CN102808148B - 一种触摸屏表面防指纹薄膜的制备方法 - Google Patents
一种触摸屏表面防指纹薄膜的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102808148B CN102808148B CN201110142207.9A CN201110142207A CN102808148B CN 102808148 B CN102808148 B CN 102808148B CN 201110142207 A CN201110142207 A CN 201110142207A CN 102808148 B CN102808148 B CN 102808148B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- preparation
- magnetron sputtering
- silicon
- dioxide
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003666 anti-fingerprint Effects 0.000 title claims abstract description 48
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 68
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 claims abstract description 34
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 34
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 33
- 210000001161 mammalian embryo Anatomy 0.000 claims description 24
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 20
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 11
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 claims description 11
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 11
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 11
- 239000003921 oil Substances 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 9
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 8
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims description 8
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 8
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 8
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 5
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 11
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N hexadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000004087 circulation Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000005065 mining Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
本发明提供了一种触摸屏表面防指纹薄膜的制备方法。该方法包括在氩气气氛下，采用磁控溅射在玻璃基材表面形成防指纹薄膜，其中，磁控溅射采用的靶材含有二氧化硅和含氟有机物。通过该方法制备得到的防指纹薄膜不粘指纹，防污效果好，同时，该薄膜在基材表面的附着力强，且适用于大尺寸触摸屏。
Description
技术领域
本发明涉及一种防指纹薄膜的制备方法，尤其是用于触摸屏表面的防指纹薄膜的制备方法。
背景技术
