗态取决于驱动管TFT的最小电流。而驱动管的最小电流受其栅极电压的控制，所以控制栅极电压的稳定变得非常重要。由于漏电流的影响，在一帧周期内栅极的电压变化非常大，使得驱动管有微小的电流通过，严重降低了AMOLED的对比度。
本发明中，TFT为Thin film Transistor，薄膜晶体管。
发明内容
为此，本发明所要解决的是现有像素驱动电路中在一帧周期内驱动管有微小电流通过造成的AMOLED的对比度比较低的技术问题，提供一种可有效减小驱动管通过的微小电流的像素驱动电路、像素显示单元和显示电路。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：
一种像素驱动电路，包括：
第一扫描线，与数据传输场效应晶体管T4的栅极、耦合电容C2的负极和采样控制场效应晶体管T3的栅极相连，耦合电容C2的正极与保持电容C1的正极相连；所述采样控制场效应晶体管T3采样控制驱动场效应晶体管T1的阈值电压Vth；
第二扫描线，与基准电压传输场效应晶体管T5的栅极和发光控制场效应晶体管T2的栅极相连；
数据线，与数据传输场效应晶体管T4的源极或漏极相连，所述数据传输场效应晶体管T4的漏极或源极、所述保持电容C1的负极和所述基准电压传输场效应晶体管T5的漏极或源极相连；所述传输场效应晶体管T4控制传输所述数据线上的数据；所述基准电压传输场效应晶体管T5的源极或漏极与基准电压输入线VREF相连，所述基准电压传输场效应晶体管T5控制传输所述基准电压输入线VREF上的基准电压；
驱动场效应晶体管T1，其栅极、保持电容C1的正极和采样控制场效应晶体管T 3的漏极或源极相连；所述驱动场效应晶体管T1的源极或漏极、采样控制场效应晶体管T3的源极或漏极和所述发光控制场效应晶体管T2的漏极或源极相连，所述驱动场效应晶体管T1漏极或源极构成所述像素驱动电路的第一连接端；所述发光控制场效应晶体管T2源极或漏极构成所述像素驱动电路的第二连接端。
所述保持电容C1为TFT电容，其中TFT电容指将TFT的源极和漏极短接在一起形成的电容。
所述耦合电容C2为TFT电容。
所述场效应晶体管均为TFT。
所述TFT均为P型薄膜场效应晶体管。
同时，提供一种像素显示单元，使用上述的像素驱动电路，还包括一个直流电致发光器件和一个电源；其中，所述像素驱动电路的第一连接端与电源的正极相连；所述像素驱动电路的第二连接端与所述对应直流电致发光器件的正极相连，所述直流电致发光器件的负极接地。
所述直流电致发光器件包括OLED、LED和电阻式灯泡中的任意一种。
还提供一种显示电路，包括上述的像素显示单元。
本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：
本发明的像素驱动电路通过设置耦合电容，可有效增加驱动场效应晶体管T1的栅极的电压，进而降低流过驱动场效应晶体管T1的电流，使得暗态时流过直流电致发光器件的电流减小，亮度降低，提高对比度。
保持电容C1为TFT电容或者耦合电容C2为TFT电容，因为TFT电容体积小，更方便集成。将场效应晶体管均为TFT，使得本发明的像素驱动电路场效应晶体管类型同一，方便加工制造。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
图1为本发明一个实施例的像素驱动单元电路图；
图2为图1所示像素驱动电路的工作时序图；
图3为包括如图1所示像素驱动单元的显示电路图。
具体实施方式
参见图1所示，作为本发明一个实施例的像素驱动单元电路图，包括像素驱动电路、OLED和给OLED提供电能的直流主电路电源；其中，像素驱动电路进一步包括，第一扫描线，与数据传输场效应晶体管T4的栅极、耦合电容C2的负极和采样控制场效应晶体管T3的栅极相连，耦合电容C2的正极与保持电容C1的正极相连；所述采样控制场效应晶体管T3采样控制驱动场效应晶体管T1的阈值电压Vth；C2和C1的比值没有特别的限定，根据实际要求不同，典型地C2/C1=0.05～0.3；
第二扫描线，与基准电压传输场效应晶体管T5的栅极和发光控制场效应晶体管T2的栅极相连；
数据线，与数据传输场效应晶体管T4的源极相连，所述数据传输场效应晶体管T4的漏极、所述保持电容C1的负极和所述基准电压传输场效应晶体管T5的漏极相连；所述传输场效应晶体管T4控制传输所述数据线上的数据；所述基准电压传输场效应晶体管T5的源极与基准电压输入线VREF相连，所述基准电压传输场效应晶体管T5控制传输所述基准电压输入线VREF上的基准电压；
驱动场效应晶体管T1，其栅极、保持电容C1的正极和采样控制场效应晶体管T3的漏极相连，T1栅极电压标记为VT1；所述驱动场效应晶体管T1的源极、采样控制场效应晶体管T3的源极和所述发光控制场效应晶体管T2的漏极相连，所述驱动场效应晶体管T1漏极构成所述像素驱动电路的第一连接端，所述第一段与电源的正极相连；所述发光控制场效应晶体管T2源极构成所述像素驱动电路的第二连接端，所述第二连接端与OLED的正极相连，OLED的负极接地。本实施例中，所述场效应晶体管均为P型薄膜场效应晶体管，即P型TFT。
