CN102808158A - 银靶材溅射系统 - Google Patents

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郝鑫杰
罗明新
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CSMC Technologies Corp
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CSMC Technologies Corp
Wuxi CSMC Semiconductor Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种银靶材溅射系统,其包括银靶材及冷却水系统,所述银靶材设有一第一进水管路和第一回水管路,所述冷却水系统设有一第一进水管路和第二回水管路,所述冷却水系统独立设置于所述银靶材系统外,且所述第二进水管路和第二回水管路分别与第一进水管路和第一回水管路对接,所述冷却水系统内的冷却水温度低于15摄氏度,且冷却水进入银靶材的流量在10L/min以上。相较于现有技术,本发明所述的银靶材溅射系统使用低温冷却水系统冷却,取代传统的室温冷却,大大改善了冷却效果,并可使产品质量更加稳定。

Description

银靶材溅射系统
技术领域
本发明属于集成电路制成领域,涉及一种具有冷却系统的银靶材溅射系统。
背景技术
在半导体器件制备过程中,尤其是集成电路生产中,对晶圆片的背面金属化工艺是一个非常重要的制程。背面蒸发台主要用于特定制成的晶圆工艺过程,通过特定制成将金属镀于晶圆的背面,而目前使用的设备,银靶材与其他靶材(钛、镍)使用的均为普通的常温冷却水,但在现有的工艺过程中,我们发现因为银靶材需要工艺的时间较长,会出现部分银溶化的现象,在晶圆表面形成黑色的点状物,从而影响产品的质量。
从现有的设备情况来看,银靶材使用的冷却水与其他进行溅射工艺的靶材一样,使用的是常温的冷却水,一般温度在19摄氏度,其来自于设备自带的冷却水系统,这种方法可以起到一定的对靶材降温冷却的效果,但对于长时间的工艺过程而言,并不能满足需要,尤其是对使用银靶材进行溅射作业的情况,因为产品质量与银靶材的冷却情况密不可分,而所述自带冷却水系统所用的冷却水是只是常温,无法提供更佳的冷却效果,从而无法提高晶圆出片的产品质量。
鉴于上述问题,有必要提供一种具有改良型冷却水系统的银靶材溅射系统来解决上述问题。
发明内容
本发明所解决的技术问题在于提供一种银靶材溅射系统,其通过改善的冷却水系统大大提高冷却效果,并由此提高产品的质量。
为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:一种银靶材溅射系统,其包括银靶材及冷却水系统,所述银靶材设有一第一进水管路和第一回水管路,所述冷却水系统设有一第一进水管路和第二回水管路,所述冷却水系统独立设置于所述银靶材系统外,且所述第二进水管路和第二回水管路分别与第一进水管路和第一回水管路对接,所述冷却水系统内的冷却水温度低于15摄氏度,且冷却水进入银靶材的流量在10L/min以上。
进一步地,所述的第一、第二进水管路和第一、第二回水管路的管道外壁上设有隔热保护层。
进一步地,所述冷却水的压力在50PSI以下,但不低于30PSI。
相较于现有技术,本发明所述的银靶材溅射系统使用低温冷却水系统冷却,取代传统的室温冷却,大大改善了冷却效果,并可使产品质量更加稳定。
具体实施方式
本发明提供一种银靶材溅射系统,其包括银靶材及冷却水系统,所述银靶材设有一第一进水管路和第一回水管路,所述冷却水系统设有一第一进水管路和第二回水管路,所述冷却水系统独立设置于所述银靶材系统外,并通过第二进水管路和第二回水管路分别与第一进水管路和第一回水管路的对接,实现了冷却水系统与银靶材的连接,利用冷却水系统的低温冷却水对银靶材进行冷却,该冷却水系统可以是任何一种具有低温冷却水的系统,例如在半导体制程领域中经常使用的冷却水循环设备(又叫冷却机)。
本发明所述的银靶材溅射系统将银靶材方向的冷却水进水管路和回水管路关掉,不再使用自带的冷却水系统(一般温度在19摄氏度),而与一全新的所述冷却水系统连接,所述冷却水系统的第二进水管路和第二回水管路分别与所述银靶材的第一进水管路和第二回水管路相接,运作时,保证冷却水系统可以提供循环冷却水的水温度低于室温15摄氏度左右,保证进入银靶材的冷却水的流量在10L/min以上,压力在50PSI以下,但不低于30PSI。
另外,由于进入银靶材内的冷却水温度较室温较低,所述进水管路和回水管路均会产生冷凝水,因此,本发明所述的进水管路和回水管路的管道外壁上均采取了隔热保护层,一方面以保证若管路过长造成低温冷却水冷却效果下降,另一方面也保证了管道不会产生冷凝水滴落而污染环境或造成设备、电子元件短路等其他异常。相比于现有技术中普通的常温冷却而言,使用本发明所述的低温冷却水系统冷却,可以使银靶材的工艺时间更长,所加的功率更大,在相同的工艺制程下使产品质量更加稳定。
以上所述,仅是本发明的最佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制。任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围情况下,利用上述揭示的方法内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰,均属于权利要求书保护的范围。

Claims (3)

1.一种银靶材溅射系统,其包括银靶材及冷却水系统,所述银靶材设有一第一进水管路和第一回水管路,所述冷却水系统设有一第一进水管路和第二回水管路,所述冷却水系统独立设置于所述银靶材系统外,且所述第二进水管路和第二回水管路分别与第一进水管路和第一回水管路对接,其特征在于:所述冷却水系统内的冷却水温度低于15摄氏度,且冷却水进入银靶材的流量在10L/min以上。
2.如权利要求1所述的银靶材溅射系统,其特征在于:所述的第一、第二进水管路和第一、第二回水管路的管道外壁上设有隔热保护层。
3.如权利要求2所述的银靶材溅射系统,其特征在于:所述冷却水的压力在50PSI以下,但不低于30PSI。
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Applicant after: Wuxi Huarun Shanghua Technology Co., Ltd.

Address before: 214028 Wuxi provincial high tech Industrial Development Zone, Hanjiang Road, No. 5, Jiangsu, China

Applicant before: Wuxi CSMC Semiconductor Co., Ltd.

Applicant before: Wuxi Huarun Shanghua Technology Co., Ltd.

C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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