随着电子工业的发展，触摸屏的应用越来越广泛，从最初的小屏幕手机、MP3，到现在大尺寸屏幕的电脑、ATM、医疗、工业控制设备及显示器和电视机。特别是近两年，平板电脑的推出带动了触摸屏技术的发展，这一技术也正逐渐应用到其他的便携电子产品上。随着手机市场规模持续增加，以及对手机智能化、便捷化程度要求越来越高，触摸屏作为一种最为友善的人机接口在手机上的应用也会越来越普及。触摸屏在带来方便、舒适和快捷的同时，因手指经常触碰屏幕表面留下指纹印和油污，不易清洗，时间一长就会对影响屏幕的正常使用。
发明内容
为了克服现有技术中的触摸屏在使用过程中表面易粘留指纹印和油污的问题，本发明提供了一种触摸屏表面防指纹薄膜的制备方法，通过该方法制备得到的防指纹薄膜不粘指纹，防污效果好，同时，该薄膜在基材表面的附着力强，且适用于大尺寸触摸屏。
本发明公开的触摸屏表面防指纹薄膜的制备方法包括在氩气气氛下，采用磁控溅射在玻璃基材表面形成防指纹薄膜，其中，磁控溅射采用的靶材含有二氧化硅和含氟有机物。
本发明中，通过采用含有二氧化硅和含氟有机物的靶材，在玻璃基材表面形成含有硅、碳和氟的防指纹薄膜，其透光率高，用于触摸屏表面时对触摸屏的亮度无影响；并且，防指纹薄膜的防污效果非常好；而且，该薄膜在玻璃基材表面的附着力非常高，使用寿命长。
另外，对于本发明公开的制备方法，适用于大尺寸的防指纹薄膜制作，对于大尺寸的触摸屏（如平板电脑触摸屏），本发明公开的方法同样适用，其生产效率高。
具体实施方式
为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明公开的触摸屏表面防指纹薄膜的制备方法包括在氩气气氛下，采用磁控溅射在玻璃基材表面形成防指纹薄膜，其中，磁控溅射采用的靶材含有二氧化硅和含氟有机物。
本发明公开的方法中，通过采用含有二氧化硅和含氟有机物的靶材，在玻璃基材表面形成含有硅、碳和氟的防指纹薄膜，在大大提高薄膜防指纹效果的同时，赋予了其非常高的光线透过率、耐磨性和附着力。
上述含有二氧化硅和含氟有机物的靶材中，含氟有机物可以为各种含氟的有机化合物，例如聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯中的一种或多种，优选情况下，所述靶材中，以硅和氟的摩尔数计，二氧化硅和聚四氟乙烯摩尔比为0.1-1：1。进一步优选情况下，所述含氟有机物为聚四氟乙烯，即所述靶材为二氧化硅和聚四氟乙烯的混合靶材。
进一步的，为了提高靶材中各成分能更均匀的分散，使磁控溅射后形成的防指纹薄膜防指纹效果、透光性和耐磨性能更佳，优选情况下，所述靶材通过如下方法制备得到：将二氧化硅和聚四氟乙烯颗粒混合，然后拌油、熟化，再经过装胚、出胚，并进行烧结成胚，经车削后得到靶材。上述拌油、熟化和烧结的方法为本领域技术人员所公知的，例如所述拌油的方法可以为将二氧化硅和聚四氟乙烯颗粒与5wt%的石墨混合均匀；所述熟化方法可以为在250℃静置30min；所述烧结方法可以为330-380℃烧结30min。
将靶材准备好之后，即可进行磁控溅射。所述磁控溅射可以采用现有的各种方式的磁控溅射，例如可采用射频磁控溅射。本发明中，所述磁控溅射可采用现有技术中的设备完成，例如可采用13.56MHz、3KW的射频电源作为工作电源的磁控溅射镀膜机（北京北仪真空JP-900A）完成。
本发明中，所述磁控溅射方法和条件没有太大限制，优选情况下，所述磁控溅射方法为：将真空室抽真空至5.0×10-3Pa以下，然后充入氩气，直至气压为0.3-2.0Pa，调整偏压为50-500V，占空比为15-90%，以300-3000W的功率溅射为5-25min。优选情况下，偏压为50-250V，占空比为40-60%，以900-1500W的功率溅射为8-15min。
进一步优选情况下，所述磁控溅射在恒定的功率下进行。
本发明中，磁控溅射时，以氩气作为工作气体，具体的，氩气的流量为200-500sccm。如现有技术中公知的，上述氩气为纯度大于99.99%的氩气，可通过商购得到。
根据本发明，所述磁控溅射时还可以通入反应气体，进一步提高制备得到的防指纹薄膜的防指纹效果、透光性和耐磨性能。优选情况下，所述反应气体为SiF4和/或CF4。进一步的，所述氩气与反应气体的流量比为1：0.1-1。当反应气体中同时含有SiF4和CF4时，SiF4和CF4的流量比为0.1-1：1。
为了提高制备得到的防指纹薄膜在玻璃基材表面的附着力和透光率，优选情况下，在进行所述磁控溅射之前，还包括对玻璃基材进行超声波清洗处理。所述超声波清洗的方法为本领域常用的，例如在20KHz的超声中水洗5-15min。
进一步的，在进行所述磁控溅射之前，还包括对玻璃基材进行离子轰击处理；所述离子轰击处理的方法为：将玻璃基材放置在工件架上，将真空室抽真空至1.0×10-2-8.0×10-2Pa，充入氩气，至真空室气压为0.1-5.0Pa，然后在偏压为200-1000V、占空比为20-70%的条件下轰击5-20min。更优选为将真空室抽真空至1.0×10-2-8.0×10-2Pa，充入氩气，至真空室气压为0.5-3.0Pa，然后在偏压为400-800V、占空比为35-55%的条件下轰击8-15min。通过上述离子轰击处理，可大大提高后续制备得到的防指纹薄膜在玻璃基材表面的附着力和透光率。