下面结合本实施例驱动电路工作时序图，参见图2所示，将本实施例的驱动电路的工作过程详述如下:
准备阶段，如图上t1段所示，S0和Vdata均为高电平，S1由原来的低电平变为高电平，此时，所述像素驱动电路中的栅极扫描线S0和扫描线S1连接的TFT管T2、TFT管T3、TFT管T4和TFT管T5管均关断，无法传送电压，但是由于漏电流的影响，电容C1通过所述TFT管T5放电，进而导致电容C1的电压降低，使得驱动TFT管T1栅极的电压将会降低。
采样阶段，如图上t2段所示，S0由原来的高电平变为低电平，S1和Vdata均为高电平，此时，TFT管T2和TFT管T5保持关断，TFT管T3和TFT管T4管导通，电容C1的一端电压是Vdata，C1的另一端与驱动TFT管T1的栅极相连接，直到完成充电；由于电容C2的另一端与扫描线S0相连接，在扫描线S0变为低电平时，电容C2对外放电，电容C2电压降低，充电完成时驱动TFT管T1栅极电压是VDD+Vth，其中，Vth是负值。
OLED发光阶段，如图上t3段所示，S0由低电平变为高电平，S1由高电平变为低电平，此时，TFT管T1和TFT管T5管导通，TFT管T4和TFT管T5的共用端电压变为VREF，由于电容C1的耦合作用，驱动TFT管T1栅极电压同步移动（VREF-Vdata）。在此基础上，电容C2受到S0上升的影响，使得驱动TFT管T1栅极电压（即图2中VT1所示电压）升高，暗态时候流过驱动TFT管T1的电流减少，进而使得OLED的亮度降低，对比度提高。
作为上述实施例的一个变形，上述像素驱动电路中的TFT电容C1和TFT电容C2均可用其他电容取代，出于集成电路的考虑，体积越小的电容越适合替代上述TFT电容用于本实施例的像素驱动电路中。
作为本发明的其他实施例，作为受控开关原件的TFT管T2、TFT管T3、TFT管T4和TFT管T5均可为现有技术中的除薄膜晶体管之外的其他受控开关原件代替，比如，NTFT，MOS管等，MOS为metal—oxid—semiconductor缩写，电容的正负两端连接方式没有特殊的限定，中文为金属氧化物半导体场效应晶体管。同样能实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
参见图3所示，为使用上述实施例中的像素显示单元的显示电路图，该显示电路中的每一个像素显示均通过上述像素显示单元实现，实际应用中可以由M（M>1,M为整数）行和N（N>1,M为整数）列组成，图3仅是示意图。
本发明中的像素驱动电路可用于驱动任何直流电致发光器件，比如LED和电阻式灯泡中的任意一种，不限于OLED，其中的LED为发光二极管，英文全称为Light Emitting Diode。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (8)

1.一种像素驱动电路，其特征在于，还包括：
第一扫描线，与数据传输场效应晶体管T4的栅极、耦合电容C2的负极和采样控制场效应晶体管T3的栅极相连，耦合电容C2的正极与保持电容C1的正极相连；所述采样控制场效应晶体管T3采样控制驱动场效应晶体管T1的阈值电压Vth；
第二扫描线，与基准电压传输场效应晶体管T5的栅极和发光控制场效应晶体管T2的栅极相连；
数据线，与数据传输场效应晶体管T4的源极或漏极相连，所述数据传输场效应晶体管T4的漏极或源极、所述保持电容C1的负极和所述基准电压传输场效应晶体管T5的漏极或源极相连；所述传输场效应晶体管T4控制传输所述数据线上的数据；所述基准电压传输场效应晶体管T5的源极或漏极与基准电压输入线VREF相连，所述基准电压传输场效应晶体管T5控制传输所述基准电压输入线VREF上的基准电压；
驱动场效应晶体管T1，其栅极、保持电容C1的正极和采样控制场效应晶体管T3的漏极或源极相连；所述驱动场效应晶体管T1的源极或漏极、采样控制场效应晶体管T3的源极或漏极和所述发光控制场效应晶体管T2的漏极或源极相连，所述驱动场效应晶体管T1漏极或源极构成所述像素驱动电路的第一连接端；所述发光控制场效应晶体管T2源极或漏极构成所述像素驱动电路的第二连接端。
2.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于：所述保持电容C1为TFT电容。
3.根据权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于：所述耦合电容C2为TFT电容，其中TFT电容指将TFT的源极和漏极短接在一起形成的电容。
4.根据权利要求3所述的像素驱动电路，其特征在于：所述场效应晶体管均为TFT。
5.根据权利要求5所述的像素驱动电路，其特征在于：所述TFT均为P型TFT。
