CN102709486B - LiF膜的用途及OLED封装结构及封装方法 - Google Patents
LiF膜的用途及OLED封装结构及封装方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种LiF膜的用途及OLED封装结构及封装方法,可在一定程度上阻止水、氧侵入OLED器件。本发明特别提出LiF膜作为薄膜封装材料在运用薄膜封装法对OLED器件进行封装的工艺上的用途。本发明的OLED封装结构,包括将OLED器件封装于基板上的薄膜封装层,所述薄膜封装层包括LiF膜层。本发明的OLED封装方法,包括在安装有OLED器件的基板上设置用于封装该OLED器件的薄膜封装层的步骤,该步骤包括设置LiF膜层的操作。像素收缩测试图表明,当采用LiF膜作为薄膜封装层时,水汽和氧对OLED器件发光区域的侵蚀效果明显差于未采用薄膜封装层时对OLED器件发光区域的侵蚀效果,说明LiF膜对水汽和氧具有一定阻隔作用,可在一定程度上防止水汽和氧对OLED器件的侵入。
Description
技术领域
本发明涉及LiF膜的用途及OLED封装结构及封装方法。
背景技术
封装技术对OLED(Organic Light-emitting Display,有机发光显示)器件的寿命和产品性能有着重要影响。传统的OLED封装工艺采用封装玻璃盖板并在其内部贴附干燥剂的方法,此方法具有工艺成熟、简单并且坚固、抗冲击等方面的优点,但无法满足OLED在柔性显示方面的封装需求。因此,人们开始将目光转向用薄膜封装法对OLED器件进行封装。
图1为目前的OLED薄膜封装结构,其包括将OLED器件封装于基板上的薄膜封装层。制作该结构的薄膜封装法是在完成OLED器件的制作后,随即在上面进行钝化层成膜,从而通过薄膜封装层防止水、氧对OLELD器件的侵入,具有低制造成本、可柔性显示,并且如果薄膜封装层是透明结构,还可用于透明显示。
目前,绝大部分的OLED器件都是采用LiF作为该OLED器件自身的电子注入层材料,并且采用Al作为OLED器件自身的阴极材料蒸镀而成。而现有的薄膜封装层则主要采用无机化合物层(如Al2O3、SiNx、SiOx等)或金属层(如金、银、铝、铟等)加有机层(如聚硅氧烷、聚四氟乙烯等)的方式。由于上述薄膜封装材料几乎与OLED器件本身的制作材料完全不同,因此还要投入专用于蒸镀薄膜封装层的设备和材料。
发明内容
本发明旨在提供一种LiF膜的用途以及能够在一定程度上阻止水、氧侵入OLED器件的OLED封装结构及封装方法。
为此,本发明特别提出LiF膜作为薄膜封装材料在运用薄膜封装法对OLED器件进行封装的工艺上的用途。
像素收缩测试图表明,当采用LiF膜作为薄膜封装层时,水汽和氧对OLED器件发光区域的侵蚀效果明显差于未采用薄膜封装层时对OLED器件发光区域的侵蚀效果,说明LiF膜对水汽和氧具有一定阻隔作用,可在一定程度上防止水汽和氧对OLED器件的侵入。
作为本发明的OLED封装结构,包括将OLED器件封装于基板上的薄膜封装层,所述薄膜封装层包括LiF膜层。
进一步的,该薄膜封装层包括由上LiF膜层、中间吸收层和下LiF膜层构成的复合膜层。
薄膜封装层若采用单层LiF膜层虽能在一定程度上阻止水、氧对OLED器件的侵入,并具有成膜工艺简单的优点,但对水、氧的阻隔性能还不够充分。而由上LiF膜层、中间吸收层和下LiF膜层构成的复合膜层既能够加强对水、氧的阻隔性能,并能通过中间吸收层对透过上LiF膜层的部分水、氧进行吸收。
为了达到更好的效果,所述薄膜封装层包括至少两层所述的复合膜层。
中间吸收层可以采用现有的Al2O3、SiNx、SiOx等无机化合物层,也可以是金、银、铝、铟等金属层与聚硅氧烷、聚四氟乙烯等有机层的复合层。作为优选,所述中间吸收层为Al膜层。Al膜能通过化学反应有效吸收透过上LiF膜层的少量水汽和氧,并且Al也是OLED器件自身的阴极材料,这样,可利用现有蒸镀设备制作中间吸收层以及LiF膜层,节省设备投入。