优选情况下，当在进行所述磁控溅射之前，同时包括超声清洗和离子轰击处理时，可先对玻璃基材进行超声清洗，然后进行离子轰击处理。
通过上述处理即可在玻璃基材表面形成的防指纹薄膜，优选情况下，所述防指纹薄膜的厚度为10-30nm，可保证其具有优异的透光率和防指纹效果。
下面通过实施例对本发明进行进一步说明。
实施例1
本实施例用于说明本发明公开的触摸屏表面防指纹薄膜的制备方法。
将二氧化硅和聚偏氟乙烯颗粒混合（以硅和氟的摩尔数计，二氧化硅和聚偏氟乙烯的摩尔比为0.1：1），然后拌油、熟化，再经过装胚、出胚，并进行烧结成胚，经车削后得到含有二氧化硅和聚偏氟乙烯的靶材。
将玻璃基材放入真空炉，关炉门，开启真空泵进行抽空，抽空至1.2×10-3帕，以200sccm的流量通入氩气调整真空度为0.8帕。开射频电源，靶电源功率为500W，偏压为50V，占空比为20%，时间为20分钟。冷却3min后出炉。得到厚度为25nm的表面具有防指纹薄膜的样品S1。
实施例2
本实施例用于说明本发明公开的触摸屏表面防指纹薄膜的制备方法。
将二氧化硅和聚四氟乙烯颗粒混合（以硅和氟的摩尔数计，二氧化硅和聚四氟乙烯的摩尔比为1：1），然后拌油、熟化，再经过装胚、出胚，并进行烧结成胚，经车削后得到含有二氧化硅和聚四氟乙烯的靶材。
将玻璃基材在20KHz的超声中水洗10min。
将清洗后的玻璃基材放入真空炉，关炉门，开启真空泵进行抽空，抽空至1.2×10-3帕，以500sccm的流量通入氩气调整真空度为1.8帕。开射频电源，靶电源功率为2500W，偏压为500V，占空比为80%，时间为6分钟。冷却3min后出炉。得到厚度为12nm的表面具有防指纹薄膜的样品S2。
实施例3
本实施例用于说明本发明公开的触摸屏表面防指纹薄膜的制备方法。
将二氧化硅和聚四氟乙烯颗粒混合（以硅和氟的摩尔数计，二氧化硅和聚四氟乙烯的摩尔比为0.4：1），然后拌油、熟化，再经过装胚、出胚，并进行烧结成胚，经车削后得到含有二氧化硅和聚四氟乙烯的靶材。
将玻璃基材放入真空炉，关炉门，开启真空泵进行抽空，抽空至1.2×10-2帕，以300sccm的流量通入氩气调整真空度为1.5帕，偏压为300伏，占空比30%，进行离子轰击处理，时间为18分钟。然后开射频电源，靶电源功率为1200W，偏压为300V，占空比为40%，时间为8分钟。冷却3min后出炉。得到厚度为15nm的表面具有防指纹薄膜的样品S3。
实施例4
本实施例用于说明本发明公开的触摸屏表面防指纹薄膜的制备方法。
将二氧化硅和聚四氟乙烯颗粒混合（以硅和氟的摩尔数计，二氧化硅和聚四氟乙烯的摩尔比为0.6：1），然后拌油、熟化，再经过装胚、出胚，并进行烧结成胚，经车削后得到含有二氧化硅和聚四氟乙烯的靶材。
将玻璃基材在20KHz的超声中水洗10min。
将清洗后的玻璃基材放入真空炉，关炉门，开启真空泵进行抽空，抽空至1.2×10-2帕，以300sccm的流量通入氩气调整真空度为1.5帕，偏压为900伏，占空比60%，进行离子轰击处理，时间为6分钟。然后开射频电源，靶电源功率为1000W，偏压为200V，占空比为60%，时间为10分钟。冷却3min后出炉。得到厚度为15nm的表面具有防指纹薄膜的样品S4。
实施例5
本实施例用于说明本发明公开的触摸屏表面防指纹薄膜的制备方法。
将二氧化硅和聚四氟乙烯颗粒混合（以硅和氟的摩尔数计，二氧化硅和聚四氟乙烯的摩尔比为0.3：1），然后拌油、熟化，再经过装胚、出胚，并进行烧结成胚，经车削后得到含有二氧化硅和聚四氟乙烯的靶材。
将玻璃基材在20KHz的超声中水洗20min。
将清洗后的玻璃基材放入真空炉，关炉门，开启真空泵进行抽空，抽空至1.2×10-2帕，以300sccm的流量通入氩气调整真空度为1.5帕，偏压为600伏，占空比50%，进行离子轰击处理，时间为8分钟。通入反应气体CF4，调节氩气和CF4流量比为1：0.5，使真空度为1.5帕。然后开射频电源，靶电源功率为1000W，偏压为200V，占空比为50%，时间为10分钟。冷却3min后出炉。得到厚度为15nm的表面具有防指纹薄膜的样品S5。
实施例6
本实施例用于说明本发明公开的触摸屏表面防指纹薄膜的制备方法。
将二氧化硅和聚四氟乙烯颗粒混合（以硅和氟的摩尔数计，二氧化硅和聚四氟乙烯的摩尔比为0.3：1），然后拌油、熟化，再经过装胚、出胚，并进行烧结成胚，经车削后得到含有二氧化硅和聚四氟乙烯的靶材。
将玻璃基材在20KHz的超声中水洗20min。
将清洗后的玻璃基材放入真空炉，关炉门，开启真空泵进行抽空，抽空至1.2×10-2帕，以300sccm的流量通入氩气调整真空度为1.5帕，偏压为600伏，占空比50%，进行离子轰击处理，时间为8分钟。通入反应气体SiF4和CF4，调节氩气和反应气体流量比为1：1，其中，SiF4和CF4流量比为0.6：1，使真空度为1.5帕。然后开射频电源，靶电源功率为1000W，偏压为200V，占空比为50%，时间为10分钟。冷却3min后出炉。得到厚度为15nm的表面具有防指纹薄膜的样品S6。
对比例1
本对比例用于对比说明本发明公开的触摸屏表面防指纹薄膜的制备方法。
制备方法与实施例4相同，不同的是，采用的靶材中不含有聚四氟乙烯，即靶材全部为二氧化硅，制备得到具有防指纹薄膜的样品D1。