6.一种像素显示单元，其特征在于：使用如权利要求1-5任一所述的像素驱动电路，还包括一个直流电致发光器件和一个电源；其中，所述像素驱动电路的第一连接端与电源的正极相连；所述像素驱动电路的第二连接端与所述对应直流电致发光器件的正极相连，所述直流电致发光器件的负极接地。
7.根据权利要求6所述的像素显示单元，其特征在于：所述直流电致发光器件包括OLED、LED和电阻式灯泡中的任意一种。
8.一种显示电路，其特征在于：包括如权利要求6或7所述的像素显示单元。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102938241A (zh) * 2012-11-12 2013-02-20 华映光电股份有限公司 有机发光二极管显示装置
WO2015169015A1 (zh) * 2014-05-04 2015-11-12 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路、驱动方法、阵列基板及显示装置
CN113012638A (zh) * 2020-12-31 2021-06-22 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板其驱动方法及显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009069571A (ja) * 2007-09-14 2009-04-02 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の制御方法および電子機器
CN101859791A (zh) * 2009-04-09 2010-10-13 友达光电股份有限公司 有源矩阵式显示装置的像素结构
CN102117598A (zh) * 2009-12-31 2011-07-06 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示器
CN102405492A (zh) * 2010-04-05 2012-04-04 松下电器产业株式会社 有机电致发光显示装置及其控制方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009069571A (ja) * 2007-09-14 2009-04-02 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の制御方法および電子機器
CN101859791A (zh) * 2009-04-09 2010-10-13 友达光电股份有限公司 有源矩阵式显示装置的像素结构
CN102117598A (zh) * 2009-12-31 2011-07-06 乐金显示有限公司 有机发光二极管显示器
CN102405492A (zh) * 2010-04-05 2012-04-04 松下电器产业株式会社 有机电致发光显示装置及其控制方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102938241A (zh) * 2012-11-12 2013-02-20 华映光电股份有限公司 有机发光二极管显示装置
CN102938241B (zh) * 2012-11-12 2014-09-17 华映光电股份有限公司 有机发光二极管显示装置
WO2015169015A1 (zh) * 2014-05-04 2015-11-12 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路、驱动方法、阵列基板及显示装置
US9412302B2 (en) 2014-05-04 2016-08-09 Boe Technology Group Co., Ltd. Pixel driving circuit, driving method, array substrate and display apparatus
CN113012638A (zh) * 2020-12-31 2021-06-22 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板其驱动方法及显示装置
CN113012638B (zh) * 2020-12-31 2022-04-05 武汉天马微电子有限公司 显示面板其驱动方法及显示装置
US11605351B2 (en) 2020-12-31 2023-03-14 Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. Display panel having a compensation unit for leakage current, driving method thereof and display device

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