CN102769082A - 图形化衬底及其形成方法及用于制作所述衬底的掩膜版 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种图形化衬底，包括衬底及位于衬底上方的周期性图形，所述周期性图形由从下至上阶梯型依次堆叠的m+1个圆台或椭圆台或多棱台组成，或由从下至上阶梯型依次堆叠的m个圆台或椭圆台或多棱台和1个圆锥或椭圆锥或多棱锥组成，通过周期性图形微结构可降低由GaN等外延层与衬底之间晶格失配而造成的应力以及GaN等外延层中的位错密度，提高GaN等外延层的晶体质量，更好地改善LED的发光亮度；本发明还提供一种由圆形阵列或椭圆形阵列或多边形阵列组成掩模版，阵列中的每一圆形或椭圆形或多边形区域内部都包含m+1个透光率不同的同心圆环或同心椭圆环或同心多边形环；且本发明提供的利用所述掩模版制作所述图形化衬底的方法，易于实现且成本低。

Description

图形化衬底及其形成方法及用于制作所述衬底的掩膜版

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种图形化衬底及其形成方法及用于制作所述衬底的掩膜版。 

背景技术

以GaN、InGaN以及AlGaN为主的III-V氮化物是近年来备受关注的半导体材料，其1.9eV-6.2eV连续可变的直接带隙，优异的物理、化学稳定性，高饱和电子迁移率等特性，使其成为激光器、发光二极管(LED)等光电子器件的最优选材料。 

通常氮化物光电子器件制备在蓝宝石衬底上，而蓝宝石与GaN材料晶格常数相差15％，热膨胀系数和化学性质也相差较大。大的晶格失配使在蓝宝石衬底上生长的氮化物外延层缺陷密度较大，这些缺陷会向后向相邻窗口漫延，从而使GaN有源区的缺陷密度增大。当发光波长为410纳米时，GaN材料和蓝宝石之间光的全反射角为44.8°，这使得有源区产生近90％的光被限制在器件内，经多次反射而被吸收，这样即增加了LED的发热量，也使其发光亮度减弱。 

为了缓解GaN外延层与衬底之间由于晶格失配造成的应力，降低GaN外延层中的位错密度，提高GaN材料的晶体质量，提高GaN基LED的发光亮度，LED行业引入了图形化衬底。所述图形化衬底是在衬底上通过湿法高温腐蚀或干法刻蚀形成类似半球形、圆台形、圆锥形、三角锥形、多棱锥形、柱形或一些不规则图形等微结构。所述图形化衬底通过这些微结构对光波形成散射或漫反射，增加光子逃逸的几率，从而提高LED的发光亮度。然而，现有技术中图形化衬底的微结构，无论是半球形、圆台形、圆锥形还是三角锥形，或者是其它图形，其表面都是光滑的，没有任何沟槽、凸起或阶梯。为了更好地降低GaN外延层与衬底之间晶格失配造成的应力，降低GaN外延层中的位 错密度，提高GaN材料的晶体质量，更好地改善LED的发光亮度，在图形化衬底的微结构上再做阶梯的工作势在必行。然而在已形成图形化的衬底上再做阶梯的工艺比较复杂，工艺精度要求高，从而成本较高，如何在不增加成本的前提下，形成具有阶梯的微结构的图形化衬底，成为目前LED行业的研究重点之一。 

发明内容

本发明的目的是提供一种图形化衬底及其形成方法及用于制作所述衬底的掩膜版，用所述掩膜版采用一次光刻、二次刻蚀工艺形成具有阶梯型微结构的图形化衬底，工艺简单，成本低。 

本发明提供一种图形化衬底，包括衬底和衬底表面的周期性图形，所述周期性图形包括下列情况中的任意一种：(1)由从下至上阶梯型依次堆叠的m+1个圆台、(2)由从下至上阶梯型依次堆叠的m+1个椭圆台、(3)由从下至上阶梯型依次堆叠的m+1个多棱台、(4)由从下至上阶梯型依次堆叠的m个圆台和位于最上端圆台的1个圆锥、(5)由从下至上阶梯型依次堆叠的m个椭圆台和位于最上端椭圆台的椭圆锥、(6)由从下至上阶梯型依次堆叠的m个多棱台和位于最上端多棱台的多棱锥，其中m为自然数，所述m的取值范围为1＜m＜1000。 

作为优选：所述圆台、椭圆台、多棱台、圆锥、椭圆锥或多棱锥的侧面还具有凹槽或凸起。 

作为优选：所述凹槽或凸起形状为方形、锯齿形或不规则形状。 

作为优选：第i+1个圆台或椭圆台或多棱台位于第i个圆台或椭圆台或多棱台的上方，且第i+1个圆台或椭圆台或多棱台的底面直径小于第i个圆台或椭圆台或多棱台的顶面直径，所述i的取值范围为1≤i＜m。 

作为优选：所述圆锥或椭圆锥或多棱锥的侧面与底面的夹角为40度-60度。 

作为优选：所述圆台或椭圆台或多棱台的侧面与底面的夹角为40度-60度。 

作为优选：所述周期性图形的底部关键尺寸为2μm-5μm，高度为1.5μm-5μm，相邻两个图形的底部间距为3μm-10μm。 

本发明还提供一种掩膜版，所述掩膜版包括圆形阵列、椭圆形阵列或多边形阵列。 

作为优选：所述圆形阵列、椭圆形阵列或多变形阵列中的每一圆形、椭圆形或多边形的区域内部分别包含m+1个同心圆环、同心椭圆环或同心多边形环。 

作为优选：所述m+1个同心圆环或同心椭圆环或同心多边形环的边缘还具有方形、锯齿形或不规则形状的图案。 

作为优选：第i+1个圆环或椭圆环或多边形环位于第i个圆环或椭圆环或多边形环的内侧，且所述第一个圆环或椭圆环或多边形环至第m+1个圆环或椭圆环或多边形环的透光率呈公差非零的等差数列，所述i的取值范围为1≤i＜m。 

作为优选：所述圆形或椭圆形或多边形的关键尺寸为2μm-5μm，圆形阵列或椭圆形阵列或多边形阵列的间距为3μm-10μm。 

本发明还提供一种制作图形化衬底的方法，包括以下步骤： 

提供一衬底； 

在所述衬底上涂覆光刻胶； 

光刻所述光刻胶形成呈阶梯型堆叠的m+1个圆柱或多棱柱的周期性图形； 

第一步刻蚀所述衬底，形成从下至上呈阶梯型堆叠的m+1个圆柱或多棱柱的周期性衬底图形； 

第二步刻蚀所述周期性衬底图形，形成图形化衬底，所述图形化衬底包括下列情况中任意一种：(1)由从下至上阶梯型堆叠的m+1个圆台、(2)由从下至上阶梯型堆叠的m+1个椭圆台、(3)由从下至上阶梯型堆叠的m+1个多棱台、(4)由从下至上阶梯型依次堆叠的m个圆台和位于最上端圆台的1个圆锥、(5)由从下至上阶梯型依次堆叠的m个椭圆台和位于最上端椭圆台的椭圆锥、(6)由从下至上阶梯型依次堆叠的m个多棱台和位于最上端多棱台 的多棱锥，其中m为自然数，所述m的取值范围为1＜m＜1000。 

作为优选：所述第一步刻蚀为干法刻蚀，刻蚀设备所用的上电极的功率为800W-1200W，下电极的功率为500W-800W，第一步刻蚀时间为900s-1800s。 

作为优选：所述第二步刻蚀为干法刻蚀，刻蚀设备所用的上电极的功率为800W-1200W，下电极的功率为100W-300W，所述第二步刻蚀时间为100s-300s。 

作为优选：所述光刻胶的厚度为1μm-5μm。 

与现有技术相比，本发明的图形化衬底，由从下至上阶梯型依次堆叠的m+1个圆台或椭圆台或多棱台组成，或由从下至上阶梯型依次堆叠的m个圆台或椭圆台或多棱台和1个圆锥或椭圆锥或多棱锥组成，通过周期性图形微结构可降低由GaN等外延层与衬底之间晶格失配而造成的应力以及GaN等外延层中的位错密度，提高GaN等外延层的晶体质量，更好地改善LED的发光亮度；本发明提供的由圆形阵列或椭圆形或多边形阵列组成掩模版，其圆形或椭圆形或多边形区域内部包含m+1个透光率不同的同心圆环或同心椭圆环或同心多边形环，利用该掩模版制作所述图形化衬底，易于实现且成本低。 

附图说明

图1a-1c是本发明具体实施例的掩膜版图形的示意图。 

图2a-2c是本发明具体实施例的衬底光刻后的示意图。 

图3a-3c是本发明具体实施例的图形化衬底的结构示意图。 

图4a-4g是本发明具体实施例的图形化衬底形成过程中各个工艺步骤的剖面图。 

具体实施方式

本发明下面将结合附图作进一步详述： 

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背 本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。 

其次，本发明利用示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是实例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。 

请参阅图3a-3c所示，本实施例提供一种图形化衬底，包括衬底1和衬底表面的周期性图形2，所述周期性图形2包括下列情况中的任意一种：(1)由从下至上阶梯型依次堆叠的m+1个圆台21、(2)由从下至上阶梯型依次堆叠的m+1个椭圆台21、(3)由从下至上阶梯型依次堆叠的m+1个多棱台21、(4)由从下至上阶梯型依次堆叠的m个圆台21和位于最上端圆台21的1个圆锥22、(5)由从下至上阶梯型依次堆叠的m个椭圆台21和位于最上端椭圆台21的1个椭圆锥22、(6)由从下至上阶梯型依次堆叠的m个多棱台21和位于最上端多棱台21的1个多棱锥22，其中m为自然数，所述m的取值范围为1＜m＜1000。其中第i+1个圆台或椭圆台或多棱台位于第i个圆台或椭圆台或多棱台的上方，且第i+1个圆台或椭圆台或多棱台的底面直径小于第i个圆台或多棱台的顶面直径，所述i的取值范围为1≤i＜m。 

优选的，所述圆台或椭圆台或多棱台或圆锥或椭圆锥或多棱锥的侧面可以同时具有相同的或不同的方形或锯齿形等规则形状的凹槽或凸起，所述凹槽或凸起还可以是不规则的形状；所述圆台或椭圆台或多棱台或圆锥或椭圆锥或多棱锥的侧面上还可以有些上面具有规则形状或不规则形状的凹槽或凸起，有些上面没有所述规则形状或不规则形状的凹槽或凸起。 

优选的，所述圆锥或椭圆锥或多棱锥22的侧面与底面的夹角为40度-60度。 

优选的，所述圆台或椭圆台或多棱台21的侧面与底面的夹角为40度-60度。 

优选的，所述周期性图形2的底部直径为2μm-5μm，高度为1.5μm-5μm，周期性图形的底部间距为3μm-10μm。当所述周期性图形2为阶梯型的圆台时， 其底部直径为第1个圆台的底部直径，但所述周期性图形2为阶梯型椭圆台时，其底部直径为第一椭圆台的长轴，当所述周期性图形为阶梯型的三棱锥时，其底部直径为第1个三棱锥的底面三角形外接圆的直径，当所述周期性图形为阶梯型的多棱锥(棱数大于3条)时，其底部直径为第1个多棱锥底面多边形的对角线。 

所述衬底1可以是蓝宝石、碳化硅或硅。所述多棱台21的横截面呈多边形，可以为规则图形，也可以是不规则图形，所述多棱台21的横截面可以是三角形、正方形、长方形、平行四边形、梯形或其它类型的多边形或上述图形和其边缘的规则或不规则的方形或锯齿形的图案组合而成的图形等。 

本发明还提供一种用于制作图形化衬底的掩膜版，如图1a-1c所示，所述掩膜版包括由圆形阵列或椭圆形阵列或多边形阵列组成，所述圆形或椭圆形或多边形3区域内部包含m+1个透光率不同的同心圆环或同心椭圆环或同心多边形环31。其中第i+1个圆环或椭圆环或多边形环位于第i个圆环或椭圆环或多边形环的内侧，所述i的取值范围为1≤i＜m，最里面的圆或椭圆或多变形被定义为第m+1个圆环或椭圆环或多边形环，最外面的圆环或椭圆环或多边形环被定义为第一个圆环或椭圆环或多边形环，所述从第一个同心圆环或椭圆环或多边形环到第m+1个同心圆环或椭圆环或多边形环的透光率呈公差非零的等差数列。所述m+1个同心圆环或同心椭圆环或同心多边形环的边缘可以同时具有相同的或不同的方形、锯齿形等规则图案，还可以是不规则的图案；所述m+1个同心圆环或同心椭圆环或同心多边形环的边缘还可以有些上有图案有些上没有图案，有图案的同心圆环或同心椭圆环或同心多边形环上可以是相同的或不同的图案。 

所述圆形或或椭圆形或多边形的特征尺寸为2μm-5μm，圆形阵列或椭圆形阵列或多边形阵列的间距为3μm-10μm，当所述圆形的特征尺寸为所述圆的直径，当所述椭圆形的特征尺寸为椭圆的长轴，当所述多边形为三角形时，其特征尺寸为三角形外接圆的直径，当所述多边形边数大于3时，其特征尺寸为其对角线。 

所述多边形可以为规则图形，也可以是不规则图形，所述多边形可以是三角形、正方形、长方形、平行四边形、梯形或其它类型的多边形或上述图形和 其边缘的规则或不规则的方形或锯齿形的图案组合而成的图形等。 

在本实施例中，以如图1a所示的掩膜版为掩膜形成如图3a所示的图形化衬底为例，需要说明的是，图4a-4g中以衬底表面形成呈阶梯状由2个圆台一个圆锥组成的周期性图为例来说明，但不影响对本专利所提供的制备方法的理解。下面简单介绍下图形化衬底的制作方法： 

如图4a所示，提供一衬底1，在本实施例中，所述衬底为蓝宝石，在所述衬底1上涂覆光刻胶4，当所述光刻胶4为正胶时，所述掩膜版的圆形或多边形阵列之间的区域是完全透光的，所述公差d＜0；如果光刻胶4是负性光刻胶，所述掩膜版的圆形或多边形阵列之间的区域是完全不透光的，所述公差d＞0，所述光刻胶2的厚度为1-5微米； 

如图4b所示，用所述掩膜版做掩膜，光刻形成从下至上呈阶梯型堆叠的3个圆柱的周期性图形41，在本实施例中m为2，其中所述光刻工艺中，曝光时间为1-30秒，显影时间为1-30分钟，坚膜时间为10分钟-60分钟，坚膜温度为80度-200度； 

接下来，第一步刻蚀所述衬底形成从下至上呈阶梯型堆叠的3个圆柱的周期性图形，如表1所示，所述第一步刻蚀采用干法刻蚀，刻蚀设备所用的上电极的功率为800-1200W，下电极的功率为500-800W，第一步刻蚀时间为900-1800s。在第一步刻蚀工艺中，下电极功率较大，上电极产生的等离子体基本上被下电极向下牵引，所以其等离子体方向基本上垂直于衬底表面，即同步刻蚀光刻胶和衬底，如图4c所示，周期性图形的光刻胶顶部和窗口内的衬底同时被刻蚀；如图4d所示，接着同步刻蚀，第三层的光刻胶完全刻蚀掉，其形貌及尺寸被完全转移第二层光刻胶上，原第二层光刻胶的形貌及尺寸被完全转移到第一层光刻胶上，原第一层光刻胶的形貌及尺寸被完全转移到衬底1上，衬底表面形成第一阶圆柱；如图4e所示，继续同步刻蚀，第二层的光刻胶完全刻蚀掉，其形貌及尺寸被完全转移第一层光刻胶上，原第一层光刻胶的形貌及尺寸被完全转移到衬底上，衬底表面在第一阶圆柱的基础上形成第二阶圆柱，如图4f所示，继续同步刻蚀，第一层的光刻胶完全刻蚀掉，其形貌及尺寸被完全转移衬底上，衬底表面在第二阶圆柱的基础上形成第三阶圆柱，从而所述衬底上形成呈阶梯型的3个圆柱的周期性图形。 

然后继续第二步刻蚀，刻蚀如图4f所示的衬底形成从下至上呈阶梯型堆叠的2个圆台和位于圆台上的1个圆锥的周期性图形。所述第二步刻蚀采用干法刻蚀，刻蚀设备所用的上电极的功率为800-1200W，下电极的功率为100-300W，所述第二步刻蚀时间为100-300s，第二步刻蚀中，下电极的功率较小，所以每个等离子体上所分的向下的力比较小，即等离子体方向不在垂直向下而呈向外扩散，如图4g所示，第一步干法刻蚀后在衬底上形成的呈阶梯状的圆柱在第二步干法刻蚀中各阶圆柱的边缘被刻蚀掉，而图形的高度基本不受影响，从而所述衬底上形成呈阶梯型的2个圆台和位于圆台上的1个圆锥的周期性图形，通过稍微减少第二步刻蚀的工艺时间，圆台上面的圆锥也可以是一个圆台，即在所述衬底上形成呈阶梯型堆叠的3个圆台。本发明还可以用如图1b所示的掩膜版形成如图3b所示的图形化衬底，采用上述制备方法，利用不同的掩膜版，通过调整第二步刻蚀的工艺时间，还可以在所述衬底1表面形成由从下至上呈阶梯型堆叠的m+1个圆台或椭圆台或多棱台，也可以在所述衬底1表面上形成由从下至上呈阶梯型堆叠的m个圆台或椭圆台或多棱台和圆台或椭圆台或多棱台上的1个圆锥或椭圆锥或多棱锥组成的周期性图形，所述周期性图形的侧面还可以设有规则或不规则的、方形或锯齿形的凹槽或凸起，本发明还可以采用不同的工艺条件运用上述制备方法在其它材料(如碳化硅或硅等)的衬底表面形成由从下至上呈阶梯型堆叠的m+1个圆台或椭圆台或多棱台，或由从下至上呈阶梯型堆叠的m个圆台或椭圆台或多棱台和圆台或椭圆台或多棱台上的1个圆锥或椭圆锥或多棱锥组成的周期性图形。 

表1 

	第一步刻蚀	第二步刻蚀
			三氯化硼(sccm)	40-80	40-80
氢气(sccm)	10-20	10-20
			上电极功率(W)	800-1200	800-1200
下电极功率(W)	500-800	100-300
			时间(sec)	900-1800	100-300

本发明用所述掩膜版形成衬底表面由阶梯型的堆叠的m个圆台或椭圆台或多棱台，或由阶梯型的堆叠的m个圆台或椭圆台或多棱台和圆台或椭圆台或多棱台上的1个圆锥或椭圆椎或多棱锥组成的周期性图形，工艺简单成本 低，所述图形化衬底降低GaN外延层与衬底之间的应力、降低GaN外延层中的位错密度，提高LED的发光亮度。 

本发明的图形化衬底，包括衬底及位于衬底上方的周期性图形，所述周期性图形由从下至上阶梯型依次堆叠的m个圆台或椭圆台或多棱台组成，或由从下至上阶梯型依次堆叠的m个圆台或椭圆台或多棱台和1个圆锥或椭圆锥或多棱锥组成，通过周期性图形的阶梯型微结构可降低由GaN等外延层与衬底之间晶格失配而造成的应力以及GaN等外延层中的位错密度，提高GaN等外延层的晶体质量，更好地改善LED的发光亮度；本发明提供的由圆形阵列或椭圆形阵列或多边形阵列组成掩模版，其圆形阵列或椭圆形阵列或多边形阵列中每一单个圆形或椭圆形或多边形区域内部包含m+1个透光率不同的同心圆环或同心椭圆环或同心多边形环，利用该掩模版制作所述图形化衬底，易于实现且成本低。 

以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明权利要求的涵盖范围。 

Claims (24)

1.一种图形化衬底，包括衬底和衬底表面的周期性图形，其特征在于：所述周期性图形包括下列情况中的任意一种：(1)由从下至上阶梯型依次堆叠的m+1个圆台、(2)由从下至上阶梯型依次堆叠的m+1个椭圆台、(3)由从下至上阶梯型依次堆叠的m+1个多棱台、(4)由从下至上阶梯型依次堆叠的m个圆台和位于最上端圆台的1个圆锥、(5)由从下至上阶梯型依次堆叠的m个椭圆台和位于最上端椭圆台的椭圆锥、(6)由从下至上阶梯型依次堆叠的m个多棱台和位于最上端多棱台的多棱锥，其中m为自然数，所述m的取值范围为1＜m＜1000。

2.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于：所述圆台、椭圆台、多棱台、圆锥、椭圆锥或多棱锥的侧面还具有凹槽或凸起。

3.根据权利要求2所述的图形化衬底，其特征在于：所述凹槽或凸起形状为方形、锯齿形或不规则形状。

4.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于：第i+1个圆台、椭圆台或多棱台位于第i个圆台、椭圆台或多棱台的上方，且第i+1个圆台、椭圆台或多棱台的底面直径小于第i个圆台、椭圆台或多棱台的顶面直径，所述i的取值范围为1≤i＜m。

5.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于：所述圆锥、椭圆锥或多棱锥的侧面与底面的夹角为40度-60度。

6.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于：所述圆台、椭圆台或多棱台的侧面与底面的夹角为40度-60度。

7.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于：所述周期性图形的底部直径为2μm-5μm，高度为1.5μm-5μm，相邻两个图形的底部间距为3μm-10μm。

8.一种用于制作图形化衬底的掩膜版，其特征在于：所述掩膜版包括圆形阵列、椭圆形阵列或多边形阵列。

9.根据权利要求8所述的掩膜版，其特征在于：所述圆形阵列、椭圆形阵列或多变形阵列中的每一圆形、椭圆形或多边形的区域内部分别包含m+1个同心圆环、同心椭圆环或同心多边形环。

10.根据权利要求9所述的掩膜版，其特征在于：所述m+1个同心圆环、同心椭圆环或同心多边形环的边缘的图案为方形、锯齿形或不规则形状。

11.根据权利要求8所述的掩膜版，其特征在于：第i+1个圆环、椭圆形环或多边形环位于第i个圆环、椭圆环或多边形环的内侧，且所述第一个圆环、椭圆环或多边形环至第m+1个圆环或椭圆环或多边形环的透光率呈公差非零的等差数列，所述i的取值范围为1≤i＜m。

12.根据权利要求8所述的掩膜版，其特征在于：所述圆形、椭圆形、多边形的关键尺寸为2μm-5μm，圆形阵列、椭圆形阵列或多边形阵列的间距为3μm-10μm。

13.根据权利要求8至12任一权利要求所述的掩膜版，其特征在于：所述掩膜版制作权利要求1至7所述任一权利要求所述的图形化衬底。

14.一种制作图形化衬底的方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底；

在所述衬底上涂覆光刻胶；

光刻所述光刻胶形成呈阶梯型堆叠的m+1个圆柱、椭圆柱或多棱柱的周期性图形；

第一步刻蚀所述衬底，形成从下至上呈阶梯型堆叠的m+1个圆柱或椭圆柱或多棱柱的周期性衬底图形；

第二步刻蚀所述周期性衬底图形，形成图形化衬底，所述图形化衬底包括下列情况中任意一种：(1)由从下至上阶梯型堆叠的m+1个圆台、(2)由从下至上阶梯型堆叠的m+1个椭圆台、(3)由从下至上阶梯型堆叠的m+1个多棱台、(4)由从下至上阶梯型依次堆叠的m个圆台和位于最上端圆台的1个圆锥、(5)由从下至上阶梯型依次堆叠的m个椭圆台和位于最上端椭圆台的椭圆锥、(6)由从下至上阶梯型依次堆叠的m个多棱台和位于最上端多棱台的多棱锥，其中m为自然数，所述m的取值范围为1＜m＜1000。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于：所述圆台、椭圆台、多棱台、圆锥、椭圆锥或多棱锥的侧面还具有凹槽或凸起。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于：所述凹槽或凸起形状为方形、锯齿形或不规则形状。

17.如权利要求14所述的方法，其特征在于：所述第一步刻蚀为干法刻蚀，刻蚀过程中，刻蚀设备所用的上电极的功率为800W-1200W，下电极的功率为500W-800W，第一步刻蚀时间为900s-1800s。

18.如权利要求14所述的方法，其特征在于：所述第二步刻蚀为干法刻蚀，刻蚀过程中，刻蚀设备所用的上电极的功率为800W-1200W，下电极的功率为100W-300W，所述第二步刻蚀时间为100s-300s。

19.如权利要求14所述的方法，其特征在于：所述光刻胶的厚度为1μm-5μm。

20.根据权利要求14至19任一权利要求所述的方法，其特征在于：所述光刻采用的掩膜版包括圆形阵列、椭圆形阵列或多边形阵列。

21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于：所述光刻采用的掩膜版的圆形阵列、椭圆形阵列或多变形阵列中的每一圆形、椭圆形或多边形的区域内部分别包含m+1个同心圆环、同心椭圆环或同心多边形环。

22.根据权利要求21所述的方法，其特征在于：所述m+1个同心圆环、同心椭圆环、同心多边形环的边缘的图案为方形、锯齿形或不规则形状。

23.根据权利要求20所述的方法，其特征在于：第i+1个圆环、椭圆形环或多边形环位于第i个圆环、椭圆环或多边形环的内侧，且所述第一个圆环、椭圆环或多边形环至第m+1个圆环或椭圆环或多边形环的透光率呈公差非零的等差数列，所述i的取值范围为1≤i＜m。

24.根据权利要求20所述的方法，其特征在于：所述圆形、椭圆形、多边形的关键尺寸为2μm-5μm，圆形阵列、椭圆形阵列或多边形阵列的间距为3μm-10μm。

Images