作为优选,所述Al膜层的厚度为1至10nm。当Al膜层的厚度为1至10nm范围时,Al膜层的透光性较好,而LiF膜本身为透明材料,可进行透明薄膜封装。当然,Al膜层的厚度越厚,其封装效果也越好。
作为优选,所述LiF膜层的厚度为10至1000nm。一般来说,LiF膜层的厚度越厚,对OLED器件的封装效果越好,但随之也将导致材料成本和生产时间的上升。因此,本发明建议将LiF膜层的厚度设定为10至1000nm的范围之内。
本发明的OLED封装方法,包括在安装有OLED器件的基板上设置用于封装该OLED器件的薄膜封装层的步骤,该步骤包括设置LiF膜层的操作。其中,LiF膜层的设置可通过电子束蒸镀、热蒸镀等蒸镀技术。
进一步的,所述步骤包括:1)真空条件下蒸镀形成下LiF膜层;2)真空条件下在所述下LiF膜层上蒸镀形成Al膜层;3)真空条件下在所述Al膜层上蒸镀形成上LiF膜层。
作为优选,所述LiF膜层的厚度为10至1000nm;Al膜层的厚度为1至10nm。
下面结合附图和具体实施方式对本发明做进一步的说明。本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本申请的实践了解到。
附图说明
图1为OLED封装结构示意图。
图2为本申请实施例2的复合膜层的结构示意图。
图3为未设薄膜封装层时的像素收缩测试图。
图4为本申请实施例1的像素收缩测试图。
图5为本申请实施例2的像素收缩测试图。
具体实施方式
如图1所示,OLED封装结构包括将OLED器件2封装于基板3上的薄膜封装层1,其中,OLED器件2是通过热蒸镀方式将构成该OLED器件2的各层薄膜沉积到基板3上从而制作而成。完成OLED器件2的制作后,通过热蒸镀在OLED器件2的表面蒸镀单层的LiF膜层,其厚度为150nm。通过图3与图4的对比发现,将试样同时放置24小时后,当采用LiF膜作为薄膜封装层时,水汽和氧对OLED器件发光区域的侵蚀效果明显差于未采用薄膜封装层时对OLED器件发光区域的侵蚀效果,说明LiF膜对水汽和氧具有一定阻隔作用,可在一定程度上防止水汽和氧对OLED器件的侵入。需说明,由于水汽和氧气最先与OLED器件的边缘发生化学及物理反应,从而导致OLED器件边缘处的亮度降低或者直至不发光,因此,本申请将LED器件边缘处的发光情况作为评价OLED器件侵蚀效果的标准。LED器件边缘处的不发光区域越大,说明OLED器件侵蚀越严重。
如图2所示,薄膜封装层1是由上LiF膜层101a、中间吸收层102和下LiF膜层101b构成的单层的复合膜层10。其中,中间吸收层102为Al膜层102A,其厚度为2nm,上LiF膜层101a厚度为50nm,下LiF膜层101b厚度为50nm。该复合膜层10的制作方法为:完成OLED器件2的制作后,真空条件下在OLED器件2的表面热蒸镀形成下LiF膜层101b,然后于真空条件下在所述下LiF膜层101b上蒸镀形成Al膜层102A,最后同样于真空条件下在所述Al膜层102A上蒸镀形成上LiF膜层101a。通过图4与图5的对比发现,将试样同时放置24小时后,当采用复合膜层10作为薄膜封装层1时,水汽和氧对OLED器件2发光区域的侵蚀效果明显差于采用单层LiF膜时水汽和氧对OLED器件2发光区域的侵蚀效果。
在实施例2的基础上,可以重复进行复合膜层10的蒸镀,进一步提高封装效果。
Claims (3)
1.OLED封装结构,包括将OLED器件(2)封装于基板(3)上的薄膜封装层(1),其特征在于:所述薄膜封装层(1)包括由上LiF膜层(101a)、中间吸收层(102)和下LiF膜层(101b)构成的复合膜层(10);所述中间吸收层(102)为Al膜层(102A)。
2.如权利要求1所述的OLED封装结构,其特征在于:所述薄膜封装层(1)包括至少两层所述的复合膜层(10)。
3.如权利要求1所述的OLED封装结构,其特征在于:所述Al膜层(102A)的厚度为1至10nm。
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