对比例2
本对比例用于对比说明本发明公开的触摸屏表面防指纹薄膜的制备方法。
制备方法与实施例4相同，不同的是，采用的靶材中不含有二氧化硅，即靶材全部为聚四氟乙烯，制备得到具有防指纹薄膜的样品D2。
性能测试
对上述制备得到的样品S1-S6、D1和D2进行如下性能测试。
1、透光率测试
采用LCD-5200光电特性测试仪，扫描380-780nm波段，按照GBT2680-1994公开的太阳光各波段分布特性，计算各样品以及玻璃表面针对可见光的透光率i。
2、接触角测试
以接触角测量仪（德国Dataphysics公司生产的型号为OCA20；主要技术指标为：接触角测量范围：0-180°，测量精度：±0.1°）测定十六烷在样品表面的接触角，采用即滴即测的方式测试。
3、耐摩擦测试
采用耐磨擦测试机（型号为HD-206），接触面为0000#钢丝绒，接触面积2cm×2cm，负重500g，行程35mm，摩擦速度为50循环/分。测试1000次后再进行接触角测试。
4、附着力测试
用百格刀在漆层表面划100个1毫米×1毫米的正方形格，用美国3M公司生产的型号为600的透明胶带平整粘结在方格上，不留一丝空隙，然后以最快速度垂直揭起，观察划痕边缘处有无薄膜脱落，测试薄膜的完好率。
以上测试得到的结果填入表1。
表1
。
从表1的测试结果可以看出，通过本发明公开的方法制备的防指纹薄膜具有非常高的接触角，说明其具有优异的防指纹效果，并且其附着力非常强。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种触摸屏表面防指纹薄膜的制备方法，包括在氩气气氛下，采用磁控溅射在玻璃基材表面形成防指纹薄膜，其中，磁控溅射采用的靶材含有二氧化硅和含氟有机物；所述靶材为二氧化硅和聚四氟乙烯的混合靶材，其中，以硅和氟的摩尔数计，二氧化硅和聚四氟乙烯的摩尔比为0.1-1：1；所述磁控溅射时还通入反应气体，所述反应气体为SiF4和/或CF4；所述氩气与反应气体的流量比为1：0.1-1。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述靶材通过如下方法制备得到：将二氧化硅和聚四氟乙烯颗粒混合，然后拌油、熟化，再经过装胚、出胚，并进行烧结成胚，经车削后得到靶材。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射方法为：将真空室抽真空至5.0×10-3Pa以下，然后充入氩气，直至气压为0.3-2.0Pa，调整偏压为50-500V，占空比为15-90%，以300-3000W的功率溅射为5-25min。
4.根据权利要求1或3所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射为射频磁控溅射，所述磁控溅射在恒定的功率下进行。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述氩气的流量为200-500sccm。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在进行所述磁控溅射之前，还包括对玻璃基材进行超声波清洗处理。
7.根据权利要求1、2、3、6中任意一项所述的制备方法，其特征在于，在进行所述磁控溅射之前，还包括对玻璃基材进行离子轰击处理；所述离子轰击处理方法为：将玻璃基材放置在工件架上，将真空室抽真空至1.0×10-2-8.0×10-2Pa，充入氩气，至真空室气压为0.1-5.0Pa，然后在偏压为200-1000V、占空比为20-70%的条件下轰击5-20min。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在玻璃基材表面形成的防指纹薄膜厚度为10-30nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110142207.9A CN102808148B (zh) | 2011-05-30 | 2011-05-30 | 一种触摸屏表面防指纹薄膜的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110142207.9A CN102808148B (zh) | 2011-05-30 | 2011-05-30 | 一种触摸屏表面防指纹薄膜的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102808148A CN102808148A (zh) | 2012-12-05 |
| CN102808148B true CN102808148B (zh) | 2016-03-30 |
Family
ID=47232017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110142207.9A Expired - Fee Related CN102808148B (zh) | 2011-05-30 | 2011-05-30 | 一种触摸屏表面防指纹薄膜的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102808148B (zh) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103882392A (zh) * | 2012-12-21 | 2014-06-25 | 比亚迪股份有限公司 | 一种防指纹薄膜的制备方法及防指纹薄膜 |
| CN103882391A (zh) * | 2012-12-21 | 2014-06-25 | 比亚迪股份有限公司 | 一种防指纹抗菌薄膜的制备方法及防指纹抗菌薄膜 |
| CN103252937B (zh) * | 2013-05-31 | 2016-01-20 | 浙江星星瑞金科技股份有限公司 | 显示屏的高耐磨性防指纹膜层及制作上述膜层的方法 |
| CN103434203B (zh) * | 2013-07-17 | 2015-11-18 | 东明兴业科技股份有限公司 | 抗指纹薄膜及其制备方法 |
| CN103500043A (zh) * | 2013-08-29 | 2014-01-08 | 江苏宇天港玻新材料有限公司 | 一种无须搭桥的防污ogs触摸屏及其形成方法 |
| CN104424420B (zh) * | 2013-08-30 | 2017-07-04 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 电子装置 |
| CN104746022B (zh) * | 2013-12-25 | 2018-09-11 | 比亚迪股份有限公司 | 一种防指纹薄膜的制备方法及防指纹薄膜 |
| CN105401124A (zh) * | 2015-11-17 | 2016-03-16 | 苏州安洁科技股份有限公司 | 一种对刀模进行镀膜的加工方法 |
| CN106843608A (zh) * | 2016-12-13 | 2017-06-13 | 成都艾德沃传感技术有限公司 | 一种触摸屏玻璃加工方法 |
| CN108968700A (zh) * | 2017-06-01 | 2018-12-11 | 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 | 陶瓷镶嵌金属内锅和烹饪器具 |
| CN107447198A (zh) * | 2017-09-29 | 2017-12-08 | 深圳传音制造有限公司 | 一种铝合金产品及其制备方法和终端外壳 |
| CN110077090A (zh) * | 2019-05-16 | 2019-08-02 | 东莞市金材五金有限公司 | 一种用于耐摩擦防指纹覆膜的生产方法 |
| CN112034929B (zh) * | 2019-06-03 | 2022-10-18 | 华为技术有限公司 | 一种折叠显示屏、折叠显示屏的制作方法及终端设备 |
| CN111826622B (zh) * | 2020-06-10 | 2022-11-01 | 深圳市锐欧光学股份有限公司 | 一种手机摄像头盖板镀膜方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101369467A (zh) * | 2007-08-13 | 2009-02-18 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 保护屏及其制备方法以及采用该保护屏的显示装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1146617C (zh) * | 2000-06-22 | 2004-04-21 | 浦项综合制铁株式会社 | 含水的聚氨酯树脂组合物的制备 |
| CN101215438B (zh) * | 2008-01-03 | 2010-12-08 | 海门市森达装饰材料有限公司 | 抗污耐老化不锈钢涂料及其制备方法 |
| CN101775243B (zh) * | 2009-01-12 | 2012-08-29 | 毅嘉科技股份有限公司 | 涂层结构、用于形成其的化学组合物、及形成其的方法 |
| CN201371616Y (zh) * | 2009-03-30 | 2009-12-30 | 天津美泰真空技术有限公司 | 手机保护屏用聚合板材抗手指纹膜 |
-
2011
- 2011-05-30 CN CN201110142207.9A patent/CN102808148B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101369467A (zh) * | 2007-08-13 | 2009-02-18 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 保护屏及其制备方法以及采用该保护屏的显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102808148A (zh) | 2012-12-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102808148B (zh) | 一种触摸屏表面防指纹薄膜的制备方法 | |
