CN102722651B - 二维柱坐标完全匹配吸收边界的实现方法 - Google Patents

二维柱坐标完全匹配吸收边界的实现方法 Download PDF

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CN102722651B CN201210177288.0A CN201210177288A CN102722651B CN 102722651 B CN102722651 B CN 102722651B CN 201210177288 A CN201210177288 A CN 201210177288A CN 102722651 B CN102722651 B CN 102722651B
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Abstract

本发明公开了一种二维柱坐标完全匹配吸收边界的实现方法,具体步骤如下:输入模型文件;对电场、磁场及相关辅助变量初始化为零;计算PML中的一维系数数组;更新计算整个计算区域的电位移矢量;更新计算整个计算区域的电场;更新计算电场场源;更新计算PML区域中电场辅助变量;更新计算整个计算区域的磁感应强度;更新计算整个计算区域的磁场;更新计算PML区域中磁场辅助变量;根据设定的仿真计算时长,判断是否继续更新;实际计算时间小于该设定值时,判断继续计算,返回至步骤3;否则输出计算得到的电场和磁场,结束。本发明能够很方便的与CFS参数相结合,能够更加有效的吸收向外传播的电磁波。

Description

二维柱坐标完全匹配吸收边界的实现方法
技术领域
本发明属于计算电磁学技术领域,具体涉及一种二维柱坐标完全匹配吸收边界的实现方法。
背景技术
时域有限差分方法(FDTD,Finite-difference time-domain)作为一种电磁场时域数值计算方法已在电波传播、天线设计、电磁散射、电磁兼容等领域得到了广泛的应用。吸收边界的引入,使得有限区域的FDTD计算可以求解无限大媒质中电波的传播与散射问题。吸收边界的性能是影响FDTD方法性能和精度的主要因素,其中理想匹配层(PML,Perfectly matched layer)吸收边界是目前最常用的吸收边界。对于具有旋转对称结构的电磁问题,采用柱坐标系可以将3维问题简化成2维或者2.5维问题,可大幅度降低程序实现难度,同时提高计算效率。
经典的直角坐标系下的PML吸收边界有分裂场的PML(Split PML)和单轴各向异性PML(UPML:Uniaxial Anisotropic PML),但它们对低频以及凋落模的吸收效果并不理想;带有复频率偏移(CFS,Complex frequency shift)参数的PML(CFS-PML)吸收边界能够很好的改善PML对低频,凋落波与掠射情况的吸收效果;2000年J.Alan Rodeny与Stephen D.Gendney利用卷积关系,给出了直角坐标系实现CFS的卷积PML(convolution PML)吸收边界;2005年Xiaoting Dong Wen-Yan Yin与Yeow-Beng Gan利用双线性变换,给出了CFS在扩展直角坐标系与UPML中的应用。
现有的柱坐标系下PML吸收边界主要有:分裂场的PML和单轴各向异性UPML,近年柱坐标FDTD应用中的PML边界多采用复扩展坐标系下的UPML。但上述柱坐标PML吸收边界对低频以及凋落模的吸收效果很不理想。目前尚未见把CFS引入柱坐标PML吸收边界以改善PML对低频,凋落波与掠射波的吸收效果的研究报道和专利。
发明内容
本发明的目的是提供一种二维柱坐标完全匹配吸收边界的实现方法,能够很方便的与复频率偏移参数相结合,能够更加有效的吸收向外传播的电磁波。
本发明所采用的技术方案是,一种二维柱坐标完全匹配吸收边界的实现方法,其特征在于,具体步骤如下:
步骤1、输入模型文件:
所述模型文件内容包括:计算区域大小Nr×Nz,其中,Nr为柱坐标ρ方向网格数,Nz为柱坐标z方向网格数;空间步长Δζ,ζ=ρ,z;时间步长Δt;真空状态下,整个计算区域网格的电导率σ=0,磁导率μ0,介电常数ε0;PML吸收边界层数与相关参数κζmax和αζζ,κζmax,ζ=ρ,z为大于1的任一实数,αζζ,ζ=ρ,z,ζ=i,k,i+1/2,k+1/2为大于等于0小于1的任一实数,i,k表示空间网格坐标,i=0,1,2…Nr,k=0,1,2…Nz;仿真计算时长;场源参数;
步骤2、根据步骤1输入的模型文件,对电场、磁场及相关辅助变量初始化为零;
其中,所述电场、磁场及相关辅助变量包括:柱坐标ρ方向二维电场数组Eρ[Nr][Nz+1],电位移矢量数组Dρ[Nr][Nz+1],柱坐标z方向二维电场数组Ez[Nr+1][Nz],电位移矢量数组Dz[Nr+1][Nz],柱坐标方向二维磁场数组柱坐标方向二维磁感应强度数组PML中电场辅助变量二维数组ψφρ[Nr+1][Nz],ψφγ[Nr+1][Nz],ψφz[Nr][Nz+1],PML中磁场辅助变量二维数组Φρz[Nr][Nz]和Φ[Nr][Nz];
步骤3、计算PML中的一维系数数组:Chφρi0,Chφρi1,Chφρi2,Chφγi0,Chφγi1,Chφγi2,Chφzk0,Chφzk1,Chφzk2,Ceρzk0,Ceρzk1,Ceρzk2,Cezρi0,Cezρi1,Cezρi2
具体过程为: C hφρi 0 = - Δt ( κ ρi α ρi + σ ρi ) - 2 ϵ 0 κ ρi Δt ( κ ρi α ρi + σ ρi ) + 2 ϵ 0 κ ρi ,
C hφρi 1 = ( Δt α ρi + 2 ϵ 0 ) ( Δt ( κ ρi α ρi + σ ρi ) + 2 ϵ 0 κ ρi ) ,
C hφρi 2 = ( Δt α ρi - 2 ϵ 0 ) ( Δt ( κ ρi α ρi + σ ρi ) + 2 ϵ 0 κ ρi ) ,
C hφγi 0 = - Δt ( A ρi α ρi + B ρi ) - 2 ϵ 0 A ρi Δt ( A ρi α ρi + B ρi ) + 2 ϵ 0 A ρi ,
C hφγi 1 = ( Δt α ρi + 2 ϵ 0 ) ( Δt ( A ρi α ρi + B ρi ) + 2 ϵ 0 A ρi ) ,
C hφγi 2 = ( Δt α ρi - 2 ϵ 0 ) ( Δt ( A ρi α ρi + B ρi ) + 2 ϵ 0 A ρi ) ,
C hφzk 0 = - Δt ( κ zk α zk + σ zk ) - 2 ϵ 0 κ zk Δt ( κ zk α zk + σ zk ) + 2 ϵ 0 κ zk ,
C hφzk 1 = ( Δt α zk + 2 ϵ 0 ) ( Δt ( κ zk α zk + σ zk ) + 2 ϵ 0 κ zk ) ,
C hφzk 2 = ( Δt α zk - 2 ϵ 0 ) ( Δt ( κ zk α zk + σ zk ) + 2 ϵ 0 κ zk ) ,
C eρzk 0 = - Δt ( κ zk + 1 / 2 α z + σ zk + 1 / 2 ) - 2 ϵ 0 κ zk + 1 / 2 Δt ( κ zk + 1 / 2 α z + σ zk + 1 / 2 ) + 2 ϵ 0 κ zk + 1 / 2 ,
C eρzk 1 = Δtα zk + 1 / 2 + 2 ϵ 0 Δt ( κ zk + 1 / 2 α zk + 1 / 2 + σ zk + 1 / 2 ) + 2 ϵ 0 κ zk + 1 / 2 ,
C eρzk 2 = Δtα zk + 1 / 2 - 2 ϵ 0 Δt ( κ zk + 1 / 2 α zk + 1 / 2 + σ zk + 1 / 2 ) + 2 ϵ 0 κ zk + 1 / 2 ,
C ezρi 0 = - Δt ( κ ρi + 1 / 2 α ρi + 1 / 2 + σ ρi + 1 / 2 ) - 2 ϵ 0 κ ρi + 1 / 2 Δt ( κ ρi + 1 / 2 α ρi + 1 / 2 + σ ρi + 1 / 2 ) + 2 ϵ 0 κ ρi + 1 / 2 ,
C ezρi 1 = Δtα ρi + 1 / 2 + 2 ϵ 0 Δt ( κ ρi + 1 / 2 α ρi + 1 / 2 + σ ρi + 1 / 2 ) + 2 ϵ 0 κ ρi + 1 / 2 ,
C ezρi 2 = Δtα ρi + 1 / 2 - 2 ϵ 0 Δt ( κ ρi + 1 / 2 α ρi + 1 / 2 + σ ρi + 1 / 2 ) + 2 ϵ 0 κ ρi + 1 / 2 ;
其中,
A ρi = 1 + ( κ ρ max - 1 ) ( ρ i - ρ 0 ) m + 1 ( m + 1 ) d m 1 ρ i ,
B ρi = σ max ( ρ i - ρ 0 ) m + 1 ( m + 1 ) d m 1 ρ i ;
ρ0表示柱坐标ρ方向PML层靠近FDTD区的界面的位置坐标,m为多项式的阶数,d为PML层厚度,ρi表示柱坐标ρ方向第i个网格的坐标;
κζζ,ζ=ρ,z,ζ=i,k,i+1/2,k+1/2表示ζ网格点处的κζ的取值,κζ的计算公式为:
κζ=1+(κζmax-1)ζ-ζ0|m/dm
σζζ,ζ=ρ,z,ζ=i,k,i+1/2,k+1/2表示ζ网格点处的σζ的取值,σζ的计算公式为:
σζ=σζmax|ζ-ζ0|m/dm
σζmax=Cσopt=C(m+1)/150πΔζ,
C为大于0任一实数;
步骤4、更新计算整个计算区域的电位移矢量;
其中,电位移矢量在z方向的分量的更新公式为:
D z | i , k + 1 / 2 n + 1 = D z | i , k + 1 / 2 n + Δt ( ψ φρ | i , k + 1 / 2 n - 1 / 2 + C hφρi 1 ∂ H φ ∂ ρ | i , k + 1 / 2 n + 1 / 2 + ψ φγ | i , k + 1 / 2 n - 1 / 2 + C hφγi 1 H φ ρ | i , k + 1 / 2 n + 1 / 2 ) ,
电位移矢量在ρ方向的分量的更新公式为:
D ρ | i + 1 / 2 , k n + 1 = D ρ | i + 1 / 2 , k n - Δt ( ψ φz | i + 1 / 2 , k n - 1 / 2 + C hφzk 1 ∂ H φ ∂ z | i + 1 / 2 , k n + 1 / 2 ) ,
n表示离散时间步,
∂ H φ ∂ ρ | i , k + 1 / 2 n + 1 / 2 = H φ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n + 1 / 2 - H φ | i - 1 / 2 , k + 1 / 2 n + 1 / 2 Δρ ,
H φ ρ | i , k + 1 / 2 n + 1 / 2 = H φ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n + 1 / 2 + H φ | i - 1 / 2 , k + 1 / 2 n + 1 / 2 2 i · Δρ ,
∂ H φ ∂ z | i + 1 / 2 , k n + 1 / 2 = H φ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n + 1 / 2 - H φ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n + 1 / 2 Δz ;
步骤5、更新计算整个计算区域的电场;
步骤6、更新计算电场场源;
步骤7、更新计算PML区域中电场辅助变量;
其中,电场辅助变量的更新计算公式为:
ψ φρ | i , k + 1 / 2 n + 1 / 2 = C hφρi 0 ψ φρ | i , k + 1 / 2 n - 1 / 2 + ( C hφρi 0 C hφρi 1 + C hφρi 2 ) ∂ H φ ∂ ρ | i , k + 1 / 2 n + 1 / 2 ,
ψ φγ | i , k + 1 / 2 n + 1 / 2 = C hφγi 0 ψ φγ | i , k + 1 / 2 n - 1 / 2 + ( C hφγi 0 C hφγi 1 + C hφγi 2 ) H φ ρ | i , k + 1 / 2 n + 1 / 2 ,
ψ φz | i + 1 / 2 , k n + 1 / 2 = C hφzk 0 ψ φz | i + 1 / 2 , k n - 1 / 2 + ( C hφzk 0 C hφzk 1 + C hφzk 2 ) ∂ H φ ∂ z | i + 1 / 2 , , k n + 1 / 2 ,
步骤8、更新计算整个计算区域的磁感应强度;
其中,磁感应强度的更新计算公式为:
其中, ∂ E ρ ∂ z | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n = E ρ | i + 1 / 2 , k + 1 n - E ρ | i + 1 / 2 , k n Δz , ∂ E z ∂ ρ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n = E z | i + 1 , k + 1 / 2 n - E z | i - 1 , k + 1 / 2 n Δρ ;
步骤9、更新计算整个计算区域的磁场;
步骤10、更新计算PML区域中磁场辅助变量;
其中,磁场辅助变量的更新计算公式为:
Φ ρz | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n = C eρzk 0 Φ ρz | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n - 1 + ( C eρzk 0 C eρzk 1 + C eρzk 2 ) ∂ E ρ ∂ z | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n ,
Φ zρ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n = C ezρi 0 Φ zρ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n - 1 + ( C ezρi 0 C ezρi 1 + C ezρi 2 ) ∂ E z ∂ ρ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n ,
步骤11、根据步骤1设定的仿真计算时长,判断是否继续更新;实际计算时间小于该设定值时,继续计算,返回至步骤3;否则输出步骤5计算得到的电场和步骤9计算得到的磁场,结束。
步骤5中,真空中,电场在z方向分量的更新公式为:
E z | i , k + 1 / 2 n + 1 = D z | i , k + 1 / 2 n + 1 ϵ 0 ,
电场在ρ方向分量的更新公式为:
E ρ | i + 1 / 2 , k n + 1 = D ρ | i + 1 / 2 , k n + 1 ϵ 0 .
步骤9中,真空中,磁场的更新计算公式为:
H φ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n + 1 / 2 = B φ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n + 1 / 2 μ 0 .
本发明二维柱坐标完全匹配吸收边界的实现方法的有益效果是:步骤3中计算PML中的一维系数数组时,系数数组的计算方法中包含了CFS参数αζζ,因此,本发明方法能够更加有效的吸收向外传播的电磁波。
附图说明
图1是本发明实施例1的计算模型示意图;
图2是本发明实施例1计算得到的观测点处的z方向电场强度;
图3是采用现有解析公式计算得到的观测点处的z方向电场强度。
具体实施方式
本发明二维柱坐标完全匹配吸收边界的实现方法,具体步骤如下:
步骤1、输入模型文件。
模型文件内容包括:计算区域大小Nr×Nz,其中,Nr为柱坐标ρ方向网格数,Nz为柱坐标z方向网格数;空间步长Δζ,ζ=ρ,z;时间步长Δt;真空状态下,整个计算区域网格的电导率σ=0,磁导率μ0,介电常数ε0;PML吸收边界层数与相关参数κζmax和αζζ,κζmax,ζ=ρ,z为大于1的任一实数,αζζ,ζ=ρ,z,ζ=i,k,i+1/2,k+1/2为大于等于0小于1的任一实数,i,k表示空间网格坐标,i=0,1,2…Nr,k=0,1,2…Nz;仿真计算时长;场源参数。
如图1所示,本实施例用于真空中电偶极子的辐射的计算,场源为z方向电流源,采用微分高斯脉冲激励。其更新公式为:
E z n + 1 ( 0,25 ) = E z n + 1 ( 0,25 ) - 2 × 10 - 10 × ( 4 Δt Δρ · Δρ · Δz · ϵ 0 ) × ( t - 3 τ ) / τ 2 × exp ( - ( t - 3 τ ) 2 / τ 2 ) , τ=2ns。
计算区域大小Nr×Nz(50×50),横坐标为柱坐标ρ方向,纵坐标为柱坐标z方向,PML吸收边界层数为10个网格,A点为电场场源所在网格点,B点为电场观测点。空间步长Δζ,ζ=ρ,z,Δρ=Δz=5cm。时间步长Δt=83.333ps。仿真计算时长为100ns。αζζ=0.8×10-3
步骤2、根据步骤1输入的模型文件,对电场、磁场及相关辅助变量初始化为零。
电场、磁场及相关辅助变量包括:柱坐标ρ方向二维电场数组Eρ[Nr][Nz+1],电位移矢量数组Dρ[Nr][Nz+1],柱坐标z方向二维电场数组Ez[Nr+1][Nz],电位移矢量数组Dz[Nr+1][Nz],柱坐标方向二维磁场数组柱坐标方向二维磁感应强度数组PML中电场辅助变量二维数组ψφρ[Nr+1][Nz],ψφγ[Nr+1][Nz],ψφz[Nr][Nz+1],PML中磁场辅助变量二维数组Φρz[Nr][Nz]和Φ[Nr][Nz]。
步骤3、计算PML中的一维系数数组:Chφρi0,Chφρi1,Chφρi2,Chφγi0,Chφγi1,Chφγi2,Chφzk0,Chφzk1,Chφzk2,Ceρzk0,Ceρzk1,Ceρzk2,Cezρi0,Cezρi1,Cezρi2
具体过程为: C hφρi 0 = - Δt ( κ ρi α ρi + σ ρi ) - 2 ϵ 0 κ ρi Δt ( κ ρi α ρi + σ ρi ) + 2 ϵ 0 κ ρi ,
C hφρi 1 = ( Δt α ρi + 2 ϵ 0 ) ( Δt ( κ ρi α ρi + σ ρi ) + 2 ϵ 0 κ ρi ) ,
C hφρi 2 = ( Δt α ρi - 2 ϵ 0 ) ( Δt ( κ ρi α ρi + σ ρi ) + 2 ϵ 0 κ ρi ) ,
C hφγi 0 = - Δt ( A ρi α ρi + B ρi ) - 2 ϵ 0 A ρi Δt ( A ρi α ρi + B ρi ) + 2 ϵ 0 A ρi ,
C hφγi 1 = ( Δt α ρi + 2 ϵ 0 ) ( Δt ( A ρi α ρi + B ρi ) + 2 ϵ 0 A ρi ) ,
C hφγi 2 = ( Δt α ρi - 2 ϵ 0 ) ( Δt ( A ρi α ρi + B ρi ) + 2 ϵ 0 A ρi ) ,
C hφzk 0 = - Δt ( κ zk α zk + σ zk ) - 2 ϵ 0 κ zk Δt ( κ zk α zk + σ zk ) + 2 ϵ 0 κ zk ,
C hφzk 1 = ( Δt α zk + 2 ϵ 0 ) ( Δt ( κ zk α zk + σ zk ) + 2 ϵ 0 κ zk ) ,
C hφzk 2 = ( Δt α zk - 2 ϵ 0 ) ( Δt ( κ zk α zk + σ zk ) + 2 ϵ 0 κ zk ) ,
C eρzk 0 = - Δt ( κ zk + 1 / 2 α z + σ zk + 1 / 2 ) - 2 ϵ 0 κ zk + 1 / 2 Δt ( κ zk + 1 / 2 α z + σ zk + 1 / 2 ) + 2 ϵ 0 κ zk + 1 / 2 ,
C eρzk 1 = Δtα zk + 1 / 2 + 2 ϵ 0 Δt ( κ zk + 1 / 2 α zk + 1 / 2 + σ zk + 1 / 2 ) + 2 ϵ 0 κ zk + 1 / 2 ,
C eρzk 2 = Δtα zk + 1 / 2 - 2 ϵ 0 Δt ( κ zk + 1 / 2 α zk + 1 / 2 + σ zk + 1 / 2 ) + 2 ϵ 0 κ zk + 1 / 2 ,
C ezρi 0 = - Δt ( κ ρi + 1 / 2 α ρi + 1 / 2 + σ ρi + 1 / 2 ) - 2 ϵ 0 κ ρi + 1 / 2 Δt ( κ ρi + 1 / 2 α ρi + 1 / 2 + σ ρi + 1 / 2 ) + 2 ϵ 0 κ ρi + 1 / 2 ,
C ezρi 1 = Δtα ρi + 1 / 2 + 2 ϵ 0 Δt ( κ ρi + 1 / 2 α ρi + 1 / 2 + σ ρi + 1 / 2 ) + 2 ϵ 0 κ ρi + 1 / 2 ,
C ezρi 2 = Δtα ρi + 1 / 2 - 2 ϵ 0 Δt ( κ ρi + 1 / 2 α ρi + 1 / 2 + σ ρi + 1 / 2 ) + 2 ϵ 0 κ ρi + 1 / 2 ,
其中,
A ρi = 1 + ( κ ρ max - 1 ) ( ρ i - ρ 0 ) m + 1 ( m + 1 ) d m 1 ρ i ,
B ρi = σ max ( ρ i - ρ 0 ) m + 1 ( m + 1 ) d m 1 ρ i ;
ρ0表示柱坐标ρ方向PML层靠近FDTD区的界面的位置坐标,m为多项式的阶数,取m=4。d为PML层厚度,d=10Δζ。ρi表示柱坐标ρ方向第i个网格的坐标;kζmax=10。
κζζ,ζ=ρ,z,ζ=i,k,i+1/2,k+1/2表示ζ网格点处的κζ的取值,κζ的计算公式为:
κζ=1+(κζmax-1)|ζ-ζ0|m/dm
σζζ,ζ=ρ,z,ζ=i,k,i+1/2,k+1/2表示ζ网格点处的σζ的取值,σζ的计算公式为:
σζ=σζmax|ζ-ζ0|m/dm
σζmax=Cσopt=C(m+1)/150πΔζ,
C为大于0任一实数。本实施例中C=1。
步骤4、更新计算整个计算区域的电位移矢量。
电位移矢量在z方向的分量的更新公式为:
D z | i , k + 1 / 2 n + 1 = D z | i , k + 1 / 2 n + Δt ( ψ φρ | i , k + 1 / 2 n - 1 / 2 + C hφρi 1 ∂ H φ ∂ ρ | i , k + 1 / 2 n + 1 / 2 + ψ φγ | i , k + 1 / 2 n - 1 / 2 + C hφγi 1 H φ ρ | i , k + 1 / 2 n + 1 / 2 ) ,
电位移矢量在ρ方向的分量的更新公式为:
D ρ | i + 1 / 2 , k n + 1 = D ρ | i + 1 / 2 , k n - Δt ( ψ φz | i + 1 / 2 , k n - 1 / 2 + C hφzk 1 ∂ H φ ∂ z | i + 1 / 2 , k n + 1 / 2 ) ,
n表示离散时间步,
∂ H φ ∂ ρ | i , k + 1 / 2 n + 1 / 2 = H φ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n + 1 / 2 - H φ | i - 1 / 2 , k + 1 / 2 n + 1 / 2 Δρ ,
H φ ρ | i , k + 1 / 2 n + 1 / 2 = H φ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n + 1 / 2 + H φ | i - 1 / 2 , k + 1 / 2 n + 1 / 2 2 i · Δρ ,
∂ H φ ∂ z | i + 1 / 2 , k n + 1 / 2 = H φ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n + 1 / 2 - H φ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n + 1 / 2 Δz .
步骤5、更新计算整个计算区域的电场。
步骤5中,真空中,电场在z方向分量的更新公式为:
E z | i , k + 1 / 2 n + 1 = D z | i , k + 1 / 2 n + 1 ϵ 0 ,
电场在ρ方向分量的更新公式为:
E ρ | i + 1 / 2 , k n + 1 = D ρ | i + 1 / 2 , k n + 1 ϵ 0 .
步骤6、更新计算电场场源。
在采用微分高斯脉冲激励时,电场场源为z方向的电流源,且电场场源位于网格A点(0,25)处,此时,电场场源更新公式为:
E z n + 1 ( 0,25 ) = E z n + 1 ( 0,25 ) - 2 × 10 - 10 × ( 4 Δt Δρ · Δρ · Δz · ϵ 0 ) × ( t - 3 τ ) / τ 2 × exp ( - ( t - 3 τ ) 2 / τ 2 ) ( 1 ) ,
其中,τ=2ns。
步骤7、更新计算PML区域中电场辅助变量。
电场辅助变量的更新计算公式为:
ψ φρ | i , k + 1 / 2 n + 1 / 2 = C hφρi 0 ψ φρ | i , k + 1 / 2 n - 1 / 2 + ( C hφρi 0 C hφρi 1 + C hφρi 2 ) ∂ H φ ∂ ρ | i , k + 1 / 2 n + 1 / 2 ,
ψ φγ | i , k + 1 / 2 n + 1 / 2 = C hφγi 0 ψ φγ | i , k + 1 / 2 n - 1 / 2 + ( C hφγi 0 C hφγi 1 + C hφγi 2 ) H φ ρ | i , k + 1 / 2 n + 1 / 2 ,
ψ φz | i + 1 / 2 , k n + 1 / 2 = C hφzk 0 ψ φz | i + 1 / 2 , k n - 1 / 2 + ( C hφzk 0 C hφzk 1 + C hφzk 2 ) ∂ H φ ∂ z | i + 1 / 2 , , k n + 1 / 2 ,
步骤8、更新计算整个计算区域的磁感应强度。
磁感应强度的更新计算公式为:
其中,
步骤9、更新计算整个计算区域的磁场。
真空中,磁场的更新计算公式为:
H φ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n + 1 / 2 = B φ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n + 1 / 2 μ 0 .
步骤10、更新计算PML区域中磁场辅助变量。
磁场辅助变量的更新计算公式为:
Φ ρz | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n = C eρzk 0 Φ ρz | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n - 1 + ( C eρzk 0 C eρzk 1 + C eρzk 2 ) ∂ E ρ ∂ z | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n ,
Φ zρ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n = C ezρi 0 Φ zρ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n - 1 + ( C ezρi 0 C ezρi 1 + C ezρi 2 ) ∂ E z ∂ ρ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n ,
步骤11、根据步骤1设定的仿真计算时长,判断是否继续更新;实际计算时间小于该设定值时,继续计算,返回至步骤3;否则输出步骤5计算得到的电场和步骤9计算得到的磁场,结束。
如图2所示,是本发明实施例1计算的观测点B处(25,10)的z方向电场强度。如图3所示,采用现有解析方法计算得到的观测点处的z方向电场强度。从图2与图3对比可见,本发明方法计算与解析计算结果一致,验证了本发明方法有效的实现了二维柱坐标完全匹配吸收边界。

Claims (3)

1.一种二维柱坐标完全匹配吸收边界的实现方法,其特征在于,具体步骤如下:
步骤1、输入模型文件:
所述模型文件内容包括:计算区域大小Nr×Nz,其中,Nr为柱坐标ρ方向网格数,Nz为柱坐标z方向网格数;空间步长Δζ,ζ=ρ,z;时间步长Δt;真空状态下,整个计算区域网格的电导率σ=0,磁导率μ0,介电常数ε0;PML吸收边界层数与相关参数κζmaxκζmax为大于1的任一实数,ζ=ρ,z,为大于等于0小于1的任一实数,ζ=ρ,z,i,k表示空间网格坐标,i=0,1,2…Nr,k=0,1,2…Nz;仿真计算时长;场源参数;
步骤2、根据步骤1输入的模型文件,对电场、磁场及相关辅助变量初始化为零;
其中,所述电场、磁场及相关辅助变量包括:柱坐标ρ方向二维电场数组Eρ[Nr][Nz+1],电位移矢量数组Dρ[Nr][Nz+1],柱坐标z方向二维电场数组Ez[Nr+1][Nz],电位移矢量数组Dz[Nr+1][Nz],柱坐标方向二维磁场数组柱坐标方向二维磁感应强度数组PML中电场辅助变量二维数组ψφρ[Nr+1][Nz],ψφγ[Nr+1][Nz],ψφz[Nr][Nz+1],PML中磁场辅助变量二维数组Φρz[Nr][Nz]和Φ[Nr][Nz];
步骤3、计算PML中的电场,电位移矢量,磁场,磁感应强度以及辅助变量更新所需要用到的一维系数数组:Chφρi0,Chφρi1,Chφρi2,Chφγi0,Chφγi1,Chφγi2,Chφzk0,Chφzk1,Chφzk2,Ceρzk0,Ceρzk1,Ceρzk2,Cezρi0,Cezρi1,Cezρi2,分别用于电场辅助变量和磁场辅助变量的计算公式更新,其中各系数中符号含义为:下标ρ表示柱坐标中的ρ方向,下标z表示柱坐标中的z方向,下标i表示ρ方向第i个网格,下标k表示z方向第k个网格,下标0、1、2用于区别一个辅助变量中更新的三个系数;
具体过程为: C hφρi 0 = - Δt ( κ ρi α ρi + σ ρi ) - 2 ϵ 0 κ ρi Δt ( κ ρi α ρi + σ ρi ) + 2 ϵ 0 κ ρi ,
C hφρi 1 = ( Δt α ρi + 2 ϵ 0 ) ( Δt ( κ ρi α ρi + σ ρi ) + 2 ϵ 0 κ ρi ) ,
C hφρi 2 = ( Δt α ρi + 2 ϵ 0 ) ( Δt ( κ ρi α ρi + σ ρi ) + 2 ϵ 0 κ ρi ) ,
C hφγi 0 = - Δt ( A ρi α ρi + B ρi ) - 2 ϵ 0 A ρi Δt ( A ρi α ρi + B ρi ) + 2 ϵ 0 A ρi ,
C hφγi 1 = ( Δt α ρi + 2 ϵ 0 ) ( Δt ( A ρi α ρi + B ρi ) + 2 ϵ 0 A ρi ) ,
C hφγi 2 = ( Δt α ρi + 2 ϵ 0 ) ( Δt ( A ρi α ρi + B ρi ) + 2 ϵ 0 A ρi ) ,
C hφzk 0 = - Δt ( κ zk α zk + σ zk ) - 2 ϵ 0 κ zk Δt ( κ zk α zk + σ zk ) + 2 ϵ 0 κ zk ,
C hφzk 1 = ( Δt α zk + 2 ϵ 0 ) ( Δt ( κ zk α zk + σ zk ) + 2 ϵ 0 κ zk ) ,
C hφzk 2 = ( Δt α zk + 2 ϵ 0 ) ( Δt ( κ zk α zk + σ zk ) + 2 ϵ 0 κ zk ) ,
C eρzk 0 = - Δt ( κ zk + 1 / 2 α z + σ zk + 1 / 2 ) - 2 ϵ 0 κ zk + 1 / 2 Δt ( κ zk + 1 / 2 α z + σ zk + 1 / 2 ) + 2 ϵ 0 κ zk + 1 / 2 ,
C eρzk 1 = Δt α zk + 1 / 2 + 2 ϵ 0 Δt ( κ zk + 1 / 2 α zk + 1 / 2 + σ zk + 1 / 2 ) + 2 ϵ 0 κ zk + 1 / 2 ,
C eρzk 2 = Δt α zk + 1 / 2 + 2 ϵ 0 Δt ( κ zk + 1 / 2 α zk + 1 / 2 + σ zk + 1 / 2 ) + 2 ϵ 0 κ zk + 1 / 2 ,
C ezρi 0 = - Δt ( κ ρi + 1 / 2 α ρi + 1 / 2 + σ ρi + 1 / 2 ) - 2 ϵ 0 κ ρi + 1 / 2 Δt ( κ ρi + 1 / 2 α ρi + 1 / 2 + σ ρi + 1 / 2 ) + 2 ϵ 0 κ ρi + 1 / 2 ,
C ezρi 1 = Δt α ρi + 1 / 2 + 2 ϵ 0 Δt ( κ ρi + 1 / 2 α ρi + 1 / 2 + σ ρi + 1 / 2 ) + 2 ϵ 0 κ ρi + 1 / 2 ,
C ezρi 2 = Δt α ρi + 1 / 2 + 2 ϵ 0 Δt ( κ ρi + 1 / 2 α ρi + 1 / 2 + σ ρi + 1 / 2 ) + 2 ϵ 0 κ ρi + 1 / 2 ,
其中,Aρi,Bρi为计算所用的中间变量,其计算公式为:
A ρi = 1 + ( κ ρ max - 1 ) ( ρ i - ρ 0 ) m + 1 ( m + 1 ) d m 1 ρ i ,
B ρi = σ max ( ρ i - ρ 0 ) m + 1 ( m + 1 ) d m 1 ρ i ;
ρ0表示柱坐标ρ方向PML层靠近FDTD区的界面的位置坐标,m为多项式的阶数,d为PML层厚度,ρi表示柱坐标ρ方向第i个网格的坐标;
表示ζ方向网格点处的κζ的取值,κζ的计算公式为:
κζ=1+(κζmax-1)|ζ-ζ0|m/dm
表示ζ方向网格点处的σζ的取值,σζ的计算公式为:
σζ=σζmax|ζ-ζ0|m/dm
σζmax=Cσopt=C(m+1)/150πΔζ,
C为大于0任一实数;
步骤4、更新计算整个计算区域的电位移矢量;
其中,电位移矢量在z方向的分量的更新公式为:
D z | i , k + 1 / 2 n + 1 = D z | i , k + 1 / 2 n + Δt ( ψ φρ | i , k + 1 / 2 n - 1 / 2 + C hφρi 1 ∂ H φ ∂ ρ | i , k + 1 / 2 n + 1 / 2 + ψ φγ | i , k + 1 / 2 n - 1 / 2 + C hφγi 1 H φ ρ | i , k + 1 / 2 n + 1 / 2 ) ,
电位移矢量在ρ方向的分量的更新公式为:
D ρ | i + 1 / 2 , k n + 1 = D ρ | i + 1 / 2 , k n - Δt ( ψ φz | i + 1 / 2 , k n - 1 / 2 + C hφzk 1 ∂ H φ ∂ z | i + 1 / 2 , k n + 1 / 2 ) ,
n表示离散时间步,
∂ H φ ∂ φ | i , k + 1 / 2 n + 1 / 2 = H φ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n + 1 / 2 - H φ | i - 1 / 2 , k + 1 / 2 n + 1 / 2 Δρ ,
H φ ρ | i , k + 1 / 2 n + 1 / 2 = H φ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n + 1 / 2 - H φ | i - 1 / 2 , k + 1 / 2 n + 1 / 2 2 i · Δρ ,
∂ H φ ∂ z | i + 1 / 2 , k n + 1 / 2 = H φ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n + 1 / 2 - H φ | i - 1 / 2 , k + 1 / 2 n + 1 / 2 Δz ;
步骤5、更新计算整个计算区域的电场;
步骤6、更新计算电场场源;
步骤7、更新计算PML区域中电场辅助变量;
其中,电场辅助变量的更新计算公式为:
ψ φρ | i , k + 1 / 2 n + 1 / 2 = C hφρi 0 ψ φρ | i , k + 1 / 2 n - 1 / 2 + ( C hφρi 0 C hφρi 1 + C hφρi 2 ) ∂ H φ ∂ ρ | i , k + 1 / 2 n + 1 / 2 ,
ψ φγ | i , k + 1 / 2 n + 1 / 2 = C hφγi 0 ψ φγ | i , k + 1 / 2 n - 1 / 2 + ( C hφγi 0 C hφγi 1 + C hφγi 2 ) H φ ρ | i , k + 1 / 2 n + 1 / 2 ,
ψ φz | i + 1 / 2 , k n + 1 / 2 = C hφzk 0 ψ φz | i + 1 / 2 , k n - 1 / 2 + ( C hφzk 0 C hφzk 1 + C hφzk 2 ) ∂ H φ ∂ z | i + 1 / 2 , , k n + 1 / 2 ,
步骤8、更新计算整个计算区域的磁感应强度;
其中,磁感应强度的更新计算公式为:
其中, ∂ E ρ ∂ z | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n = E ρ | i + 1 / 2 , k + 1 n - E ρ | i + 1 / 2 , k n Δz , ∂ E z ∂ ρ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n = E z | i + 1 , k + 1 / 2 n - E z | i - 1 , k + 1 / 2 n Δρ ;
步骤9、更新计算整个计算区域的磁场;
步骤10、更新计算PML区域中磁场辅助变量;
其中,磁场辅助变量的更新计算公式为:
Φ ρz | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n = C eρzk 0 Φ ρz | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n - 1 + ( C eρzk 0 C eρzk 1 + C eρzk 2 ) ∂ E ρ ∂ ρ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n ,
Φ zρ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n = C ezρi 0 Φ zρ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n - 1 + ( C ezρi 0 C ezρi 1 + C ezρi 2 ) ∂ E z ∂ ρ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n ,
步骤11、根据步骤1设定的仿真计算时长,判断是否继续更新;实际计算时间小于该设定值时,继续计算,返回至步骤3;否则输出步骤5计算得到的电场和步骤9计算得到的磁场,结束。
2.按照权利要求1所述的二维柱坐标完全匹配吸收边界的实现方法,其特征在于,步骤5中,真空中电场在z方向分量的更新公式为:
E z | i , k + 1 / 2 n + 1 = D z | i , k + 1 / 2 n + 1 ϵ 0 ,
电场在ρ方向分量的更新公式为:
E ρ | i + 1 / 2 , k n + 1 = D ρ | i + 1 / 2 , k n + 1 ϵ 0 .
3.按照权利要求1所述的二维柱坐标完全匹配吸收边界的实现方法,其特征在于,步骤9中,真空中磁场的更新计算公式为:
H φ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n + 1 / 2 = B φ | i + 1 / 2 , k + 1 / 2 n + 1 / 2 μ 0 .
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