CN102906876B - 具有经掺杂的传输栅极的图像传感器 - Google Patents
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Abstract
本发明揭示一种图像传感器(900)，其包含像素阵列，且至少一个像素包含形成于衬底层(912)中的光检测器(902)及安置得邻近于所述光检测器的传输栅极(910)。所述衬底层进一步包含多个电荷/电压转换区(1104)。单一光检测器可传输所收集的电荷到单一电荷/电压转换区，或者多个光检测器可传输所收集的电荷到由所述光检测器共享的共用电荷/电压转换区。当掺杂剂植入所述衬底层内以形成源极/漏极植入区时所形成的植入区(1406)仅安置于各传输栅极的一部分中，而各电荷/电压转换区无所述植入区。
Description
技术领域
本发明大体上涉及图像传感器，且更特定来说，本发明涉及具有在源极/漏极区的植入期间仅形成于传输栅极的一部分中的植入区的图像传感器。
背景技术
图1是根据现有技术的图像传感器的一部分的截面图。图像传感器100包含衬底102，其具有光检测器104、阈值植入106、阱108、轻掺杂漏极(LDD)110及形成于其中的重源极/漏极植入区112。阱108、LDD 110与源极/漏极植入区112的组合作为电荷/电压转换区114。阱108还作为LDD 100或源极/漏极植入区112到光检测器104之间的抗击穿区操作。
阈值植入106及阱108是在建立传输栅极116之前形成，而光检测器104及LDD 110是在形成传输栅极116之后形成。因为光检测器104及LDD 110是在传输栅极116之后建立，故光检测器104及LDD 110自对准到传输栅极116的边缘。
源极/漏极植入区112是在沿着传输栅极116的外侧形成侧壁间隔件118之后植入阱108内。当其它源极/漏极植入区(例如，晶体管的源极/漏极植入区)形成于图像传感器中时形成源极/漏极植入区112。源极/漏极植入区112安置于接点120下方并从接点120延伸到阱108内。在所述源极/漏极植入期间各传输栅极116的至少一部分还以掺杂剂植入而形成经掺杂的区122。经掺杂的区122有利地影响传输栅极116功函数并增加所述传输栅极导电率。
所述源极/漏极植入区(包含源极/漏极植入区112)的掺杂级通常为高以保持高导电率。因为掺杂级极高，所述植入完全破坏晶格结构并将阱108、LDD 110及衬底层102的单晶结构转换为非晶结构。所述非晶结构需要随后热处理步骤以重新排列回为单晶结构。然而，随着技术发展，源极/漏极植入后热预算显著降低以减少掺杂剂横向扩散，因此植入损坏无法由随后热处理完全修复。
晶格损坏或缺陷的一个后果为暗电流产生的极高速率。晶格损坏还作为金属污染物的吸附部位，其为非所需的，这是因为还已知金属污染物产生极高暗电流。为避免损坏衬底，在制造一些图像传感器期间不执行电荷/电压转换区中的重源极/漏极植入。然而，如先前所述，所述重源极/漏极植入在传输栅极116中形成经掺杂的区122。移除经掺杂的区122将改变传输栅极116功函数并可负面影响所述传输栅极的电操作。
发明内容
一种图像传感器包含像素阵列，且至少一个像素包含形成于衬底层中的光检测器、安置得邻近于所述光检测器的传输栅极及安置得邻近于所述传输栅极的电荷/电压转换区。所述电荷/电压转换区可通过阱与轻掺杂漏极(LDD)的组合而产生。在根据本发明的一个实施例中，单一光检测器传输所收集的电荷到单一电荷/电压转换区。在根据本发明的另一实施例中，多个光检测器传输所收集的电荷到由所述光检测器共享的共用电荷/电压转换区。
当掺杂剂植入所述衬底层内以形成源极/漏极植入区时，植入区仅形成于各传输栅极的一部分中。所述植入区不形成于所述电荷/电压区内。各电荷/电压转换区实质上无所述植入区。根据本发明的实施例可包含实体接点下方到所述电荷/电压转换区的源极/漏极植入。
一种用于制造具有像素阵列且至少一个像素包含光检测器且两个或两个以上邻近像素共享共用电荷/电压转换区的图像传感器的方法，其包含在衬底层的表面上方形成多个传输栅极。传输栅极安置在相应共享电荷/电压转换区和与所述共享电荷/电压转换区相关联的各光检测器之间。与各共享电荷/电压转换区相关联的所述传输栅极隔开预定距离以形成转换区间隙。所述电荷/电压转换区可形成有所形成的轻掺杂漏极(LDD)。
接着，掩蔽保形电介质层沉积于所述图像传感器上方，且所述掩蔽保形电介质层覆盖所述传输栅极并填充各转换区间隙。所述掩蔽保形电介质层经蚀刻以沿着各传输栅极的外边缘形成侧壁间隔件。在所述蚀刻之后，所述掩蔽保形电介质层的一部分保持在各转换区间隙中并安置于各转换区间隙中的所述衬底层的表面上方。执行重掺杂源极/漏极植入以在所述图像传感器中形成源极/漏极植入区且仅在所述传输栅极中形成植入区。各转换区间隙中的掩蔽保形电介质层掩蔽所述源极/漏极植入，使得各电荷/电压转换区实质上无所述植入区。
附图说明
参考下列图式可较好了解本发明的实施例。图式的元件未必按比例绘制。
图1是根据现有技术的图像传感器的一部分的截面图；
图2是根据本发明的实施例中的图像捕捉装置的简化框图；
图3是根据本发明的实施例中的适于用作图像传感器206的图像传感器的俯视图的框图；
图4是根据本发明的实施例中的适于用作像素302的有源像素的示意图；
图5是根据本发明的实施例中的行选择晶体管414的截面图；
图6是根据本发明的实施例中的适于用于图像传感器206中的像素的一部分的俯视图的简化框图；
图7是根据本发明的实施例中的适于用于图像传感器206中的二乘二共享像素布置的俯视图的简化框图；