| Szyszka et al. | Transparent and conductive ZnO: Al films deposited by large area reactive magnetron sputtering | |
| CN103031528B (zh) | 一种防指纹薄膜的制备方法及由该方法制备的防指纹薄膜 | |
| CN101465172A (zh) | 复合结构透明导电膜及其制备方法 | |
| Xu et al. | Effect of growth temperature and coating cycles on structural, electrical, optical properties and stability of ITO films deposited by magnetron sputtering | |
| Liu et al. | ZnO/Cu/ZnO multilayer films: Structure optimization and investigation on photoelectric properties | |
| TW202113148A (zh) | 電子設備及其鋼化加強膜和製備方法及應用 | |
| Fu et al. | Research on surface modification and infrared emissivity of In2O3: W thin films | |
| Lohner et al. | Optical analysis of room temperature magnetron sputtered ITO films by reflectometry and spectroscopic ellipsometry | |
| CN103882392A (zh) | 一种防指纹薄膜的制备方法及防指纹薄膜 | |
| CN101508192A (zh) | 手机保护屏用聚合板材抗手指纹膜及其制备方法 | |
| Lallement et al. | Modelling of fluorine based high density plasma for the etching of silica glasses | |
| CN103252937A (zh) | 显示屏的高耐磨性防指纹膜层及制作上述膜层的方法 | |
| CN205347235U (zh) | 一种防蓝光、抗刮伤玻璃 | |
| CN102181826B (zh) | 镓钼共掺杂铟锡氧化物陶瓷靶、透明导电薄膜及制备方法 | |
| Bunn et al. | A semi-empirical model for tilted-gun planar magnetron sputtering accounting for chimney shadowing | |
| CN104746022B (zh) | 一种防指纹薄膜的制备方法及防指纹薄膜 | |
| CN103882391A (zh) | 一种防指纹抗菌薄膜的制备方法及防指纹抗菌薄膜 | |
| Kim et al. | Effects of bombardment of negative oxygen ions on amorphous indium gallium zinc oxide thin films by superimposed rf/dc magnetron sputtering | |
| Yang et al. | Uniform films deposited on convex surfaces by magnetron sputtering with a small target | |
| CN105741916B (zh) | 一种柔性透明电极及其制备方法 | |
| Liu et al. | Effect of Sputtering Power on Nano-mechanical Properties of SiCO Film | |
| CN106222618B (zh) | SnO2掺杂ZnO溅射靶材的制备方法 | |
| Dubost et al. | Growth of nodular defects during film deposition | |
| CN107287557A (zh) | 一种新型防指纹硬质复合膜及其生产工艺 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160330 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |