CN102804362B - 光电子器件和其制造方法 - Google Patents

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Abstract

光电子器件包括包含热固性塑料的壳体（1）、在壳体（1）中的凹部（2）、设置在凹部（2）中的发射辐射的构件（3），其中热固性塑料包括选自下述的材料：氨基塑料热固性塑料、尿素热固性塑料、三聚氰胺甲醛热固性塑料、团状模塑料、聚酯树脂、酚醛树脂、乙烯基酯树脂，并且其中光电子器件具有注塑点（4）。

Description

光电子器件和其制造方法
相关申请引用
本专利申请要求德国专利申请102010012039.1的优先权，其公开内容通过参引并入本文。
技术领域
提出一种根据权利要求1所述的光电子器件。
背景技术
光电子器件普遍存在的问题是，为其找到一种材料，所述材料符合所提出的要求，并且同时还能够被良好地加工。
发明内容
本发明的实施形式的目的在于，不仅找到适合的材料，而且也找到适合的方法，使得器件具有期望的稳定性，然而也能够良好地加工所述材料。
所述目的通过一种根据权利要求1所述的光电子器件实现。光电子器件的其他实施形式以及用于制造所述光电子器件的方法是其他从属权利要求的主题。
本发明的实施形式涉及一种光电子器件，其包括：
–壳体，其包括热固性塑料，
–在壳体中的凹部，
–发射辐射的构件，其设置在凹部中，
其中热固性塑料包括选自下述的材料：氨基塑料热固性塑料、尿素热固性塑料、三聚氰胺甲醛热固性塑料、湿聚酯热固性塑料、团状模塑料（BMC）、聚酯树脂、酚醛树脂、乙烯基酯树脂，并且其中光电子器件具有注塑点。
由于壳体包括上面列举的热固性塑料，所述壳体与由热塑性塑料成形的壳体相比，具有明显的优点。与热塑性材料相反，固有地具有横向交联而使得构成三维网的热固性塑料具有明显更好的化学和物理稳定性。因此，热固性塑料例如具有更高的温度稳定性和辐射稳定性，以及具有更高的机械稳定性。因此，更大的表面硬度保护光电子器件的壳体免于机械损伤。改进的热稳定性一方面使得在光电子器件的制造过程中以及另一方面在其后的光电子器件例如固定在其他器件上的方法步骤中能够使用甚至更高的温度。当发射辐射的构件在也具有UV部分（紫外部分）的波长范围中发射时，提高的辐射稳定性首先证实为是有利的。对于例如由辐射发射的构件发射的辐射的稳定性减少主要是直接暴露于辐射的壳体区域的老化现象。由于对于所述辐射的更高的稳定性，能够提高壳体的寿命，从而提高整个光电子器件的寿命。通过使用热固性塑料，也提高壳体的化学稳定性，这例如也包括对于溶剂的提高的稳定性。因此，在壳体的或光电子器件的制造中，例如能够利用更大量的可能的溶剂。
至今为止，热固性塑料的问题是，所述热固性塑料只能够困难地以注塑方法或压铸方法加工。
所述问题通过上面列举的热固性塑料解决。在适当地选择方法参数时，在此提出的热固性塑料能够良好地以注塑方法或压铸方法加工。如果壳体借助这样的方法制成，那么在制造期间，所述壳体在下述部位具有凸出部，制成壳体的材料在所述部位处喷入到模具中。在制造过程期间，凸出部从壳体分离，其中注塑点构造在壳体上。注塑点为这样的部位，在所述注塑点处凸出部首先与壳体连接。所述注塑点是特有的特征，以用于借助于注塑方法或压铸方法制造壳体。注塑点例如能够为小的凸出部，但还或者是表面的相应的结构化部，所述结构化部通过凸出部的分离过程在壳体的表面上形成。通过注塑点也还能够在制成的光电子器件上确认所述光电子器件借助于注塑方法或压铸方法制成。
借助于注塑方法，能够以极其好的质量来低成本地大批量制造。
在压铸方法（“传递模塑”）中，热固性塑料能够借助于活塞从例如加热的预燃室通过分配通道喷入到模具中，然后在所述模具中在热和压力作用下硬化。在使用热固性塑料时，所述方法提供的优点是，热固性塑料的运输线路是短的，并且在压入到工具中之前能够避免硬化。在压铸方法中，压力优选为50bar至500bar。
在本发明的另一实施形式中，热固性塑料包括选自下述的材料：尿素甲醛树脂、三聚氰胺甲醛树脂、不饱和的聚酯（UP）。
所述三种树脂证实是特别有利的。所述三种树脂具有非常良好的温度稳定性和辐射稳定性，并且然而能够极其好地借助于注塑方法或压铸方法加工。此外，所述树脂具有的优点是，其能够染成白色。因此，壳体的部分区域成形为反射器是特别有利的。因此，反射器的朝向发射辐射的构件的内侧例如能够染成白色。通过染色，壳体的所述部分的反射率提高，这致使光电子器件的更高的光输出。此外，三种列举的树脂具有极其好的对于照射的稳定性，这也顺带包括UV光的照射。因此，树脂也适用于制造光电子器件，所述光电子器件具有发射辐射的构件，所述发射辐射的构件发射也具有UV部分的波长范围。
此外，基于三聚氰胺树脂以及不饱和的聚酯的热固性塑料具有极其好的刚性和表面硬度。这给予壳体对于到壳体上的机械作用特别好的稳定性。由此，能够减少机械损伤和在壳体表面的变形，这此外能够提高壳体的寿命。
在本发明的另一实施形式中，热固性塑料包括氨基塑料。
氨基塑料具有特别好的流动特性，因此氨基塑料特别好地适用于使用在注塑方法中。由此例如可能的是，与在其他热固性塑料中必需的压力相比，在制造过程中借助于更低的压力工作。
在另一实施形式中，热固性塑料附加地包括作为填充物的纤维。
纤维例如能够为玻璃纤维或也能够为纤维素纤维。通过将所述纤维添加到热固性塑料中，主要改进壳体的机械特性。能够通过纤维明显地提高壳体对于拉应力和剪切应力的稳定性。纤维能够以其长度匹配于相应的要求。
在本发明的另一实施形式中，热固性塑料附加地包括作为填充物的材料，所述材料选自：矿物填充物、二氧化钛。
二氧化钛例如能够使用于将壳体或壳体的部分区域染色。通过染色例如能够提高壳体的反射率和辐射稳定性。
例如能够通过将矿物填充物添加给热固性塑料来提高其温度稳定性。但是也能够实现提高的机械的和/或电的强度，如改进的爬电强度。矿物填充物例如能够以粉末或微粒的形式添加。
矿物填充物例如能够为硅灰石，其是纤维形式的矿物填充物。所述矿物填充物改进热固性塑料的机械特性。这例如也能够涉及白垩、CaCO3，其改进表面质地以及机械特性。
在本发明的另一实施形式中，热固性塑料附加地包括作为填充物的材料，其反射由发射辐射的构件发射的辐射。
由于热固性塑料包括这样的材料，能够提高对于由发射辐射的构件发射的辐射的反射率。由此，光电子器件的光输出能够提高。同时，渗透到壳体中的辐射比例减少，由此降低由于辐射引起的损伤。在此，填充物能够直接被调整到适应于由发射辐射的构件发射的波范围。
在本发明的另一实施形式中，发射辐射的构件为LED。光电子器件也能够在壳体中具有多于一个凹部，从而也具有多个能够分别设置在凹部中的LED。在相同的凹部中也能够设置多个LED。
在本发明的另一实施形式中，发射辐射的构件为有机LED、即OLED。
在本发明的另一实施形式中，壳体由热固性塑料成形。
其中要理解的是，整个壳体由下面列举的热固性塑料中的至少一种制成：氨基塑料热固性塑料、尿素热固性塑料、三聚氰胺甲醛热固性塑料、湿聚酯热固性塑料、聚酯树脂、酚醛树脂、乙烯基酯树脂。
在此，壳体特别是不具有热塑性塑料的部分，也不具有上述未列举的热固性塑料的部分。
在另一实施形式中，壳体包括上面列举的热固性塑料中的刚好一种。
除了光电子器件之外，也提出一种用于制造所述光电子器件的方法。
如之前描述，用于光电子器件制造的一种变型形式，包括下述方法步骤：
–作为方法步骤A），借助于注塑方法或压铸方法成形壳体，所述壳体包括热固性塑料，并且具有凹部，
–作为方法步骤B），将热固性塑料硬化，
–作为方法步骤C），分离凸出部，所述凸出部由于注塑方法或压铸方法而存在，使得构成注塑点，
–作为方法步骤D），将发射辐射的构件装入到凹部中，
其中在方法步骤A）中使用热固性塑料，所述热固性塑料包括选自下述的材料：氨基塑料热固性塑料、尿素热固性塑料、三聚氰胺甲醛热固性塑料、湿聚酯热固性塑料、聚酯树脂、酚醛树脂、乙烯基酯树脂。
通过适当地选择用于壳体的热固性塑料而可能的是，所述壳体借助于注塑方法或压铸方法成形。由此，壳体具有凸出部，所述凸出部在方法步骤C）中分离，使得构成注塑点。借助于所述注塑点，也还能够在制成的器件上确认，光电子器件的壳体借助于注塑方法或压铸方法制成。
在方法的另一变型形式中，填充装置的圆筒在注塑或压铸期间进行温度调节。
在注塑和压铸热固性塑料时，在过程期间控制温度是有利的，因此，不会在喷入或注入过程期间就已经在填充装置中形成热固性塑料的交联进而硬化。这可能会导致装置的堵塞，由此可能造成过程停顿。在此，最佳温度或者最佳温度范围可被调整到适应于所使用的热固性塑料。
在方法的另一变型形式中，圆筒被调节到60℃至80℃的温度。
在所述温度范围内的温度适用于所提出的热固性塑料中的大多数。因此保证了，在圆筒中热固性塑料尚未硬化。
在方法的另一变型形式中，在方法步骤A）中借助于注塑方法进行成形。
借助于注塑方法，能够以极其好的质量低成本地大批量制造。
在方法的另一变型形式中，在方法步骤A）中以大于1000bar的压强工作。
在注塑方法中，压力优选处于1000bar至1500bar的范围内。除了温度之外，压力在方法中也是另一重要的参数。通过压力例如保证，通过装置以足够的速度挤压按压喷射料。这也有助于使得喷射料不会过早地在装置中硬化。此外，通过压力也保证，模具也完全地用材料填充并且没有填充外部的或内部的凹部，其中用于壳体的材料喷入到所述模具中。
此外，通过压力也保证，以足够的速度进行喷入过程。这一方面又保证，热固性塑料不会在喷入过程期间就已经过早地硬化，另一方面实现能够在短时间内制造大量壳体。
在方法的另一变型形式中，模具在硬化期间保持在150℃至250℃的温度，其中在方法步骤B）中，热固性塑料在所述模具中硬化。
所述温度范围适用于上面列举的热固性塑料中的大多数。在注塑方法和压铸方法中，模具的温度调节刚好在使用热固性塑料的情况下是有利的。因为，与热塑性塑料相反，热固性塑料具有三维的、交联的结构，所以重要的是，这种交联刚好在整个壳体中均匀地并且相同地进行，使得能够保证，壳体自身具有统一的稳定性。如果例如壳体的两个部分区域具有极其高的交联度并且处于所述两个部分区域之间的区域只具有非常低的交联度，那么在具有低的交联度的区域中能够极其容易地造成壳体的断裂。为此，重要的例如是，在壳体的部分区域中的交联过程已经结束之前，首先将整个模具借助用于壳体的材料填充。因此，交联速度和交联度能够另外通过模具的温度来控制。在此，准确的温度能够被调节到适应于所使用的热固性塑料和力求的交联度。
在方法的另一变型形式中，在方法步骤B）中，在硬化期间进行热固性塑料的交联。
如已经详述，交联对热固性塑料的特有特性负有决定性的责任，例如所述热固性塑料对于辐射和高温的稳定性。通过交联，热固性塑料也决定性地区别于其他材料族，例如区别于通常不交联的热塑性塑料。热固性塑料的高的温度稳定性例如能够使由包括这种热固性塑料的材料制成的壳体也能够承受更高的温度，而不会造成壳体的损伤或变色。这例如能够在钎焊过程中利用。因此，壳体例如能够借助于钎焊过程与其他构件连接。
在方法的另一变型形式中，在方法步骤D）中，LED用作发射辐射的构件。也能够考虑其中应用有机LED、即OLED的方法的变型形式。
附图说明
接下来，借助于附图和实施例进一步阐述本发明的变型形式。
图1示出光电子器件的根据本发明的第一实施形式的示意横截面，
图2示出光电子器件的根据本发明的第二实施形式的示意横截面。
具体实施方式
图1示出根据本发明的光电子器件的示意横截面。所述光电子器件包括壳体1，所述壳体包括之前所述的热固性塑料。在示出的实施例中，整个壳体1由热塑性塑料成形。因此，通过热固性塑料确定壳体的物理和化学特性。对此，壳体1具有关于热、辐射和机械损伤的极其高的稳定性。壳体1具有凹部2，在所述凹部中设置有发射辐射的构件3。发射辐射的构件3不仅机械地，而且也导电地与导体框架6的第一部分连接。发射辐射的构件3附加地通过焊线5与导体框架6的第二部分导电地连接。壳体1的朝向凹部2的内侧成形为反射器7。反射器7与壳体1的剩余部分相比具有对于辐射的更高的反射率，所述辐射由发射辐射的构件3发射。凹部2用浇注料来浇注，所述浇注料在辐射输出面上成形为透镜8。壳体1例如能够对于由构件3发射的辐射是不可透过的。
在本发明的上下文中，处于壳体1的凹部2中的浇注料不视为壳体的组成部分，而是仅仅整体地视为光电子器件的组成部分。
在图1中示出的实施例在其上侧具有注塑点4。在所述实施例中，注塑点4成形为小的凸出剩余部。所述注塑点4是壳体1借助于注塑技术或压铸技术成形的特有特征。借助于注塑点4，也能够在制成的光电子器件上更清楚地确认，所述光电子器件借助于注塑方法或压铸方法制成。在注塑点4的位置上能够识别的是，注塑模具或压铸模具从上侧起用材料填充。通过分离凸出部产生注塑点4。
图2示出尽可能地对应于每个在图1中示出的实施例的实施例。然而，在图2中示出的实施例具有位于壳体1下侧的注塑点4。这暗示壳体1将在头顶上制造。模具实际上在头顶上从壳体1的稍后的下侧用构成壳体1的材料填充。在此，注塑点4又通过分离凸出部形成。
注塑点4也能够位于壳体1的不同于图1或2所示出的位置上。此外，注塑点4也能够具有与在所述两个实施例中不同的构造。因此，注塑点4也能够为壳体1的表面的结构化部，所述结构化部例如能够通过后续地打磨仍凸出的材料得出。例如，也能够为变形部，所述变形部通过后续地热处理如下这样的区域得出，在所述区域处，后续例如会熔化的材料凸出部遗留在壳体上。
本发明不限制于通过实施例进行的描述。相反地，本发明包括每个新的特征以及特征的任意组合，这尤其包括在权利要求中的特征的每种组合，即使这些特征或者这些组合本身并未在权利要求或者实施例中明确说明。

Claims (22)

1.光电子器件，所述光电子器件包括：
-壳体(1)，包括热固性塑料，
-在所述壳体(1)中的凹部(2)，
-发射辐射的构件(3)，所述构件设置在所述凹部(2)中，
其中所述热固性塑料包括选自下述的材料：
三聚氰胺甲醛热固性塑料、湿聚酯热固性塑料、聚酯树脂，并且
其中所述光电子器件具有注塑点(4)，
其中所述热固性塑料包括氨基塑料，
其中所述壳体不具有热塑性塑料的部分，并且
其中所述壳体不具有上述未列举的热固性塑料的部分。
2.根据权利要求1所述的光电子器件，
其中所述氨基塑料是尿素热固性塑料。
3.根据权利要求1所述的光电子器件，
其中所述热固性塑料包括选自下述的材料：
三聚氰胺甲醛树脂、不饱和的聚酯树脂。
4.根据权利要求2所述的光电子器件，
其中所述热固性塑料包括选自下述的材料：
三聚氰胺甲醛树脂、不饱和的聚酯树脂。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的光电子器件，
其中所述热固性塑料附加地包括作为填充物的纤维。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的光电子器件，
其中所述热固性塑料附加地包括选自下述的材料以作为填充物：矿物填充物、二氧化钛。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的光电子器件，
其中所述热固性塑料附加地包括反射辐射的材料作为填充物，所述辐射由所述发射辐射的构件(3)发射。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的光电子器件，
其中所述发射辐射的构件(3)为LED。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的光电子器件，
其中所述壳体(1)由所述热固性塑料成形。
10.用于制造根据权利要求1至9之一所述的光电子器件的方法，包括下述方法步骤：
A)借助于注塑方法或压铸方法成形壳体(1)，所述壳体包括热固性塑料并且具有凹部(2)，
B)将所述热固性塑料硬化，
C)分离凸出部，所述凸出部由于注塑方法或压铸方法而存在，使得构成所述注塑点(4)，
D)将所述发射辐射的构件(3)装入到所述凹部(2)中，
其中在所述方法步骤A)中使用热固性塑料，所述热固性塑料包括选自下述的材料：三聚氰胺甲醛热固性塑料、湿聚酯热固性塑料、聚酯树脂,
其中所述热固性塑料包括氨基塑料，
其中所述壳体不具有热塑性塑料的部分，并且
其中所述壳体不具有上述未列举的热固性塑料的部分。
11.根据权利要求10所述的方法，
其中所述氨基塑料是尿素热固性塑料。
12.根据权利要求10所述的方法，
其中在注塑或压铸期间，对填充装置的圆筒进行温度调节。
13.根据权利要求12所述的方法，
其中将所述圆筒调节到60℃至80℃的温度。
14.根据权利要求10所述的方法，
其中在所述方法步骤A)中借助于注塑方法进行所述成形。
15.根据权利要求12所述的方法，
其中在所述方法步骤A)中借助于注塑方法进行所述成形。
16.根据权利要求13所述的方法，
其中在所述方法步骤A)中借助于注塑方法进行所述成形。
17.根据权利要求14所述的方法，
其中在所述方法步骤A)中，以大于1000bar的压力工作。
18.根据权利要求15所述的方法，
其中在所述方法步骤A)中，以大于1000bar的压力工作。
19.根据权利要求16所述的方法，
其中在所述方法步骤A)中，以大于1000bar的压力工作。
20.根据权利要求10至19之一所述的方法，
其中模具在所述硬化期间保持在150℃至250℃的温度上，所述热固性塑料在所述方法步骤B)中在所述模具中硬化。
21.根据权利要求10至19之一所述的方法，
其中在所述方法步骤B)中的硬化期间，进行所述热固性塑料的交联。
22.根据权利要求20所述的方法，
其中在所述方法步骤B)中的硬化期间，进行所述热固性塑料的交联。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3499560B1 (en) * 2017-12-15 2021-08-18 Infineon Technologies AG Semiconductor module and method for producing the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101499429A (zh) * 2008-01-28 2009-08-05 日亚化学工业株式会社 注射成形用模具及通过其成形的半导体封装和半导体封装的制造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3143452A1 (de) * 1981-07-04 1983-02-10 Diethelm Dipl.-Chem. Dr.rer.nat. 7450 Hechingen Bitzer Verstaerkte kunststoffe und verfahren zu ihrer herstellung
DE4414005C2 (de) * 1993-04-22 2000-11-30 Micron Technology Inc N D Ges Verfahren zum Ummanteln von elektronischen Bauteilen
DE10241989A1 (de) * 2001-11-30 2003-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US20060183625A1 (en) * 2002-07-09 2006-08-17 Kenichiro Miyahara Substrate for forming thin film, thin film substrate, optical wave guide, luminescent element and substrate for carrying luminescent element
DE10243247A1 (de) * 2002-09-17 2004-04-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leadframe-basiertes Bauelement-Gehäuse, Leadframe-Band, oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
TW200502372A (en) * 2003-02-25 2005-01-16 Kaneka Corp Curing composition and method for preparing same, light-shielding paste, light-shielding resin and method for producing same, package for light-emitting diode, and semiconductor device
JP2004363380A (ja) * 2003-06-05 2004-12-24 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置およびその製造方法
DE102004062551A1 (de) * 2004-12-24 2006-07-06 Rhein Chemie Rheinau Gmbh Mikrogel-enthaltende duroplastische Zusammensetzung
US8044418B2 (en) * 2006-07-13 2011-10-25 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices
JP2008060542A (ja) * 2006-08-03 2008-03-13 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置、発光装置の製造方法、及びこれを備えた光源装置
CN101150160A (zh) * 2006-09-22 2008-03-26 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发光二极管及其制备方法
JP5380774B2 (ja) * 2006-12-28 2014-01-08 日亜化学工業株式会社 表面実装型側面発光装置及びその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101499429A (zh) * 2008-01-28 2009-08-05 日亚化学工业株式会社 注射成形用模具及通过其成形的半导体封装和半导体封装的制造方法

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