CN102751980A - 利用电容延时特性实现有源rc滤波器的自动频率校准电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种利用电容延时特性实现有源RC滤波器的自动频率校准电路,包括延时单元和数字部分,其中延时单元中的电容阵列完全复制有源RC滤波器电路中的电容阵列,且两者具有相同的控制字信号;数字部分生成的分频信号,经过所述延时单元的延时作用,得到延时信号,反馈到数字部分,计数器在此延时时间内进行计数,并将所得计数量与期望的参考计数量窗口进行比较,相应地调整电容阵列的控制字信号,通过调整后的电容阵列的控制字信号对有源RC滤波器频率响应进行自动校准。其优点在于:克服了有源RC滤波器电路由于工艺、电源电压和温度等的影响而造成的频率响应的变化。
Description
技术领域
本发明涉及一种有源RC滤波器的频率校准电路,特别涉及一种利用电容延时特性实现有源RC滤波器的频率校准电路。
背景技术
现有的有源RC滤波器中,由于片上电阻阻值和电容容值会随着工艺、温度等的变化而变化,从而导致有源RC滤波器的截止频率的漂移,因此有必要对有源RC滤波器的截止频率进行校准,以得到所需要的截止频率。
发明内容
本发明的目的是实现一种能够利用电容延时特性实现有源RC滤波器的频率校准电路。
为了实现本发明的发明目的,通过采用如下技术方案来实现:
一种利用电容延时特性实现有源RC滤波器的自动频率校准电路,包括延时单元和数字部分,其中延时单元中的电容阵列完全复制有源RC滤波器电路中的电容阵列,且两者具有相同的控制字信号;数字部分生成的分频信号,经过所述延时单元的延时作用,得到延时信号,反馈到数字部分,计数器在此延时时间内进行计数,并将所得计数量与期望的参考计数量窗口进行比较,相应地调整电容阵列的控制字信号,通过调整后的电容阵列的控制字信号对有源RC滤波器频率响应进行自动校准。
特别地,所述数字部分包括S_IN生成电路、计数器和比较/补偿电路,其中S_IN生成电路的输入端连接时钟信号,以时钟信号为参考进行分频,得到分频信号,分频信号输出到所述延时单元;计数器具有三个输入端,分别连接所述S_IN生成电路的分频信号、所述延时单元的延时信号、以及时钟信号,计数器的输出端连接到所述比较/补偿电路的输入端;比较/补偿电路具有两个输入端,分别连接所述计数器的输出端、以及时钟信号,比较/补偿电路的输出端输出控制字信号,控制字信号同时送到所述延时单元的电容阵列控制字端、以及有源RC滤波器电路中电容阵列的控制字端。
特别地,所述延时单元包括电容阵列、NMOS开关管、模拟比较器和充电电流源,其中电容阵列,其容值跟踪有源RC滤波器电路中电容阵列容值的变化,其负端接地,并且其容值由控制字信号进行控制;NMOS开关管的源极接地,栅极与分频信号电相连,漏极连接所述电容阵列的正端;模拟比较器具有正输入端和负输入端,所述正输入端与所述电容阵列的正端相连,所述负输入端与参考电压电相连;充电电流源其正端接供电电源,负端与电容阵列正端相连接。
特别地,上述所述充电电流源包括运算放大器、电阻、PMOS晶体管和电流镜,其中运算放大器具有正输入端和负输入端,所述正输入端与带隙基准电压电相连;电阻采用与有源RC滤波器电路中相同的单元电阻,其阻值的变化反映有源RC滤波器电路中电阻值的变化情况,其负端接地;PMOS晶体管栅极与所述运算放大器的输出端相连,漏极与所述运算放大器的负输入端相连,且同时与电阻的正端连接;电流镜的IN端与所述PMOS晶体管的源极相连,以所述电阻上电流Is为基准,按M:1比例生成所述充电电流Ic, 从电流镜的OUT端输出,其中M为电流镜CM的电流Is与充电电流Ic之间的比例关系。
本发明的有益效果在于:克服了有源RC滤波器电路由于工艺、电源电压和温度等的影响而造成的频率响应的变化,防止了有源RC滤波器的截止频率的漂移对电路的影响。
附图说明
图1是本发明利用电容延时特性实现有源RC滤波器的自动频率校准电路结构示意图;
图2是本发明中延时单元电路结构示意图;
图3是本发明中充电电流源电路结构示意图;
图4是本发明利用电容延时特性实现有源RC滤波器的自动频率校准时序图;
图5是本发明利用电容延时特性实现有源RC滤波器的自动频率校准流程图。
其中,图1至图3的符号说明如下:
A、本发明的自动频率校准电路,1、数字部分,11、S_IN生成电路,12、计数器,13、比较/补偿电路,2、延时单元,21、电容阵列,B、有源RC滤波器电路,B1、电容阵列,M1、NMOS开关管,I、充电电流源,COMP、模拟比较器,OPA、运算放大器,M2、PMOS晶体管,CM、电流镜,RES、电阻;CLK、时钟信号, S<5:0>、控制字信号,S_IN、分频信号,S_OUT、延时信号,VREF、参考电压,VBG、带隙基准电压,T1、第一判断周期,T2、第二判断周期。
具体实施方式
如图1至图3所示,分别为本发明利用电容延时特性实现有源RC滤波器的自动频率校准电路、及其中的延时单元电路、充电电流源电路结构示意图。
一种利用电容延时特性实现有源RC滤波器的自动频率校准电路,包括延时单元2和数字部分1,其中延时单元2中的电容阵列21完全复制有源RC滤波器电路B中的电容阵列B1,且两者具有相同的控制字信号S<5:0>;数字部分1生成的分频信号S_IN,经过所述延时单元2的延时作用,得到延时信号S_OUT,反馈到数字部分1,计数器12在此延时时间内进行计数,并将所得计数量与期望的参考计数量窗口进行比较,相应地调整电容阵列的控制字信号S<5:0>,通过调整后的电容阵列的控制字信号S<5:0>对有源RC滤波器频率响应进行自动校准。
所述数字部分1包括S_IN生成电路11、计数器12和比较/补偿电路13,其中S_IN生成电路11的输入端连接时钟信号CLK,以时钟信号CLK为参考进行分频,得到分频信号S_IN,分频信号S_IN输出到所述延时单元2;计数器12具有三个输入端,分别连接所述S_IN生成电路11的分频信号S_IN、所述延时单元2的延时信号S_OUT、以及时钟信号CLK,计数器12的输出端连接到所述比较/补偿电路13的输入端;比较/补偿电路13具有两个输入端,分别连接所述计数器12的输出端、以及时钟信号CLK,比较/补偿电路13的输出端输出控制字信号S<5:0>,控制字信号S<5:0>同时送到所述延时单元2的电容阵列21控制字端、以及有源RC滤波器电路B中电容阵列B1的控制字端。
所述延时单元2包括电容阵列21、NMOS开关管M1、模拟比较器COMP和充电电流源I,其中电容阵列21,其容值跟踪有源RC滤波器电路B中电容阵列B1容值的变化,其负端接地,并且其容值由控制字信号S<5:0>进行控制;NMOS开关管M1的源极接地,栅极与分频信号S_IN电相连,漏极连接所述电容阵列21的正端;模拟比较器COMP具有正输入端和负输入端,所述正输入端与所述电容阵列21的正端相连,所述负输入端与参考电压VREF电相连;充电电流源I其正端接供电电源,负端与电容阵列21正端相连接。
所述充电电流源I包括运算放大器OPA、电阻RES、PMOS晶体管M2和电流镜CM,其中运算放大器OPA具有正输入端和负输入端,所述正输入端与带隙基准电压VBG电相连;电阻RES采用与有源RC滤波器电路B中相同的单元电阻,其阻值的变化反映有源RC滤波器电路B中电阻值的变化情况,其负端接地;PMOS晶体管M2栅极与所述运算放大器OPA的输出端相连,漏极与所述运算放大器OPA的负输入端相连,且同时与电阻RES的正端连接;电流镜CM的IN端与所述PMOS晶体管M2的源极相连,以所述电阻RES上电流Is为基准,按M:1比例生成所述充电电流Ic, 从电流镜CM的OUT端输出,其中M为电流镜CM的电流Is与充电电流Ic之间的比例关系。
如图4所示,是本发明利用电容延时特性实现有源RC滤波器的自动频率校准时序图,包括第一判断周期T1和第二判断周期T2,以下以第一判断周期T1为例进行说明。
在图1中本发明的自动频率校准电路A,其数字部分的S_IN生成电路实质为分频电路,输入为时钟信号CLK,以时钟信号CLK为参考进行分频,得到分频信号S_IN,时钟信号CLK与分频信号S_IN之间的时序关系图如图4所示。
分频信号S_IN同时被送到数字部分1的计数器12,以及延时单元2中。送到数字部分1的分频信号S_IN,其下降沿作为计数器12的复位信号,如图4所示,在紧接的下一个时钟信号CLK的上升沿,计数器12开始计数。而同时送到延时单元2的分频信号S_IN,其下降沿经延时单元2后,得到一个经历长延时的上升沿,对应图4中延时信号S_OUT的上升沿。
具体的工作情况如图2所示,在分频信号S_IN为高电位时,电容阵列21正端电位通过导通的NMOS开关管M1放电到地电位;电容阵列正端电位,此时为地电位,与参考电压VREF进行比较,经模拟比较器COMP后得到低电位输出。当分频信号S_IN经下降沿到低电位时,NMOS开关管M1截止,电容阵列21正端通过充电电流源I进行充电。当该电位超过参考电压VREF时,模拟比较器COMP输出翻转,得到高电位,从而实现分频信号S_IN下降沿到延时信号S_OUT上升沿的延时,如图4中分频信号S_IN下降沿到延时信号S_OUT上升沿的延时。而为了实现一长时间的延时,使计数器能在一定时间内精确计数,需要一个小的电流源,作为充电电流Ic,该充电电流Ic可以通过图3中的电路实现。
由于运算放大器OPA和PMOS晶体管M2形成电压跟随电路,电阻RES正端的电压将跟随带隙基准电压VBG,从而在电阻RES上形成电流Is。由于运算放大器OPA的输入端具有虚断特性,电流Is流经PMOS晶体管M2,且完全由电流镜CM的输入端IN来提供,该电流经过电流镜CM的镜像作用,得到输出电流,作为延时单元2的充电电流Ic。
图3中,带隙基准电压VBG,电阻RES的阻值R和电流Is满足如下关系:
而充电电流Ic与电流Is之间满足如下关系:
其中M为电流镜CM的电流Is与充电电流Ic之间的比例关系,且M>1。
根据图2中电容阵列21上的电量,可得到电容阵列21的充电时间△T与电容阵列21的容值C、电容阵列21上参考电压VREF、充电电流Ic之间的关系,即:
从而得到电容阵列充电时间△T为:
其中M、VREF、VBG均为常量,因此电容阵列的充电时间△T与电阻RES的阻值R和电容阵列21的容值C的乘积成正比,而电阻RES采用有源RC滤波器中相同的单元电阻,电容阵列21完全复制有源RC滤波器中的电容阵列B1,因此此处△T的变化能够间接反映有源RC滤波器中电阻和电容随温度、工艺等变化引起的量值变化。
如图4中,在分频信号S_IN的下降沿,对计数器12进行复位,在下一个时钟信号CLK的上升沿,计数器12开始计数。分频信号S_IN经延时单元2生成的延时信号S_OUT也送到计数器12中,当延时信号S_OUT出现上升沿时,计数器12停止计数,并将当前计数保持。即在电容阵列21充电过程△T内进行计数,得到并保持最终计数量Nc,该计数量在后续比较/补偿电路13中首先与参考计数量窗口(Nd1,Nd2)进行比较,并相应的对电容阵列的控制字信号S<5:0>进行补偿。经过多个周期的补偿后,最终Nc进入参考计数量(Nd1,Nd2)区间内,参考计数量窗口的设置与所需要的截止频率相对应,即在此参考计数量窗口内,表示电容阵列的容值经过调整,得到需要的有源RC滤波器截止频率,自动频率校准即可完成。
如图5所示,是本发明利用电容延时特性实现有源RC滤波器的自动频率校准流程图。
具体分析,在延时信号S_OUT的上升沿后,根据计数量Nc与参考计数量窗口(Nd1,Nd2)之间的位置关系,可以分为三种情况,如图5所示。
第一种情况,计数得到的Nc位于参考计数量窗口(Nd1,Nd2)内部时,表示当前延时时间满足电路需求,不再需要调整电容阵列的控制字信号S<5:0>。
第二种情况,当计数得到的Nc小于参考计数量窗口的下边界Nd1时,则表示延时单元2的延时时间较短,故对应的计数量Nc较小,也即延时单元2内部当前电容阵列21的容值较大,需要对电容阵列21的控制字信号S<5:0>做减一操作以减小电容值。
第三种情况,计数得到的计数量Nc较大,大于参考计数量窗口的上边界Nd2时,表示延时单元2的延时时间较长,故对应的计数量Nc较大,也即延时单元2内部当前电容阵列21的容值较小,需要对电容阵列21的控制字信号S<5:0>做加一操作以增大电容值。经过多个判断周期,最终计数器得到的Nc将进入参考计数窗口(Nd1,Nd2)内,此时可停止减小或增大电容阵列的控制字信号S<5:0>,有源RC滤波器的自动频率校准也即完成。
综上所述,通过如上技术方案的实施,达到了该发明的目的,实现了一种利用电容延时特性实现有源RC滤波器自动频率校准电路。
Claims (4)
1.一种利用电容延时特性实现有源RC滤波器的自动频率校准电路,其特征在于:包括延时单元(2)和数字部分(1),其中延时单元(2)中的电容阵列(21)完全复制有源RC滤波器电路(B)中的电容阵列(B1),且两者具有相同的控制字信号(S<5:0>);数字部分(1)生成的分频信号(S_IN),经过所述延时单元(2)的延时作用,得到延时信号(S_OUT),反馈到数字部分(1),计数器(12)在此延时时间内进行计数,并将所得计数量与期望的参考计数量窗口进行比较,相应地调整电容阵列的控制字信号(S<5:0>),通过调整后的电容阵列的控制字信号(S<5:0>)对有源RC滤波器频率响应进行自动校准。
2.如权利要求1所述的利用电容延时特性实现有源RC滤波器的自动频率校准电路,其特征在于:所述数字部分(1)包括S_IN生成电路(11)、计数器(12)和比较/补偿电路(13),
其中S_IN生成电路(11)的输入端连接时钟信号(CLK),以时钟信号(CLK)为参考进行分频,得到分频信号(S_IN),分频信号(S_IN)输出到所述延时单元(2);
计数器(12)具有三个输入端,分别连接所述S_IN生成电路(11)的分频信号(S_IN)、所述延时单元(2)的延时信号(S_OUT)、以及时钟信号(CLK),计数器(12)的输出端连接到所述比较/补偿电路(13)的输入端;
比较/补偿电路(13)具有两个输入端,分别连接所述计数器(12)的输出端、以及时钟信号(CLK),比较/补偿电路(13)的输出端输出控制字信号(S<5:0>),控制字信号(S<5:0>)同时送到所述延时单元(2)的电容阵列(21)控制字端、以及有源RC滤波器电路(B)中电容阵列(B1)的控制字端。
3.如权利要求1所述的利用电容延时特性实现有源RC滤波器的自动频率校准电路,其特征在于:所述延时单元(2)包括电容阵列(21)、NMOS开关管(M1)、模拟比较器(COMP)和充电电流源(I),
其中电容阵列(21),其容值跟踪有源RC滤波器电路(B)中电容阵列(B1)容值的变化,其负端接地,并且其容值由控制字信号(S<5:0>)进行控制;
NMOS开关管(M1)的源极接地,栅极与分频信号(S_IN)电相连,漏极连接所述电容阵列(21)的正端;
模拟比较器(COMP)具有正输入端和负输入端,所述正输入端与所述电容阵列(21)的正端相连,所述负输入端与参考电压(VREF)电相连;
充电电流源(I)其正端接供电电源,负端与电容阵列(21)正端相连接。
4.如权利要求3所述的利用电容延时特性实现有源RC滤波器的自动频率校准电路,其特征在于:所述充电电流源(I)包括运算放大器(OPA)、电阻(RES)、PMOS晶体管(M2)和电流镜(CM),
其中运算放大器(OPA)具有正输入端和负输入端,所述正输入端与带隙基准电压(VBG)电相连;
电阻(RES)采用与有源RC滤波器电路(B)中相同的单元电阻,其阻值的变化反映有源RC滤波器电路(B)中电阻值的变化情况,其负端接地;
PMOS晶体管(M2)栅极与所述运算放大器(OPA)的输出端相连,漏极与所述运算放大器(OPA)的负输入端相连,且同时与电阻(RES)的正端连接;
电流镜(CM)的IN端与所述PMOS晶体管(M2)的源极相连,以所述电阻(RES)上电流Is为基准,按M:1比例生成所述充电电流Ic, 从电流镜(CM)的OUT端输出,其中M为电流镜CM的电流Is与充电电流Ic之间的比例关系。
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