图8是根据本发明的实施例中的适于用于图像传感器206中的二乘二共享像素布置的俯视图的简化框图；
图9-15是根据本发明的实施例中的图像传感器的一部分的截面图，其用于描绘用于在源极/漏极区的植入期间仅在传输栅极的一部分中形成植入区的第一方法；
图16-19是根据本发明的实施例中的图像传感器的一部分的截面图，其用于说明用于在源极/漏极区的植入期间仅在传输栅极的一部分中形成植入区的第二方法；
图20是根据本发明的实施例中的图像传感器的一部分的截面图，所述图像传感器以用于在源极/漏极区的植入期间仅在传输栅极的一部分中形成植入区的第三方法制造；及
图21-23是根据本发明的实施例中的图像传感器的一部分的截面图，其用于说明用于在源极/漏极区的植入期间仅在所述传输栅极的一部分中形成植入区的第四方法。
具体实施方式
在说明书及权利要求书中，下列术语采用本文明确相关的意义，除非上下文另外清楚指示。“一”及“所述”的意义包含复数的参考，“在…中”的意义包含“在…中”及“在…上”。术语“连接”意指已连接项目之间的直接电连接，或通过一个或一个以上无源或有源中间装置的间接连接。术语“电路”意指单一组件或多个组件(有源或无源)，其连接在一起以提供期望的功能。术语“信号”意指至少一个电荷包、电流、电压或数据信号。
此外，参考所述的图的定向来使用例如“在……上”、“在……上方”、“顶部”、“底部”的指向性术语。因为本发明的实施例的组件可定位于许多不同定向，所以指向性专门名词仅用于说明的目的而绝非限制。当结合图像传感器晶片的层或相对应图像传感器使用时，指向性专门名词意欲被广义解译，且因此不应解译为排除一个或一个以上介入层或其它介入图像传感器特征或元件的存在。因此，本文中描述为形成于另一层上或形成于另一层上方的给定层可由一个或一个以上额外层与所述另一层分离。
且最后，术语“衬底层”应理解为基于半导体的材料，其包含(但不限于)硅、绝缘体上硅(SOI)技术、蓝宝石上硅(SOS)技术、经掺杂及未经掺杂的半导体、形成于半导体衬底上的外延层、形成于半导体衬底中的阱区或埋入层及其它半导体结构。
参考图式，在全部视图中相同数字指示相同部件。
图2是根据本发明的实施例中的图像捕捉装置的简化框图。在图2中图像捕捉装置200作为数码相机实施。所属领域的技术人员将认识到，数码相机仅为可利用并有本发明的图像传感器的图像捕捉装置的一个实例。其它类型的图像捕捉装置(举例来说，例如手机相机、扫描仪及数码摄像机)可与本发明一起使用。
在数码相机200中，来自主体场景的光202输入到成像级204。成像级204可包含例如透镜、中性密度滤光器、光圈及快门的常规元件。光202由成像级204聚焦以在图像传感器206上形成图像。图像传感器206通过将入射光转换为电信号而捕捉一个或一个以上图像。数码相机200进一步包含处理器208、存储器210、显示器212及一个或一个以上额外输入/输出(I/O)元件214。虽然在图2的实施例中展示为分开的元件，但是成像级204可与图像传感器206及可能与数码相机200的一个或一个以上额外元件集成以形成相机模块。举例来说，处理器或存储器可在根据本发明的实施例中与相机模块中的图像传感器206集成。
举例来说，处理器208可作为微处理器、中央处理单元(CPU)、专用集成电路(ASIC)、数字信号处理器(DSP)或其它处理装置或多个此些装置的组合实施。成像级204及图像传感器206的各种元件可由从处理器208供应的时序信号或其它信号控制。
存储器210可配置为任一类型的存储器，举例来说，例如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、快闪存储器、基于磁盘的存储器、可移动存储器、或任一组合的其它类型的存储元件。由图像传感器206捕捉的给定图像可由处理器208存储在存储器210中且呈现在显示器212上。尽管可使用其它类型的显示器，但显示器212通常为有源矩阵彩色液晶显示器(LCD)。额外I/O元件214可包含(举例来说)各种屏幕上控件、按钮或其它用户接口、网络接口或存储卡接口。
应明白，展示于图2中的数码相机可包括所属领域的技术人员已知的类型的额外或替代元件。本文中未特定展示或描述的元件可选自此项技术中已知的元件。如前所述，本发明可在很多种图像捕捉装置中实施。此外，本文所描述的实施例的某些方面可至少部分以由图像捕捉装置的一个或一个以上处理元件执行的软件的形式实施。所属领域的技术人员将明白，考虑到本文所提供的教示，此软件可以简单方式实施。
现参考图3，展示根据本发明的实施例中的适于用作图像传感器206的图像传感器的俯视图的框图。图像传感器300包含形成成像区304的通常布置成行与列的多个像素302。在根据本发明的实施例中，各像素302包含光敏区(图中未展示)。
图像传感器300进一步包含列解码器306、行解码器308、数字逻辑310、多个模拟或数字输出电路312及时序产生器314。成像区304中的各列像素电连接到输出电路312。时序产生器314可用于产生用于操作图像传感器300的信号(包含自成像区304读出信号所需的信号)。
在根据本发明的实施例中，图像传感器300作为x-y可寻址图像传感器实施，例如(举例来说)互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。因此，列解码器306、行解码器308、数字逻辑310、模拟或数字输出通道312及时序产生器314作为可操作地连接到成像区304的标准CMOS电子电路实施。
