CN102903456B - 三掺杂新型透明导电薄膜的制备方法 - Google Patents
三掺杂新型透明导电薄膜的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102903456B CN102903456B CN201210393514.9A CN201210393514A CN102903456B CN 102903456 B CN102903456 B CN 102903456B CN 201210393514 A CN201210393514 A CN 201210393514A CN 102903456 B CN102903456 B CN 102903456B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- transparent conductive
- preparation
- thin film
- conductive thin
- colloidal sol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Abstract
本发明涉及一种透明导电薄膜的制备方法,特别涉及一种三掺杂新型透明导电薄膜的制备方法。其目的在于提供一种通过Al、N、F三元素共掺,以减少ZnO基透明导电薄膜中的缺陷,增加载流子浓度,从而获得一种具有优良光电性能的新型透明导电薄膜,使其得到更好利用。本发明的目的是采用下述技术方案实现的:它包括以下步骤:前处理;溶胶配制:其中Al3+和NH4 +的掺杂比为2:1,NH4 +和F-的浓度相等;旋涂镀膜;热处理。本发明的有益效果是:利用Al3+、NH4 +和F-的共掺杂,减少ZnO基透明导电薄膜中的缺陷,增加载流子浓度,从而获得一种具有优良光电性能的新型透明导电薄膜。
Description
技术领域
本发明涉及一种透明导电薄膜的制备方法,特别涉及一种三掺杂新型透明导电薄膜的制备方法。
背景技术
ZnO基透明导电薄膜作为ITO(Indium Tin Oxides,铟锡金属氧化物)薄膜最合适的替代者之一,它可以应用在太阳能电极、液晶显示屏、光电器件、特殊功能窗口涂层等方面。不同于ITO薄膜的是:1. Zn比In/Sn的存储量丰富且廉价无毒;2. ZnO薄膜在氢气环境下不易生还原反应,也不会变黑导致透光率降低;3. ZnO基薄膜的生产工艺相对简单,成本低。ZnO晶体结构中存在天然的锌间隙与氧空位,这样相对开放式的晶体结构,使得外来原子容易进入ZnO,且不影响其晶体结构。经过掺杂后,ZnO薄膜因其组分、微结构和缺陷发生变化,使得该类薄膜具有较低的电阻率和较高的透光率,并且在等离子体环境中有较高的稳定性。目前研究较多的为单金属掺杂。Al是掺杂效果较好的,且当Al3+掺杂浓度过高时,晶粒里的Al3+会在内部团簇,反而会使部分产生施主载流子的Al3+钝化,降低载流子浓度。而F元素的掺入可在ZnO点阵中形成置换晶界, 使载流子浓度增加从而提高导电性。N元素作为最好的p型掺杂元素,在ZnO中能够产生浅受主能级,且与施主元素共掺后可以提高N的溶解度,产生更浅的N受主能级。因此有必要通过Al、N、F三元素共掺,减少ZnO基透明导电薄膜中的缺陷,增加载流子浓度,从而获得一种具有优良光电性能的新型透明导电薄膜,使其得到更好利用。
发明内容
本发明通过Al、N、F三元素共掺,以减少ZnO基透明导电薄膜中的缺陷,增加载流子浓度,从而获得一种具有优良光电性能的新型透明导电薄膜,使其得到更好利用。
本发明的目的是采用下述技术方案实现的:
一种三掺杂新型透明导电薄膜的制备方法,它包括以下步骤:
A)前处理:将普通载玻片先后放入丙酮(C3H6O)、无水乙醇及去离子水中进行超声清洗,然后吹干备用;
B)溶胶配制:将二水合乙酸锌(CH3COO)2Zn·2H2O溶于乙二醇甲醚(C3H6O2)后,加入Al3+,然后加入NH4 +和F-;其中Al3+和NH4 +的掺杂比为2:1,NH4 +和F-的浓度相等;最后加入与乙酸锌等摩尔的单乙醇胺(MEA);将上述混合液放入40-80°C水浴锅中搅拌2h,然后陈化48h得到溶胶;
C)旋涂镀膜:将通过A)步骤前处理后的载玻片放置于匀胶机的载物台上,把通过B)步骤陈化好的溶胶滴加在玻璃衬底上,旋转,烘干;
D)热处理:将通过C)步骤处理后的镀膜载玻片于150-400°C下预烧后,继续C)步骤,如此重复涂镀4-14层后,在450-700°C条件下退火1h。
作为优选,三掺杂新型透明导电薄膜的制备方法,它包括以下步骤:
A)前处理:将2×2cm的普通载玻片先后放入丙酮(C3H6O)、无水乙醇及去离子水中超声清洗,分别进行5-20min,然后吹干备用;
B)溶胶配制:配制浓度为0.25-1.55mol/L的溶胶:将二水合乙酸锌(CH3COO)2Zn·2H2O溶于乙二醇甲醚(C3H6O2)后,加入浓度为0.3-1.8at%的Al3+,然后加入NH4 +和F-;其中Al3+和NH4 +的掺杂比为2:1,NH4 +和F-的浓度相等;Al3+、NH4 +和F-分别由九水合硝酸铝(Al(NO3)3·9H2O)、乙酸铵 (CH3COONH4)和氟化铵 (NH4F)提供;最后加入与乙酸锌等摩尔的单乙醇胺(MEA);将上述混合液放入40-80°C水浴锅中搅拌2h,然后陈化48h得到溶胶;
C)旋涂镀膜:将通过A)步骤前处理后的载玻片放置于匀胶机的载物台上,把通过B)步骤陈化好的溶胶滴加在玻璃衬底上,先在1000r/min低速下旋转10s,然后在3000r/min下旋转20s,随后于100°C烘干10min;
D)热处理:将通过C)步骤处理后的镀膜载玻片于150-400°C下预烧后,继续C)步骤,如此重复涂镀4-14层后,在450-700°C条件下退火1h。
作为进一步优选,所述的前处理中各步骤的超声时间为10min。
作为进一步优选,所述的溶胶配制工序中,溶胶浓度为0.85mol/L,溶液中金属离子浓度满足C(Zn2+)+C(Al3+)=100%,按99.25at%Zn2++0.75at%Al3+配制,Al3+和NH4 +比例为2:1,NH4 +和F-的浓度相等即C(NH4 +)=C(F-)=0.375at%;混合液在水浴锅中的搅拌温度为60°C。
作为进一步优选,所述热处理中的预烧温度为350°C,涂镀膜厚10层,最后的退火温度为550°C。
本发明中所述溶胶浓度指溶液中总金属离子的摩尔浓度。
本发明的有益效果是:采用溶胶-凝胶法制备三掺杂ZnO透明导电薄膜,利用Al3+、NH4 +和F-的共掺杂,减少ZnO基透明导电薄膜中的缺陷,增加载流子浓度,从而获得一种具有优良光电性能的新型透明导电薄膜。所使用掺杂元素储量丰富、廉价;实验操作简便,无污染。
附图说明
图1为实施例1 Al/N/F三掺杂ZnO薄膜的表面形貌图;
图2为实施例1 Al/N/F三掺杂ZnO薄膜在325-1000nm的透过率图;
图3为实施例1 Al/N/F三掺杂ZnO薄膜的XRD图。
具体实施方式
实施例1:
前处理:将2×2cm的普通载玻片先后放入丙酮溶液中超声清洗10min—无水乙醇溶液中超声清洗10min—去离子水中超声清洗10min—吹干,备用;
溶胶配制:溶胶浓度为0.85mol/L,按99.25at%Zn2++0.75at%Al3+配制,Al3+和NH4 +比例为2:1,C(NH4 +)=C(F-)=0.375at%;配制过程为:将二水合乙酸锌(CH3COO)2Zn·2H2O溶于乙二醇甲醚(C3H6O2)后,加入Al3+,然后加入NH4 +和F-; Al3+、NH4 +和F-分别由九水合硝酸铝(Al(NO3)3·9H2O)、乙酸铵 (CH3COONH4)和氟化铵 (NH4F)提供;最后加入与乙酸锌等摩尔的单乙醇胺(MEA);将上述混合液放入60°C水浴锅中搅拌2h,然后陈化48h得到溶胶;
涂膜:将前处理好的载玻片放置于匀胶机的载物台上,把陈化好的溶胶滴加在玻璃衬底上,先在1000r/min低速下旋转10s,然后在3000r/min下旋转20s;随后于100°C烘干10min;
热处理:将烘干的薄膜于350°C下预烧后,继续涂膜,如此重复涂镀10层,最后在550°C条件下退火1h即得所需薄膜。
图1为实施例1 Al/N/F三掺杂ZnO薄膜的表面形貌图。由图可知,看出薄膜表面平整光滑,颗粒大小均匀,平均粒径在70nm左右。
图2为实施例1 Al/N/F三掺杂ZnO薄膜在325-1000nm的透过率图。由图可知,在可见光390-780nm范围内的平均透过率为87.9%。
图3为实施例1 Al/N/F三掺杂ZnO薄膜的XRD图。由图可知,薄膜显示为C轴择优取向,在2θ角为34.40°附近均出现了较强的衍射峰,是ZnO晶体的(002)峰。另外,在72.47°附近还可看到一个很弱的ZnO晶体衍射峰。在图中并没有观察到与Al、N、F相关化合物的衍射峰,说明Al、N和F的掺杂并没有形成新的化合物,没也有改变ZnO的晶体结构。
