CN102890360A - 电光装置及投影型显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种电光装置及投影型显示装置，改良了构成反射部的沟槽的结构，能效率更好地使入射的光朝向像素电极。在电光装置100中，在第2基板20的基板主体20w(透光性基板)，形成朝向相邻的像素电极9a之间(像素间区域10f)开口的第1沟槽260。另外，在基板主体20w的一方的面20s和第1沟槽260的侧面261、262形成透光膜25，通过这样的透光膜25，在与第1沟槽260俯视重叠的区域，形成比第1沟槽260深且比第1沟槽260宽度窄的第2沟槽265。因此，利用第2沟槽265侧面266、267作为反射面，使本应朝向像素间区域10f的光朝向像素电极9a。

Description

电光装置及投影型显示装置
技术领域
本发明涉及液晶装置等的电光装置、和具备该电光装置的投影型显示装置。
背景技术
各种的电光装置中，液晶装置，如图9所示，具有设置多个像素电极1009a及开关元件(未图示)的第1基板1010、和与第1基板1010相对配置的第2基板1020，在第1基板1010和第2基板1020之间设置作为电光物质层的液晶层1050。另外，液晶装置中，TN(Twisted Nematic：扭曲向列)模式和VA(Vertical Alignment：垂直取向)模式的液晶装置中，在第2基板1020形成共用电极1021。在这样的液晶装置中，通过在共用电极1021和像素电极1009a之间控制液晶层1050的取向，调制从第2基板1020侧入射的光，从第1基板1010作为显示光出射。
提出以下技术：关于这样的液晶装置，在构成第2基板1020的一部分的防尘玻璃的一方的面上进行蚀刻而形成朝向像素电极1009a之间(像素间区域1010f)开口的断面V字状的沟槽1260之后，通过粘合剂1023粘贴透光性的盖玻片1024，利用填充空气的中空的沟槽1260的侧面1261、1262作为反射面。根据这样的技术，从第2基板1020侧入射的光中，朝向像素电极1009a的光，如箭形符号L11所示，原样行进。另外，关于如箭形符号L12所示，关于朝向从像素电极1009a脱离的方向(朝向像素间区域1010f的方向)的光，如箭形符号L13所示，在沟槽1260的侧面1261、1262反射，朝向像素电极1009a。因此，能向像素电极1009a效率很好地引导从第2基板1020侧入射的光。
【现有技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】特开2006-215427号公报
通过专利文献1中记载的技术为了提高光的利用效率，需要非常深地形成宽度尺寸狭窄的沟槽1260，但是在通过蚀刻形成沟槽1260的场合，25μm左右是界限。另外，如果通过蚀刻形成沟槽1260，则在沟槽1260的里面形成面状的底部1264，向这样的底部1264入射的光，由于不朝向像素电极1009a，所以无助于显示。
发明内容
鉴于以上的问题，本发明的课题，提供一种电光装置和具备该电光装置的投影型显示装置，其改良了构成反射部的沟槽的结构，能效率更好地使入射的光朝向像素电极。
为了解决上述课题，本发明涉及的电光装置，其特征在于，包括：第1基板，设置有多个像素电极及与上述多个像素电极的各个相对应的开关元件；第2基板，与该第1基板相对配置；电光物质层，设置于上述第1基板和上述第2基板之间；上述第1基板及上述第2基板中的一方的基板是透光性基板，其设置有：第1沟槽，朝向上述多个像素电极中相邻的像素电极之间开口；透光膜，在上述透光性基板的上述第1沟槽开口的基板面及上述第1沟槽侧面，以与上述基板面重叠的部分的膜厚成为相比于与上述第1沟槽的侧面重叠的部分的膜厚更厚的方式层叠，并且在与上述第1沟槽俯视重叠的区域形成比上述第1沟槽深且比该第1沟槽宽度窄的第2沟槽；密封层，以上述第2沟槽的内部的折射率成为比上述透光膜的折射率小的方式堵塞上述第2沟槽。
本发明中，第1基板及第2基板中的一方的基板是透光性基板，在这样的透光性基板，形成朝向相邻的像素电极之间开口的第1沟槽。另外，在透光性基板的第1沟槽开口的基板面及第1沟槽的侧面形成透光膜，通过这样的透光膜，在与第1沟槽俯视重叠的区域，形成比第1沟槽深且比第1沟槽宽度窄的第2沟槽。另外，第2沟槽内的折射率比透光膜的折射率小。因此，能利用第2沟槽侧面作为反射面，所以能使本应朝向像素电极之间的光朝向像素电极。在这里，第2沟槽比通过蚀刻等形成的第1沟槽还深，反射面(侧面)大。另外，第2沟槽的底部，比第1沟槽的底部窄，所以由于光入射在沟槽的底部引起的光的损失少。因此，能效率很好地使本应朝向像素电极之间的光朝向像素电极，所以能提高有助于显示的光量，能显示明亮的图像。
本发明中，优选地，上述第1沟槽的侧面及上述第2沟槽的侧面成为向上述相邻的像素电极之间倾斜的斜面。根据这样的构成，在沟槽的侧面反射本应朝向像素电极之间的光，能效率很好地使之朝向像素电极。
本发明中，优选地，上述透光膜的与上述第1沟槽的侧面重叠的部分的膜厚，从上述第1沟槽的开口部侧向该第1沟槽的底部变薄。根据这样的构成，能使第2沟槽的侧面与相对于基板面的法线方向所成的角度，比第1沟槽的侧面与相对于基板面的法线方向所成的角度还小。
本发明中，优选地，上述第2沟槽的侧面具有在底部侧面之间连接的断面V字形状。根据这样的构成，比形成的第1沟槽深，反射面(侧面)大。另外，第2沟槽的底部能将光向第2沟槽的底部入射的量抑制到最小限度。
本发明中，优选地，上述透光膜是硅酸盐玻璃。即，上述透光膜，优选地，是使用四乙氧基硅烷(Si(OC2H5)4)作为原料气体的玻璃(硅氧化膜)。根据这样的构成，因为成膜时的覆盖性高，所以在透光性基板的基板面及第1沟槽侧面成膜时，适合形成比第1沟槽深且比第1沟槽宽度窄的第2沟槽。
本发明中，优选地，上述第2沟槽的内部是中空。根据这样的构成，能将中空的第2沟槽的侧面作为反射率高的反射面。
本发明中，优选地，上述第2沟槽的内部是真空状态。根据这样的构成，能容易地实现在真空气氛中成膜而仅形成密封层。
本发明中，上述第1沟槽及上述第2沟槽能采用设置于上述第2基板的构成。根据这样的构成，能采用光从第2基板侧入射的构成，存在光难向开关元件入射这样的优点。
这个场合，上述像素电极及上述第1基板能采用有透光性的构成。根据这样的构成，能构成透射型的电光装置。
优选地，在投影型显示装置中使用本发明涉及的电光装置，这个场合，投影型显示装置，包括：光源部，出射从上述一方的基板向上述电光装置入射的光；和投影光学系统，对通过上述电光装置调制的光进行投影。在投影型显示装置的场合，特别地，要求入射光的利用效率高，所以在电光装置中适用本发明的场合的效果显著。
附图说明
图1是适用本发明的投影型显示装置的概略构成图。
图2是表示如图1表示的投影型显示装置中液晶光阀(电光装置/液晶装置)中适用的液晶面板的基本构成的说明图。
图3是表示本发明的实施方式1涉及的电光装置中使用的液晶面板的具体的构成例的说明图。
图4是本发明的实施方式1涉及的电光装置的像素的说明图。
图5是本发明的实施方式1涉及的电光装置的第2基板中形成的反射部的说明图。
图6是表示本发明的实施方式1涉及的电光装置的制造方法的说明图。
图7是表示本发明的实施方式2涉及的电光装置的第2基板中形成的反射部的说明图。
图8是表示本发明的实施方式3涉及的电光装置的第2基板中形成的反射部的说明图。
图9是现有的电光装置的第2基板中形成的反射部的说明图。
【符号的说明】
9a··像素电极，10··第1基板，10f··像素间区域(像素电极之间)，20··第2基板，20w··基板主体(透光性基板)，23··粘合剂，24··透光性的基板(密封层)，25··透光膜，26··反射部，27··密封膜(密封层)，100··电光装置，260··第1沟槽，261、262··第1沟槽的侧面，263··第1沟槽的开口部，264··第1沟槽的底部，265··第2沟槽，266、267··第2沟槽的侧面，268··第2沟槽的开口部
具体实施方式
参照附图，说明使用了适用本发明的电光装置(液晶装置)的投影型显示装置、电光装置、和电光装置的制造方法。再者，在以以下的说明进行参照的附图中，为了使各层、各构件成为在图面上可以识别的程度的大小，每各层、各构件地使比例尺不同。
实施方式1
(投影型显示装置的构成)
参照图1，说明将本发明的实施方式1涉及的电光装置用作光阀的投影型显示装置。图1是适用本发明的投影型显示装置的概略构成图。
在图1，投影型显示装置110是向设置于观察者侧的屏幕111照射光，观察用这个屏幕111反射的光的所谓投影型的投影型显示装置。投影型显示装置110具备：包含光源112的光源部130，分色镜113、114，液晶光阀115～117(电光装置100/液晶装置)，投影光学系统118，交叉分色棱镜119和中继系统120。
光源112通过供给含有红色光、绿色光及蓝色光的光的超高压水银灯构成。分色镜113构成为，使来自光源112的红色光透过并且反射绿色光及蓝色光。另外，分色镜114构成为，使用分色镜113反射的绿色光及蓝色光中的蓝色光透过并且反射绿色光。这样，分色镜113、114构成将从光源112出射的光分离成红色光和绿色光和蓝色光的色分离光学系统。
在这里，在分色镜113与光源112之间，从光源112按顺序配置积分器121及偏振变换元件122。积分器121构成为，均匀化从光源112照射的光的发光强度分布。另外，偏振变换元件122构成为，将来自光源112的光变为例如s偏振光那样具有特定的振动方向的偏振光。
液晶光阀115是按照图像信号调制透过分色镜113并在反射镜123反射的红色光的透射型的电光装置100。液晶光阀115具备λ/2相位差板115a、第1偏振板115b、液晶面板115c和第2偏振板115d。在这里，向液晶光阀115入射的红色光，尽管透过分色镜113但光的偏振不变，所以为s偏振光不变。
λ/2相位差板115a是将向液晶光阀115入射的s偏振光变换成p偏振光的光学元件。另外，第1偏振板115b是遮断s偏振光使p偏振光透过的偏振板。并且，液晶面板115c构成为，通过按照图像信号的调制将p偏振光变换为s偏振光(如果为中间调，则圆偏振光或椭圆偏振光)。并且，第2偏振板115d是遮断p偏振光使s偏振光透过的偏振板。因此，液晶光阀115构成为，按照图像信号调制红色光，向交叉分色棱镜119出射调制的红色光。
λ/2相位差板115a和第1偏振板115b，以与不变换偏振光的透光性的玻璃板115e相接的状态来配置，能够避免λ/2相位差板115a和第1偏振板115b因发热而变形。
液晶光阀116，是按照图像信号调制以分色镜113反射之后以分色镜114反射的绿色光的透射型的电光装置100。并且，液晶光阀116，与液晶光阀115同样，具有第1偏振板116b、液晶面板116c、和第2偏振板116d。向液晶光阀116入射的绿色光，是以分色镜113、114反射并入射的s偏振光。第1偏振板116b，是遮断p偏振光使s偏振光透过的偏振板。此外，液晶面板116c构成为，通过按照图像信号的调制将s偏振光变换为p偏振光(如果为中间调，则圆偏振光或椭圆偏振光)。并且，第2偏振板116d，是遮断s偏振光使p偏振光透过的偏振板。因此，液晶光阀116构成为，按照图像信号调制绿色光，向交叉分色棱镜119出射调制的绿色光。
液晶光阀117，是按照图像信号调制以分色镜113反射，透过分色镜114之后经过中继系统120的蓝色光的透射型的电光装置100。并且，液晶光阀117，与液晶光阀115、116同样，具有λ/2相位差板117a、第1偏振板117b、液晶面板117c、和第2偏振板117d。在这里，向液晶光阀117入射的蓝色光，以分色镜113反射并透过分色镜114之后以中继系统120的后述的2个反射镜125a、125b反射，所以成为s偏振光。
λ/2相位差板117a，是将向液晶光阀117入射的s偏振光变换为p偏振光的光学元件。此外，第1偏振板117b，是遮断s偏振光使p偏振光透过的偏振板。并且，液晶面板117c构成为，通过按照图像信号的调制将p偏振光变换为s偏振光(如果为中间调，则圆偏振光或椭圆偏振光)。并且，第2偏振板117d，是遮断p偏振光使s偏振光透过的偏振板。因此，液晶光阀117构成为，按照图像信号调制蓝色光，向交叉分色棱镜119出射调制的蓝色光。再者，λ/2相位差板117a和第1偏振板117b，以接触玻璃板117e的状态来配置。
中继系统120，具有中继透镜124a、124b和反射镜125a、125b。中继透镜124a、124b，被设置以防止由于蓝色光的光路长引起的光损失。这里，中继透镜124a，配置在分色镜114与反射镜125a之间。此外，中继透镜124b，配置在反射镜125a、125b之间。反射镜125a配置为，将透过分色镜114从中继透镜124a出射的蓝色光向中继透镜124b反射。此外，反射镜125b配置为，将从中继透镜124b出射的蓝色光向液晶光阀117反射。
交叉分色棱镜119，是将2个分色膜119a、119b以X字型正交配置的色合成光学系统。分色膜119a是反射蓝色光而透过绿色光的膜，分色膜119b是反射红色光而透过绿色光的膜。因此，交叉分色棱镜119构成为，合成以液晶光阀115～117分别调制的红色光和绿色光和蓝色光，向投影光学系统118出射。
再者，从液晶光阀115、117向交叉分色棱镜119入射的光是s偏振光，从液晶光阀116向交叉分色棱镜119入射的光是p偏振光。这样，向交叉分色棱镜119入射的光成为不同的种类的偏振光，可在交叉分色棱镜119合成从各液晶光阀115～117入射的光。在这里，一般地，分色膜119a、119b在s偏振光的反射晶体管特性优异。因此，将以分色膜119a、119b反射的红色光及蓝色光设为s偏振光，将透过分色膜119a、119b的绿色光设为p偏振光。投影光学系统118，具有投影透镜(图示省略)，构成为将以交叉分色棱镜119合成的光向屏幕111投影。
在这样构成的投影型显示装置110中，要求从光源112出射的光的利用效率高，所以关于作为液晶光阀115～117的电光装置100采用在以下说明的构成。
(电光装置100的全部构成)
图2是表示如图1表示的投影型显示装置中液晶光阀(电光装置100/液晶装置)中使用的液晶面板的基本构成的说明图，图2(a)、(b)是模式地表示液晶面板的基本的结构的说明图，和表示电光装置100的电构成的方块图。再者，图1表示的液晶光阀115～117及液晶面板115c～117c，仅调制的光的波长区域不同，基本的构成相同，所以将液晶光阀115～117作为电光装置100，将液晶面板115c～117c作为液晶面板100p说明。
如图2(a)所示，电光装置100具有TN(Twisted Nematic：扭曲向列)模式或VA(Vertical Alignment：垂直取向)模式的液晶面板100p。液晶面板100p是具有第1基板10、与这个第1基板10相对(对置)的第2基板20，调制从第2基板20侧入射的光并从第1基板10侧出射的透射型的液晶面板。第1基板10和第2基板20经由密封材料(未图示)贴合并对置，在密封材料的内侧区域保持液晶层50。详情后述，但是，在第1基板10中与第2基板20相对的面侧形成岛状的像素电极9a等，在第2基板20中与第1基板10相对的面侧，在其基本整面上形成共用电极21。另外，在第2基板20上，构成利用后述的第1沟槽260及第2沟槽265的反射部26。
如图2(b)所示，在本方式的电光装置100中，液晶面板100p在其中央区域具备矩阵状地排列多个像素100a的图像显示区域10a(像素区域)。在液晶面板100p中，在第1基板10(参照图2等)，在图像显示区域10a的内侧多条数据线6a及多条扫描线3a纵横地延伸，在对应于它们的交点的位置构成像素100a。在多个像素100a的各自，形成包括场效应型晶体管的像素晶体管30(开关元件)及像素电极9a(参照图2等)。在像素晶体管30的源极电连接数据线6a，在像素晶体管30的栅极电连接扫描线3a，在像素晶体管30的漏极，电连接像素电极9a。
在第1基板10中，在比图像显示区域10a靠外周侧设置扫描线驱动电路104、数据线驱动电路101。数据线驱动电路101电连接于各数据线6a，将从图像处理电路供给的图像信号依次供给于各数据线6a。扫描线驱动电路104电连接于各扫描线3a，将扫描信号依次供给于各扫描线3a。
在各像素100a中，像素电极9a与形成于第2基板20的共用电极21(参照图2等)隔着液晶层50而对置，并构成液晶电容50a。并且，在各像素100a，为了防止以液晶电容50a保持的图像信号的变动，与液晶电容50a并联地附加存储电容55。在本方式中，为了构成存储电容55，跨多个像素100a的第1电极层5a形成为电容电极层。在本方式中，第1电极层5a导通于施加共用电位Vcom的共用电位线5c。
(电光装置100的具体的构成例)
图3是表示本发明的实施方式1涉及的电光装置100中使用的液晶面板100p的具体的构成例的说明图，图3(a)、(b)分别是与各构成要素一起从第2基板侧看液晶面板100p的俯视图及其H-H′断面图。再者，图3(b)省略后述的反射部26的图示。
如图3(a)、(b)所示，在液晶面板100p中，第1基板10与第2基板20隔着预定的间隙通过密封材料107而贴合，密封材料107沿着第2基板20的外缘地设置为框状。密封材料107为包括光固化性树脂和/或热固化性树脂等的粘接剂，掺合用于使两基板间的距离成为预定值的玻璃纤维或者玻璃珠等的间隙材料。
在如此的构成的液晶面板100p中，第1基板10及第2基板20均为四边形，在液晶面板100p的基本中央，参照图2进行了说明的图像显示区域10a设置为四边形的区域。对应于如此的形状，密封材料107也设置为基本四边形，在密封材料107的内周缘与图像显示区域10a的外周缘之间，基本四边形的周边区域10b设置为框缘状。在第1基板10中，在图像显示区域10a的外侧，沿着第1基板10的一条边形成数据线驱动电路101及多个端子102，沿着相邻于该一条边的另一条边形成扫描线驱动电路104。还有，在端子102，连接柔性布线基板(未图示)，在第1基板10，经由柔性布线基板输入各种电位和/或各种信号。
虽然详情后述，但是在第1基板10的一方的面10s及另一方的面10t之中的一方的面10s侧，在图像显示区域10a，矩阵状地形成参照图2进行了说明的像素晶体管30及电连接于像素晶体管30的像素电极9a，在如此的像素电极9a的上层侧形成取向膜19。
并且，在第1基板10的一方的面10s侧，在周边区域10b，形成与像素电极9a同时形成的虚设像素电极9b(参照图3(b))。关于虚设像素电极9b，可采用与虚设的像素晶体管电连接的构成、不设置虚设的像素晶体管而直接电连接于布线的构成或者处于未施加电位的浮置状态的构成。如此的虚设像素电极9b当在第1基板10中使形成取向膜19的面通过研磨平坦化时，对图像显示区域10a与周边区域10b的高度位置进行压缩，有助于使形成取向膜19的面成为平坦面。并且，如果将虚设像素电极9b设定为预定的电位，则能够防止在图像显示区域10a的外周侧端部的液晶分子的取向的紊乱。
在第2基板20的一方的面20s和另一方的面20t中，与第1基板10对置的一方的面20s侧形成共用电极21，在共用电极21的上层形成取向膜29。共用电极21在第2基板20的基本整面形成或者作为多个带状电极跨多个像素100a而形成。在本方式中，共用电极21形成于第2基板20的基本整面。另外，在第2基板20的一方的面20s侧，沿着图像显示区域10a的外周缘形成框缘状的遮光层108，这样的遮光层108，作为分隔而起作用。在这里，遮光层108的外周缘位于在与密封材料107的内周缘之间隔开间隙的位置，遮光层108与密封材料107不相重叠。
在如此地构成的液晶面板100p中，在第1基板10，在比密封材料107靠外侧与第2基板20的角部分重叠的区域，形成用于在第1基板10与第2基板20之间取得电导通的基板间导通用电极109。在如此的基板间导通用电极109，配置包括导电微粒的基板间导通材料109a，第2基板20的共用电极21经由基板间导通材料109a及基板间导通用电极109电连接于第1基板10侧。因此，共用电极21从第1基板10侧被施加共用电位Vcom。密封材料107以基本相同的宽度尺寸沿着第2基板20的外周缘而设置。因此，密封材料107基本为四边形。但是，密封材料107设置为，在与第2基板20的角部分重叠的区域中避开基板间导通用电极109而通过内侧，密封材料107的角部分基本为圆弧状。
在如此的构成的电光装置100中，若通过ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)和/或IZO(Indium Zinc Oxide，氧化铟锌)等的透光性的导电膜形成像素电极9a及共用电极21，则能够构成透射型的液晶装置。相对于此，若通过ITO和/或IZO等的透光性导电膜形成共用电极21，并通过铝等的反射性导电膜形成像素电极9a，则能够构成反射型的液晶装置。在电光装置100为反射型的情况下，从第2基板20侧入射的光在以第1基板10侧的基板进行反射并出射的期间被调制而对图像进行显示。在电光装置100为透射型的情况下，从第1基板10及第2基板20之中的一方侧的基板入射的光在透射另一方侧的基板并出射的期间被调制而对图像进行显示。
电光装置100能够用作移动电子计算机、便携电话机等的电子设备的彩色显示装置，该情况下，在第2基板20，形成滤色器(未图示)和/或保护膜。并且，在电光装置100中，相应于使用的液晶层50的种类和/或常白模式/常黑模式的类别，相位差膜和/或偏振板等相对于液晶面板100p配置为预定的朝向。
在本方式中，电光装置100，在参照图1说明的投影型显示装置(液晶投影机)中，用作RGB用的光阀。该情况下，在RGB用的各电光装置100的各自，将经由RGB色分解用的分色镜分解的各颜色的光作为投影光分别入射，所以不用形成滤色器。
以下，以电光装置100是透射型的液晶装置，从第2基板20入射的光透射第1基板10而出射的情况为中心进行说明。并且，在本方式中，以电光装置100具备作为液晶层50采用介电各向异性为负的向列液晶化合物的VA模式的液晶面板100p的情况为中心进行说明。
(像素的具体的构成)
图4是本发明的实施方式1涉及的电光装置100的像素的说明图，图4(a)、(b)分别是在第1基板10中相邻的像素的俯视图及在相当于图4(a)的F—F′线的位置对电光装置100进行了剖切时的断面图。还有，在图4(a)中，用以下的线表示各区域。
扫描线3a＝粗的实线
半导体层1a＝细而短的虚线
数据线6a及漏电极6b＝一点划线
第1电极层5a及中继电极5b＝细而长的虚线
第2电极层7a＝二点划线
像素电极9a＝粗而短的虚线
如图4(a)所示，在第1基板10，在多个像素100a的各自形成矩形状的像素电极9a，沿着与通过相邻的像素电极9a夹持的纵横的像素间区域10f重叠的区域形成数据线6a及扫描线3a。更具体地，像素间区域10f之中，扫描线3a沿着与沿扫描线3a延伸的第1像素间区域10g重叠的区域延伸，并且数据线6a沿着与沿数据线6a延伸的第2像素间区域10h重叠的区域延伸。数据线6a及扫描线3a分别直线性地延伸，在数据线6a与扫描线3a相交叉的区域形成像素晶体管30。在第1基板10，与数据线6a重叠地，形成参照图2(b)进行了说明的第1电极层5a(电容电极层)。
如图4(a)、(b)所示，第1基板10以石英基板和/或玻璃基板等的透光性的基板主体10w、形成于基板主体10w的液晶层50侧的表面(一方的面10s侧)的像素电极9a、像素开关用的像素晶体管30及取向膜19为主体而构成。第2基板20以石英基板和/或玻璃基板等的透光性的基板主体20w、形成于其液晶层50侧的表面(与第1基板10对置的一方的面20s侧)的共用电极21及取向膜29为主体而构成。
在第1基板10中，在基板主体10w的一方的面10s侧，形成包括导电性的多晶硅膜、金属硅化物膜、金属膜或者金属膜化合物等的导电膜的扫描线3a。在本方式中，扫描线3a由钨硅化物(WSi)等的遮光性导电膜构成，也作为对于像素晶体管30的遮光膜而起作用。在本方式中，扫描线3a由膜厚为200nm程度的钨硅化物构成。还有，在基板主体10w与扫描线3a之间，有时也设置氧化硅膜等的绝缘膜。
在基板主体10w的一方的面10s侧，在扫描线3a的上层侧，形成氧化硅膜等的绝缘膜12，在如此的绝缘膜12的表面，形成具备半导体层1a的像素晶体管30。在本方式中，绝缘膜12例如具有通过采用四乙氧基硅烷(Si(OC2H5)4)的减压CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法和/或采用四乙氧基硅烷与氧气的等离子CVD法等形成的氧化硅膜和通过高温CVD法形成的氧化硅膜(HTO(High Temperature Oxide：高温氧化物)膜)的2层结构。
像素晶体管30具备半导体层1a和栅电极3c，所述半导体层1a在扫描线3a与数据线6a的交叉区域中使长边方向朝向扫描线3a的延伸方向；所述栅电极3c延伸于与半导体层1a的长度方向正交的方向而重叠于半导体层1a的长度方向的中央部分。并且，像素晶体管30在半导体层1a与栅电极3c之间具有透光性的栅绝缘层2。半导体层1a具备相对于栅电极3c隔着栅绝缘层2对置的沟道区域1g，并且在沟道区域1g的两侧具备源区域1b及漏区域1c。在本方式中，像素晶体管30具有LDD结构。从而，源区域1b及漏区域1c分别在沟道区域1g的两侧具备低浓度区域1b1、1c1，在相对于低浓度区域1b1、1c1与沟道区域1g相反侧相邻的区域具备高浓度区域1b2、1c2。
半导体层1a通过多晶硅膜等构成。栅绝缘层2包括由使半导体层1a热氧化而成的氧化硅膜构成的第1栅绝缘层2a和由通过CVD法等形成的氧化硅膜等构成的第2栅绝缘层2b的2层结构。栅电极3c包括导电性的多晶硅膜、金属硅化物膜、金属膜或者金属膜化合物等的导电膜，在半导体层1a的两侧，经由贯通第2栅绝缘层2b及绝缘膜12的接触孔12a、12b导通于扫描线3a。在本方式中，栅电极3c具有膜厚为100nm程度的导电性的多晶硅膜和膜厚为100nm程度的硅化钨膜的2层结构。
还有，在本方式中，当透射电光装置100之后的光以其他构件进行了反射时，以防止如此的反射光入射于半导体层1a而在像素晶体管30产生起因于光电流的误工作为目的，通过遮光膜形成扫描线3a。但是，也可以在栅绝缘层2的上层形成扫描线，并使其一部分成为栅电极3c。该情况下，如图4所示的扫描线3a仅以遮光为目的而形成。
在栅电极3c的上层侧形成包括氧化硅膜等的透光性的层间绝缘膜41，在层间绝缘膜41的上层，通过相同导电膜形成数据线6a及漏电极6b。层间绝缘膜41例如包括通过采用硅烷气体(SH4)与一氧化二氮(N2O)的等离子CVD法等形成的氧化硅膜等。
数据线6a及漏电极6b包括导电性的多晶硅膜、金属硅化物膜、金属膜或者金属膜化合物等的导电膜。在本方式中，数据线6a及漏电极6b具有将膜厚为20nm的钛(Ti)膜、膜厚为50nm的氮化钛(TiN)膜、膜厚为350nm的铝(Al)膜和膜厚为150nm的TiN膜按该顺序进行叠层而形成的4层结构。数据线6a经由贯通层间绝缘膜41及第2栅绝缘层2b的接触孔41a导通于源区域1b(数据线侧源漏区域)。漏电极6b在与第1像素间区域10g重叠的区域中形成为，一部分与半导体层1a的漏区域1c(像素电极侧源漏区域)重叠，经由贯通层间绝缘膜41及第2栅绝缘层2b的接触孔41b导通于漏区域1c。
在数据线6a及漏电极6b的上层侧形成包括氧化硅膜等的透光性的层间绝缘膜42。层间绝缘膜42例如包括通过采用四乙氧基硅烷与氧气的等离子CVD法等形成的氧化硅膜等。
在层间绝缘膜42的上层侧，第1电极层5a及中继电极5b通过相同导电膜形成。第1电极层5a及中继电极5b包括导电性的多晶硅膜、金属硅化物膜、金属膜或者金属膜化合物等的导电膜。在本方式中，第1电极层5a及中继电极5b具有膜厚为200nm程度的Al膜和膜厚为100nm程度的TiN膜的2层结构。第1电极层5a与数据线6a同样，沿着与第2像素间区域10h重叠的区域延伸。中继电极5b在与第1像素间区域10g重叠的区域中形成为，一部分与漏电极6b重叠，经由贯通层间绝缘膜42的接触孔42a导通于漏电极6b。
在第1电极层5a及中继电极5b的上层侧形成氧化硅膜等的层间绝缘膜44作为蚀刻停止层，在如此的层间绝缘膜44，在与第1电极层5a重叠的区域形成开口部44b。在本方式中，层间绝缘膜44包括通过采用四乙氧基硅烷与氧气的等离子CVD法等形成的氧化硅膜等。在此，开口部44b虽然在图4(a)中将图示进行省略，但是形成为具备以数据线6a与扫描线3a的交叉区域为起点沿着与第1像素间区域10g重叠的区域延伸的部分和以数据线6a与扫描线3a的交叉区域为起点沿着与第2像素间区域10h重叠的区域延伸的部分的L字形状。
在层间绝缘膜44的上层侧形成透光性的电介质层40，在如此的电介质层40的上层侧形成第2电极层7a。第2电极层7a包括导电性的多晶硅膜、金属硅化物膜、金属膜或者金属膜化合物等的导电膜。在本方式中，第2电极层7a包括膜厚为100nm程度的TiN膜。作为电介质层40，除了能够采用氧化硅膜和/或氮化硅膜等的硅化合物以外，还能够采用氧化铝膜、氧化钛膜、氧化钽膜、氧化铌膜、氧化铪膜、氧化镧膜和氧化锆膜等的高介电系数的电介质层。第2电极层7a形成为具备以数据线6a与扫描线3a的交叉区域为起点沿着与第1像素间区域10g重叠的区域延伸的部分和以数据线6a与扫描线3a的交叉区域为起点沿着与第2像素间区域10h重叠的区域延伸的部分的L字形状。从而，第2电极层7a之中的沿着与第2像素间区域10h重叠的区域延伸的部分在层间绝缘膜44的开口部44b中，隔着电介质层40重叠于第1电极层5a。如此地，在本方式中，第1电极层5a、电介质层40及第2电极层7a在与第1像素间区域10g重叠的区域构成存储电容55。
并且，在第2电极层7a中，沿着与第1像素间区域10g重叠的区域延伸的部分与中继电极5b部分性地重叠，经由贯通电介质层40及层间绝缘膜44的接触孔44a导通于中继电极5b。
在第2电极层7a的上层侧形成透光性的层间绝缘膜45，在层间绝缘膜45的上层侧，形成包括膜厚为140nm程度的ITO膜等的透光性导电膜的像素电极9a。像素电极9a在数据线6a与扫描线3a的交叉区域的附近与第2电极层7a部分性地重叠，经由贯通层间绝缘膜45的接触孔45a导通于第2电极层7a。
在像素电极9a的表面形成取向膜19。取向膜19包括聚酰亚胺等的树脂膜或者氧化硅膜等的斜向蒸镀膜。在本方式中，取向膜19为包括SiOX(x＜2)、SiO2、TiO2、MgO、Al2O3、In2O3、Sb2O3、Ta2O5等的斜向蒸镀膜的无机取向膜(垂直取向膜)。
在第2基板20中，在石英基板和/或玻璃基板等的透光性的基板主体20w的液晶层50侧的表面(对置于第1基板10侧的面)，形成包括ITO膜等的透光性导电膜的共用电极21，覆盖如此的共用电极21地形成取向膜29。取向膜29与取向膜19同样，包括聚酰亚胺等的树脂膜、或者氧化硅膜等的斜向蒸镀膜。在本方式中，取向膜29为包括SiOX(x＜2)、SiO2、TiO2、MgO、Al2O3、In2O3、Sb2O3、Ta2O5等的斜向蒸镀膜的无机取向膜(垂直取向膜)。如此的取向膜19、29使液晶层50所使用的介电各向异性为负的向列液晶化合物垂直取向，液晶面板100p作为常黑的VA模式工作。
在此，在第2基板20的基板主体20w上，构成具备参照图5等在以下说明的第1沟槽260及第2沟槽265的反射部26，对这样的反射部26在第1基板10侧形成共用电极21和取向膜29。
(第2基板20的详细构成)
图5是本发明的实施方式1涉及的电光装置100的第2基板20中形成的反射部26的说明图，图5(a)、(b)是第2基板20的断面图，和表示反射部26的平面构成的说明图。再者，图5(a)中，省略第1基板10侧的取向膜19等的图示。
如图5(a)、(b)所示，在本方式的电光装置100，将从第2基板20侧入射的光通过液晶层50每像素地光调制之后，从第1基板10出射。因此，为了效率很好地利用入射光，需要效率很好地向像素电极9a引导入射光。因此，在本方式中，形成将从第2基板20侧入射的光中，本应朝向像素电极9a之间(像素间区域10f)的光向像素电极9a反射的反射部26。
在本方式中，反射部26，在第2基板20的基板主体20w(透光性基板)的一方的面20s侧，以格子状形成沿着与像素电极9a之间(像素间区域10f)俯视重叠的区域延伸的第1沟槽260，第1沟槽260向像素间区域10f开口。在本方式中，第1沟槽260的相对置的侧面261、262成为向像素间区域10f倾斜的斜面。在这里，第1沟槽260通过对基板主体20w的蚀刻而形成，具有基本等腰三角形形状的断面。另外，第1沟槽260的三角形形状的顶点位于像素间区域10f的宽度方向的中心，第1沟槽260的宽度尺寸(三角形形状的底边的长度)设定为与像素间区域10f相比宽度更大。但是，在第1沟槽260的里面存在面的底部264，第1沟槽260的断面是接近三角形状的梯形形状。
另外，本方式中，在基板主体20w中，以与第1沟槽260开口的一方的面20s(基板面)及第1沟槽260的侧面261、262重叠的方式形成透光膜25。这样的透光膜25是例如使用四乙氧基硅烷作为原料气体的硅酸盐玻璃(硅氧化膜)，成膜时的覆盖性高。因此，透光膜25中，在第1沟槽260的外部与一方的面20s重叠的部分的膜厚相比于与第1沟槽260的侧面261、262重叠的部分的膜厚更厚。另外，透光膜25的与第1沟槽260的侧面261、262重叠的部分的膜厚，从第1沟槽260的开口部263侧向第1沟槽260的底部264变薄。
因此，在第2基板20上，在与第1沟槽260俯视重叠的区域形成比第1沟槽260深且比第1沟槽260宽度窄的第2沟槽265。在本方式，第1沟槽260的深度是25μm左右，第2沟槽265的深度是33μm左右。另外，第2沟槽265的相对置的侧面266、267，与第1沟槽260的侧面261、262同样，也成为向像素间区域10f倾斜的斜面，第2沟槽265的侧面266、267具有在底部侧面266、267之间连接的断面V字形状。这样的第2沟槽265具有以侧面266、267作为一边的基本等腰三角形形状的断面，三角形形状的顶点位于像素间区域10f的宽度方向的中心。另外，第2沟槽265的宽度尺寸(三角形形状的底边的长度)设定为与像素间区域10f的宽度尺寸基本相同尺寸，或宽度稍大。
在本方式，第2沟槽265的开口部268通过形成于基板主体20w的一方的面20s侧的密封膜27(密封层)堵塞，在这样的密封膜27的表面270侧(与第2沟槽265位于的侧相反侧的面/第1基板10位于的侧)，层叠硅氧化膜等的透光性的绝缘膜28。在本方式，密封膜27，与绝缘膜28相同，也包括硅氧化膜等的透光性绝缘膜。但是，密封膜27在覆盖性低的条件下形成。例如，密封膜27通过用硅烷气体(SH4)和一氧化二氮(N2O)等的等离子CVD法形成。因此，密封膜27以在第2沟槽265的开口部268侧填埋第2沟槽265的一部分的方式堵塞开口部268，但是，并非形成直到第2沟槽265的里面深处。因此，第2沟槽265呈中空状态，这样的中空状态通过密封膜27来维持。
另外，密封膜27仅以在第2沟槽265的开口部268侧部分填埋第2沟槽265的方式形成，不在基板主体20w的一方的面20s形成。另外，密封膜27的表面270构成为与基板主体20w的一方的面20s连续的平面。因此，绝缘膜28的表面成为平坦面，在这样的平坦面上形成共用电极21及取向膜29。
在这样构成的电光装置100，第2沟槽265呈中空状态，在本方式，第2沟槽265的内部呈真空状态。因此，如果将第2沟槽265的内部的介质(真空)的折射率和透光膜25(硅氧化膜)的折射率相比，存在以下的关系：
第2沟槽265内部的折射率<透光膜25的折射率。因此，第2沟槽265的侧面266、267作为反射面起作用。另外，在将透光膜25的折射率设为n11，将第2沟槽265内部的折射率设为n12，将相对于侧面266、267的法线的光的入射角度设为θ0的场合，如果n11>n12，且，n11、n12、θ0满足以下的式
sinθ0>n12/n11，
则在侧面266、267发生全反射。
再者，本方式中，用作透光膜25的硅氧化膜的折射率和在基板主体20w中使用的石英基板、玻璃基板的折射率基本相同。因此，第1沟槽260的侧面261、262作为反射面的功能极低。
(反射部26的作用效果)
在这样构成的电光装置100中，从参照图1说明的光源部130，入射各种入射角度的光，这样的入射光中，朝向像素电极9a的光如箭形符号L1所示原样行进。另外，如箭形符号L2所示，关于朝向从像素电极9a脱离的方向(朝向像素间区域10f的方向)的光如箭形符号L3所示在第2沟槽265的侧面266、267使之反射，使之朝向像素电极9a。
在这里，第2沟槽265具有以侧面266、267作为一边的基本等腰三角形形状的断面，三角形形状的顶点位于像素间区域10f的宽度方向的中心。另外，第2沟槽265的宽度尺寸设定为与像素间区域10f的宽度尺寸基本相同尺寸，或宽度稍大。因此，即使关于朝向从像素电极9a大大脱离的方向的光也向像素电极9a反射，能有效地利用。再者，关于侧面266、267的倾斜度设定为，例如，与相对于基板主体20w的基板面的法线所成的角度为10°以下，进而为3°以下。根据这样的构成，在侧面266、267反射光时，能一边降低光线角度的增大一边使入射光偏向，并且，能将入射光变换为，例如，能够在孔径焦距比（F number）为2.5的投影光学系统(参照图1)中充分地取入的光线角度的光。因此，能实现对比度的提高及入射光的利用效率的提高。
(第2基板20的制造方法)
参照图6，说明电光装置100的制造步骤中，制造反射部26的步骤。图6是表示本发明的实施方式1涉及的电光装置100的制造方法的说明图。再者，图6中，与图5相反地将第2基板20的一方的面20s表示为向上。另外，关于在以下说明的步骤以外的步骤，例如，第1基板10的制造步骤、使第1基板10和第2基板20贴合的步骤等，能采用公知的方法，所以省略其说明。
为了制造本方式的第2基板20，在沟槽形成步骤中，首先，如图6(a)所示，在基板主体20w的一方的面20s，利用光刻技术，形成厚度为5～10μm的掩模269。在本方式，掩模269是包括钛和/或钛化合物的金属材料的硬掩模。对基板主体20w进行干蚀刻。在这样的干蚀刻中，使用可以形成高密度等离子的ICP(ICP-RIE/Inductive Coupled Plasma(电感耦合等离子体)-RIE)干蚀刻装置，基板主体20w和掩模269的蚀刻选择比例如设定为4以上：1。其结果，如图6(b)所示，形成相对于掩模269的厚度有4倍以上的深度的断面V字形状的第1沟槽260。在本方式，第1沟槽260的深度是25μm左右。在这样的第1沟槽260，侧面261、262成为斜面，在第1沟槽260的里面形成面状的底部264。在这样的步骤中，作为蚀刻气体，采用在氟系气体中混合氧和/或一氧化碳等的气体。
其次，在如图6(c)所示的透光膜形成步骤中，通过使用四乙氧基硅烷的减压CVD法和/或使用四乙氧基硅烷和氧气体的等离子CVD法等，以10μm左右的厚度形成包括硅酸盐玻璃(硅氧化膜)的透光膜25。其结果，在基板主体20w中，以与第1沟槽260开口的一方的面20s(基板面)及第1沟槽260的侧面261、262重叠的方式形成透光膜25。形成这样的透光膜25时的成膜条件，是覆盖性高。因此，透光膜25，在第1沟槽260的外部与一方的面20s重叠的部分的膜厚相比于与第1沟槽260的侧面261、262重叠的部分的膜厚更厚。另外，透光膜25的与第1沟槽260的侧面261、262重叠的部分的膜厚，从第1沟槽260的开口部263侧向第1沟槽260的底部264变薄。因此，在第2基板20上，在与第1沟槽260俯视重叠的区域形成比第1沟槽260深且比第1沟槽260宽度窄的第2沟槽265，这样的第2沟槽265的深度是33μm左右。另外，第2沟槽265的侧面266、267成为斜面，在底部侧面266、267之间连接形成断面V字形状。
其次，在如图6(d)所示的密封膜形成步骤中，使堵塞第2沟槽265的开口部268的密封膜27成膜，使第2沟槽265内成为中空状态。在本方式，通过用硅烷气体(SH4)和一氧化二氮(N2O)的等离子CVD法等，形成包括硅氧化膜的密封膜27。这样的成膜条件，是覆盖性很低，密封膜27以从第2沟槽265的开口缘伸出的方式成膜。因此，密封膜27，在堵塞开口部268的时刻以部分地填埋第2沟槽265的开口部268侧的方式形成，但是，并非形成直到第2沟槽265的里面深处。因此，第2沟槽265成为中空状态。另外，在本方式，由于在真空气氛中进行密封膜27的成膜，所以第2沟槽265的内部成为真空状态。
其次，本方式中，研磨密封膜27，如参照图5说明，在第2沟槽265的内部保留密封膜27，另一方面，在第2沟槽265的外部，从基板主体20w的表面除去密封膜27。在这样的研磨步骤中，本方式中，进行化学机械研磨。这个化学机械研磨中，通过研磨液中包括的化学成分的作用、以及研磨剂与第2基板20(基板主体20w)的相对移动，能快速得到平滑的研磨面。更具体地，在研磨装置中，一边使贴合包括无纺布、发泡聚氨酯、多孔质氟树脂等的研磨布(垫)的平台和保持第2基板20的支撑器相对旋转，一边进行研磨。此时，例如，向研磨布与第2基板20之间供给包括平均粒直径为0.01～20μm的氧化铈微粒、作为分散剂的丙烯酸酯衍生物、和水的研磨剂。其结果，如图5所示，密封膜27的表面270，构成与基板主体20w的一方的面20s连续的平面。然后，进行包括硅氧化膜的绝缘膜28的形成，共用电极21的形成和取向膜29的形成等。
(本方式的主要效果)
如以上说明，本方式的电光装置100中，第1基板10及第2基板20中，在第2基板20的基板主体20w(透光性基板)，形成朝向相邻的像素电极9a之间(像素间区域10f)开口的第1沟槽260。另外，在基板主体20w的一方的面20s和第1沟槽260的侧面261、262形成透光膜25，通过这样的透光膜25，在与第1沟槽260俯视重叠的区域，形成比第1沟槽260深且比第1沟槽260宽度窄的第2沟槽265。因此，利用第2沟槽265的侧面266、267作为反射面，能使本应朝向像素间区域10f的光朝向像素电极9a。另外，第2沟槽265的侧面266、267，由于成为向像素间区域10f倾斜的斜面，所以在第2沟槽265的侧面266、267反射本应朝向像素间区域10f的光，能使之效率很好地朝向像素电极9a。
另外，透光膜25是硅酸盐玻璃。即，透光膜25是使用四乙氧基硅烷作为原料气体的玻璃(硅氧化膜)，根据这样的构成，成膜时的覆盖性高。因此，适合形成比第1沟槽260深且比第1沟槽260宽度窄的第2沟槽265，如果是这样的结构，则反射面(侧面266、267)大。
另外，第2沟槽265的底部，由于比第1沟槽260的底部264窄，所以由于光向第2沟槽265的底部入射而引起的光的损失少。特别是，本方式中，第2沟槽265的侧面266、267成为斜面，在底部侧面266、267之间连接而形成断面V字形状。因此，第2沟槽265的底部成为线状的顶部，所以几乎不发生由于光向第2沟槽265的底部入射而引起的光的损失。
因此，通过本方式，能效率很好地将本应朝向像素间区域10f的光朝向像素电极9a，所以能提高有助于显示的光量，能显示明亮的图像。
另外，第2沟槽265的开口部268通过密封膜27堵塞，第2沟槽265变成中空。因此，中空的第2沟槽265的侧面266、267成为起因于第2沟槽265内的介质(真空)与透光膜25的折射率的差的反射面，在这样的反射面，遍及宽广的角度范围发生全反射。因此，能效率很好地将本应朝向像素间区域10f的光朝向像素电极9a。另外，在堵塞第2沟槽265的开口部268时，在本方式，利用密封膜27，所以仅使密封膜27成膜便能堵塞第2沟槽265的开口部268。因此，相比于粘贴盖玻片堵塞开口部的情况，生产率高。另外，由于通过透光性的密封膜27堵塞第2沟槽265的开口部268，所以不妨碍朝向密封膜27行进的光朝向像素电极9a。
另外，密封膜27，由于是在覆盖性低的条件下成膜的硅氧化膜，能防止形成密封膜27直到第2沟槽265的里面。因此，在第2沟槽265作为反射面起作用的侧面266、267的面积能变宽。因为密封膜27在真空气氛中成膜，所以使第2沟槽265的内部成为真空状态也容易。
实施方式1的变形例1
上述实施方式1中，在形成密封膜27时，通过采用覆盖性低的成膜条件，在第2沟槽265的侧面266、267中，密封膜27和透光膜25接触的面积很窄，确保了位于第2沟槽265的中空部分的侧面266、267(反射面)的面积宽广。但是，作为密封膜27，如果采用与透光膜25相比折射率低的材料，则关于第2沟槽265的侧面266、267中，密封膜27和透光膜25接触的部分，也能用作发生全反射的角度范围宽广的反射面。作为这样的密封膜27，能利用氟化镁膜(MgF2/折射率=1.37)，如果是氟化镁膜，则相比于透光膜25(硅氧化膜/折射率=1.45)折射率低。再者，作为密封膜27，也可用硼硅酸玻璃膜、磷硅酸玻璃膜、硼磷硅酸玻璃膜，这样的密封膜27可通过调整硼、磷的含有量将折射率设定为低的值。
实施方式1的变形例2
上述实施方式1中，利用了硅氧化膜作为密封膜27，但是也可以采用金属和/或金属化合物等的遮光性金属材料。
实施方式2
图7是本发明的实施方式2涉及的电光装置100的第2基板20中形成的反射部26的说明图。再者，本方式的基本的构成，由于与实施方式1相同，所以对共同的部分附加相同的符号，省略其说明。
实施方式1中，包含硅氧化膜的密封膜27，仅以在第2沟槽265的开口部268侧部分地填埋第2沟槽265的方式形成，在基板主体20w的一方的面20s不形成。相对于此，本方式中，如图7所示，包括硅氧化膜的密封膜27，以在第2沟槽265的开口部268侧部分地填埋第2沟槽265的方式形成，并且，在第2沟槽265的外部在基板主体20w的一方的面20s也形成。另外，密封膜27的表面270成为连续的平面，在这样的表面270形成共用电极21及取向膜29。因此，能省略如图5所示的绝缘膜28的形成。这样的构成，如图6(d)所示，能通过将形成密封膜27之后的研磨量设定为比实施方式1少来实现。
实施方式3
图8是本发明的实施方式3涉及的电光装置100的第2基板20中形成的反射部26的说明图。再者，本方式的基本的构成，由于与实施方式1相同，所以对共同的部分附加相同的符号，省略其说明。
实施方式1中，在第2沟槽265的内部呈中空时，以密封膜27堵塞第2沟槽265的开口部268。相对于此，本方式中，如图8所示，在基板主体20w的一方的面20s，通过透光性的粘合剂23粘贴透光性的基板24(盖玻片/密封层)，通过这样的透光性的基板24，第2沟槽265的内部被设定为中空状态。如果在真空气氛中进行这样的粘贴步骤，则能使第2沟槽265的内部成为真空，如果在大气中进行粘贴步骤，则能使第2沟槽265的内部成为空气层。
其他的实施方式
上述实施方式1～3中，在将第2沟槽265内的折射率设为与透光膜25的折射率相比小的状态时，通过密封层(密封膜27及透光性的基板24)堵塞第2沟槽265的开口部268并使第2沟槽265的内部成为中空状态，但是也可在第2沟槽265的内部填充比透光膜25的折射率低的低折射率材料，将这样的低折射率材料作为密封层。作为这样的低折射率材料，能列举氟化镁等的无机材料、氟系树脂等的有机材料。
上述实施方式1～3中，光从第2基板20侧入射，所以在第2基板20的基板主体20w形成了反射部26，但是，在光从第1基板10侧入射的场合，在第1基板10的基板主体10w形成反射部26也可以适用本发明。
上述实施方式1～3中，是第1基板10及像素电极9a有透光性的场合，但是在由反射性金属膜构成像素电极9a的反射型的电光装置100中也可以适用本发明。
在图1，例示了使用3个光阀的投影型显示装置110，但是，在电光装置100内嵌有滤色器的场合和/或在各颜色的光依次向一个电光装置100入射的投影型显示装置所用的电光装置100中也可以适用本发明。
另外，上述方式中，作为电光装置，例示了投影型显示装置中使用的透射型的电光装置100，但是，在将从背光源装置出射的光作为入射光而显示图像的直视型的电光装置100中也可以适用本发明。
另外，上述方式中，作为电光装置100，举例说明了液晶装置，但是，在电泳型显示装置中，在以实现显示光量的增大为目的而形成反射部26的场合，也可以适用本发明。另外，在如有机电致发光装置，通过从自发光元件出射的调制光在图像显示面显示图像的电光装置中以防止混色等为目的而形成反射部26的场合，也可以适用本发明。

Claims (10)

1.一种电光装置，其特征在于，包括：
第1基板，设置有多个像素电极及多个开关元件；
第2基板，与该第1基板相对配置；
电光物质层，设置于上述第1基板和上述第2基板之间；
上述第1基板及上述第2基板中的一方的基板是透光性基板，其设置有：第1沟槽，朝向上述多个像素电极中的一方以及与上述多个像素电极中的一方相邻的上述多个像素电极中的另一方之间开口；透光膜，在上述透光性基板的上述第1沟槽开口的基板面，以与上述基板面重叠的部分的膜厚成为相比于与上述第1沟槽的侧面重叠的部分的膜厚更厚的方式层叠，并且在与上述第1沟槽俯视重叠的区域形成比上述第1沟槽深且比该第1沟槽宽度窄的第2沟槽；密封层，以上述第2沟槽的内部的折射率成为比上述透光膜的折射率小的方式堵塞上述第2沟槽，上述第2沟槽的侧面是上述透光膜的侧面。
2.如权利要求1所述的电光装置，其特征在于，上述第1沟槽的侧面及上述第2沟槽的侧面成为向上述多个像素电极中的一方以及与上述多个像素电极中的一方相邻的上述多个像素电极中的另一方之间倾斜的斜面。
3.如权利要求2所述的电光装置，其特征在于，上述透光膜的与上述第1沟槽的侧面重叠的部分的膜厚，从上述第1沟槽的开口部侧向该第1沟槽的底部变薄，上述膜厚在上述底部更薄。
4.如权利要求2所述的电光装置，其特征在于，上述第2沟槽的侧面具有在底部侧面之间连接的断面V字形状。
5.如权利要求1所述的电光装置，其特征在于，上述透光膜是硅酸盐玻璃。
6.如权利要求1所述的电光装置，其特征在于，上述第2沟槽的内部是中空。
7.如权利要求6所述的电光装置，其特征在于，上述第2沟槽的内部是真空状态。
8.如权利要求1所述的电光装置，其特征在于，上述第1沟槽及上述第2沟槽设置于上述第2基板。
9.如权利要求8所述的电光装置，其特征在于，上述多个像素电极及上述第1基板有透光性。
10.一种投影型显示装置，其特征在于：
使用如权利要求1至9的任一项所述的电光装置；
包括：光源部，出射从上述一方的基板向上述电光装置入射的光；和投影光学系统，对通过上述电光装置调制的光进行投影。
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