CN102798974B - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102798974B
CN102798974B CN201210163617.6A CN201210163617A CN102798974B CN 102798974 B CN102798974 B CN 102798974B CN 201210163617 A CN201210163617 A CN 201210163617A CN 102798974 B CN102798974 B CN 102798974B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
oxidant layer
photoresist oxidant
resin bed
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201210163617.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102798974A (zh
Inventor
藤吉纯
木村泰一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nujira Ltd
Original Assignee
Pixtronix Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pixtronix Inc filed Critical Pixtronix Inc
Publication of CN102798974A publication Critical patent/CN102798974A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102798974B publication Critical patent/CN102798974B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00134Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems comprising flexible or deformable structures
    • B81C1/00182Arrangements of deformable or non-deformable structures, e.g. membrane and cavity for use in a transducer
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/02Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the intensity of light
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/04Optical MEMS
    • B81B2201/045Optical switches
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00Forming microstructural systems
    • B81C2203/05Aligning components to be assembled
    • B81C2203/052Passive alignment, i.e. using only structural arrangements or thermodynamic forces without an internal or external apparatus
    • B81C2203/054Passive alignment, i.e. using only structural arrangements or thermodynamic forces without an internal or external apparatus using structural alignment aids, e.g. spacers, interposers, male/female parts, rods or balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

本发明提供显示装置及其制造方法,其目的在于不增加制造工序地形成耐油性高的凸块。以包围第三上表面(68)的方式形成有贯穿树脂层(50)的切槽(76)。膜(52)形成为,在切槽(76)的内侧覆盖除了树脂层(50)的底面以外的整体且在切槽(76)的外侧使树脂层(50)的至少一部分露出。在切槽(76)的内侧残留被膜(52)整体覆盖的树脂层(50),在切槽(76)的外侧除去与相对于膜(52)的露出面连续的树脂层(50)的整体。在切槽(76)的内侧由树脂层(50)及膜(52)形成凸块(48),在切槽(76)的外侧以从第一基板(10)浮起的状态由膜(52)形成光闸(14)和驱动部(40)的至少一部分。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示装置及其制造方法。
背景技术
MEMS显示器(Micro Electro Mechanical System Display:微机电系统显示器)是期待取代液晶显示器的显示器(参照专利文献1)。该显示器与利用了偏振光的液晶光闸方式不同,通过机械光闸方式对光的透过窗进行开闭由此显示图像。光闸由薄膜构成,构成1个像素的光闸的纵横尺寸是几百μm级,厚度是几μm级。通过对一个光闸开闭进行,能够进行1个像素的开关动作。光闸通过静电引力来动作。
光闸配置在一对透光性基板之间的由密封件围成的空间中,该空间被油注满。油防止用于驱动光闸的弹簧的粘着,并减小与透光性基板的光折射率差。
【现有技术文献】
【专利文献1】日本特开2008-197668号公报
一对透光性基板间的间隔通过在两者间配置凸块来维持。凸块由相对的基座和支柱构成,所述基座形成在形成有光闸及其驱动机构的一侧的透光性基板上,所述支柱形成在与其相对的另一侧的透光性基板上。基座由于能够与光闸同时形成,所以能够由构成光闸的材料覆盖,耐油性变高。而支柱存在如下问题:由于树脂露出,所以其成分溶出到油中而生成聚合物。
发明内容
本发明的目的是不增加制造工序地形成耐油性高的凸块。
(1)本发明的显示装置的制造方法,其特征在于,包括以下工序:在第一基板上形成包含凸块、光闸及用于机械驱动所述光闸的驱动部在内的构造物的工序;与所述第一基板相对地配置第二基板的工序;在所述第一基板及所述第二基板之间填充油的工序,形成所述构造物的工序包括:将形成了图案的树脂层形成在所述第一基板上的工序;将作为用于形成所述光闸及所述驱动部的、耐油性比所述树脂层高的材料进行图案形成而得到的膜形成在所述树脂层上的工序;残留所述膜并除去所述树脂层的一部分的工序,所述树脂层具有:最低的第一上表面、比所述第一上表面高的第二上表面、最高的第三上表面、从所述第一上表面下至底面的第一侧面、和从所述第一上表面上至所述第二上表面的第二侧面,以包围所述第三上表面的方式形成贯穿所述树脂层的切槽,所述膜形成为,在所述切槽的内侧覆盖所述树脂层的除了所述底面以外的整体,在所述切槽的外侧使得所述树脂层的至少一部分露出,在除去所述树脂层的一部分的工序中,在所述切槽的内侧残留被所述膜整体覆盖的所述树脂层,在所述切槽的外侧除去与相对于所述膜的露出面连续的所述树脂层的整体,在形成所述构造物的工序中,在所述切槽的内侧由所述树脂层及所述膜形成所述凸块,在所述切槽的外侧由所述膜形成所述光闸和所述驱动部的至少一部分。根据本发明,构成凸块内部的树脂层除了其底面以外的整体,被由耐油性比树脂层高的材料形成的膜覆盖,从而树脂层的成分不会溶出到油中。另外,由于膜与光闸及驱动部同时形成,所以也不会增加制造工序。
(2)在(1)记载的显示装置的制造方法中,其特征还可以在于,将形成了图案的所述树脂层形成在所述第一基板上的工序包括:在所述第一基板上形成第一光致抗蚀剂层的工序;通过光刻对所述第一光致抗蚀剂层进行图案形成而具有所述第一上表面的工序;在形成了图案的所述第一光致抗蚀剂层上形成第二光致抗蚀剂层的工序;通过光刻对所述第二光致抗蚀剂层进行图案形成而具有所述第二上表面的工序;在形成了图案的所述第二光致抗蚀剂层上形成第三光致抗蚀剂层的工序;通过光刻对所述第三光致抗蚀剂层进行图案形成而具有所述第三上表面的工序。
(3)在(1)记载的显示装置的制造方法中,其特征还可以在于,将形成了图案的所述树脂层形成在所述第一基板上的工序包括:在所述第一基板上形成厚度超过所述第一上表面的高度的第一光致抗蚀剂层的工序;通过包含多色调曝光的光刻对所述第一光致抗蚀剂层进行图案形成而具有所述第一上表面及比所述第一上表面高的中间上表面的工序;在形成了图案的所述第一光致抗蚀剂层上形成第二光致抗蚀剂层的工序;通过光刻对所述第二光致抗蚀剂层进行图案形成而在所述第一上表面上配置具有所述第二上表面的部分且在所述中间上表面上配置具有所述第三上表面的部分的工序。
(4)在(1)记载的显示装置的制造方法中,其特征还可以在于,将形成了图案的所述树脂层形成在所述第一基板上的工序包括:在所述第一基板上形成至少具有所述第三上表面的高度的厚度的第一光致抗蚀剂层的工序;通过包含多色调曝光的光刻对所述第一光致抗蚀剂层进行图案形成而具有所述第一上表面及所述第三上表面的工序;在形成了图案的所述第一光致抗蚀剂层上形成第二光致抗蚀剂层的工序;通过光刻对所述第二光致抗蚀剂层进行图案形成而具有所述第二上表面的工序。
(5)在(1)记载的显示装置的制造方法中,其特征还可以在于,将形成了图案的所述树脂层形成在所述第一基板上的工序包括:在所述第一基板上形成至少具有所述第一上表面的高度的厚度的第一光致抗蚀剂层的工序;通过光刻对所述第一光致抗蚀剂层进行图案形成而具有所述第一上表面的工序;在形成了图案的所述第一光致抗蚀剂层上形成厚度至少达到所述第三上表面的高度的第二光致抗蚀剂层的工序;通过包含多色调曝光的光刻对所述第二光致抗蚀剂层进行图案形成而具有所述第二上表面及所述第三上表面的工序。
(6)在(1)记载的显示装置的制造方法中,其特征还可以在于,将形成了图案的所述树脂层形成在所述第一基板上的工序包括:在所述第一基板上形成至少具有所述第一上表面的高度的厚度的第一光致抗蚀剂层的工序;通过光刻对所述第一光致抗蚀剂层进行图案形成以除去所述第三上表面的形成区域并具有所述第一上表面的工序;在所述第一基板上及形成了图案的所述第一光致抗蚀剂层上形成厚度至少达到所述第三上表面的高度的第二光致抗蚀剂层的工序;通过包含多色调曝光的光刻对所述第二光致抗蚀剂层进行图案形成而具有所述第二上表面及所述第三上表面的工序。
(7)在(1)~(6)中任一项记载的显示装置的制造方法中,其特征还可以在于,通过形成所述第三上表面的所述光刻,以使对于显影液的溶解度在形成所述第三上表面的周缘部的区域比形成所述第三上表面的中央部的区域高且比形成所述切槽的区域低,进行使用多色调掩模的曝光从而将所述第三上表面的所述周缘部斜向下地形成。
(8)本发明的显示装置,其特征在于,具有:第一基板;形成在所述第一基板上的光闸及用于机械驱动所述光闸的、与所述光闸连接的驱动部;与所述第一基板隔开间隔地相对配置的第二基板;配置在所述第一基板和所述第二基板之间的凸块;在所述第一基板及所述第二基板之间填充的油,所述凸块包括:形成在所述第一基板上的树脂层;和覆盖所述树脂层的除了底面以外的整体的膜,所述光闸及所述驱动部由与所述膜相同的材料形成。特征还可以在于,所述膜的耐油性比所述树脂层高。根据本发明,构成凸块内部的树脂层的除了其底面以外的整体,被由耐油性比树脂层高的材料形成的膜覆盖,所以树脂层的成分不会溶出到油中。
附图说明
图1是本发明的实施方式的显示装置的剖视图。
图2是光闸及其驱动部的立体图。
图3A是用于说明本发明的第一实施方式的显示装置的制造方法的图。
图3B是用于说明本发明的第一实施方式的显示装置的制造方法的图。
图3C是用于说明本发明的第一实施方式的显示装置的制造方法的图。
图3D是用于说明本发明的第一实施方式的显示装置的制造方法的图。
图3E是用于说明本发明的第一实施方式的显示装置的制造方法的图。
图3F是用于说明本发明的第一实施方式的显示装置的制造方法的图。
图3G是用于说明本发明的第一实施方式的显示装置的制造方法的图。
图3H是用于说明本发明的第一实施方式的显示装置的制造方法的图。
图3I是用于说明本发明的第一实施方式的显示装置的制造方法的图。
图3J是用于说明本发明的第一实施方式的显示装置的制造方法的图。
图3K是用于说明本发明的第一实施方式的显示装置的制造方法的图。
图3L是用于说明本发明的第一实施方式的显示装置的制造方法的图。
图4A是用于说明本发明的第二实施方式的显示装置的制造方法的图。
图4B是用于说明本发明的第二实施方式的显示装置的制造方法的图。
图4C是用于说明本发明的第二实施方式的显示装置的制造方法的图。
图4D是用于说明本发明的第二实施方式的显示装置的制造方法的图。
图4E是用于说明本发明的第二实施方式的显示装置的制造方法的图。
图4F是用于说明本发明的第二实施方式的显示装置的制造方法的图。
图5A是用于说明本发明的第三实施方式的显示装置的制造方法的图。
图5B是用于说明本发明的第三实施方式的显示装置的制造方法的图。
图5C是用于说明本发明的第三实施方式的显示装置的制造方法的图。
图5D是用于说明本发明的第三实施方式的显示装置的制造方法的图。
图5E是用于说明本发明的第三实施方式的显示装置的制造方法的图。
图6A是用于说明本发明的第四实施方式的显示装置的制造方法的图。
图6B是用于说明本发明的第四实施方式的显示装置的制造方法的图。
图6C是用于说明本发明的第四实施方式的显示装置的制造方法的图。
图6D是用于说明本发明的第四实施方式的显示装置的制造方法的图。
图6E是用于说明本发明的第四实施方式的显示装置的制造方法的图。
图7A是用于说明本发明的第五实施方式的显示装置的制造方法的图。
图7B是用于说明本发明的第五实施方式的显示装置的制造方法的图。
图7C是用于说明本发明的第五实施方式的显示装置的制造方法的图。
图7D是用于说明本发明的第五实施方式的显示装置的制造方法的图。
图7E是用于说明本发明的第五实施方式的显示装置的制造方法的图。
图8A是用于说明本发明的实施方式的应用例的显示装置及其制造方法的图。
图8B是用于说明本发明的实施方式的应用例的显示装置及其制造方法的图。
图9是用于说明本发明的实施方式的变形例的显示装置的图。
图10是用于说明本发明的实施方式的其他变形例的显示装置的图。
附图标记的说明
10第一基板,12第二基板,14光闸(快门),16第一膜,18第二膜,20驱动开口,22凹部,24背光源,26第一弹簧,28第一固定部,30第一部分,32第二部分,34第三部分,36第二固定部,38第二弹簧,40驱动部,42遮光膜,44固定开口,46油,48凸块,50树脂层,52膜,54第一光致抗蚀剂层,56第一上表面,58第一切槽,60第二光致抗蚀剂层,62第二上表面,64第二切槽,66第三光致抗蚀剂层,68第三上表面,70第三切槽,72第一侧面,74第二侧面,76切槽,78抗蚀剂,148凸块,150树脂层,152膜,168第三上表面,176切槽,180多色调掩模,182透过区域,184半透过区域,186遮光区域,210第一基板,214光闸,240驱动部,248凸块,250树脂层,252膜,254第一光致抗蚀剂层,256第一上表面,260第二光致抗蚀剂层,262第二上表面,268第三上表面,280掩模,282透过区域,284半透过区域,286遮光区域,288中间上表面,310第一基板,314光闸,340驱动部,348凸块,350树脂层,352膜,354第一光致抗蚀剂层,356第一上表面,360第二光致抗蚀剂层,362第二上表面,368第三上表面,410第一基板,414光闸,440驱动部,448凸块,450树脂层,452膜,454第一光致抗蚀剂层,456第一上表面,460第二光致抗蚀剂层,462第二上表面,468第三上表面,510第一基板,514光闸,540驱动部,548凸块,550树脂层,552膜,554第一光致抗蚀剂层,556第一上表面,560第二光致抗蚀剂层,562第二上表面,568第三上表面。
具体实施方式
以下,参照附图说明本发明的实施方式。
图1是本发明的实施方式的显示装置的剖视图。显示装置具有透光性的第一基板10(例如玻璃基板)和透光性的第二基板12(例如玻璃基板)。第一基板10及第二基板12隔开间隔相对地配置。第一基板10是形成有未图示的薄膜晶体管和布线等的电路基板或TFT(Thin Film Transistor:薄膜晶体管)基板。在第一基板10上设置有多个(复数)光闸14。光闸14设置在未图示的薄膜晶体管和布线等之上。
图2是光闸及其驱动部的立体图。光闸14由无机材料构成。
图1所示的光闸14由膜52构成,所述膜52包含由非晶硅等半导体构成的第一膜16和由铝等金属构成的第二膜18。光闸14是具有驱动开口20的板。另外,在光闸14上形成有凹部22用于提高强度,但该凹部22不贯穿。光通过驱动开口20,而由驱动开口20以外的部分遮断光。驱动开口20是沿一个方向较长的形状。此外,光由与第一基板10重合的背光源24供给。
光闸14被第一弹簧26支承而从第一基板10浮起。通过多个(图2中是4个)第一弹簧26支承光闸14。第一弹簧26通过第一固定部28被固定在第一基板10上。
第一弹簧26由能够弹性变形的材料形成。第一弹簧26呈厚度薄的板状,厚度方向朝向横向(与第一基板10的板面平行的方向)配置,宽度方向朝向上下方向(与第一基板10的板面垂直的方向)配置。由此,第一弹簧26能够沿其厚度方向即横向变形。
第一弹簧26具有:向从光闸14远离的方向(与驱动开口20的长度方向交叉(例如正交)的方向)延伸的第一部分30;在沿着驱动开口20的长度方向的方向上从驱动开口20的长度方向的中央向外侧延伸的第二部分32;向进一步从光闸14远离的方向(与驱动开口20的长度方向交叉(例如正交)的方向)延伸的第三部分34。而且,光闸14被第一弹簧26支承,从而如图2的箭头所示那样能够沿着与驱动开口20的长度方向交叉(例如正交)的方向移动。
在第一基板10上设置有被第二固定部36支承的第二弹簧38。第二弹簧38也由能够弹性变形的材料形成。第二弹簧38呈厚度薄的板状,厚度方向朝向横向(与第一基板10的板面平行的方向)配置,宽度方向朝向上下方向(与第一基板10的板面垂直的方向)配置。由此,第二弹簧38能够沿其厚度方向即横向变形。另外,第二弹簧38呈环状,从第二固定部36延伸的带状部弯曲并折返,并返回到该第二固定部36。
第二弹簧38,在与第一弹簧26的第二部分32相比远离光闸14的一侧,与该第二部分32相对。向第二固定部36施加电压,由于与第一弹簧26的第二部分32之间的电位差所产生的静电引力,第二部分32被向第二固定部36拉近。第二部分32被拉近时,还经由与第二部分32一体的第一部分30光闸14也被拉近。也就是说,第一弹簧26及第二弹簧38构成用于机械驱动光闸14的驱动部40。
驱动部40与光闸14的至少一部分由相同的材料形成。例如,第一弹簧26及第二弹簧38的一部分由构成光闸14的膜52(例如由非晶硅等半导体形成的第一膜16)构成。驱动部40的其他部分也可以由包含由非晶硅等半导体形成的第一膜16和由铝等金属形成的第二膜18的膜构成。
在第二基板12上形成有遮光膜42。在遮光膜42上形成有固定开口44。光闸14的上述驱动开口20和遮光膜42的固定开口44配置在相对的位置,若两者连通则光通过,若通过移动光闸14而使得遮光膜42的固定开口44被遮断,则光被遮断。换言之,光闸14被机械驱动,由此控制光向遮光膜42的固定开口44的通过及遮断。通过对应的1个驱动开口20及1个固定开口44构成1像素,通过大量的像素显示图像。由此,设置有多个(复数)光闸14。光闸14及驱动部40配置在根据通过驱动开口20及固定开口44的光的有无及强弱来显示图像的显示区域。
第一基板10及第二基板12通过未图示的密封材料被隔开间隔地固定。密封材料与第一基板10及第二基板12的相对面彼此紧密接触。在第一基板10及第二基板12之间(被未图示的密封材料封固的空间)注满油46(例如硅油)。光闸14及驱动部40配置在油46内。能够通过油46抑制因光闸14及驱动部40的动作而产生的振动,还能够防止第一弹簧26和第二弹簧38的粘着。在第一基板10及第二基板12由玻璃构成的情况下,若使用折射率接近玻璃的油46,则通过注满油46,能够减弱光在第一基板10及第二基板12的界面处的反射。
显示装置具有保持第一基板10及第二基板12之间的间隔的凸块48。凸块48具有形成在第一基板10上的树脂层50。树脂层50的除了底面以外的整体被膜52覆盖。膜52由用于形成光闸14及驱动部40的材料形成。例如,膜52包含:由非晶硅等半导体形成的第一膜16;由铝等金属形成的第二膜18。这些材料的耐油性比树脂层50高。凸块48也配置在油46内。图1所示的凸块48以在与第二基板12之间形成间隙的高度形成,油46进入到凸块48与遮光膜42之间。因此,凸块48的上表面也与油46接触。在施加使第一基板10及第二基板12接近的力时,凸块48与遮光膜42接触,不会使两基板进一步接近。但是,凸块48也可以形成为凸块48的上表面与第二基板12接触,或与形成在第二基板12上的遮光膜42接触。
根据本实施方式,构成凸块48的内部的树脂层50的除了其底面(与第一基板10紧密接触的面)以外的整体由耐油性比树脂层50高的材料形成的膜52覆盖,从而树脂层50的成分不会溶出到油46中。
以下,说明本发明的实施方式的显示装置的制造方法。
[第一实施方式]
图3A~图3L是用于说明本发明的第一实施方式的显示装置的制造方法的图。
如图3A所示,在第一基板10上形成第一光致抗蚀剂层54。第一光致抗蚀剂层54是具有感光性的树脂。第一光致抗蚀剂层54至少具有与上述光闸14的浮起高度对应的厚度。即,第一光致抗蚀剂层54的厚度与光闸14的浮起高度相同或是其以上。另外,第一光致抗蚀剂层54至少具有与驱动部40的从第一基板10浮起状态的部分(例如第一弹簧26及第二弹簧38)的浮起高度对应的厚度。即,第一光致抗蚀剂层54的厚度与第一弹簧26及第二弹簧38的浮起高度相同或为其以上。此外,如图1所示,光闸14的下端(凹部22的相反面)和第一弹簧26及第二弹簧38的下端处于相同高度。
如图3B所示,通过光刻对第一光致抗蚀剂层54进行图案形成。光刻包含曝光和显影。在曝光时,经由未图示的掩模向第一光致抗蚀剂层54局部照射光。由此,第一光致抗蚀剂层54具有溶解于显影液的部分和难以溶解的部分。通过进行显影,第一光致抗蚀剂层54形成图案。形成了图案的第一光致抗蚀剂层54具有第一上表面56。第一上表面56是用于形成从第一基板10浮起地配置的部件(例如光闸14和第一弹簧26及第二弹簧38)的面。因此,第一上表面56的高度位置(从第一基板10的上表面起的高度位置。以下相同。)成为光闸14的下端(最低面)和第一弹簧26及第二弹簧38的下端的高度位置。此外,第一光致抗蚀剂层54由于被固化处理而收缩,所以第一上表面56的高度位置与固化处理前的高度位置相比稍低。另外,第一光致抗蚀剂层54的一部分成为凸块48的树脂层50的一部分。由此,将包围凸块48的树脂层50的第一切槽58形成在第一光致抗蚀剂层54上。
如图3C所示,在形成了图案的第一光致抗蚀剂层54上形成第二光致抗蚀剂层60。第二光致抗蚀剂层60也是具有感光性的树脂前体。第二光致抗蚀剂层60至少具有与第一弹簧26及第二弹簧38的高度方向的宽度对应的厚度。即,第二光致抗蚀剂层60的厚度与第一弹簧26及第二弹簧38的高度方向的宽度相同或为其以上。另外,当在光闸14形成凹部22时,第二光致抗蚀剂层60至少具有与凹部22的深度(准确地说是,从向下突出的凹部22的突出下表面到凹部22的周围部分的上表面之间的高度差)对应的厚度。即,第二光致抗蚀剂层60的厚度与凹部22的深度相同或为其以上。
如图3D所示,通过光刻对第二光致抗蚀剂层60形成图案。光刻的详细情况如上所述。形成了图案的第二光致抗蚀剂层60具有第二上表面62。从第一上表面56到第二上表面62的高度与第一弹簧26及第二弹簧38的高度方向上的宽度相当。另外,从第一上表面56到第二上表面62的高度与光闸14的凹部22的深度相当。此外,第二光致抗蚀剂层60也由于被固化处理而收缩,从而第二上表面62的高度位置与固化处理前的高度位置相比稍低。另外,第二光致抗蚀剂层60的一部分成为凸块48的树脂层50的一部分。由此,包围凸块48的树脂层50的第二切槽64形成在第二光致抗蚀剂层60上。
如图3E所示,在形成了图案的第二光致抗蚀剂层60上形成第三光致抗蚀剂层66。第三光致抗蚀剂层66也是具有感光性的树脂前体。第三光致抗蚀剂层66至少具有其上表面到达凸块48的树脂层50的上表面的高度位置(从第一基板10的上表面起的高度位置)的厚度。
如图3F所示,通过光刻对第三光致抗蚀剂层66形成图案。光刻的详细情况如上所述。形成了图案的第三光致抗蚀剂层66具有第三上表面68。从第一基板10的上表面到第三上表面68的高度是凸块48的树脂层50的高度。此外,第三光致抗蚀剂层66也由于被固化处理而收缩,从而第三上表面68的高度位置与固化处理前的高度位置相比稍低。另外,第三光致抗蚀剂层66的一部分成为凸块48的树脂层50的一部分。由此,将包围凸块48的树脂层50的第三切槽70形成在第三光致抗蚀剂层66上。
这样,由第一光致抗蚀剂层54、第二光致抗蚀剂层60及第三光致抗蚀剂层66形成树脂层50。也就是说,将形成了图案的树脂层50形成在第一基板10上。树脂层50具有最低的第一上表面56。树脂层50具有比第一上表面56高的第二上表面62。树脂层50具有最高的第三上表面68。树脂层50具有从第一上表面56下至底面的第一侧面72。树脂层50具有从第一上表面56上至第二上表面62的第二侧面74。在树脂层50上形成有以包围第三上表面68的方式贯穿的切槽76。切槽76使分别形成在第一光致抗蚀剂层54、第二光致抗蚀剂层60及第三光致抗蚀剂层66上的第一切槽58、第二切槽64及第三切槽70连通而形成。
如图3G所示,将膜52形成在树脂层50上及第一基板10上。膜52是用于形成光闸14及驱动部40的材料,由耐油性比树脂层50高的材料(无机材料等)形成。例如,形成由非晶硅等半导体构成的第一膜16,在第一膜16上形成由铝等金属构成的第二膜18。
如图3H所示,将抗蚀剂78形成在膜52上。对于抗蚀剂78的图案形成也能够使用光刻。形成了图案的抗蚀剂78覆盖光闸14、驱动部40以及凸块48的形成区域。
如图3I所示,使用湿蚀刻对由金属形成的第二膜18进行蚀刻。利用湿蚀刻的各向同性,除去从抗蚀剂78露出的第二膜18。
如图3J所示,使用干蚀刻对由半导体形成的第一膜16进行蚀刻。利用干蚀刻的各向异性,除去树脂层50的上表面(第一上表面56及第二上表面62)的第一膜16,但树脂层50的侧面(第二侧面74)的第一膜16没有被除去而被保留。
如图3K所示,除去抗蚀剂78。在形成光闸14的区域,在树脂层50的第一上表面56、第一侧面72及第二上表面62之上残留有膜52(第一膜16及第二膜18)。在形成第一弹簧26及第二弹簧38的区域,分别在树脂层50的第二侧面74上残留有膜52(第一膜16)。在树脂层50的切槽76的内侧,以覆盖树脂层50的除了底面以外的整体的方式残留有膜52(第一膜16及第二膜18)。在树脂层50的切槽76的外侧,以树脂层50的至少一部分露出的方式残留有膜52。
如图3L所示,除去从膜52露出的树脂层50。关于除去能够使用例如灰化。树脂层50的除去也可以与上述抗蚀剂78的除去同时进行。由此,能够保留膜52并除去树脂层50的一部分。在树脂层50的切槽76的内侧,被膜52整体覆盖的树脂层50残留。在树脂层50的切槽76的外侧,与相对于膜52的露出面连续的树脂层50整体被除去。
在切槽76的内侧,形成由树脂层50及膜52构成的凸块48。在切槽76的外侧,以从第一基板10浮起的状态,由膜52形成光闸14和驱动部40的至少一部分。这样,在第一基板10上,形成包含凸块48、光闸14及用于机械驱动光闸14的驱动部40在内的构造物。
然后,如图1所示,以经由凸块48与第一基板10相对的方式配置第二基板12。在第一基板10及第二基板12之间填充油46。
根据本实施方式,构成凸块48的内部的树脂层50除了其底面以外的整体被由耐油性比树脂层50高的材料形成的膜52覆盖,从而树脂层50的成分不会溶出到油46中。另外,由于膜52与光闸14和驱动部40同时地形成,所以也不会增加制造工序。
[第二实施方式]
图4A~图4F是用于说明本发明的第二实施方式的显示装置的制造方法的图。
如图4A所示,在第一基板210上形成厚度超过后述第一上表面256的高度的第一光致抗蚀剂层254。优选的是,第一光致抗蚀剂层254以其上表面在固化收缩时成为厚度与后述第二上表面262的高度位置相同的方式形成。
如图4B所示,通过光刻对第一光致抗蚀剂层254形成图案。光刻包含多色调曝光(例如半色调曝光)。详细来说,使用具有光的透过区域282、光的半透过区域284和遮光区域286的掩模280进行曝光。半透过区域284只要是光的透过率比透过区域282低的区域即可,其透过率不限于50%。若第一光致抗蚀剂层254是正型,则被通过透过区域282的光照射的区域的厚度方向上的整体容易溶解于显影液,被
通过半透过区域284的光照射的区域的厚度方向上的一部分容易溶解于显影液。没有被光照射的区域难以溶解于显影液。此外,第一光致抗蚀剂层254还可以采用负型,但公知其详细情况与正型相同,因此省略说明。
如图4C所示,进行显影,将第一光致抗蚀剂层254形成图案为,具有第一上表面256及比第一上表面256高的中间上表面288。中间上表面288的高度可以与后述第二上表面262相同。根据本实施方式,通过采用多色调曝光,利用一次的光刻,就能够形成二种高度的上表面(第一上表面256及中间上表面288),从而能够简化工艺。
如图4D所示,在形成了图案的第一光致抗蚀剂层254上形成第二光致抗蚀剂层260。第二光致抗蚀剂层260在中间上表面288的上方以厚度达到第三上表面268的高度位置的方式形成。
如图4E所示,通过光刻对第二光致抗蚀剂层260进行图案形成。详细来说,在第一光致抗蚀剂层254的第一上表面256上,由第二光致抗蚀剂层260的一部分形成具有第二上表面262的部分。另外,在第一光致抗蚀剂层254的中间上表面288上,由第二光致抗蚀剂层260的一部分形成具有第三上表面268的部分。通过以上工序,形成具有第一上表面256、第二上表面262及第三上表面268的树脂层250。在树脂层250上形成膜252,对其进行图案形成,如图4F所示,在第一基板210上形成包含凸块248、光闸214及用于机械驱动光闸214的驱动部240在内的构造物。
关于本实施方式的其他详细情况,能够适用第一实施方式中说明的内容。
[第三实施方式]
图5A~图5E是用于说明本发明的第三实施方式的显示装置的制造方法的图。
如图5A所示,在第一基板310上形成厚度至少达到后述第三上表面368的高度位置的第一光致抗蚀剂层354。
如图5B所示,利用包含多色调曝光的光刻,将第一光致抗蚀剂层354形成图案而具有第一上表面356及第三上表面368。其详细情况如在第二实施方式中说明的那样。
如图5C所示,在形成了图案的第一光致抗蚀剂层354上形成第二光致抗蚀剂层360。在第一上表面356的上方,第二光致抗蚀剂层360以如下厚度形成,即:使得其上表面成为与后述第二上表面362的高度位置相同或为其以上的高度位置的厚度。
如图5D所示,通过光刻对第二光致抗蚀剂层360形成图案而具有第二上表面362。通过以上工序,形成具有第一上表面356、第二上表面362及第三上表面368的树脂层350。而且,在树脂层350上形成膜352并进行图案形成,如图5E所示,在第一基板310上形成包含凸块348、光闸314及用于机械驱动光闸314的驱动部340在内的构造物。
关于本实施方式的其他详细情况,能够适用第一及第二实施方式中说明的内容。
[第四实施方式]
图6A~图6E是用于说明本发明的第四实施方式的显示装置的制造方法的图。
如图6A所示,在第一基板410上形成至少具有如下厚度的第一光致抗蚀剂层454,即:使得其上表面达到后述第一上表面456的高度位置的厚度。
如图6B所示,通过光刻对第一光致抗蚀剂层454进行图案形成而具有第一上表面456。
如图6C所示,在形成了图案的第一光致抗蚀剂层454上,形成至少具有如下厚度的第二光致抗蚀剂层460,即:使得第二光致抗蚀剂层460的上表面达到后述第三上表面468的高度位置的厚度。
如图6D所示,通过包含多色调曝光的光刻对第二光致抗蚀剂层460进行图案形成而具有第二上表面462及第三上表面468。其详细情况如第二实施方式中说明的那样。通过以上工序,形成具有第一上表面456、第二上表面462及第三上表面468的树脂层450。而且,在树脂层450上形成膜452并进行图案形成,如图6E所示,在第一基板410上形成包含凸块448、光闸414及用于机械驱动光闸414的驱动部440在内的构造物。
关于本实施方式的其他详细情况,能够适用第一及第二实施方式中说明的内容。
[第五实施方式]
图7A~图7E是用于说明本发明的第五实施方式的显示装置的制造方法的图。
如图7A所示,在第一基板510上形成至少具有如下厚度的第一光致抗蚀剂层554,即:使得第一光致抗蚀剂层554的上表面达到后述第一上表面556的高度位置的厚度。
如图7B所示,通过光刻对第一光致抗蚀剂层554进行图案形成。通过图案形成,将第一光致抗蚀剂层554从第三上表面568的形成区域568a除去。另外,第一光致抗蚀剂层554被进行了图案形成而具有第一上表面556。
如图7C所示,在第一基板510上及形成了图案的第一光致抗蚀剂层554上,形成至少具有如下厚度的第二光致抗蚀剂层560,即:使得第二光致抗蚀剂层560的上表面达到后述第三上表面568的高度位置的厚度。
如图7D所示,通过包含多色调曝光的光刻对第二光致抗蚀剂层560进行图案形成而具有第二上表面562及第三上表面568。其详细情况如第二实施方式中说明的那样。通过以上工序,形成具有第一上表面556、第二上表面562及第三上表面568的树脂层550。而且,在树脂层550上形成膜552并进行图案形成,如图7E所示,在第一基板510上形成有包含凸块548、光闸514及用于机械驱动光闸514的驱动部540在内的构造物。
关于本实施方式的其他详细情况,能够适用第一及第二实施方式中说明的内容。
[应用例]
图8A~图8B是用于说明本发明的实施方式的应用例的显示装置及其制造方法的图。
在上述实施方式中,通过光刻对光致抗蚀剂层进行图案形成,从而例如图4E所示,在第三上表面268的周缘部形成有角。当第二光致抗蚀剂层260因后烘(post bake)而收缩时,第三上表面268的中央凹陷,成为周缘部的角立起的形状。在该形状的第三上表面上形成膜而得到的凸块仅周缘部发挥支承功能,因此存在应力集中于该周缘部的问题。
因此,在本例中,如图8A所示,使构成凸块148的内部的树脂层150的第三上表面168的周缘部168a为圆角,并在其上形成膜152。这样,能够避免应力向周缘部168a集中,能够提高凸块148的强度。
图8B是用于说明形成周缘部为圆角形状的第三上表面的方法的图。在该例中,通过形成第三上表面168的光刻进行多色调曝光。所使用的多色调掩模180具有光的透过区域182、光的半透过区域184和遮光区域186。半透过区域184只要是光的透过率比透过区域182低的区域即可,其透过率不限于50%。
若光致抗蚀剂层是正型,则在要除去厚度方向整体的区域的上方配置多色调掩模180的光的透过区域182,在不用除去的区域的上方配置遮光区域186。而且,在第三上表面168的周缘部168a的上方配置半透过区域184。
在形成第三上表面168的周缘部168a的区域,对于显影液的溶解度比形成第三上表面168的中央部的区域高,且比形成切槽176的区域低。由此,能够使第三上表面168的周缘部168a斜向下地(例如圆角状)形成。本应用例的内容也能够适用上述任意的实施方式。
本发明不限于上述实施方式,还能够进行各种变形。例如,在图1至图8B中,采用在凸块48和第二基板12之间形成有间隙的结构,但凸块48也可以如图9所示那样以凸块48的上表面与形成在第二基板12上的遮光膜42接触的方式形成,还可以如图10所示那样以凸块48的上表面与第二基板12接触的方式形成。另外,实施方式中说明的结构能够置换成实质上相同的结构,发挥相同作用效果的结构或能够实现相同目的的结构。

Claims (20)

1.一种显示装置的制造方法,其特征在于,包括以下工序:
在第一基板上形成包含凸块、光闸及用于机械驱动所述光闸的驱动部在内的构造物的工序,所述凸块在所述第一基板和第二基板之间保持间隔,其中与所述光闸的最上表面相比,所述凸块的最上表面在所述第一基板之上较大的高度;
与所述第一基板相对地配置所述第二基板的工序;
在所述第一基板及所述第二基板之间填充油的工序,
形成所述构造物的工序包括:
将形成了图案的树脂层形成在所述第一基板上的工序;
使用与形成所述光闸及所述驱动部的相同的材料将形成了图案的膜形成在所述树脂层上的工序;
残留所述膜并除去所述树脂层的一部分的工序,
所述树脂层具有:最低的第一上表面、比所述第一上表面高的第二上表面、最高的第三上表面、从所述第一上表面下至底面的第一侧面、和从所述第一上表面上至所述第二上表面的第二侧面,以包围所述第三上表面的方式形成贯穿所述树脂层的切槽,
所述膜形成为,在所述切槽的内侧覆盖所述树脂层的除了所述底面以外的整体,在所述切槽的外侧使得所述树脂层的至少一部分露出,
在除去所述树脂层的一部分的工序中,在所述切槽的内侧残留被所述膜整体覆盖的所述树脂层,在所述切槽的外侧除去与相对于所述膜的露出面连续的所述树脂层的整体,
在形成所述构造物的工序中,在所述切槽的内侧由所述树脂层及所述膜形成所述凸块,在所述切槽的外侧由所述膜形成所述光闸和所述驱动部的至少一部分。
2.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
将形成了图案的所述树脂层形成在所述第一基板上的工序包括:
在所述第一基板上形成第一光致抗蚀剂层的工序;
通过光刻对所述第一光致抗蚀剂层进行图案形成而具有所述第一上表面的工序;
在形成了图案的所述第一光致抗蚀剂层上形成第二光致抗蚀剂层的工序;
通过光刻对所述第二光致抗蚀剂层进行图案形成而具有所述第二上表面的工序;
在形成了图案的所述第二光致抗蚀剂层上形成第三光致抗蚀剂层的工序;
通过光刻对所述第三光致抗蚀剂层进行图案形成而具有所述第三上表面的工序。
3.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
将形成了图案的所述树脂层形成在所述第一基板上的工序包括:
在所述第一基板上形成厚度超过所述第一上表面的高度的第一光致抗蚀剂层的工序;
通过包含多色调曝光的光刻对所述第一光致抗蚀剂层进行图案形成而具有所述第一上表面及比所述第一上表面高的中间上表面的工序;
在形成了图案的所述第一光致抗蚀剂层上形成第二光致抗蚀剂层的工序;
通过光刻对所述第二光致抗蚀剂层进行图案形成而在所述第一上表面上配置具有所述第二上表面的部分,且在所述中间上表面上配置具有所述第三上表面的部分的工序。
4.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
将形成了图案的所述树脂层形成在所述第一基板上的工序包括:
在所述第一基板上形成至少具有所述第三上表面的高度的厚度的第一光致抗蚀剂层的工序;
通过包含多色调曝光的光刻对所述第一光致抗蚀剂层进行图案形成而具有所述第一上表面及所述第三上表面的工序;
在形成了图案的所述第一光致抗蚀剂层上形成第二光致抗蚀剂层的工序;
通过光刻对所述第二光致抗蚀剂层进行图案形成而具有所述第二上表面的工序。
5.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
将形成了图案的所述树脂层形成在所述第一基板上的工序包括:
在所述第一基板上形成至少具有所述第一上表面的高度的厚度的第一光致抗蚀剂层的工序;
通过光刻对所述第一光致抗蚀剂层进行图案形成而具有所述第一上表面的工序;
在形成了图案的所述第一光致抗蚀剂层上形成厚度至少达到所述第三上表面的高度的第二光致抗蚀剂层的工序;
通过包含多色调曝光的光刻对所述第二光致抗蚀剂层进行图案形成而具有所述第二上表面及所述第三上表面的工序。
6.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
将形成了图案的所述树脂层形成在所述第一基板上的工序包括:
在所述第一基板上形成至少具有所述第一上表面的高度的厚度的第一光致抗蚀剂层的工序;
通过光刻对所述第一光致抗蚀剂层进行图案形成以除去所述第三上表面的形成区域并具有所述第一上表面的工序;
在所述第一基板上及形成了图案的所述第一光致抗蚀剂层上形成厚度至少达到所述第三上表面的高度的第二光致抗蚀剂层的工序;
通过包含多色调曝光的光刻对所述第二光致抗蚀剂层进行图案形成而具有所述第二上表面及所述第三上表面的工序。
7.如权利要求1~6中任一项所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
通过形成所述第三上表面的光刻,以使对于显影液的溶解度在形成所述第三上表面的周缘部的区域比形成所述第三上表面的中央部的区域高且比形成所述切槽的区域低的方式,进行使用多色调掩模的曝光从而将所述第三上表面的所述周缘部斜向下地形成。
8.如权利要求1~6中任一项所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
所述膜具有半导体膜和金属膜。
9.如权利要求8所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
所述半导体膜是非晶硅。
10.如权利要求8所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
所述金属膜是铝。
11.如权利要求1~6中任一项所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
所述凸块与所述第二基板具有规定间隙地相对。
12.如权利要求1~6中任一项所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
所述凸块与所述第二基板接触地形成。
13.一种显示装置,其特征在于,具有:
第一基板;
形成在所述第一基板上的光闸及与所述光闸连接的驱动部;
与所述第一基板隔开间隔地相对配置的第二基板;
配置在所述第一基板和所述第二基板之间的凸块,所述凸块在所述第一基板和所述第二基板之间保持所述间隔;
在所述第一基板及所述第二基板之间填充的油,
所述凸块包括:形成在所述第一基板上的树脂层;和覆盖所述树脂层的除了底面以外的整体的膜,
所述光闸及所述驱动部由与所述膜相同的材料形成,其中与所述光闸的最上表面相比,所述凸块的最上表面在所述第一基板之上较大的高度。
14.如权利要求13所述的显示装置,其特征在于,
所述膜的耐油性比所述树脂层高。
15.如权利要求13所述的显示装置,其特征在于,
所述膜具有半导体膜和金属膜。
16.如权利要求15所述的显示装置,其特征在于,
所述半导体膜是非晶硅。
17.如权利要求15所述的显示装置,其特征在于,
所述金属膜是铝。
18.如权利要求13~17中任一项所述的显示装置,其特征在于,
所述凸块与所述第二基板具有规定间隙地相对。
19.如权利要求13~17中任一项所述的显示装置,其特征在于,
所述凸块与所述第二基板接触地形成。
20.如权利要求19所述的显示装置,其特征在于,
所述第二基板具有形成有开口的遮光膜,
所述凸块与所述遮光膜接触地形成。
CN201210163617.6A 2011-05-23 2012-05-22 显示装置及其制造方法 Expired - Fee Related CN102798974B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011114362A JP5856758B2 (ja) 2011-05-23 2011-05-23 表示装置及びその製造方法
JP2011-114362 2011-05-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102798974A CN102798974A (zh) 2012-11-28
CN102798974B true CN102798974B (zh) 2015-08-19

Family

ID=46513624

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210163617.6A Expired - Fee Related CN102798974B (zh) 2011-05-23 2012-05-22 显示装置及其制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9206036B2 (zh)
EP (1) EP2527902B1 (zh)
JP (1) JP5856758B2 (zh)
KR (1) KR101389073B1 (zh)
CN (1) CN102798974B (zh)
TW (1) TWI474044B (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103066017A (zh) * 2012-12-28 2013-04-24 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板的制备方法
CN103117224A (zh) * 2013-01-21 2013-05-22 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管和阵列基板的制作方法
US20140225904A1 (en) * 2013-02-13 2014-08-14 Pixtronix, Inc. Shutter assemblies fabricated on multi-height molds
US9134532B2 (en) 2013-03-13 2015-09-15 Pixtronix, Inc. MEMS shutter assemblies for high-resolution displays
US9632307B2 (en) 2013-03-13 2017-04-25 Snaptrack, Inc. MEMS shutter assemblies for high-resolution displays
JP2014178489A (ja) * 2013-03-14 2014-09-25 Pixtronix Inc 表示装置
JP2014178455A (ja) * 2013-03-14 2014-09-25 Pixtronix Inc 表示装置及びその製造方法
US20140268273A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Pixtronix, Inc. Integrated elevated aperture layer and display apparatus
US20140268274A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Pixtronix, Inc. Display Apparatus Incorporating an Elevated Aperture Layer and Methods of Manufacturing the Same
US9897796B2 (en) * 2014-04-18 2018-02-20 Snaptrack, Inc. Encapsulated spacers for electromechanical systems display apparatus
US20160042700A1 (en) * 2014-08-05 2016-02-11 Pixtronix, Inc. Display shutter assemblies including fluid-dynamic surface features
US20170003499A1 (en) * 2015-07-02 2017-01-05 Pixtronix, Inc. Silane modified fluid for mems stiction reduction

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005106856A (ja) * 2003-09-26 2005-04-21 Dainippon Printing Co Ltd 液晶表示装置
JP2005122150A (ja) * 2003-09-22 2005-05-12 Dainippon Printing Co Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
CN101128765A (zh) * 2005-02-23 2008-02-20 皮克斯特罗尼克斯公司 显示方法和装置
CN102809811A (zh) * 2011-05-17 2012-12-05 株式会社日本显示器东 显示装置

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3799092B2 (ja) * 1995-12-29 2006-07-19 アジレント・テクノロジーズ・インク 光変調装置及びディスプレイ装置
US6201633B1 (en) 1999-06-07 2001-03-13 Xerox Corporation Micro-electromechanical based bistable color display sheets
JP3685448B2 (ja) * 2000-11-17 2005-08-17 キヤノン株式会社 電気泳動表示装置
US20050048688A1 (en) 2000-12-07 2005-03-03 Patel Satyadev R. Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates
TW554221B (en) 2001-01-09 2003-09-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR20030042641A (ko) 2001-11-23 2003-06-02 일진다이아몬드(주) 도전성 기둥을 갖는 액정표시장치
KR100459232B1 (ko) 2002-12-11 2004-12-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치
US7417782B2 (en) 2005-02-23 2008-08-26 Pixtronix, Incorporated Methods and apparatus for spatial light modulation
JP4929578B2 (ja) 2003-11-10 2012-05-09 大日本印刷株式会社 液晶表示装置
US7911428B2 (en) 2004-09-27 2011-03-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for manipulating color in a display
ATE414971T1 (de) * 2005-02-23 2008-12-15 Pixtronix Inc Licht-modulator und verfahren zu seiner herstellung
US9158106B2 (en) 2005-02-23 2015-10-13 Pixtronix, Inc. Display methods and apparatus
US7405852B2 (en) * 2005-02-23 2008-07-29 Pixtronix, Inc. Display apparatus and methods for manufacture thereof
CA2817644A1 (en) 2005-02-23 2006-08-31 Pixtronix, Inc. A display utilizing a control matrix to control movement of mems-based light modulators
US7919844B2 (en) 2005-05-26 2011-04-05 Aprolase Development Co., Llc Tier structure with tier frame having a feedthrough structure
KR100789512B1 (ko) * 2005-06-01 2007-12-28 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 액정 표시 소자
US7468830B2 (en) 2006-06-28 2008-12-23 Spatial Photonics, Inc. In SITU application of anti-stiction materials to micro devices
US9176318B2 (en) * 2007-05-18 2015-11-03 Pixtronix, Inc. Methods for manufacturing fluid-filled MEMS displays
EP2074464A2 (en) 2007-01-19 2009-07-01 Pixtronix Inc. Mems display apparatus
CN100595652C (zh) 2007-05-30 2010-03-24 北京京东方光电科技有限公司 液晶显示装置的液晶盒
CN101387794B (zh) 2007-09-10 2010-08-18 北京京东方光电科技有限公司 液晶显示面板
JP5544692B2 (ja) * 2007-12-07 2014-07-09 大日本印刷株式会社 カラーフィルタおよびカラーフィルタの製造方法
US20100020382A1 (en) 2008-07-22 2010-01-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Spacer for mems device
US7920317B2 (en) * 2008-08-04 2011-04-05 Pixtronix, Inc. Display with controlled formation of bubbles
KR101500426B1 (ko) 2008-08-26 2015-03-09 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 표시 장치
KR101534011B1 (ko) * 2008-11-20 2015-07-06 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조 방법
US20100201934A1 (en) 2009-02-12 2010-08-12 Tpo Displays Corp. Display panel and method for forming the same
JP5283579B2 (ja) * 2009-07-14 2013-09-04 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法および電子機器
KR20110032467A (ko) * 2009-09-23 2011-03-30 삼성전자주식회사 표시 장치
KR101614463B1 (ko) * 2009-11-05 2016-04-22 삼성디스플레이 주식회사 멤스 소자를 이용한 표시 장치 및 그 제조 방법
CN102834763B (zh) 2010-02-02 2015-07-22 皮克斯特罗尼克斯公司 用于制造填充冷密封流体的显示装置的方法
KR101682931B1 (ko) 2010-03-26 2016-12-07 삼성디스플레이 주식회사 멤스 셔터 및 이를 갖는 표시장치
WO2012073867A1 (ja) 2010-11-30 2012-06-07 シャープ株式会社 光拡散部材およびその製造方法、表示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005122150A (ja) * 2003-09-22 2005-05-12 Dainippon Printing Co Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JP2005106856A (ja) * 2003-09-26 2005-04-21 Dainippon Printing Co Ltd 液晶表示装置
CN101128765A (zh) * 2005-02-23 2008-02-20 皮克斯特罗尼克斯公司 显示方法和装置
CN102809811A (zh) * 2011-05-17 2012-12-05 株式会社日本显示器东 显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5856758B2 (ja) 2016-02-10
TWI474044B (zh) 2015-02-21
JP2012242712A (ja) 2012-12-10
KR20120130711A (ko) 2012-12-03
EP2527902A1 (en) 2012-11-28
TW201303358A (zh) 2013-01-16
EP2527902B1 (en) 2014-05-14
KR101389073B1 (ko) 2014-04-28
US20120300283A1 (en) 2012-11-29
CN102798974A (zh) 2012-11-28
US9206036B2 (en) 2015-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102798974B (zh) 显示装置及其制造方法
JP5154403B2 (ja) ポリマー又はレジストパターンの形成方法、金属薄膜パターンの形成方法、ポリマーモールドの形成方法、及び金属パターンの形成方法
US6653030B2 (en) Optical-mechanical feature fabrication during manufacture of semiconductors and other micro-devices and nano-devices that include micron and sub-micron features
US20120287507A1 (en) Wire grid polarizers, methods of fabricating a wire grid polarizer, and display panels including a wire grid polarizer
EP1939677B1 (en) Method of forming a partition and a spacer on a substrate of an electrophoretic display medium
CN104350410B (zh) 包括包含快门的微机电光调制器的显示设备
CN101089731B (zh) 软模的制造装置以及使用该装置制造软模的方法
US7915171B2 (en) Double patterning techniques and structures
CN103399399A (zh) 带有应力梁的机械式光调制器
US20170307981A1 (en) Exposure method and exposure machine
JP2007288130A (ja) 有機薄膜トランジスタ、この製造方法及びこれを利用した表示装置
JP2008006819A (ja) ソフトモールド製造方法及びそれを用いた薄膜パターン形成方法
JP2010002925A (ja) マイクロレンズアレイ基板とその製造方法、及び液晶パネル、液晶プロジェクタ、表示装置、照明装置
TW201523103A (zh) 液晶顯示器及其製造方法
US20190278168A1 (en) Functional film layer pattern, display substrate, method for manufacturing display substrate, and display device
KR102319094B1 (ko) 마스크, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 표시 패널의 제조 방법
CN110098200B (zh) 像素结构及其制造方法
JP2010278140A (ja) パターン形成方法
JP2014077912A (ja) 表示装置及びその製造方法
JP2014092740A (ja) 表示装置及びその製造方法
KR101182308B1 (ko) 패턴형성방법 및 그를 이용한 액정표시소자 제조방법
JP4496824B2 (ja) マイクロレンズアレイ基板、tft基板、液晶パネル、液晶プロジェクタ、表示装置、照明装置、及びマイクロレンズアレイ基板の製造方法
KR101201325B1 (ko) 패턴 형성용 몰드 및 이를 이용한 패턴 형성방법
JP2007155957A (ja) 液晶装置、液晶装置の製造方法及びプロジェクタ
JP4122315B2 (ja) 液晶表示器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C53 Correction of patent for invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: Tokyo port xixinqiao Japan three chome 7 No. 1

Applicant after: Japan Display Central Inc.

Address before: Chiba County, Japan

Applicant before: Japan Display East Inc.

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: APAN DISPLAY EAST, INC. TO: JAPAN DISPLAY, INC.

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: PIXTRONIX INC.

Free format text: FORMER OWNER: JAPAN DISPLAY, INC.

Effective date: 20131018

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20131018

Address after: American California

Applicant after: Pixtronix, Inc.

Address before: Tokyo port xixinqiao Japan three chome 7 No. 1

Applicant before: Japan Display Central Inc.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20161230

Address after: American California

Patentee after: NUJIRA LTD.

Address before: American California

Patentee before: Pixtronix, Inc.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20150819

Termination date: 20160522

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee