CN102859742A - 具有均匀亮度的平面发光体和提高平面发光体亮度均匀性的方法 - Google Patents

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CN102859742A CN2011800214448A CN201180021444A CN102859742A CN 102859742 A CN102859742 A CN 102859742A CN 2011800214448 A CN2011800214448 A CN 2011800214448A CN 201180021444 A CN201180021444 A CN 201180021444A CN 102859742 A CN102859742 A CN 102859742A
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Abstract

平面发光体包括层组结构(10),该层组结构具有第一电极层(11a)、第二电极层(11c)和至少一个位于两者间的发光层(11b),其中设有多个用于接触第一电极层(11a)的触点区(12)和至少一个用于接触第二电极层(11c)的触点区(13),设置用于接触的多个触点区(12,13)中的至少一个触点区(12,13)具有可调校的电阻件(12a,13a;21a,22a),或者一个可调校的电阻件(40)接设在设置用于接触第一电极层的触点区(12)与设置用于接触第二电极层的触点区(13)之间,并且该可调校的电阻件(12a,13a;21a,22a;40)的电阻值可被调节到经改变的电阻值,其中,该层组结构(10)与没有经改变的电阻值的状态相比具有更均匀的光分布。

Description

具有均匀亮度的平面发光体和提高平面发光体亮度均匀性的方法
本发明涉及一种具有均匀亮度的平面发光体和一种用于提高在平面发光体如OLED片或OLED模块的出射面上的亮度分布均匀性的方法。
基于有机发光二极管(OLED),可实现新型的发光元件。作为与无机发光二极管(LED)相比具有适中亮度的平面发光体,OLED最适用于制造平面扩散光源,像例如发光板。对于应用在通用照明中,尤其期望大面积的扩散发光光源,这就是为何OLED具有用于此应用领域的大有前途的未来潜力。因为在OLED制造中采用薄膜技术,所以,还可以实现柔软的发光体,其开创了迄今未知的空间照明可能性。在OLED制造中采用薄膜技术的结果就是,还可以实现柔软的发光体,其开创了迄今未知的空间照明可能性。
对于尤其在通用照明中的实际应用,期望或要求均匀发光的OLED,即经过其出射面均匀发光的OLED。与无机LED相似,有机LED是电流工作元件。这就是说,OLED的亮度与流过OLED的发光有源层的电流相关。因此,为了实现均匀发光的OLED,在发光层内需要在OLED的平面延伸范围内是均匀的电流密度。而这在制造大面积发光元件时尤其是一项挑战。一般,OLED具有至少一个透明电极,电极例如借助透明的导电氧化物(TCO)或者借助透明的金属层来实现。但是,因为该透明电极材料的导电性能差,所以,在电极内的电压降是不可忽略不计的。基于OLED的电流-电压特性,在电极面内的低电压差起到不希望有的提醒亮度差的作用。当要求亮度均匀性时,由此限制了最大可获得的发光面面积。
缘于透明电极的导电能力弱,通常需要将大的发光面分成多个区段或多个独立面。因此,对于大的发光面,将多个独立发光元件联合起来,于是在这里需要一个电接触系统,用于实现大面积的OLED发光面的高效控制。这个接触系统应该如此设计,可获得最均匀的发光面。
传统OLED的标准结构可归纳如下。OLED或者OLED片基本上由两个平面状电极构成(其中的至少一个是透明的),在电极之间嵌埋入至少一个有机材料层。当在两个电极之间施加合适的电压或注入合适的电流时,在有源有机层内可以发出电磁辐射且最好是光。OLED片能够以所谓的俯射发光元件或仰射发光元件的形式构成。透明地构成OLED也是可行的。
在一个具体例子中,可作为透明电极采用层厚约为100nm的铟锡氧化物(ITO),在这里,通常将ITO层涂覆到玻璃基片上并可作为阳极。随后是一个层厚约为100-200nm的有机层或有机层结构,其有时可以具有多达7个子层或膜。随后,以大约100-500nm的层厚涂覆一个可含有铝的金属阴极。随着OLED片尺寸的增大,现在越来越难获得均匀的光出射。ITO层的比较高欧姆值的电阻在大面积发光元件中常造成亮度分布的不均匀性。ITO层的高欧姆电阻例如可以为大约10-20欧姆/平方(平方面积)的值。不均匀性的起因例如在于,用于供应电流的ITO层接触通常只能在发光元件边缘区实现。在亮度为1000cd/m2和电流效率为50cd/A时,轮廓面积为50mm见方的常见OLED在工作中需要大约0.05A数量级的电流流动。如果现在只从一侧接触OLED的电极,则这可能导致达到0.5V数量级的电压降。对于常见的OLED,该电压降在至电极的连接区域和远离接线的电极部分之间已经造成亮度差,该亮度差可用肉眼感觉到。在OLED的工作点,OLED的电流-电压特性曲线(I-V曲线)一般非常陡,因而在电极面内的小电压差对亮度分布产生影响。对于以I-V曲线非常陡而著称的OLED片,这样的电压差可以例如已经在元器件亮度方面构成一个超过100系数。
为了能减小透明电极的面电阻并进而获得OLED片的较大尺寸而公开了,将网状金属加强结构加入ITO层。金属网(金属网格或所谓的母线)根据铺设密度减小有效电阻,故容许实现较大的二极管面积。但这种金属网的制造技术复杂,在生产工艺中需要许多附加光刻步骤。此外,因为金属网的非透明性,有效发光面也相应缩小。因此缘故,只有达到ITO面积的25%的金属网例如才有意义。可能的改善之处例如是网金属密度的提高,但这因为结构化可能性和有机层膜厚度而没有意义。另外,金属加强的ITO层只在外边缘被接触,由此,虽然有效电阻减小,但发光元件的最大尺寸还是受限的。
WO 09135466公开了通过在有机层内的反向电阻梯度来补偿经过电极面的电压降。电阻梯度例如可通过辐照来获得,但辐照在工艺技术上难以实现。此时,无法补救因工艺过程波动而出现在随后生产步骤中的加工误差。
除透明电阻的有效面电阻低外,均匀发光OLED还需要均匀输入电流。现在为了改善经OLED平面延伸尺寸发出的光的亮度分布均匀性,在OLED片上常设有多个工作电流输入点,即,在一个或两个电极上有多个经此接触电极的点。此时,一般力求尽量对称地接触OLED片。大多数情况下,阳极有多个接触点,这是因为阳极一般有弱导电能力。但也可以规定阴极或两个电极(即阴极和阳极)具有多个接触点,工作电流经此流入或流出。DE 102006016373A1公开了一种改善亮度分布均匀性的替代做法,在此,触点接触区以环形框形式构成,以实现将工作电流均匀馈入有源OLED区域。
因为其结构复杂,OLED在加工中遇到某些工艺过程波动和加工误差。因此,因为加工时的工艺过程波动而可能出现在电极面内的电阻不均匀性,或者在有机发光层内的电阻不均匀性。也可能出现接触的不均匀一致性,这原本未被考虑进来并且在生产工艺中未做补救。缘于OLED的电流-电压特性曲线,小的加工误差本身就可能对亮度均匀性产生不利的影响。
因此,本发明的任务是提供一种平面发光体,它的特点是具有尽量均匀的亮度,还提供一种提高平面发光体亮度均匀性的方法。亮度均匀性的改善在此应该可通过简单的方式尽量成本低地实现。
该任务将通过根据权利要求1的平面发光体和根据权利要求10的方法来完成。有利的改进方案是从属权利要求的主题。
根据本发明,提供一种平面发光体尤其是OLED片,它具有层组结构,该层组结构包括第一和第二电极层和至少一个位于两者间的发光层,其中设有用于接触第一电极层的多个触点区和用于接触第二电极层的至少一个触点区。另外,可调校的电阻件至少与设置用于接触的多个触点区中的一个触点区导电串联,其中该可调校的电阻件的电阻值是可调节的。因此,如果平面发光体通过该触点区被接触,则由该电阻件的电阻值来共同确定经过该触点区的电流流量。该电阻值最好可以被调到经改变的电阻值,在所述经改变的电阻值的情况下,该层组结构相对于没有经改变的电阻值的状态具有更均匀的亮度。
作为上述的、可调校的电阻件的按照本发明的布置形式的可选方式或替代方式,在一个优选实施方式中,可以将可调校的电阻件连接在一个设置用于接触第一电极层的触点区和一个设置用于接触第二电极层的触点区之间。具有较高欧姆值的该电阻件因此与平面发光体的发光层电子并联地布置。
借助可调校的电阻件,现在可以补偿由在各个接触区域上的不同的接触电阻和/或触点电阻所引起的接电电阻差(Anschlusswiderstand)。也可主要通过可调校的电阻件的并联布置,在一定程度上补偿在发光层内或电极面内的电阻不均匀性。此外,通过可调校的电阻件的并联布置,可略微修正平面发光体的电流-电压特性曲线。
根据本发明,可以通过在至少一个可调校的电阻件上的相应的调校过程获得在出射面上均匀的亮度或者至少一个相比于不进行电阻调校的不变的初始状态更均匀的亮度。
该可调校的电阻件的电阻值例如可以借助激光修剪过程或激光烧蚀过程来调节。
在一个优选实施方式中,提出一种平面发光体尤其是OLED模块,其中,包括发光层和多个电极的层组结构与基底件如电路板相连。基底件具有位于朝向层组结构的第一主表面上的、且与层组结构的触点区相连接的多个中间触点区和在第二主表面上的、且与在电路板的第一主表面上的对应的中间触点区电连接的多个外触点表面。根据本发明,可调校的电阻件可以串联连接在“位于基底件的第一主表面上的、与层组结构的设置用于接触的至少一个触点区电连接的中间触点区”与“对应的外区域”之间。另外,作为可选方式,不可调校的电阻件(其具有预先确定出的均匀亮度所需的电阻值)可串联到在基底件的第一主表面上的、与层组结构的设置用于接触的至少一个触点区相连接的中间触点区与对应的外触点之间。
根据本发明,可调校的电阻件可以具有可修剪的厚膜电阻结构、可修剪的薄膜电阻结构、可修剪的SMD电阻件或者可修剪的集成电阻结构。此外,可调校的电阻件可以具有可调的电位计或者可编程的电子负载电路。
在一个有利的实施方式中,该平面发光体的层组结构可以具有多个用于接触第二电极层的触点区。
还可以规定,每个设置用于接触的触点区具有一个可调校的电阻件。
本发明的平面发光体优选由有机发光二极管构成,但本发明不局限于此。本发明可被用于发光层位于两个平面电极之间的任何平面发光体,例如像在发光电化学电池(LEC)中那样。
就有机发光二极管而言,发明构思不仅可被用于OLED片的接触,也可被用于OLED模块的接触。在本发明范围内,OLED片是指这样的层组结构,其中在一个基片(例如玻璃)上涂覆各个层(两个电极和位于其间的发光层结构)。整个结构还可以为了免受环境气氛即氧气和空气水分的影响而具有封装。OLED片能够以俯射发光元件或仰射发光元件的形式构成。OLED模块是指这样的结构,其中一个OLED片与电路板相连。该电路板此时可具有用于给OLED片供应工作电流的规定的电接口(外触点)。OLED模块可被固定在灯的载板上或可拆下地安装在管座中,即通过简单方式不用单独调整地被装入灯中。该电路板现在尤其具有以下功能,将电流从一个或多个按照可能性标准化构成的规定接口分配给针对OLED片的各形状做出优化的各触点区。可选的是,还是可以在电路板上设置带有辅助功能的附加电路。
本发明还包括一种用于提高平面发光体亮度均匀性的方法。为了减小平面发光体亮度的不均匀性,根据本发明,对在设置用于接触平面发光体的触点区上的一个或多个电阻件进行调校。为此,与未在一个或多个电阻件上进行调校的(非均匀)初始状态相比,可以获得发光体的均匀接触,进而获得在发光体面上的更均匀的亮度分布。
现在为了确定在可调校的电阻件上的为获得期望的发光体均匀亮度分布而需要的电阻值,需要合适的参数或特征值,其允许推断出亮度非均匀性。根据本发明,可以进行发光体亮度均匀性测量,在这里,作为测量参数例子,测定在发光体出射面上的亮度分布中的一个或多个非均匀的位置、延伸范围和/或亮度。或者,触点电阻或接触电阻的差异或者电极层电阻的非对称性可以通过测量技术来如此确定,即,将测量电流交替输入分别不同的触点对,在此,由两个不同的接触区构成触点对。于是,通过导电能力测量,可以确定在设置用于接触发光体的触点区上的可能有的非对称性。
基于如此获得的参数,现在可以推断出工作电流的非对称输入或者在发光体有源区内的工作电流分布的不均匀性,进而推断出在可调校的电阻件上的当前所需的电阻值或者所需的电阻值变化。基于针对至少一个触点区所确定的电阻值,随后进行在可调校的电阻件上的电阻值的调校。根据本发明,同样可以确定多个或者所有触点区(即划分开的阳极和/或阴极)各自所需要的电阻值,随后可进行在该可调校的电阻件上的电阻值的调校。
电阻调校例如可以借助激光修剪过程或激光烧蚀过程来执行。
另外,为了调节出所确定的电阻值,也可以在平面发光体的至少其中一个设置用于接触的触点区上设置一个合适的相应的串联电阻件,在这里,所设置的电阻件的电阻值具有针对均匀亮度分布拟定出的电阻值。在这里,也可针对一个、多个或所有的触点区确定并调节出各自合适的串联电阻件。
根据本发明的、为获得(尽量)均匀的发光体亮度分布而需要的电阻值的确定,可以分别针对一个、多个或所有的发光体触点区来进行。相应地,可以在一个、多个或所有的触点区上调节至期望的电阻值。因此,对于具有可调校电阻件的每个触点区,可以确定出用于发光体均匀亮度分布的电阻值,并且调节出各自所确定的电阻值。
可调校电阻件的调校最好可单独地在不同的触点区如此进行,即在调校后,在该触点区相对于发光体存在基本上相同的电阻值,该电阻值容许发光体具有更均匀的亮度分布。或者,可调校电阻件可以被均匀增大到各提高后的电阻值,从而因为增大的前置电阻而可能构成干扰的、在触点区上的不同的触点电阻和接触电阻没有影响到或者没有显著影响到亮度分布。
在本发明范围内还要注意,提到电阻值或发光体均匀亮度分布所需的电阻值不一定是指用于绝对精确的均匀亮度分布或对称接触的绝对精确电阻值,而是例如在50%、20%、10%或1%的误差范围内给出所需的电阻值,该电阻值有助于提高(或获得)平面发光体出射面上的亮度分布的均匀性。
因此根据本发明,首先在该发光体的设置用于接触的多个触点区中的至少一个触点区上确定出电阻值,该电阻值(在误差范围内)对于发光体的均匀亮度分布而言是必需的。
基于所确定出的电阻值,在该触点区上的电阻值(误差范围内)现在被调节至发光体更均匀亮度分布所需的电阻值。
因此,本发明的目的是获得在平面发光体的出射面上的尽量高的亮度均匀性。
以下,将结合附图来详细说明本发明,其中:
图1a-b是根据本发明一个实施例的OLED片的示意俯视图和OLED片的触点区的细节图;
图2a-b是根据本发明另一实施例的OLED片的示意俯视图和OLED片触点区的细节图;
图3是根据本发明另一实施例的带有触点区的OLED片的示意俯视图;和
图4a-b是根据本发明另一实施例的OLED模块的示意侧视图和OLED模块局部的示意俯视图。
在以下结合附图详细描述本发明之前,应该指出的是,功能相同的或作用相同的零部件在图中带有相同的或相似的附图标记,因此,在不同的实施例中做出的对零部件的说明可以互换或者说互用。
现在,图1a示出OLED片10的俯视图。OLED片的一个例子在前言中已做了描述。例如可以呈OLED板或OLED膜形式的OLED片10具有层叠11,该层叠被施加在一个基片上。当例如以玻璃板为基片时,OLED片可以刚性构成(作为OLED板)。当例如以薄膜为基片时,OLED片也可以柔性构成(作为OLED膜)。作为基片材料,例如也可以想到金属箔膜,在这里,在形成有源层叠11之前先涂覆一个绝缘层。有源层叠11具有第一电极层11a(例如阳极层)、第二电极层11c(例如阴极层)和设于第一电极层11a和第二电极层11c之间的至少一个有机发光中间层11b。而且,多个触点区12、13设置在OLED片10的表面上,用以接触有源层叠11。
在图1a-1b中,OLED片10具有方形轮廓,但这种形状只是示例性的。可以想到轮廓为任何几何形状的OLED片,在这里,轮廓(基片形状)也可不同于有源层叠11(即有源发光区)的形状。
在图1a-1b所示的实施例中,OLED片10例如具有多个用于接触第一电极层11a的触点区12和至少一个用于接触第二电极层11b的触点区13。这些触点区12例如形成阳极触点区,其接触阳极层以便输入工作电流,而触点区13例如作为阴极触点区来构成,其接触阴极层以便输出工作电流。或者,也可以作为阴极层来构成第一电极层11a,而作为阳极层构成第二电极层11c,从而触点区12作为阴极触点区,而触点区13作为阳极触点区。
在此所示的例子中,层组结构10具有两个用于接触第一电极层11a的触点区12(例如阳极触点区)和一个用于接触第二电极层11c的触点区13(例如一个阴极触点区)。或者,层组结构10也可以具有两个作为阴极触点区来构成的触点区12和一个作为阳极触点区来构成的触点区13。在一个优选实施方式中,这些触点区12、13设置在角部区域内。
触点区12、13的准确数量、定位和形状对本发明来说处于次要地位。这些触点区12、13最好如此布置,即,可以实现电流尽量均匀地分布到OLED片中和与之相关的在OLED片10的有源层11内的均匀电流分布。要指出的是,除了图1a所示的触点区12、13外,可以设置附加的或定位于其它地方的触点区12、13。根据一个优选的变型,在所有四个角上具有触点区12、13(附加的触点区在图1a中标为“可选”)。各触点区12、13能以细长条形式或其它几何形状沿OLED片10的边缘区来形成。因此,触点区12、13可总是成对地设置在OLED片的多个或者所有的边缘区或角部上。
因为加工误差或工艺波动变化,现在可能在各触点区12、13和层叠11的电极之间出现无法预见的触点电阻和接触电阻,在这里,引线电阻或电极电阻的小非对称性就已经可能导致OLED片10上的亮度不均匀。因此根据本发明,在触点区12、13内设有可调的电阻件12a,在接触时电流流过所述可调的电阻件。
为了抑制因为OLED片10的不均匀接触而出现OLED片10的亮度非均匀性,现在首先在OLED片10的设置用于接触的多个触点区12、13中的至少一个触点区上确定OLED片10的均匀亮度分布所需要的电阻值,此时与不变的电阻值相比,得到了层组结构10的较为均匀的亮度分布。为此,例如计算在工作电流馈送时由OLED片10获得的亮度分布均匀性,其中例如作为测量参数来测定关于平面发光体10出射面的亮度分布中的非均匀的位置、延伸范围和/或亮度。基于所测定的呈非均匀的位置、延伸范围和/或亮度形式的参数,现在可以确定在一个或多个设置用于接触的触点区12上的更为均匀地亮度分布所需的电阻值。
如果现在发现,设置用于接触第一电极层11a的其中一个触点区与设置用于接触第一电极层11a的第二触点区相比,具有更高的触点电阻或接触电阻,那么现在可以借助电阻调校来增大具有较低电阻值的触点区的电阻值,以获得该层结构的更为均匀的亮度分布。
根据本发明的实施例还存在下列另选可行方式,即,可以在设有两个设置用于接触第一电极层11a的触点区12、13的情况下,借助电阻调校来调节这些触点区的电阻值,即,在两个触点区12存在(在误差范围内)相同的触点电阻。还可行的是,在设置用于接触第一电极层11a的两个触点区12上如此提高电阻值,即,可能有的触点电阻和接触电阻对均匀亮度分布或者说工作电流对称馈送有微弱的负面影响,或不再有负面影响。因此,在后两种变型方式中,通过对用于接触第一电极层11a的两个触点区12进行电阻调校,就拟定了串联电阻或前置电阻,所述串联电阻或前置电阻以串联方式布置以将工作电流输入给OLED片。
为了现在在触点区12设置可调校的电阻件12a,分别设置用于接触第一电极层11a的触点区12能以可调校或可修剪的厚膜电阻结构或者薄膜电阻结构形式构成,或例如具有可修剪的SMD电阻元件或可修剪的集成电阻结构,其中调校过程随后可借助激光修剪过程或激光烧蚀过程来执行。或者,任何适用于有目的地除去电阻件材料的过程均可被用于调节电阻值。
图1b示出OLED片10的角部和触点区12、13的放大细节图。在图1b中,现在举例示出了一个用于接触第一电极层11a的触点区12(其例如具有一个可调校的电阻件12a)和用于接触第二电极层11c的不可调校的触点区13。在这里,用于接触第一电极层11a的触点区12的电阻值可以通过激光修剪加工或激光烧蚀来改变,从而触点区12的串联电阻被提高,进而形成用于OLED片的前置电阻。
通过除去电阻材料(如在电阻层中形成切口),在使用聚焦激光束的情况下改变(即缩小)电阻材料的横截面,或者增大其有效长度。电阻由此增大。这种做法可被用来执行电阻增大。关于切口形状,例如可以横向于电阻带从一侧进行笔直切割。在高调校精度时,人们可以使用所谓的L切口,它由一个横向切入口和一个与之相接的沿电阻带纵向延伸的切口组成。后者的纵向切口造成单位切口长度的较小电阻变化,因此容许更精细的电阻调校。在图1a中只示出一个横向切入口,用于延长电阻带并因此增大期望的电阻值。
根据如图2a-b所示的本发明另一个实施例,也可以在电极划分开的情况下给多个触点区配设可调校的电阻件用于输出工作电流,可在这些电极上进行电阻调校。因此缘故,为此可以针对设置用于接触第一电极层11a的触点区12(如阳极触点区)和设置用于接触第二电极层11c的触点区13(如阴极触点区)分别确定出在OLED片的设置用于接触的触点区上的所必须的电阻值,以获得尽量均匀的OLED片亮度分布。于是,可以按照结合第一实施例所述的非均匀性测量方法,针对每个设置用于接触的OLED片触点区分别确定设置用于接触的OLED片触点区的各电阻值。在此情况下,其电阻值应设计成是可调校的每个触点区12、13还具有一个可调校的电阻件12a、13a。
与本发明的所有实施例相关地要注意的是,根据表述“触点区具有可调校的电阻件”,例如触点区的至少一个区域本身是可结构化的或可调校的,以完成在触点区上的电阻改变。另外,可以在各触点区12、13上设置附加的可调校的电阻结构,或者将附加的可调校的电阻结构与触点区电连接,以在各触点区上设置一个可调校的电阻件。
如果现在根据本发明的另一实施例,在设置用于接触第一电极层11a的以及设置用于接触第二电极层11c的触点区12、13上确定了对于OLED片均匀亮度分布所需要的电阻值,则现在可以如图2b所示,改变在两种连接(即阳极连接和阴极连接)处的电阻值。图2b又示出了包括有源层叠11和触点区12、13的OLED片10的角部放大细节图。如图2b所示,在接电触点上设置切口15和16,这些切口能够利用聚焦激光束通过呈在各触点区的电阻层中的切口或凹槽形式的电阻材料去除来提供,从而缩小了电阻件的横截面,由此可以有针对性地增大最终的电阻。
图2b所示的横向切口还只是示范性的,在这里,在图2b所示的实施例中,同样也可以代替横切口,相应设置纵切口以提高电阻值。在这里,可以采用任何适于有针对性地除去电阻件材料的过程,以便调节电阻值。
根据结合图2a-b所示的实施例,OLED片的前置电阻可改变,以减小触点电阻和接触电阻对平面发光体出射面的亮度分布均匀性的干扰影响,在这里,也可以根据第一实施例中的做法来进行电阻调校。
图3现在表示OLED片10的示意俯视图,在这里,OLED片10具有有源层叠11和用于接触有源层叠11的触点区12、13。此时,例如触点区12可以作为阳极触点区来构成,触点区13可以作为阴极触点区来构成(或反之)。现在,这些触点区12、13可以可选地分别具有一个可调校的电阻件12a、13a(根据上述的实施例)。如现在图3所示,现在在例如设置用于接触第一电极层11a的触点区12(如阳极触点区)和设置用于接触第二电极层11c的触点区13(如阴极触点区)之间设有一个就OLED片的内电阻而言是高欧姆的电阻件40,该电阻件因此接设在触点区12和13之间。电阻件40现在又可以被调校地构成。在此实施例中,可调校的电阻件40也是可以分别具有可调校的或可修剪的厚膜电阻结构、可修剪的薄膜电阻结构、可修剪的SMD电阻件或可修剪的集成电阻结构,其又可以借助激光修剪过程或激光烧蚀过程被调节或被提高到各自所需要的电阻值。
或者,作为可调校的电阻件40,可采用可调的电位计或者可编程的电子负载电路,在这里,该电位计或可编程的电子负载电路的各自电阻值可被调节到各自所需要的电阻值。或者,作为可调校的电阻件40,还可以在触点区12、13之间接设一个固定电阻件,如具有固定电阻值(其对应于获得均匀亮度分布所需要的相应电阻值)的SMD电阻件,以便通过OLED片10的触点区12、13的并联来拟定对于均匀亮度分布所需要的相应电阻值。
就是说,根据图3所示的实施例,在触点区12、13上以与发光层12并联的方式设有一个可修剪的电阻,这就是说,在设置用于接触第一电极层11a的触点区12和设置用于接触第二电极层11c的触点区13之间设有一个相对高欧姆值的电阻40。如果多个触点区12设置用于电流输入并且多个触点区13设置用于电流输出,则也可以在各对应的触点区12、13之间设置多个可调校的电阻件40。因此,也可以在多个触点区12、13上分别设置一个与发光层11并联的可调校的电阻件40,这就是说并联设置在OLED片10的输入端和输出端之间。该附加的并联的可调校的电阻件40可以被选择为具有相对高的欧姆值,例如在从500欧姆或千欧姆起的范围内(即例如在0.5~50千欧范围内),从而只有相对小的电流流过该并联的可调校的电阻件40,因此电阻件40功耗被保持得很低。另外,可调校的电阻件40的电阻值可被选择成大于OLED片内电阻的10倍或20倍。通过设置所述其它的、与有源发光层叠11并联的可调校的电阻件40,获得另一个调节参数或者说自由度,所述另一个调节参数或者说自由度可被改变,以抑制在OLED片10的亮度中可能有的不均匀性。
利用附加的可调校的电阻件40,不仅可以补偿在线路电阻上的非对称性,而且也可以减小或补偿在电极层材料(阴极层或阳极层)和有机发光层内的局部非均匀性。基于与有源层叠11并联地附加设置的可调校的电阻件40,例如可以在一定范围内调节OLED片的二极管特性曲线。就是说,基于在触点区12、13之间的附加电阻件40,可以形成一个与起二极管作用的OLED片10并联的电阻件,而通过设置在触点区12(和可选的是13)上的可调校的电阻件12a、13b可以形成一个前置电阻或者说与起二极管作用的OLED片10串联的电阻。
因此根据本发明,通过有针对地调节串联电阻(前置电阻)或并联电阻,或通过合适地组合串联电阻和并联电阻,就可以获得在OLED片出射面上的亮度分布均匀性的改善。
图4a所示的实施例以侧视图示出OLED模块,其中一个OLED片10与基底件20如电路板相连。OLED模块具有规定的电子(和或许其它)接口,从而这样的OLED模块能以简单方式无需专门调整地被装入灯中。于是,这样的OLED模块的一个功能尤其是将电流从规定的接口(外触点)分配给OLED片的根据OLED片形状最优的相应接触位置/触点区。就是说,OLED模块具有在电路板20的朝向OLED片10的第一主表面上的多个中间触点区26、27,这些中间触点区与在OLED片上的设置用于接触OLED片的触点区电连接。电路板20还具有在第二主表面上的多个外触点21、22,其中电路板20的外触点21、22以贯穿电路板20的方式与第一主表面上的中间触点区26、27电连接。设置这些外触点21、22是例如为了与灯(或管座)的载板(未示出)和那里的触点电连接起来。
关于电路板20要指出的是,该电路板例如可以具有在预定的标准化接触位置上的两个(或更多的)外触点,它们随后从电路板20的第二主表面起被引向在电路板20的第一主表面上的例如四个或更多的中间触点区。为此,用于平面发光体的工作电流可以从在电路板20内的例如两个外触点被导送至在电路板20的第一主表面上的更多数量的中间触点,以接触OLED触点区,即OLED片10的触点区12、13。在电路板20上的中间触点区至OLED片上的触点区12、13的这种接触在图4a中由导电连接件32、33来示意表示。
在图4a中,OLED片10与电路板20相连,用于形成OLED模块。但是根据本发明,也可以将多个OLED片10分别安置在电路板20上,以形成一个包括多个OLED片10的OLED模块,该OLED模块又可被固定在载板上或安装在管座中。OLED片10可以借助任何机械紧固元件(例如胶或钎焊材料)被固定在电路板20上。在图4a中,OLED片借助胶层36与电路板20机械连接。
在基于所测定的、在亮度分布中的一个或多个非均匀的位置、延伸范围和/或亮度确定了OLED片10均匀亮度分布所需要的一个或多个电阻值之后,现在例如可以在电路板20的触点区上的预设于那里的可调校的电阻件21a、22a上,调教均匀亮度分布所需要的一个或多个电阻值。例如一个可调校的电阻件21a、22a被串联在位于电路板20第一主表面上的中间触点26、27(该中间触点与OLED片10的至少一个触点区12相连接)和对应的外触点21、22之间。因此,根据本发明,例如可以在电路板20的每个外触点21、22和电路板20的每个对应的中间触点26、27之间接设一个可调校的电阻件21a、22a,该可调校的电阻件可根据针对OLED片10上的对应触点区各自确定出的电阻值被调校至所需要的电阻值。
在此实施例中,设置在电路板20上的可调校的电阻件21a、22a可以分别具有可调校或可修剪的厚膜电阻结构、可修剪的薄膜电阻结构、可修剪的SMD电阻件或者可修剪的集成电阻结构,所述电阻结构也能借助激光修剪过程或激光烧蚀过程被调节至或被提高到相应所需的电阻值。
可选的是,作为各自可调校的电阻件21a、22a,可以使用可调的电位计或可编程的电子负载电路,在这里,电位计的相应电阻值或可编程的电子负载电路的相应电阻值可被调节至相应需要的电阻值。
可选的是,当使用电路板20时,还可以分别在电路板20的外触点21、22和电路板的对应的中间触点之间串联一个固定的电阻件如具有固定电阻值的SMD电阻件,该电阻值对应于为获得对称接触而相应所需的电阻值,以便在LED片10的触点区12、13上拟定为获得均匀亮度分布相应需要的电阻值。
关于之前所描述的、在OLED片10的一个或多个触点区12、13上或在OLED片10的设置用于电流注入的触点区12和设置用于电流输出的触点区13之间调节均匀亮度分布所需要的电阻值以提高平面发光体亮度均匀性,还要指出的是,相应的电阻调校(即调节至所需要的电阻值)可以在OLED片封装之前或之后进行,这是因为所需的电阻值调节可以在OLED片或OLED模块的允许从外侧接近的区域上进行。
关于之前所述的实施例要指出的是,作为可调校的电阻件构成的、可修剪的厚膜电阻结构或可修剪的薄膜电阻结构也能以导线带形式设置在OLED片10或电路板20上。
与本发明相关地还要指出的是,在确定在OLED片的设置用于接触的多个触点区中的至少一个触点区上的、OLED片均匀亮度分布所需要的相应电阻值之时,就触点区绝对均匀亮度分布的精确电阻值而言,在一个误差范围内确定该电阻值,在这里,相对于准确电阻值(用于绝对均匀亮度分布)例如以大于50%、80%或95%的最低精度来确定该电阻值。
也要注意的是,当将在设置用于接触的多个触点区中的至少一个触点区上的各电阻值调节至OLED片均匀亮度分布所需要的电阻值之时,也在一个精度大于50%、80%或95%的误差范围内将该电阻值设定至相应确定出的电阻值。电阻值设定的误差范围例如可以根据在借助激光修剪过程或激光烧蚀过程调校电阻值时的误差来得到。
在用于提高在平面发光体出射面上的亮度分布的均匀性的本发明方法中,其中平面发光体具有OLED片,OLED片具有用于输入工作电流的多个触点区12和用于输出工作电流的至少一个触点区13,首先确定出在设置用于接触的多个触点区12、13中的至少一个上的、OLED片10均匀亮度分布所需的电阻值。随后,在设置用于接触的多个触点区12、13中的至少一个上的电阻值被调节到OLED片10的均匀亮度分布所需要的电阻值。
关于以上描述要指出的是,结合图1a-b、图2a-b和图3所述的实施例涉及OLED或OLED片10,而结合图4a-b所述的实施例涉及OLED模块。在此根据本发明,OLED片和OLED模块都可被归于上位概念“平面发光体”之下。
就是说,由平面发光体(OLED片或OLED模块)获得的亮度均匀性的均匀性改善的发明构思同样可用于OLED片和OLED模块。
之前结合图1a-b、图2a-b、图3和图4b所述的实施例分别示出包括触点区12、13的OLED片的俯视图。关于触点区12、13应该注意的是,用于接触层叠11的各个电极层11a、11的这些触点区可以彼此处于不同的平面内,在这里,触点区12、13例如借助绝缘间隔结构在空间上和电气上相互分隔开。
本发明不限制于结合实施例所做的说明。相反,本发明包括各个新特征以及特征任何组合,这尤其涉及权利要求中的特征的任何组合,即便该特征或该组合本身没有明确在权利要求中或实施例中提到。

Claims (20)

1.一种平面发光体,其具有以下特征:
层组结构(10),其包括第一电极层(11a)、第二电极层(11c)和至少一个位于两者间的发光层(11b),其中,设有多个用于接触该第一电极层(11a)的触点区(12)和至少一个用于接触该第二电极层(11c)的触点区(13),
其中,设置成用于接触的这些触点区(12,13)中的至少一个触点区(12,13)具有可调校的电阻件(12a,13a;21a,22a);或者,可调校的电阻件(40)被连接在设置成用于接触该第一电极层的触点区(12)与设置成用于接触该第二电极层的触点区(13)之间,
其中,所述可调校的电阻件(12a,13a;21a,22a;40)的电阻值能够被调节至经改变的电阻值。
2.根据权利要求1所述的平面发光体,其中,该可调校的电阻件(12a,13a;21a,22a;40)的电阻值能够借助激光修剪过程或激光烧蚀过程来调节。
3.根据权利要求1或2所述的平面发光体,其中,该层组结构(10)与基底件(20)相连接,所述基底件尤其是电路板,并且该基底件(20)具有在朝向该层组结构(10)的第一主表面上的中间触点区(26,27)和在第二主表面上的外触点(21,22),所述中间触点区(26,27)与该层组结构(10)的触点区(12,13)相连接,所述外触点与在该基底件(20)的该第一主表面上的对应的中间触点区(26,27)电连接,
其中,该可调校的电阻件(21a,22a)串联在位于该基底件(20)的该第一主表面上的、与该层组结构(10)的至少一个设置成用于接触的触点区(12,13)电连接的中间触点区(26,27)与对应的外触点(21,22)之间;
或者其中,具有均匀亮度分布所需的电阻值的不可调校的电阻件(21a,22a)串联在位于该基底件(20)的该第一主表面上的、与该层组结构(10)的至少一个设置成用于接触的触点区(12,13)相连接的中间触点区(26,27)与对应的外触点(21,22)之间。
4.根据前述权利要求之一所述的平面发光体,其中,该可调校的电阻件具有可修剪的厚膜电阻结构、可修剪的薄膜电阻结构、可修剪的SMD电阻件或者可修剪的集成电阻结构。
5.根据前述权利要求之一所述的平面发光体,其中,该可调校的电阻件具有可调的电位计或可编程的电子负载电路。
6.根据前述权利要求之一所述的平面发光体,其中,该层组结构(10)具有用于接触该第二电极层(11c)的多个触点区(13)。
7.根据前述权利要求之一所述的平面发光体,其中,每个设置成用于接触的所述触点区(12,13)均具有可调校的电阻件。
8.根据前述权利要求之一所述的平面发光体,其中,该第一电极层(11a)被构成为该层组结构(10)的阳极层,并且该第二电极层(11c)被构成为该层组结构(10)的阴极层。
9.根据权利要求1至7之一所述的平面发光体,其中,该第一电极层(11a)被构成为该层组结构(10)的阴极层,并且该第二电极层(11c)被构成为该层组结构(10)的阳极层。
10.一种提高平面发光体的亮度均匀性的方法,其中,该平面发光体具有层组结构(10),该层组结构包括第一电极层、第二电极层和至少一个位于两者间的发光层和多个用于接触该第一电极层的触点区以及至少一个用于接触该第二电极层的触点区,该方法包括以下步骤:
确定出在该层组结构(10)的所述用于接触的触点区(12,13)中的至少一个触点区上的、针对该层组结构的更均匀的亮度分布所需的电阻值,与不变的电阻值相比,在针对该层组结构的更均匀的亮度分布所需的电阻值的情况下得到了该层组结构(10)的更均匀的亮度分布;
将设置成用于接触的多个触点区(12,13)中的至少一个触点区上的电阻值调节为该层组结构(10)的更均匀的亮度分布所需的电阻值。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述确定步骤具有以下子步骤:分析在提供工作电流时由该层组结构(10)所达到的亮度分布的均匀性,基于该亮度分布能够确定出更均匀的亮度分布所需的电阻值。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,该分析步骤具有以下子步骤:
测定在亮度分布中的不均匀性的位置、延伸范围和/或亮度,
基于所测定的位置、延伸范围和/或亮度,确定出更均匀的亮度分布所需的电阻值。
13.根据权利要求10至12之一所述的方法,其中,所述至少一个触点区(12,13)具有可调校的电阻件(12a,13a),其中该电阻值调节步骤是借助在该可调校的电阻件(12a,13a)上的电阻调校来进行的。
14.根据权利要求10至13之一所述的方法,其中,在其中一个所述设置成用于接触该第一电极层的触点区(12)和一个设置成用于接触该第二电极层的触点区(13)之间连接有可调校的电阻件(40),其中该电阻值调节步骤是借助在该可调校的电阻件(40)上的电阻调校来进行的。
15.根据权利要求13或14所述的方法,其中,该电阻调校是借助激光修剪过程或激
光烧蚀过程来进行的。
16.根据权利要求10至15之一所述的方法,其中,该层组结构(10)与基底件(20)相连接,所述基底件尤其是电路板,并且该基底件(20)具有在朝向该层组结构(10)的第一主表面上的中间触点区和在第二主表面上的外触点(21,22),所述中间触点区与该层组结构(10)的触点区(12,13)电连接,所述外触点与在该基底件(20)的该第一主表面上的对应的中间触点区(26,27)电连接,
其中,在该电阻值调节步骤中,执行在可调校的电阻件(21a,22a)上的电阻调校,该可调校的电阻件串联连接在该基底件(20)的第一主表面上的、与该层组结构(10)的至少一个触点区(12,13)相连的中间触点区与对应的外触点(21,22)之间,
或者其中,在该电阻值调节步骤中,具有针对更均匀的亮度分布所确定的电阻值的、不可调校的电阻件(21a,22a)串联连接在该基底件(20)的第一主表面上的、与该层组结构(10)的至少一个触点区(12,13)相连接的触点区与对应的外触点(21,22)之间。
17.根据权利要求13至16之一所述的方法,其中,该可调校的电阻件具有可修剪的厚膜电阻结构、可修剪的薄膜电阻结构、可修剪的SMD电阻件或者可修剪的集成电阻结构,其中该电阻值调节步骤是借助激光修剪过程或激光烧蚀过程来执行的。
18.根据权利要求13至17之一所述的方法,其中,该可调校的电阻件具有可调的电位计或者可编程电子负载电路,其中在该电阻值调节步骤中调节该电位计的电阻值或者该可编程电子电路的电阻值。
19.根据权利要求10至18之一所述的方法,其中,该层组结构(10)还具有用于接触该第二电极层的多个触点区(13)。
20.根据权利要求10至19之一所述的方法,其中,每个设置成用于接触的所述触点区(12,13)均具有可调校的电阻件(12a,13a),其中,该电阻值的确定和调节步骤是针对设置成用于接触的多个触点区(12,13)中的每一个触点区来进行的。
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