CN102854287A - Bga器件翘曲导致焊点开裂的检测方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种BGA器件翘曲导致焊点开裂的检测方法,包括以下步骤:A、沿BGA器件的对角线进行金相切片试验,研磨抛光到锡球的中间位置;B、检查锡球的焊点是否开裂,对两端锡球和中间锡球的高度进行测量,并比较两端锡球的高度与中间锡球高度的差别,如果存在明显差别,则说明器件有翘曲,如果开裂位置的锡球高度与未开裂锡球的高度有明显差别,则说明开裂与翘曲有关;C、对开裂位置进行电镜能谱分析,查看开裂形貌、确定开裂的具体位置。本发明带来的有益效果是:本发明有效地判断出BGA器件的开裂是否与翘曲有关,并且能观察开裂的形貌及开裂的具体位置。
Description
技术领域
本发明涉及一种BGA器件失效的分析方法,特别涉及一种翘曲导致BGA器件焊点开裂的检查方法。
背景技术
翘曲是指塑件未按照设计的形状成形,发生表面的扭曲,塑件翘曲导因于成形塑件的不均匀收缩。而BGA器件翘曲会导致焊点开裂,这种翘曲导致的焊点开裂常用的检测方法如下:先对器件的表面进行测量,分析器件的表面是否有翘曲的现象,然后再用染色、电测的方法确定是否开裂。这种方法可以确定翘曲大的位置是否有开裂,但看不到锡球表面的翘曲情况及锡球的变形状况,也不能确定具体的开裂位置,因此,这种方法不能满足目前工业生产高速率、高标准的要求,需要一种更完善的方法来进行更加完善的分析。
发明内容
为了解决现有检测方法检测BGA器件翘曲导致焊点开裂问题不能分析出锡球表面的具体情况以及不能确定开裂具体位置的问题,本发明提出以下技术方案:
一种BGA器件翘曲导致焊点开裂的检测方法,包括以下步骤:
A、沿BGA器件的对角线进行金相切片试验,研磨抛光到锡球的中间位置;
B、检查锡球的焊点是否开裂,对两端锡球和中间锡球的高度进行测量,并比较两端锡球的高度与中间锡球高度的差别,如果存在明显差别,则说明器件有翘曲,如果开裂位置的锡球高度与未开裂锡球的高度有明显差别,则说明开裂与翘曲有关;
C、对开裂位置进行电镜能谱分析,查看开裂形貌、确定开裂的具体位置。
作为本发明的一种优选方案,所述步骤C中,如果发现开裂锡球的两边都有铜、镍、锡元素,则可判断出开裂位置在金属间化合物上。
本发明带来的有益效果是:本发明有效地判断出BGA器件的开裂是否与翘曲有关,并且能观察开裂的形貌及开裂的具体位置。
具体实施方式
下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
本实施例的检测样品为PCBA,失效现象为:BGA器件焊接后出现脱落现象,失效率在10%以上。
首先,对失效样品进行外观检查,未发现开裂、脱落等异常现象。
其次,对失效样品上的BGA器件进行金相切片分析,切片位置为方形BGA器件的对角线位置,切片后发现BGA两端的锡球都有开裂,中间锡球未发现开裂,开裂的位置在BGA侧,其中一锡球上下都有开裂,从锡球的形状来看,两端的锡球左右不对称,变形比较严重,而中间的锡球未发现明显变形,测量两端的锡球和中间的锡球,发现两端的锡球比中间的锡球高,最大相差79.41μm,对开裂处的位置进行电镜能谱分析,发现开裂附近有锡、铜、镍,从元素分布可以判断出开裂在金属间化合物处,金属间化合物的厚度为0.695~9.72μm。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本领域的技术人员在本发明所揭露的技术范围内,可不经过创造性劳动想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。
Claims (2)
1.一种BGA器件翘曲导致焊点开裂的检测方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:
A、沿BGA器件的对角线进行金相切片试验,研磨抛光到锡球的中间位置;
B、检查锡球的焊点是否开裂,对两端锡球和中间锡球的高度进行测量,并比较两端锡球的高度与中间锡球高度的差别,如果存在明显差别,则说明器件有翘曲,如果开裂位置的锡球高度与未开裂锡球的高度有明显差别,则说明开裂与翘曲有关;
C、对开裂位置进行电镜能谱分析,查看开裂形貌、确定开裂的具体位置。
2.根据权利要求1所述的BGA器件翘曲导致焊点开裂的检测方法,其特征在于:所述步骤C中,如果发现开裂锡球的两边都有铜、镍、锡元素,则可判断出开裂位置在金属间化合物上。
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武晓静: "BGA无铅焊点的失效分析", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑》 * |
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Date | Code | Title | Description |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20130102 |