CN102834553A - 用于生产半导体材料箔的装置和方法 - Google Patents

Abstract

一种用于生产半导体材料箔的铸造设备，包括铸造框架和基片带。铸造框架被设置用于保持熔化的半导体材料且包括侧壁，侧壁的出口侧壁位于半导体材料箔的输出位置处。出口侧壁设有出口缝。铸造设备还包括局部力施加装置，以在出口缝的位置处将局部增大的外力施加在熔化的半导体材料上，以使作用在出口缝处的熔化材料上的外部压力增大。

Description

用于生产半导体材料箔的装置和方法

本发明涉及一种用于生产结晶半导体箔的装置，该装置被设置用于从一定量的熔化的流体半导体中拉出半导体材料箔。此外，本发明涉及一种生产半导体材料箔的方法。

这样的装置例如从国际专利申请WO 2005/122287中已知的，该国际专利申请公开了一种用于生产结晶硅箔的铸造设备。

铸造设备包括可被流体硅浇注到其中的铸造框架。在进给设备的帮助下，液体硅被从熔炉浇注到铸造框架中。在铸造框架下面有基片带(substrate band)，基片带被设置成以特定的速度穿过铸造框架的下面。由于基片带是移动的，硅箔或硅片将在铸造框架的下游侧生成。硅箔可被切割成可用于制造光生-伏打设备(photo-voltaic device)的晶片。基片带可存在于多个(半)连接的基片板中，引起分开的晶片的产生。

现有技术的铸造设备的缺点是以这种方式制造的晶片常常显示出粗糙的上表面(即，无结晶表面)。该粗糙表面是由在结晶箔的顶部上拖出熔化的硅膜而引起的。在铸造加工期间，当(一部分的)基片带接触熔化的硅时，硅箔开始生长。在其穿过铸造框架的下面与熔化的硅相接触期间，硅晶片生长到其所需的厚度。在铸造框架的出口处，熔化的硅被铸造框架出口壁阻止。由于铸造框架出口壁可在垂直方向上移动以适应箔厚度的变化，因此一小量的熔化硅被从固体硅箔的顶部上的铸造框架中取出。离开铸造框架后，该液体在冷却期间以更不可控的方式结晶，造成粗糙的晶片表面。在随后的步骤中，粗糙表面必须被例如通过抛光除去。

本发明的目的是减少或克服现有技术的缺点。

根据本发明通过一种用于生产半导体材料箔的铸造设备来实现该目的，该铸造设备包括铸造框架和基片带，铸造框架被设置用于保持熔化的半导体材料且包括侧壁，侧壁的出口侧壁位于半导体材料箔的输出位置处，出口侧壁设有出口缝，其中铸造设备还包括局部力施加装置，以在出口缝的位置处将局部相对增大的外力施加在熔化的半导体材料上，以使作用在出口缝处的熔化半导体材料上的外部压力局部增大。

有利地，通过局部提供相对增大的外力以使出口缝处的局部外部压力增大，这样出口缝处的外部压力比铸造框架周围的工作压力相对更大，从而本发明允许减少液体熔化的半导体材料的拖出，并因此降低了液体半导体材料在铸造框架中的静态压力。因此，可较好地控制液体半导体材料在出口缝处的流出并减少拖出。

根据本发明的一个方面，提供了一种如上所述的铸造设备，其中力施加装置包括用于生成气体喷流的气体喷流产生器，气体喷流具有与出口缝的位置处的环境压力相比较高的压力；气体喷流产生器被设置用于将气体喷流指向出口缝。

根据本发明的一个方面，提供了一种如上所述的铸造设备，其中气体喷流产生器包括导管、用于增压气体的入口及用于产生气体喷流的引出口；入口连接到导管且导管连接到引出口。

根据本发明的一个方面，提供了一种如上所述的铸造设备，其中力施加装置包括超压设备(overpressure device)；超压设备设置在铸造设备的出口侧壁处且适合于在出口缝的位置处产生相对于外部压力的超压。

根据本发明的一个方面，提供了一种如上所述的铸造设备，其中超压设备包括压力调平室(pressure leveling chamber)、超压室及用于增压气体的入口；入口与压力调平室的进口相连接，压力调平室的出口与超压室相连通，超压室位于铸造框架的出口缝处。

根据另一个方面，提供了一种如上所述的铸造设备，其中压力调平室沿着出口侧壁的宽度延伸且适合于沿着出口侧壁的宽度调平气体的压力，且超压室大体上沿着出口缝的全部宽度延伸。

根据另一个方面，提供了一种如上所述的铸造设备，其中压力调平室在侧壁的全部宽度上连接到超压室，以在超压室中在出口缝的全部宽度上产生大体恒定的压力。

根据另一个方面，提供了一种如上所述的铸造设备，其中超压设备包括设置在压力调平室和超压室之间的第二压力调平室；压力调平室连接到第二压力调平室且第二压力调平室连接到超压室。

根据本发明的一个方面，提供了一种如上所述的铸造设备，包括作为力施加装置的导电线圈，导电线圈围绕铸造框架定位且适合于传导交流电流。

根据另一个方面，提供了一种如上所述的铸造设备，其中导电线圈通过在熔化的半导体材料中感应电流以在熔化的半导体材料中引起电磁力而适合作为力施加装置。

根据另一个方面，提供了一种如上所述的铸造设备，其中导电线圈和铸造框架被设置成引起电磁力，以在出口缝的位置处产生额外的压力，以使外部压力增大。

根据另一个方面，提供了一种如上所述的铸造设备，其中导电线圈包括一个或多个绕组，绕组以倾斜的方式定向，出口侧壁的侧部处的绕组被定位在比相对的侧壁处的绕组相对更靠近基片带的距离处，相对的侧壁处的绕组被定位在距基片带相对更大的距离处。

根据本发明的一个方面，提供了一种如上所述的铸造设备，其中交流电流为高频电流且具有在大约2kHz和大约50kHz之间的频率。

根据另一个方面，提供了一种如上所述的铸造设备，其中导电线圈还适合于通过熔化的半导体材料中的感应电流来加热熔化的半导体材料。

根据本发明的一个方面，提供了一种如上所述的铸造设备，其中铸造设备还包括用于加热半导体材料的第二加热系统。

根据本发明的一个方面，提供了一种如上所述的铸造设备，其中第二加热系统是用于辐射加热的系统。

根据本发明的一个方面，提供了一种如上所述的铸造设备，其中出口缝处的出口侧壁包括在出口侧壁的内侧上成斜角的刀刃端。

根据本发明的一个方面，提供了一种如上所述的铸造设备，包括流量限制壁(flow restriction wall)，该流量限制壁邻近基片带附接到出口侧壁的下端；流量限制壁适合于延伸出口侧壁在基片带的移动方向上的长度。

根据本发明的一个方面，提供一种用于铸造半导体箔的方法，包括：-将熔化的半导体材料浇注到铸造框架中，铸造框架包括侧壁，侧壁的出口侧壁位于半导体材料箔的输出位置处，出口侧壁设置有出口缝；-将基片带设置成以特定的速度穿过铸造框架的下面，以在铸造框架的下游侧上生成半导体箔，还包括：在出口缝的位置处，将局部相对增大的外力施加在熔化的半导体材料上，以使作用在出口缝处的熔化的半导体材料上的外部压力增大。

根据本发明的一个方面，提供了一种通过如上所述的方法生产的半导体材料箔。

根据本发明的一个方面，提供了一种通过如上所述的方法和铸造设备所生产的半导体材料箔。

有利的实施方式被从属权利要求进一步限定。

在下文中，将参考一些附图来解释本发明，这些附图仅意在用于阐述的目的而不限制如在所附的权利要求所限定的保护范围。

附图简述

图1显示了来自于现有技术的铸造设备的横截面；

图2显示了根据本发明的第一实施方式的铸造设备的横截面；

图3显示了根据本发明的第二实施方式的铸造设备的横截面；

图4显示了根据本发明的第三实施方式的铸造设备的横截面；

图5显示了根据本发明的可选择的实施方式的铸造设备的横截面；

图6显示了根据本发明的第四实施方式的铸造设备的横截面。

图7显示了根据本发明的可选择的第五实施方式的铸造设备的横截面。

实施方式的描述

图1显示了来自于现有技术的铸造设备的横截面。

铸造设备100包括可将流体硅浇注在其中的铸造框架2，其通常为矩形框架。铸造框架2通常为矩形框架且包括具有厚度t的四个侧壁。在进给设备6的帮助下，流体半导体材料4被从保持熔化的半导体材料的熔炉10浇注到铸造框架2中。在铸造框架2的下方有基片带8，基片带8被设置成以特定的铸造速度Uc穿过铸造框架2的下面。这所需要的驱动设施15被示意性地示出。

基片带8的温度被设置成使得熔化的半导体材料4在基片带8的表面上结晶。由于基片带8移动到图1中的右边，因此箔16将在铸造框架2的下游侧上在出口缝3处产生。固化箔在熔化的半导体材料下的基片带上的轮廓c以虚线17示出。在下游侧上，固化箔16稍微向上推动铸造框架2，因此铸造框架稍微倾斜并生成出口缝。半导体材料箔被以这种方式拉动。这里所描述的方法可以被称为RGS(基片上的丝带生长(Ribbon Growth onSubstrate))。RGS技术的主要优点是每小时可生产相对大量的箔。

现有技术的铸造设备的缺点是以这种方式制造的晶片常常显示出粗糙的上表面(即，无结晶表面)。该粗糙表面是由在结晶箔的顶部上拖出熔化的半导体材料膜而引起的。在铸造加工期间，当(一部分的)基片带接触液体半导体材料时，半导体材料箔开始生长。在其穿过铸造框架的下面与熔化的半导体材料相接触期间，半导体材料晶片生长到其所需的厚度。在铸造框架的出口缝3处，熔化的半导体材料被铸造框架的出口侧壁2b阻止。

铸造设备的拖出可通过下面的等式来描述：

$\mathrm{\&Phi;}=<U>H=\frac{1}{2}{U}_{C}H-\frac{1}{12\mathrm{\&eta;}}\frac{\mathrm{\&Delta;P}}{\mathrm{\&Delta;x}}{H}^3,$

其中，·是来自于铸造框架的半导体材料的流量，<U>是观察到的液体速率，Uc是铸造速度，H是缝的高度，·是液体的粘度，·P是液体的静态压力，·x是出口壁在基片带的移动方向上的长度。

在铸造框架内，熔化的半导体材料在箔的上表面上面的水平z处。静态压力·P等于液体硅柱(具有高度z)和在铸造框架的出口处的外部压力之间的压力差。

为了减少拖出，本发明认识到，通过提供包括力施加装置的铸造设备来施加外力以使外部压力增大来减少静态压力项·P。

为了这个目的，本发明提供了一种用于生产半导体材料箔的铸造设备，该铸造设备包括铸造框架和基片带，铸造框架被设置用于保持熔化的半导体材料且包括侧壁，侧壁的出口侧壁位于半导体材料箔的输出位置处，出口侧壁设有出口缝，其中铸造设备还包括力施加装置，以在出口缝的位置处将外力施加在熔化的半导体材料上，以使作用在熔化的半导体材料上的外部压力增大。

在实施方式中，力施加装置被设置成局部力施加装置，在出口缝的位置处，该局部力施加装置能够在熔化的半导体材料上产生相对增大的外力，以使作用在熔化的半导体材料上的外部压力在出口缝处局部地增大。

图2显示根据本发明的第一实施方式的铸造设备的横截面。

在与图1所示的方向相同的该横截面中，根据第一实施方式的铸造设备1包括作为力施加装置的气体喷流产生器20。这样的气体喷流产生器包括导管、用于增压气体的入口及用于产生具有与外部或环境压力相比较高的压力的气体喷流的引出口22。气体喷流产生器被设置用于产生气体喷流并使气体喷流指向出口缝。

应领会，外部或环境压力即铸造框架外部的压力，与铸造框架所处的工作空间的静态压力有关。典型的加工压力-作用在熔化的半导体材料上的铸造框架(加工室)中的压力-小于大气压力。

在非限制性实例中，铸造框架中的压力在0.1巴和0.9巴之间(绝对压力)选择且，气体喷流的压力在大约2巴和大约4巴之间(绝对压力)选择。

在气体喷流产生器内，入口连接到导管且导管连接到引出口。

气体喷流产生器的引出口22以使得产生大体上沿着铸造框架的出口缝3的宽度延伸的气体喷流的方式成形。以这样的方式，气体喷流适合于大体上沿着出口缝的全部宽度施加外部压力。

气体喷流产生器20的引出口设置在铸造设备2的出口侧壁2b处且适合于产生指向出口缝3的气体喷流。

由气体喷流所施加的压力使得与箔一起从铸造设备中的半导体材料浴(semiconductor material bath)中被拖动的熔化的半导体材料被阻止。

此外，铸造框架的出口侧壁2b可被成形为使气体喷流的效果达到最佳且可包括在侧壁2b的内侧上成斜角的刀刃端。

观察到，与出口侧壁2b上的刀刃端相结合的气体喷流更进一步地改进了拖出的减少。因此，铸造半导体材料箔的粗糙度降低。

气体喷流可包括不与半导体材料反应的气体种类。例如，气体流可包括像氩气一样的稀有气体或像氮气一样的惰性气体。

图3显示了根据本发明的第二实施方式的铸造设备的横截面。

在图3中，显示了可选择的实施方式，其中铸造框架的出口侧壁2b包括流量限制壁2e。流量限制壁2e壁邻近基片带8附接到出口侧的下端。流量限制壁2e基本上平行于基片带且适合于延伸出口壁在基片带8的移动方向上的长度·x。流量限制壁被设置成相对地靠近基片带，以形成朝着出口缝的窄通道。由于通道的小尺寸，与基片带的速度Uc相比，熔化的材料在铸造加工期间的流量减少。有利地，流量的减少产生了低压，该低压使出口缝处的静态压力ΔP减小。

此外，观察到与出口侧壁2b上的流量限制壁2e相结合的气体喷流改进了拖出的减少。

图4显示了根据本发明的第三实施方式的铸造设备的横截面。

在与图1所示的方向相同的方向上的该横截面中，根据第三实施方式的铸造设备1包括流量限制壁2e和作为力施加装置的超压设备30。

超压设备30设置在铸造设备2的出口侧壁2b处且适合于在出口缝的位置处产生相对于外部压力的超压。

超压设备30包括压力调平室32、超压室33及用于增压气体的入口31。在超压设备内，入口与压力调平室的进口相连接。压力调平室的出口与超压室相连通。超压室33位于铸造框架的出口缝处。

压力调平室沿着出口侧壁2b的宽度延伸且适合于沿着出口侧壁2b的宽度调平气体的压力。类似地，超压室基本上沿着出口缝的全部宽度延伸。优选地，在侧壁的全部宽度内，压力平衡室与超压室相通，以在出口缝的全部宽度上在超压室中产生基本上恒定的压力。

更进一步地，流量限制壁2e邻近基片带8附接到出口侧壁的下端。流量限制壁2e适合于延伸出口壁在基片带8的移动方向上的长度·x。

增压气体可包括不与半导体材料反应的气体种类。例如，气体流可包括像氩气一样的稀有气体或像氮气一样的惰性气体。

图5显示了根据本发明的可选择的实施方式的铸造设备的横截面。

在第三实施方式的该替换方案中，超压设备40包括用于增压气体的入口41、第一压力调平室42a、第二压力调平室42b及超压室43。

在超压设备内，入口与第一压力调平室的进口相连接。第一压力调平室连接到第二压力调平室。第二压力调平室与超压室相连接。超压室位于铸造框架的出口缝处。

第一压力调平室沿着出口侧壁2b的宽度延伸且适合于沿着出口侧壁2b的宽度调平气体的压力。类似地，第二压力调平室大体上沿着出口缝的全部宽度延伸。优选地，第一压力调平室在出口侧壁的全部宽度上连接到第二压力调平室。

图6显示了根据本发明的第四实施方式的铸造设备的横截面。

在与如图1所示的方向相同的方向上的该横截面中，根据第四实施方式的铸造设备1包括导电线圈50，导电线圈50围绕铸造设备定位且适合于传导高频交流电流。导电线圈50包括围绕铸造设备的周边缠绕的一个或多个绕组51。

导电线圈50通过在熔化的半导体材料中感应电流以在熔化的半导体材料中引起电磁力(洛伦兹力)而适合作为力施加装置。

铸造框架壁2b的形状和厚度以铸造框架中的感应电磁流仅部分地抵消导电线圈中产生的交变磁场的方式而被设计；未抵消的部分在熔化的半导体材料中感应电流，引起作用在熔化的半导体材料上的电磁力。

导电线圈和铸造框架的设置，以在出口缝的位置处电磁力产生使静态压力·P减少的局部增大的外部压力的方式来调整。

电磁力可由线圈51的几何形状和铸造框架2的几何形状结合诸如电流和频率的电参数来控制。

同时，导电的铸造框架和熔化的半导体材料中的感应电流引起框架和熔化的半导体材料的加热。有利地，这允许更好地控制铸造框架中的熔化的半导体材料的温度。

在另外的实施方式中，铸造设备包括用于额外加热的第二加热系统。第二加热系统以加热为基础而不是通过感应电流来加热，例如通过辐射加热。

在图6中，绕组51以倾斜的方式定向。出口侧壁2b的侧部处的绕组被定位在比相对的侧壁2a处的绕组更靠近基片带8的距离处，相对的侧壁2a处的绕组被定位在距基片带8相对更大的距离处。通过绕组的倾斜设置，施加在出口缝的位置处的熔化的半导体材料上的电磁力比施加在铸造框架内部的熔化的半导体材料4上的电磁力相对更大。因此，出口缝处的净静态压力·P被源自电磁力的压力抵消。

在出口侧壁2b的侧部处的绕组到基片带8的距离x1比在相对的侧壁2a的侧部处的绕组到基片带8的距离x2例如小至少5％。

技术人员将领会，线圈关于铸造框架的位置的不对称设置可产生随围绕铸造框架的位置而变的变化的电磁力。

图7显示了根据本发明的可选择的第五实施方式的铸造设备的横截面。

在第五实施方式中，在出口缝处的局部增大的外部压力通过线圈相对于被线圈环绕的铸造框架的水平不称设置来实现。在该实施方式中，在出口侧壁2b的侧部处的绕组被定位在比相对的侧壁2a处的绕组沿着基片带8更靠近出口侧壁2b的水平距离处，相对的侧壁2a处的绕组被定位在距相对的侧壁2a相对更大的水平距离处。在垂直方向上，在出口侧壁2b的绕组和在相对的侧壁2a处的绕组可以位于相对于基片带8相同的垂直水平处，或者在出口侧壁2b的侧部处的绕组被定位在比相对的侧壁2a处的绕组相对更靠近基片带8的距离处，相对的侧壁2a处的绕组被定位在距基片带8相对更大的距离处。

绕组到出口侧壁2b的侧部的距离x3比绕组到相对的侧壁2a的侧部的距离x4例如小至少5％。

可选地，铸造设备包括在侧壁2b的内侧上成斜角的刀刃端5。出口侧壁2b上的刀刃端提供了用于电磁力的更高的透明度且因此提供了对出口缝处的熔化的半导体材料的减少屏蔽。刀刃端5允许在电磁力和具有相对更高的电磁力值的液体硅之间的局部增强的耦合。

可选择地，根据第四实施方式的铸造框架可包括流量限制壁2e，该流量限制壁2e邻近基片带8附接到出口侧壁的下端。流量限制壁2e适合于延伸出口壁在基片带8的移动方向上的长度·x。流量限制壁的厚度适合于允许在熔化的半导体材料中感应电流，引起作用在熔化物上的电磁力。

应注意，在现有技术中，铸造框架被设置用于使出口侧壁倾斜，出口侧壁通过由固化箔被铸造而引起的铸造框架的稍微倾斜而产生。在本文所描述的实施方式中，铸造框架可被设置成倾斜的，以使出口缝在铸造期间能够通过铸造框架在铸造加工期间的倾斜而临时产生，或者铸造框架设置有可用工具加工成出口侧壁的永久出口缝。

如本领域技术人员将清楚的，在本发明的构想内，可想象本发明的其它可选择的和等价的实施方式。本发明的构想仅由所附的权利要求来限制。

Claims (21)

1.一种用于生产半导体材料箔的铸造设备，包括铸造框架和基片带，所述铸造框架被设置用于保持熔化的半导体材料且包括侧壁，所述侧壁的出口侧壁位于所述半导体材料箔的输出位置处，所述出口侧壁设有出口缝，其中所述铸造设备还包括局部力施加装置，以在所述出口缝的位置处将局部相对增大的外力施加在所述熔化的半导体材料上，以使作用在所述出口缝处的所述熔化的半导体材料上的外部压力局部增大。

2.根据权利要求1所述的铸造设备，其中所述力施加装置包括用于生成气体喷流的气体喷流产生器，所述气体喷流具有与所述出口缝的位置处的环境压力相比较高的压力；所述气体喷流产生器被设置用于将所述气体喷流指向所述出口缝。

3.根据权利要求2所述的铸造设备，其中所述气体喷流产生器包括导管、用于增压气体的入口及用于产生所述气体喷流的引出口；所述入口连接到所述导管且所述导管连接到所述引出口。

4.根据权利要求1所述的铸造设备，其中所述力施加装置包括超压设备；所述超压设备设置在所述铸造设备的所述出口侧壁处且适合于在所述出口缝的位置处产生相对于所述外部压力的超压。

5.根据权利要求4所述的铸造设备，其中所述超压设备包括压力调平室、超压室及用于增压气体的入口；所述入口与所述压力调平室的进口相连接，所述压力调平室的出口与所述超压室相连通，所述超压室位于所述铸造框架的所述出口缝处。

6.根据权利要求5所述的铸造设备，其中所述压力调平室沿着所述出口侧壁的宽度延伸且适合于沿着所述出口侧壁的宽度调平气体的压力，且所述超压室大体上沿着所述出口缝的全部宽度延伸。

7.根据权利要求6所述的铸造设备，其中所述压力调平室在所述侧壁的全部宽度上连接到所述超压室，以在所述超压室中在所述出口缝的全部宽度上产生大体恒定的压力。

8.根据权利要求5所述的铸造设备，其中所述超压设备包括设置在所述压力调平室和所述超压室之间的第二压力调平室；所述压力调平室连接到所述第二压力调平室且所述第二压力调平室连接到所述超压室。

9.根据权利要求1所述的铸造设备，包括作为力施加装置的导电线圈，所述导电线圈围绕所述铸造框架不对称地定位且适合于传导交流电流，其中所述导电线圈通过在所述熔化的半导体材料中感应电流以在所述熔化的半导体材料中引起电磁力而适合作为力施加装置。

10.根据权利要求9所述的铸造设备，其中所述导电线圈和所述铸造框架被设置成引起所述电磁力，以在所述出口缝的位置处产生附加的压力，以使所述外部压力增大。

11.根据权利要求10所述的铸造设备，其中所述导电线圈包括一个或多个绕组，所述绕组以倾斜的方式定向，所述出口侧壁的侧部处的绕组被定位在比相对的侧壁处的绕组相对更靠近所述基片带的距离处，所述相对的侧壁处的绕组被定位在距所述基片带相对更大的距离处。

12.根据权利要求10所述的铸造设备，其中所述导电线圈包括一个或多个绕组，其中所述出口侧壁的侧部处的绕组被定位在比相对的侧壁处的绕组相对更靠近所述出口侧壁沿着所述基片带的水平距离处，所述相对的侧壁处的绕组被定位在距所述相对的侧壁相对更大的水平距离处。

13.根据权利要求9-12中任一项所述的铸造设备，其中所述交流电流是高频电流且具有在大约2kHz和大约50kHz之间的频率。

14.根据权利要求9所述的铸造设备，其中所述导电线圈还适合于通过所述半导体材料中所感应的电流来加热熔化的半导体材料。

15.根据权利要求14所述的铸造设备，其中所述铸造设备还包括用于加热所述熔化的半导体材料的第二加热系统。

16.根据权利要求15所述的铸造设备，其中所述第二加热系统为用于辐射加热的系统。

17.根据前述权利要求中任一项所述的铸造设备，其中在所述出口缝处的所述出口侧壁包括在所述侧壁的内侧上成斜角的刀刃端。

18.根据前述权利要求1-17中任一项所述的铸造设备，包括流量限制壁，所述流量限制壁邻近所述基片带附接到所述出口侧壁的下端；所述流量限制壁适合于延伸所述出口侧壁在所述基片带的移动方向上的长度。

19.一种用于铸造半导体箔的方法，包括：

-将熔化的半导体材料浇注到铸造框架中，所述铸造框架包括侧壁，所述侧壁的出口侧壁位于所述半导体材料箔的输出位置处，所述出口侧壁设置有出口缝；

-将基片带设置成以特定的速度穿过所述铸造框架的下面，以在所述铸造框架的下游侧上生成所述半导体箔，

所述方法包括：

在所述出口缝的位置处，将局部相对增大的外力施加在所述熔化的半导体材料上，以使作用在所述出口缝处的所述熔化的半导体材料上的外部压力增大。

20.通过根据权利要求19所述的方法生产的半导体材料箔。

21.通过根据权利要求19所述的方法及根据权利要求1-18中任一项所述的铸造设备所生产的半导体材料箔。

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