实施例2:
前处理:将2×2cm的普通载玻片先后放入丙酮溶液中超声清洗15min—无水乙醇溶液中超声清洗15min—去离子水中超声清洗15min—吹干,备用;
溶胶配制:溶胶浓度为0.25mol/L,按98.35at%Zn2++1.65at%Al3+配制,Al3+和NH4 +比例为2:1,C(NH4 +)=C(F-)=0.825at%;配制过程为:将二水合乙酸锌(CH3COO)2Zn·2H2O溶于乙二醇甲醚(C3H6O2)后,加入Al3+,然后加入NH4 +和F-;Al3+、NH4 +和F-分别由九水合硝酸铝(Al(NO3)3·9H2O)、乙酸铵 (CH3COONH4)和氟化铵 (NH4F)提供;最后加入与乙酸锌等摩尔的单乙醇胺(MEA);将上述混合液放入70°C水浴锅中搅拌2h,然后陈化48h得到溶胶;
涂膜:将前处理好的载玻片放置于匀胶机的载物台上,把陈化好的溶胶滴加在玻璃衬底上,先在1000r/min低速下旋转10s,然后在3000r/min下旋转20s;随后于100°C烘干10min;
热处理:将烘干的薄膜于400°C下预烧后,继续涂膜,如此重复涂镀14层,最后在500°C条件下退火1h即得所需薄膜。
实施例3:
前处理:将2×2cm的普通载玻片先后放入丙酮溶液中超声清洗5min—无水乙醇溶液中超声清洗5min—去离子水中超声清洗5min—吹干,备用;
溶胶配制:溶胶浓度为1.55mol/L,按98.2at%Zn2++1.8at%Al3+配制,Al3+和NH4 +比例为2:1,C(NH4 +)=C(F-)=0.9at%;配制过程为:将二水合乙酸锌(CH3COO)2Zn·2H2O溶于乙二醇甲醚(C3H6O2)后,加入Al3+,然后加入NH4 +和F-; Al3+、NH4 +和F-分别由九水合硝酸铝(Al(NO3)3·9H2O)、乙酸铵 (CH3COONH4)和氟化铵 (NH4F)提供;最后加入与乙酸锌等摩尔的单乙醇胺(MEA);将上述混合液放入40°C水浴锅中搅拌2h,然后陈化48h得到溶胶;
涂膜:将前处理好的载玻片放置于匀胶机的载物台上,把陈化好的溶胶滴加在玻璃衬底上,先在1000r/min低速下旋转10s,然后在3000r/min下旋转20s;随后于100°C烘干10min;
热处理:将烘干的薄膜于150°C下预烧后,继续涂膜,如此重复涂镀4层,最后在700°C条件下退火1h即得所需薄膜。
实施例4:
前处理:将2×2cm的普通载玻片先后放入丙酮溶液中超声清洗20min—无水乙醇溶液中超声清洗20min—去离子水中超声清洗20min—吹干,备用;
溶胶配制:溶胶浓度为0. 5mol/L,按99.7at%Zn2++0.3at%Al3+配制,Al3+和NH4 +比例为2:1,C(NH4 +)=C(F-)=0.15at%;配制过程为:将二水合乙酸锌(CH3COO)2Zn·2H2O溶于乙二醇甲醚(C3H6O2)后,加入Al3+,然后加入NH4 +和F-; Al3+、NH4 +和F-分别由九水合硝酸铝(Al(NO3)3·9H2O)、乙酸铵 (CH3COONH4)和氟化铵 (NH4F)提供;最后加入与乙酸锌等摩尔的单乙醇胺(MEA);将上述混合液放入80°C水浴锅中搅拌2h,然后陈化48h得到溶胶;
涂膜:将前处理好的载玻片放置于匀胶机的载物台上,把陈化好的溶胶滴加在玻璃衬底上,先在1000r/min低速下旋转10s,然后在3000r/min下旋转20s;随后于100°C烘干10min;
热处理:将烘干的薄膜于300°C下预烧后,继续涂膜,如此重复涂镀8层,最后在450°C条件下退火1h即得所需薄膜。
Claims (3)
1.一种三掺杂新型透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,它包括以下步骤:
A)前处理:将2×2cm的普通载玻片先后放入丙酮(C3H6O)、无水乙醇及去离子水中超声清洗,分别进行5-20min,然后吹干备用;
B)溶胶配制:配制浓度为0.85mol/L的溶胶:溶液中金属离子浓度满足C(Zn2+)+C(Al3+)=100%,按99.25at%Zn2++0.75at%Al3+配制,Al3+和NH4 +比例为2:1,NH4 +和F-的浓度相等;混合液在水浴锅中的搅拌温度为60°C;配制步骤为:将二水合乙酸锌(CH3COO)2Zn·2H2O溶于乙二醇甲醚(C3H6O2)后,加入Al3+,然后加入NH4 +和F-;Al3+、NH4 +和F-分别由九水合硝酸铝(Al(NO3)3·9H2O)、乙酸铵 (CH3COONH4)和氟化铵 (NH4F)提供;最后加入与乙酸锌等摩尔的单乙醇胺(MEA);将上述混合液放入60°C水浴锅中搅拌2h,然后陈化48h得到溶胶;
C)旋涂镀膜:将通过A)步骤前处理后的载玻片放置于匀胶机的载物台上,把通过B)步骤陈化好的溶胶滴加在玻璃衬底上,先在1000r/min低速下旋转10s,然后在3000r/min下旋转20s,随后于100°C烘干10min;
D)热处理:将通过C)步骤处理后的镀膜载玻片于150-400°C下预烧后,继续C)步骤,如此重复涂镀4-14层后,在450-700°C条件下退火1h。
2.根据权利要求1所述的三掺杂新型透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,所述的前处理中各步骤的超声时间为10min。
3.根据权利要求1或2所述的三掺杂新型透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,所述热处理中的预烧温度为350°C,涂镀膜厚10层,最后的退火温度为550°C。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210393514.9A CN102903456B (zh) | 2012-10-17 | 2012-10-17 | 三掺杂新型透明导电薄膜的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210393514.9A CN102903456B (zh) | 2012-10-17 | 2012-10-17 | 三掺杂新型透明导电薄膜的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102903456A CN102903456A (zh) | 2013-01-30 |
CN102903456B true CN102903456B (zh) | 2014-11-26 |
Family
ID=47575654
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210393514.9A Active CN102903456B (zh) | 2012-10-17 | 2012-10-17 | 三掺杂新型透明导电薄膜的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102903456B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104376895B (zh) * | 2014-11-13 | 2016-12-07 | 南通华盛高聚物科技股份有限公司 | 透明导电薄膜及其制备方法和应用 |
CN106086823A (zh) * | 2016-07-15 | 2016-11-09 | 新疆大学 | 一种丝网印刷辅助溶胶‑凝胶法制备掺杂ZnO薄膜的方法 |
CN107287615B (zh) * | 2017-06-01 | 2019-10-11 | 北京科技大学 | 一种钒掺杂ZnO纳米棒阵列光阳极及其制备方法和应用 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110081744A1 (en) * | 2009-10-06 | 2011-04-07 | Fujifilm Corporation | Buffer layer and manufacturing method thereof, reaction solution, photoelectric conversion device, and solar cell |
-
2012
- 2012-10-17 CN CN201210393514.9A patent/CN102903456B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110081744A1 (en) * | 2009-10-06 | 2011-04-07 | Fujifilm Corporation | Buffer layer and manufacturing method thereof, reaction solution, photoelectric conversion device, and solar cell |
Non-Patent Citations (5)
Title |
---|
Al透明导电薄膜的制备及性能研究;于平坤;《中国优秀硕士学位论文全文数据库》;20110815;全文 * |
于平坤.Al透明导电薄膜的制备及性能研究.《中国优秀硕士学位论文全文数据库》.2011, * |
刘波.掺杂氧化锌薄膜的最新进展.《液晶与显示》.2009, * |
周丽萍.溶胶_凝胶法制备Al_F共掺杂的ZnO薄膜及其性能研究.《中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技Ⅰ辑,2008年第11期》.2008,(第11期), * |
掺杂氧化锌薄膜的最新进展;刘波;《液晶与显示》;20090831;全文 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102903456A (zh) | 2013-01-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107482122B (zh) | 一种钙钛矿太阳能电池及制备方法 | |
CN103451637A (zh) | 掺铝氧化锌薄膜及其制备方法 | |
CN105895807B (zh) | 一种掺杂TiO2薄膜的制备方法 | |
CN102930993B (zh) | 染料太阳能电池用双染料敏化纳米金掺杂电极及制备方法 | |
CN102903456B (zh) | 三掺杂新型透明导电薄膜的制备方法 | |
CN104944794A (zh) | 一种制备石墨烯-SiO2增透薄膜的方法 | |
CN109065724B (zh) | 一种Mo-二氧化钛-AgNWs柔性钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
CN102503162A (zh) | 一种Ag-Al共掺杂p型ZnO薄膜的制备方法 | |
CN106435533A (zh) | 一种制备高性能azo透明导电薄膜的方法 | |
CN102311671B (zh) | 一种azo透明导电薄膜涂料、镀有该涂料的玻璃及其制备方法 | |
CN102400123B (zh) | 一种Na-Mg弱掺杂p型ZnO薄膜的制备方法 | |
CN107742673B (zh) | 电子传输层及其制备方法、钙钛矿电池及其制备方法 | |
CN102877049B (zh) | 共掺杂透明导电薄膜的制备方法 | |
CN103400893B (zh) | 一种制备铜锌锡硫光电薄膜的方法 | |
CN102923758A (zh) | 一种铝重掺杂氧化锌纳米粉体的制备方法 | |
CN103236352A (zh) | ZnO溶胶复合Sn掺杂ZnO厚膜的制备方法 | |
CN102251236A (zh) | 一种钇-铝共掺杂氧化锌薄膜及其制备方法 | |
CN103839689A (zh) | 染料敏化太阳能电池用掺杂纳米金的电极及其制备方法 | |
CN105957920B (zh) | 一种Cu3BiS3薄膜的制备方法 | |
CN108198940B (zh) | 一种ZnMgO纳米柱氧化铝纳米颗粒复合薄膜作为电子传输层的倒结构有机太阳电池 | |
CN104386734A (zh) | 一种掺铝氧化锌薄膜的制备方法 | |
CN101704635B (zh) | 一种在光学太阳反射镜上制备掺铝氧化锌薄膜的方法 | |
CN109904259B (zh) | 一种双掺杂铜锌锡硫薄膜及其制备方法 | |
CN104576064B (zh) | 用于染料敏化太阳能电池的ZnO/SnO2复合光阳极的制备方法 | |
CN103508482A (zh) | 一种硫化镉纳米花阵列的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |