CN102903652A

CN102903652A - 衬底处理装置和方法

Info

Publication number: CN102903652A
Application number: CN2012102626129A
Authority: CN
Inventors: 崔泰五
Original assignee: Semes Co Ltd
Current assignee: Semes Co Ltd
Priority date: 2011-07-29
Filing date: 2012-07-27
Publication date: 2013-01-30

Abstract

所提供的是用于处理衬底的装置。该衬底处理装置包括：支撑衬底的支撑板，该支撑板中具有多个孔；供给线路，其通过孔向衬底下表面供应气体；以及安装在供给线路中以电离通过供给线路供应的气体的离子发生器。

Description

衬底处理装置和方法

技术领域

本文中公开的本发明涉及衬底处理装置，更详细地说，涉及在平面显示面板上执行工艺的装置。

背景技术

在制造平板显示器的各种工艺中，一些工艺是在平面显示面板(此后被称为“衬底”)被放置在称作花岗岩平台的支撑板上的状态下执行的。通过使沿着支撑板中形成的上升/下降孔而上升或下降的针上升/下降，可将衬底装载在支撑板上或从支撑板卸下。

当执行涉及衬底的工艺时，在衬底和支撑板之间产生静电。这里，静电在衬底和支撑板之间起吸引力作用。如果在出现静电的状态下通过使针上升/下降而强行卸下衬底，会发生衬底在瞬间跳动的现象。这种现象可导致衬底的损坏。

发明内容

本发明提供能防止衬底损坏的用于处理衬底的装置。

本发明的实施例提供用于处理衬底的装置，该装置包括：用以支撑衬底的支撑板，支撑板中具有多个孔；供给线路，用以通过孔向衬底的下表面供气；以及离子产生器，其安装在供给线路中以电离通过供给线路供应的气体。

在一些实施例中，该装置还进一步包括：真空压力施加单元，其向孔施加真空压力；以及控制单元，其控制离子产生器和真空压力施加单元，以使得在向孔施加真空压力之后，被电离的气体被提供至孔。

在其他实施例中，气体包括氮气或空气。

在本发明的其他实施例中，用于处理衬底的方法包括：向支撑板中形成的孔施加真空压力，以将衬底吸在支撑板上；当衬底被吸在支撑板上时处理该衬底；并且当向孔施加真空压力结束后，通过孔向衬底下表面供应被电离的气体。

在一些实施例中，真空压力和被电离的气体通过相同供给线路被提供给孔。

在其他实施例中，气体包括氮气或空气。

附图说明

文中包括附图以提供对本发明的进一步理解，并且附图并入说明书中并构成说明书的一部分。附图说明了本发明的示例性实施例并且与说明书一起用于说明本发明的原理。在附图中：

图1为根据本发明实施例的衬板处理装置的透视图；

图2为沿图1中A-A’线的横截面视图；并且

图3至5为连续说明衬底处理工艺的视图。

具体实施方式

下文中，将结合附图对根据本发明示例性实施例的衬底处理装置和方法进行详细描述。此外，为了不引起对本发明主题不必要的模糊，将排除涉及公知功能或构造的详细描述。

图1为根据本发明实施例的衬底处理装置的透视图。图2为沿图1的A-A’线的横截面视图。

参照图1和图2，衬底处理装置10执行关于衬底P的工艺。衬底P包括平板显示器的面板。平板显示器的平面可以包括薄膜晶体管-液晶显示(TFT-LCD)面板和有机发光二级管(OLED)面板。

衬底处理装置10包括支撑板100，升举装置200，供气单元300，真空压力施加单元400，以及控制单元500。

支撑板100支撑衬底P。支撑板100可以作为具有方形形状的板来提供。支撑板100具有与衬底P的大小对应的尺寸或大于衬底P的尺寸。衬底P被放置在支撑板100的上表面上。

在支撑板100中形成孔110和120。孔110和120可以是从支撑板100的上表面至下表面形成的通孔。孔110和120包括上升/下降孔110和供气孔120。

在每个上升/下降孔110中布置升举针200，每个上升/下降孔110提供通路，通过该通路，升举针200垂直上升或下降。可以在支撑板100的整个区域内均匀地提供供气孔120。

升举单元将衬底P装载在支撑板100的上表面上或者从支撑板100的上表面卸下衬底P。升举单元包括升举针200，上升/下降板(未显示)，以及驱动器(未显示)。

升举针200具有针形形状。此外，升举针200被垂直布置。升举针200被插入每个上升/下降孔110中。上升/下降板被布置在升举针200的下部上。升举针200的下端部被固定在上升/下降板上。驱动器在垂直方向上移动上升/下降板。当上升/下降板垂直移动时，升举针200沿每个上升/下降孔110垂直移动。

供气单元300向每个供气孔120中提供气体。供气单元300包括储气部分310，供给线路320，第一阀330，以及离子发生器340。

储气部分储存气体。气体可包括空气或氮气N₂。供给线路320将储气部分310与供气孔120连接。供给线路320提供了用于将储存在储气部分310中的气体供给至供气孔120中的通路。供给线路320包括主线321和辅线322。主线321具有与储气部分310连接的一个端部和分叉为多个线路的另一端部。辅线322可以被设置为多个。多个辅线322被分别连接至主线321的分支线路。辅线322将主线321分别连接至供气孔120。

第一阀330被安装在供给线路320中。该第一阀330可以被安装在主线321中。该第一阀330调节主线320的打开程度以控制供应气体的流量。

离子发生器340被安装在供给线路320中。该离子发生器340可以被安装在储气部分310和第一阀330之间的主线321中。离子发生器340对通过主线321传输的气体施加电压以电离该气体。

真空压力施加单元400向供气孔120施加真空压力。真空压力施加单元400包括真空线路410，真空泵420，以及第二阀430。真空线路410连接至主线321。真空线路410可以被连接至第二阀430和辅线322之间的主线321。真空泵420被安装在真空线路410中以产生真空压力。第二阀430被安装在主线321和真空泵420之间的真空线路420中。第二阀430调节真空线路410的打开程度以控制所施加真空压力的强度。通过连续流入真空线路410、主线321和辅线322中，真空压力被施加至供气孔120。施加至供气孔120的真空压力吸引衬底P以将衬底P固定在支撑板100的上表面上。

控制单元500控制供气单元300和真空压力施加单元400。

真空压力被完全施加至供气孔120之后，控制单元500控制供气单元300和真空压力施加单元400以使得被电离的气体被提供至供气孔120中。控制单元500可以单独地并自动地控制供气单元300和真空压力施加单元400。控制单元500关闭第一阀330并打开第二阀430以将衬底P固定在支撑板100上。当衬底P被处理时，控制单元500保持对上述阀330和430的控制。当衬底P被处理完成时，控制单元500关闭第二阀430以防止真空压力被施加至供气孔120中。与此同时，第一阀330被打开，且离子发生器340运行以将被电离的气体供应至供气孔120中。

以下将对使用上述衬底处理装置处理衬底的方法进行说明。

参照图3，要处理的衬底P被放置在支撑板100的上表面上。控制单元500关闭第一阀330，运行真空泵420，并打开第二阀430以向供气孔120中施加真空压力。真空压力吸引衬底P以将该衬底P固定在支撑板100上。在衬底P被固定在支撑板100上的状态下处理该衬底P。

当衬底P被处理完成时，如图4所示，控制单元500关闭第二阀330并停止真空泵340的运行。与此同时，第一阀230被打开，并且离子产生器240运行。储存在储气部分220中的气体当流经主线321时在离子发生器240中通过施加的电压而被电离。被电离的气体通过连续流入主线321、辅线322和供气孔120被供应至衬底P的下表面。气体被提供至衬底P的下表面，持续预定时间。

当气体被持续提供预定时间时，控制单元500关闭第一阀330并停止离子产生器340的运行。参照图5，升举针200沿上升/下降孔110上升以从支撑板100上卸下衬底P。

当执行关于衬底P的工艺时，在衬底P和支撑板100之间产生静电。该静电在衬底P和支撑板100之间产生吸力。当衬底P在留有静电的状态下通过升举针200被卸下时，可能产生衬底P从支撑板100弹起的爆开现象。此外，如果衬底P通过升举针200被强行卸下，衬底P可能会损坏。

被电离的气体被提供用于去除在衬底P和支撑板100之间产生的静电。气体中包含的离子和停留在衬底P和支撑板100之间的电荷和电子相互耦合并被中和以去除静电。由于衬底P在去除了静电的状态下通过升举针200被卸下，并且衬底P通过所供应的气体而与支撑板100上表面分开，因此可事先预防爆开现象的发生和衬底P的损坏。

虽然在上述实施例中衬底P通过真空压力被吸在支撑板100上，但本发明不限制于此。例如，衬板P可以通过静电被固定在支撑板100上。

此外，虽然在上述实施例中平面显示面板被作为衬底P的示例，但本发明不限制于此。例如，衬底P可以包括在半导体制造工艺中提供的晶片。

根据实施例，由于衬底是在去除了衬底和支撑板之间的静电的状态下被卸下的，因此可以稳定地卸下衬底。

上述主题被视为说明性的，并非限制性的，并且所附权利要求意在覆盖落入本发明构思的真实精神和范围内的所有修改、增强和其它实施例。因此，在法律所允许的最大化程度上，本发明的范围由以下权利要求和它们的等同内容的最宽泛的可允许的解释来确定，并且不应限制或受限于前面的详细说明。

Claims

1.一种衬底处理装置，该装置包括：

支撑衬底的支撑板，所述支撑板中具有多个孔；

供给线路，用以通过所述孔向所述衬底的下表面供气；以及

离子产生器，其被安装在所述供给线路中以电离通过所述供给线路提供的气体。

2.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：

真空压力施加单元，其向所述孔施加真空压力；以及

控制单元，其控制所述离子产生器和所述真空压力施加单元，以使得在向所述孔施加所述真空压力之后，被电离的气体被提供至所述孔。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其中气体包括氮气或空气。

4.一种处理衬底的方法，该方法包括：

向支撑板中形成的孔施加真空压力，以将衬底吸在所述支撑板上；

当所述衬底被吸在所述支撑板上时处理所述衬底；并且

当向所述孔施加所述真空压力结束后，通过所述孔向所述衬底的下表面供应被电离的气体。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述真空压力和所述被电离的气体通过相同供给线路提供给所述孔。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其中所述气体包括氮气或空气。