与成像区304的取样与读出及相对应图像数据的处理相关联的功能性可至少部分以存储在存储器210(见图2)中并由处理器208执行的软件的形式实施。所述取样与读出电路的部分可布置于图像传感器300外部，或与成像区304一体形成于(举例来说)具有光检测器及所述成像区的其它元件的共用集成电路上。所属领域的技术人员将认识到，在根据本发明的其它实施例中，可实施其它外围电路配置或体系结构。
现参考图4，展示根据本发明的实施例中的适于用作像素302的有源像素的示意图。有源像素400包含光检测器402、传输栅极404、电荷/电压转换机构406、复位晶体管408、电势VDD 410、放大器晶体管412及行选择晶体管414。在根据本发明的实施例中，复位晶体管408、放大器晶体管412及行选择晶体管414作为场效应晶体管实施。行选择晶体管414的源极/漏极端子416连接到放大器晶体管412的源极/漏极端子418，而源极/漏极端子420连接到输出422。复位晶体管408的源极/漏极端子424及放大器晶体管414的源极/漏极端子426连接到电势VDD 410。复位晶体管408的源极/漏极端子428及放大器晶体管412的栅极430连接到电荷/电压转换机构406。
图5是根据本发明的实施例中的行选择晶体管414的截面图。源极/漏极植入区500、502在源极/漏极植入工艺期间形成于衬底层504中。源极/漏极植入区500及接点506形成行选择晶体管414的一个源极/漏极端子(418或420)，而源极/漏极植入区502及接点508形成行选择晶体管414的另一源极/漏极端子(420或418)。电极510形成于源极/漏极植入区500、502之间。电极510及接点512形成行选择晶体管414的栅极。图像传感器中的其它晶体管包含在源极/漏极植入期间形成的源极/漏极植入区。
当一种或多种掺杂剂植入衬底层504内以在图像传感器中形成源极/漏极植入区(例如，源极/漏极植入区500、502)时，本发明的实施例在传输栅极的上表面的一部分中产生至少一个植入区。源极/漏极区的掺杂剂植入不会在所述电荷/电压转换区内产生植入区。所述电荷/电压转换区保持实质上无所述植入区。注意，在根据本发明的一些实施例中，所述电荷/电压转换区可包含接点下方的到电荷/电压转换区的植入区(见例如图7中接点712下的植入区714)。此接点植入区可在所述源极/漏极区的掺杂剂植入期间通过图案化掩蔽层以界定其中将形成各接触区的开口同时掩蔽不具有所述接点的所述电荷/电压转换区的区域而产生。所述接点下的所述植入区实质上不会在用于所述接点的区域外侧延伸。包含所述接点下方的源极/漏极植入区的一个优点是所述植入区可降低接触电阻。
因此，如本文所使用，术语“植入区”被定义为当所述一种或多种掺杂剂植入所述衬底层内以在图像传感器中形成源极/漏极植入区时形成于传输栅极中的区。
现参考图6，展示根据本发明的实施例中的适于用于图像传感器206中的像素的一部分的俯视图的简化框图。像素600包含光检测器602、传输栅极604及电荷/电压转换区606。电荷/电压转换区606包含接点608。在根据本发明的实施例中，光检测器602作为光电二极管或针扎式光电二极管实施且电荷/电压转换区606作为浮动扩散实施。
如先前所论述，像素600还可包含通过接点608连接到所述电荷/电压转换区的复位晶体管及放大器晶体管(图中未展示)。像素600可进一步包含连接到所述放大器晶体管的行选择晶体管(图中未展示)。此些组件在所属领域中众所周知且因此为了简明目的及易于理解而未在图6中进行展示。
光检测器602收集并存储由入射光产生的电荷。当偏压施加到传输栅极604时，所收集的电荷包从光检测器602传输到电荷/电压转换区606。通过接点608连接到电荷/电压转换区606的放大器晶体管(图中未展示)(例如，源极随耦器晶体管)将所述电荷包转换为表示电荷/电压转换区606上的电荷量的电压信号。接着，所述电压信号由所述放大器晶体管传输到列输出线。
图7是根据本发明的实施例中的适于用于图像传感器206中的二乘一共享像素布置的俯视图的简化框图。像素布置700包含两个光检测器702、704、分别邻近各光检测器702、704的传输栅极706、708及由两个光检测器702、704共享的共用电荷/电压转换区710。共用电荷/电压转换区710包含接点712。通常，光检测器702安置在像素阵列的一行(或列)像素中且光检测器704定位在所述像素阵列的邻近行(或列)像素中。
偏压选择性地施加到传输栅极706、708以自光检测器702、704选择性地并分别传输所收集的电荷包到电荷/电压转换区710。通过接点712连接到电荷/电压转换区710的放大器晶体管(图中未展示)将各电荷包转换为表示电荷/电压转换区710上的电荷量的电压信号。接着，所述电压信号由放大器晶体管传输到列输出线。
在根据本发明的实施例中，源极/漏极接点植入区714安置在接点712下。源极/漏极接点植入区714是在所述源极/漏极区的掺杂剂植入期间形成。源极/漏极接点植入区714可通过图案化掩蔽层以界定其中将形成接点712的开口同时掩蔽未由接点712覆盖的电荷/电压转换区710的区域而产生。源极/漏极接点植入区714实质上并不会在用于接点712的区域外侧延伸。
现参考图8，展示根据本发明的实施例中的适于用于图像传感器206中的二乘二共享像素布置的俯视图的简化框图。像素布置800包含四个光检测器802、804、806、808、邻近相应光检测器802、804、806、808的传输栅极810、812、814、816及由四个光检测器802、804、806、808共享的共用电荷/电压转换区818。共用电荷/电压转换区818包含接点820。通常，光检测器802、806安置于像素阵列的一行(或列)像素中且光检测器804、808定位于所述像素阵列的邻近行(或列)像素中。
偏压选择性地施加到传输栅极810、812、814、816以从光检测器802、804、806、808选择性地并分别传输所收集的电荷包到电荷/电压转换区818。通过接点820连接到电荷/电压转换区818的放大器晶体管(图中未展示)将各电荷包转换为表示电荷/电压转换区818上的电荷量的电压信号。接着，所述电压信号由放大器晶体管传输到列输出线。
虽然已描述二乘一及二乘二布置，但根据本发明的其它实施例并不限于此些像素布置。不同像素布置可与本发明一起使用。仅作为实例，在根据本发明的其它实施例中，可使用例如三乘二及四乘二的像素布置。另外，像素阵列并不限于行与列布置。像素阵列可以任何期望的图案(例如(举例来说)六角图案)布置。
图9-15是根据本发明的实施例中的图像传感器的一部分的截面图，其用于描绘用于在源极/漏极区的植入期间仅在传输栅极的一部分中形成植入区的第一方法。首先，如图9中所示，图像传感器900的结构已处理到其中光检测器902、阈值植入904、阱906、垫氧化物908及传输栅极910已形成于衬底层912中或已形成于衬底层912上的阶段。传输栅极910之间的空间914在本文中被称为转换区间隙914。
阈值植入904、阱906及衬底层912具有第一导电类型，而光检测器902具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。仅作为实例，阈值植入904、阱906及衬底层912具有n导电类型，而光检测器902具有p导电类型。
接着，如图10中所示，掩蔽层1000(例如，光致抗蚀剂层)沉积在图像传感器900上方并经图案化以形成开口1001。开口1001暴露各传输栅极910的一部分及在转换区间隙914中的衬底层912的表面1002。
接着，一种或一种以上掺杂剂植入(由箭头1100表示)穿过开口1001并进入表面1002内以在阱906(图11)中形成轻掺杂漏极(LDD)1102。结合的LDD 1102与阱906作为电荷/电压转换区1104。在根据本发明的实施例中，LDD 1102具有与阱906相反的导电类型。植入所述掺杂剂于阱906内以形成LDD 1102还在各传输栅极910的上区的一部分中形成经掺杂的区1106。
接着，掩蔽层1000被移除且保形电介质层1200沉积在图像传感器900上方(图12)。掩蔽保形电介质层1202沉积在保形电介质层1200上方。在根据本发明的实施例中，保形电介质层1200作为氮化物层实施且掩蔽保形电介质层1202作为氧化物层实施。对于保形电介质层1200及掩蔽保形电介质层1202，根据本发明的其它实施例可使用不同材料。举例来说，可使用氮化物/氧化物、氧化物/氧化物、氮化物/氮化物或氧化物/氮化物的任何组合。
掩蔽保形电介质层1202的厚度被选择为足够厚，使得在执行随后蚀刻工艺之后所述掩蔽保形电介质层填充转换区间隙914或填充转换区间隙914的底部。仅作为实例，掩蔽保形电介质层1202的厚度为传输栅极910之间的距离或转换区间隙914的至少一半。在根据本发明的其它实施例中，掩蔽保形电介质层1202可沉积到不同厚度。
转换区间隙914在一个实施例中设计为最小距离以确保转换区间隙914是由保形电介质层1202填充。在转换区间隙914的最小宽度下对其进行构建还降低所述电荷/电压转换区的电容，此增加像素转换增益。
接着掩蔽保形电介质层1202及保形电介质层1200经蚀刻以暴露传输栅极910的顶表面(图13)。仅作为实例，在根据本发明的实施例中，掩蔽保形电介质层1202及保形电介质层1200是以反应性离子蚀刻或电浆蚀刻而在垂直方向被各向异性地蚀刻。
蚀刻沿着传输栅极910的外侧或边缘(相对于转换区间隙914的侧)形成侧壁间隔件1300。保形电介质层1200覆盖传输栅极910的内边缘及衬底912的表面。蚀刻还引起掩蔽保形电介质层1202填充或完全填充未由保形电介质层1200填充的转换区间隙914的剩余部分的底部。
接着，如图14中所示，掩蔽层1400沉积在图像传感器900上方且经图案化以形成开口1402，开口1402暴露各传输栅极910的上区的一部分、转换区间隙914中的保形电介质层1200及掩蔽保形电介质层1202。一种或一种以上掺杂剂在源极/漏极植入工艺期间植入(由箭头1404表示)穿过开口1402且进入传输栅极910的一部分内以在图像传感器900中形成源极/漏极植入区(图中未展示)且在传输栅极910中形成植入区1406。在根据本发明的实施例中，植入区1406具有与阱906相反的导电类型。掩蔽保形电介质层1202在植入1404期间作为掩膜并防止植入1404中的掺杂剂植入电荷/电压转换区1104内。
接着，掩蔽层1400被移除，如图15中所示。如图15中所示，图像传感器900包含仅在传输栅极910中的植入区1406。电荷/电压转换区1104(阱906及LDD 1102)实质上无植入区。图像传感器900现可经进一步处理以完成图像传感器900的制造。此些制造工艺在所属领域中众所周知且因此在本文中未进行详细描述。
图16-19是根据本发明的实施例中的图像传感器的一部分的截面图，其用于说明用于在源极/漏极区的植入期间仅在传输栅极的一部分中形成植入区的第二方法。图16-19中展示的处理技术替换图12-15中描绘的制造步骤。图16中展示的工艺紧接在图11中说明的工艺之后。掩蔽保形电介质层1600沉积在图像传感器1602上方。掩蔽保形电介质层1600的厚度被选择为足够厚，使得在执行随后蚀刻工艺之后所述掩蔽保形电介质层填充转换区间隙914或完全填充转换区间隙914的底部。在根据本发明的实施例中，掩蔽保形电介质层1600作为氮化物层实施。在根据本发明的其它实施例中，掩蔽保形电介质层1600可由不同材料制成。举例来说，可使用二氧化硅、氮化硅、氧化铪或任何类型的电介质膜。
接着，如图17中所示，掩蔽保形电介质层1600经蚀刻以暴露传输栅极910的上表面。蚀刻引起保形电介质层1600沿着传输栅极910的外侧形成侧壁间隔件并填充转换区间隙914或完全填充转换区间隙914的底部。
接着，抗蚀层1800沉积在图像传感器1602上方并经图案化以形成开口1802。抗蚀层1800的一个实例是光致抗蚀剂层。开口1802暴露转换区间隙914中的掩蔽保形电介质层1600的顶表面及各传输栅极910的顶表面的一部分(图18)。一种或一种以上掺杂剂在源极/漏极植入工艺期间植入(由箭头1804表示)穿过开口1802且进入传输栅极910的一部分内以在图像传感器1602中形成源极/漏极植入区(图中未展示)且在传输栅极910中形成植入区1806。在根据本发明的实施例中，植入区1806具有与阱906相反的导电类型。掩蔽保形电介质层1600在植入1804期间作为掩膜并防止植入1804中的掺杂剂植入电荷/电压转换区1104(阱906及LDD 1102)内。
接着，掩蔽层1800被移除，如图19中所示。如图19中所示，图像传感器1602包含仅在传输栅极910中的植入区1806。电荷/电压转换区1104实质上无植入区。图像传感器1602现可经进一步处理以完成图像传感器1602的制造。此些制造工艺在所属领域中众所周知且因此在本文中未进行详细描述。
现参考图20，展示根据本发明的实施例中的图像传感器的一部分的截面图，所述图像传感器以用于在源极/漏极区的植入期间仅在所述传输栅极的一部分中形成植入区的第三方法制造。图20中的图像传感器2000与图15中的图像传感器900不同之处在于两层保形电介质层2002、2004在掩蔽保形电介质层2006沉积在图像传感器2000上方之前沉积在图像传感器2000上方。两层保形电介质层2002、2004及掩蔽保形电介质层2006展示在侧壁间隔件2008中并填充转换区间隙914。
在根据本发明的实施例中，保形电介质层2002作为氧化物层实施，保形电介质层2004作为氮化物层实施，而掩蔽保形电介质层2006作为氧化物层实施。在根据本发明的其它实施例中，电介质层2002、2004及2006可由绝缘体的任何组合(例如，氧化物/氮化物/氧化物或氧化物/氮化物/氮化物或氧化物/氧化物/氮化物或任何其它电介质材料)制成。
图像传感器2000是通过依循图12-15中描绘的工艺而形成，除了在图12中展示的步骤中，保形电介质层2002首先沉积在图像传感器2000上方，保形电介质层2004接着沉积在保形电介质层2002上方，且掩蔽保形电介质层2006沉积在保形电介质层2004上方。接着，图像传感器2000使用图13及14中展示的制造步骤加以处理以产生图20中说明的结构。
图21-23是根据本发明的实施例中的图像传感器的一部分的截面图，其用于说明用于在源极/漏极区的植入期间仅在传输栅极的一部分中形成植入区的第四方法。图21的处理步骤紧接在图11之后。掩蔽层2100(例如，光致抗蚀剂层)沉积在图像传感器2102上方且经图案化以形成开口2104。开口2104暴露传输栅极910的顶表面的一部分。掩蔽层2100使用可更精细图案化及达极小尺寸的技术来图案化。仅作为实例，在根据本发明的实施例中，掩蔽层2100使用深紫外线(DUV)光刻、超紫外线(EUV)光刻、浸没式光刻或x射线光刻来图案化。
接着，如图22中所示，一种或一种以上掺杂剂在源极/漏极植入工艺期间植入(由箭头2200表示)穿过开口2104且进入传输栅极910的一部分内以在图像传感器2102中形成源极/漏极植入区(图中未展示)并在传输栅极910中形成植入区2202。在根据本发明的实施例中，植入区2202具有与阱906相反的导电类型。安置在传输栅极910之间(在转换区间隙914中)的掩蔽层2100的所述部分防止植入2200植入电荷/电压转换区1104(阱906及LDD 1102)内。
接着，如图23中所示，掩蔽层2100被移除。如图23中所示，图像传感器2102包含仅在传输栅极910中的植入区2202。电荷/电压转换区1104实质上无植入区。图像传感器2102现可经进一步处理以完成图像传感器2102的制造。此些制造工艺在所属领域中众所周知且因此在本文中未进行详细描述。
本发明的优点包含当所述源极/漏极区形成在图像传感器中时在所述传输栅极中形成植入区而未在所述电荷/电压转换区内形成植入区。防止重掺杂源极/漏极植入植入所述电荷/电压转换区会增加电荷/电压转换增益或敏感度。本发明还消除由所述重源极/漏极植入导致的晶格缺陷的形成并减少此区中的暗电流。
部件列表
100 图像传感器
102 衬底
104 光检测器
106 阈值植入
108 阱
110 轻掺杂漏极
112 源极/漏极植入区
114 电荷/电压转换区
116 传输栅极
118 侧壁间隔件
120 接点
122 传输栅极中的经掺杂的区
200 图像捕捉装置
202 光
204 成像级
206 图像传感器
208 处理器
210 存储器
212 显示器
214 其它输入/输出(I/O)元件
300 图像传感器
302 像素
304 成像区
306 列解码器
308 行解码器
310 数字逻辑
312 多个模拟或数字输出电路
314 时序产生器
400 像素
402 光检测器
404 传输栅极
406 电荷/电压转换区
408 复位晶体管
410 电势
412 放大器晶体管
414 行选择晶体管
416 源极/漏极端子
418 源极/漏极端子
420 源极/漏极端子
422 输出
424 源极/漏极端子
426 源极/漏极端子
428 源极/漏极端子
430 栅极
500 源极/漏极植入区
502 源极/漏极植入区
504 衬底层
506 接点
508 接点
510 电极
512 接点
600 像素
602 光检测器
604 传输栅极
606 电荷/电压转换区
700 像素
702 光检测器
704 光检测器
706 传输栅极
708 传输栅极
710 电荷/电压转换区
712 接点
714 源极/漏极接点植入
800 像素
802 光检测器
804 光检测器
806 光检测器
808 光检测器
810 传输栅极
812 传输栅极
814 传输栅极
816 传输栅极
818 电荷/电压转换区
820 接点
900 图像传感器
902 光检测器
904 阈值植入
906 阱
908 垫氧化物
910 传输栅极
912 衬底层
914 转换区间隙
1000 抗蚀层
1002 衬底层的表面
1100 掺杂剂植入
1102 轻掺杂漏极
1104 电荷/电压转换区
1106 传输栅极中的经掺杂的区
1200 保形电介质层
1202 掩蔽保形电介质层
1300 侧壁间隔件
1400 抗蚀层
1402 开口
1404 掺杂剂植入
1406 源极/漏极植入区
1600 掩蔽保形电介质层
1602 图像传感器
1800 抗蚀层
1802 开口
1804 掺杂剂植入
1806 源极/漏极植入区
2000 图像传感器
2002 保形电介质层
2004 保形电介质层
2006 掩蔽保形电介质层
2008 侧壁间隔件
2100 抗蚀层
2102 图像传感器
2104 开口
2200 掺杂剂植入
2202 源极/漏极植入区
Claims (13)
1.一种图像传感器，其包括：
形成于衬底层中的至少一个光检测器；
包含形成于所述衬底层中的电荷/电压转换区的阱；
安置于各光检测器与电荷/电压转换区之间的传输栅极；及
包含第一掺杂剂的第一植入区，其安置于包含第二掺杂剂的第二植入区之上，其中所述第一植入区和所述第二植入区自覆盖所述电荷/电压转换区的所述传输栅极的边缘延伸，且仅安置在各传输栅极的一部分中的植入区，其中，所述电荷/电压转换区包含自所述传输栅极的所述边缘的下方远离所述传输栅极延伸的所述第一植入区的所述第一掺杂剂，其中所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂具有与所述阱的导电类型相反的导电类型。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述图像传感器包含共享所述电荷/电压转换区的两个光检测器。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，其进一步包括安置在与所述共享电荷/电压转换区相关联的所述传输栅极之间的所述衬底层的表面上方并填充所述两个传输栅极之间的空间的至少一底部的掩蔽保形电介质层。
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其进一步包括覆盖各传输栅极的内边缘并安置在所述掩蔽保形电介质层与所述衬底层的所述表面之间的保形电介质层。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一植入区和所述第二植入区在小于所述传输栅极的上表面的整个宽度的所述传输栅极内横向延伸。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述包含于所述电荷/电压转换区中的所述第一植入区的所述第一掺杂剂是形成于所述阱中的轻掺杂漏极。
7.一种图像传感器，其包括：
多个像素，各像素包含光检测器及邻近于所述光检测器的传输栅极，其中所述像素经布置以使得两个邻近像素共享共用电荷/电压转换区，其中所述共用电荷/电压转换区包含在具有导电类型的阱中；及
包含第一掺杂剂的第一植入区，其安置于包含第二掺杂剂的第二植入区之上，其中所述第一植入区和所述第二植入区自覆盖所述电荷/电压转换区的所述传输栅极的边缘延伸，且仅安置在各传输栅极的一部分中的植入区，其中，各共用电荷/电压转换区包含自所述传输栅极的所述边缘的下方远离所述传输栅极延伸的所述第一植入区的所述第一掺杂剂，其中所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂具有与所述阱的导电类型不同的导电类型。
8.根据权利要求7所述的图像传感器，其进一步包括安置在与所述共用电荷/电压转换区相关联的所述传输栅极之间的衬底层的表面上方的掩蔽保形电介质层，且其中所述掩蔽保形电介质层填充所述两个传输栅极之间的空间的至少一底部。
9.根据权利要求8所述的图像传感器，其进一步包括覆盖各传输栅极的内边缘且安置在所述掩蔽保形电介质层与所述衬底层的所述表面之间的保形电介质层。
10.根据权利要求7所述的图像传感器，其中所述第一植入区和所述第二植入区在小于所述传输栅极的上表面的整个宽度的所述传输栅极内横向延伸。
11.一种用于制造图像传感器的方法，其中所述图像传感器包括多个像素，各像素包含光检测器，其中所述像素经布置以使得两个邻近像素共享共用电荷/电压转换区，所述方法包括：
在衬底层的表面上方形成多个传输栅极，其中传输栅极安置在相应共享电荷/电压转换区和与所述共享电荷/电压转换区相关联的各光检测器之间且与各共享电荷/电压转换区相关联的所述传输栅极隔开预定距离以形成转换区间隙；
沉积掩蔽保形电介质层在所述图像传感器上方，其中所述掩蔽保形电介质层覆盖所述多个传输栅极且填充各转换区间隙；
蚀刻所述掩蔽保形电介质层以沿着各传输栅极的外边缘形成侧壁间隔件，其中所述掩蔽保形电介质层的一部分保持在各转换区间隙中且安置在各转换区间隙中的所述衬底层的所述表面上方；及
在所述衬底层中植入多个源极/漏极区，其中植入区形成于所述多个传输栅极中且各转换区间隙中的所述掩蔽保形电介质层掩蔽所述源极/漏极植入，使得各电荷/电压转换区实质上无所述植入区。
12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括在沉积所述掩蔽保形电介质层之前沉积保形电介质层在所述图像传感器上方。
13.根据权利要求12所述的方法，其中蚀刻所述掩蔽保形电介质层以沿着各传输栅极的外边缘形成侧壁间隔件包括蚀刻所述掩蔽保形电介质层及所述保形层以沿着各传输栅极的外边缘形成侧壁间隔件，其中所述掩蔽保形电介质层及所述保形层填充所述转换区间隙。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5707896A (en) * | 1996-09-16 | 1998-01-13 | Taiwan Semiconductor Manuacturing Company, Ltd. | Method for preventing delamination of interlevel dielectric layer over FET P+ doped polysilicon gate electrodes on semiconductor integrated circuits |
| US6960795B2 (en) * | 1999-06-15 | 2005-11-01 | Micron Technology, Inc. | Pixel sensor cell for use in an imaging device |
| CN1992298A (zh) * | 2005-12-28 | 2007-07-04 | 富士通株式会社 | 半导体成像器件 |
| US7338856B2 (en) * | 2002-08-29 | 2008-03-04 | Micron Technology, Inc. | Double-doped polysilicon floating gate |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6764911B2 (en) * | 2002-05-10 | 2004-07-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Multiple etch method for fabricating spacer layers |
| US6974715B2 (en) * | 2002-12-27 | 2005-12-13 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for manufacturing CMOS image sensor using spacer etching barrier film |
| JP3977285B2 (ja) | 2003-05-15 | 2007-09-19 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
| US7214575B2 (en) * | 2004-01-06 | 2007-05-08 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus providing CMOS imager device pixel with transistor having lower threshold voltage than other imager device transistors |
| KR100570819B1 (ko) * | 2004-07-07 | 2006-04-12 | 삼성전자주식회사 | 전송 게이트 전극들에 중첩하면서 자기정렬된 포토다이오드들을 갖는 이미지 센서의 화소들을 제조하는방법들 및 그에 의해 제조된 이미지 센서의 화소들 |
| US7338865B2 (en) | 2004-07-23 | 2008-03-04 | Texas Instruments Incorporated | Method for manufacturing dual work function gate electrodes through local thickness-limited silicidation |
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| KR100630704B1 (ko) * | 2004-10-20 | 2006-10-02 | 삼성전자주식회사 | 비평면 구조의 트랜지스터를 구비한 ｃｍｏｓ 이미지 센서및 그 제조 방법 |
| US7288788B2 (en) * | 2004-12-03 | 2007-10-30 | International Business Machines Corporation | Predoped transfer gate for an image sensor |
| US7217968B2 (en) * | 2004-12-15 | 2007-05-15 | International Business Machines Corporation | Recessed gate for an image sensor |
| US7675094B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-03-09 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor pixel having a transfer gate formed from P+ or N+ doped polysilicon |
| US7271079B2 (en) * | 2005-04-06 | 2007-09-18 | International Business Machines Corporation | Method of doping a gate electrode of a field effect transistor |
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| KR100725367B1 (ko) * | 2005-10-04 | 2007-06-07 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR100809322B1 (ko) * | 2006-01-12 | 2008-03-05 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 제조 방법 및 이에 따라 제조된 이미지 센서 |
| US20080057612A1 (en) | 2006-09-01 | 2008-03-06 | Doan Hung Q | Method for adding an implant at the shallow trench isolation corner in a semiconductor substrate |
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| US8159585B2 (en) * | 2007-05-01 | 2012-04-17 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor pixel with gain control |
| US8227844B2 (en) * | 2008-01-14 | 2012-07-24 | International Business Machines Corporation | Low lag transfer gate device |
| US20090261393A1 (en) * | 2008-04-18 | 2009-10-22 | United Microelectronics Corp. | Composite transfer gate and fabrication thereof |
| TWI433307B (zh) * | 2008-10-22 | 2014-04-01 | Sony Corp | 固態影像感測器、其驅動方法、成像裝置及電子器件 |
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| JP2010199450A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置および電子機器 |
| US20100314667A1 (en) * | 2009-06-11 | 2010-12-16 | Omnivision Technologies, Inc. | Cmos pixel with dual-element transfer gate |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5707896A (en) * | 1996-09-16 | 1998-01-13 | Taiwan Semiconductor Manuacturing Company, Ltd. | Method for preventing delamination of interlevel dielectric layer over FET P+ doped polysilicon gate electrodes on semiconductor integrated circuits |
| US6960795B2 (en) * | 1999-06-15 | 2005-11-01 | Micron Technology, Inc. | Pixel sensor cell for use in an imaging device |
| US7338856B2 (en) * | 2002-08-29 | 2008-03-04 | Micron Technology, Inc. | Double-doped polysilicon floating gate |
| CN1992298A (zh) * | 2005-12-28 | 2007-07-04 | 富士通株式会社 | 半导体成像器件 |
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| Publication number | Publication date |
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