CN102698989A - 硅片预清洗方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种硅片预清洗方法，其特征在于，对切割后的硅片首先进行浸泡处理，浸泡结束后进行喷淋。上述硅片预清洗方法，对切割后硅片上大部分砂浆实现浸泡脱离处理，收集浸泡产生的砂浆水，以便在砂浆回收企业对浸泡过的砂浆水进行二次回收再利用，提高了砂浆回收利用率，同时降低了污水处理费用，达到环保的目的。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能硅片加工领域，特别是涉及一种硅片预清洗方法。
背景技术
太阳能硅片切割后需要对硅片进行清洗，清洗步骤包括预清洗及再次清洗。预清洗方法主要是去除太阳能硅片切割后的粘附在硅片上的砂浆，再次清洗则通过酸洗等各种方法去除硅片表面粘附的各种污染物，如铜、铁等。
请参考图1，传统预清洗方法是利用预清洗脱胶机在一槽和二槽用一定水压的水喷出水雾，将切割后粘附于硅片上的砂浆冲掉，再利用三槽和四槽的超声溢流将残余砂浆洗掉，冲洗和溢流产生的砂浆水直排进入污水处理池，再用物理、化学及生物方法，将砂浆水中的砂子分离，将砂浆水的切割液分解处理。
传统预清洗方法中，由于粘附在硅片上的砂浆被冲走处理，降低了砂浆的回收利用率，同时提高了污水处理费用，且不环保。
发明内容
基于此，有必要提供一种硅片预清洗方法，能够方便地实现对硅片预清洗过程中所产生的多数砂浆水进行收集再循环利用，降低污水处理费用，且达到环保的目的。
一种硅片预清洗方法，其对切割后的硅片首先进行浸泡处理，浸泡结束后进行喷淋。
在其中一个实施例中，浸泡在水中进行，时间为300秒。
在其中一个实施例中，根据浸泡硅片的数量预先设定浸泡频次，当所浸泡硅片数量达到预先设定的频次后，将浸泡产生的砂浆水抽取并收集。
在其中一个实施例中，使用隔膜泵抽取浸泡产生的砂浆水。
在其中一个实施例中，所述喷淋采用水加压喷出水雾的方式。
在其中一个实施例中，喷淋完成后进行以下步骤：超声溢流及脱胶。
在其中一个实施例中，在两个清洗槽中各进行一次所述超声溢流步骤。
在其中一个实施例中，在两个清洗槽中各进行一次所述脱胶步骤。
在其中一个实施例中，所述脱胶步骤具体为把硅片放入在70~80℃的添加有脱胶剂的水溶液中，通气使水溶液鼓泡。
在其中一个实施例中，所述脱胶剂为草酸或乳酸。
上述硅片预清洗方法中，对切割后硅片上大部分砂浆实现浸泡脱离处理，收集浸泡产生的砂浆水，以便在砂浆回收企业对浸泡过的砂浆水进行二次回收再利用，提高了砂浆回收利用率，同时降低了污水处理费用，达到环保的目的。
附图说明
图1为传统硅片预清洗方法的流程图；
图2为本实施方式的硅片预清洗方法的流程图。
具体实施方式
本实施方式的硅片预清洗方法的构思是：在对切割后的硅片进行预清洗时，对硅片首先进行浸泡处理，浸泡结束后再进行喷淋处理。利用浸泡去除硅片上的大部分砂浆，利用喷淋去除浸泡后硅片上所残余的少量砂浆。
对切割后硅片上大部分砂浆实现浸泡脱离处理，便于收集浸泡产生的砂浆水，以便在砂浆回收企业对浸泡过的砂浆水进行二次回收再利用，提高了砂浆回收利用率，同时降低了污水处理费用，达到环保的目的。
通常，对切割后的硅片进行预清洗时，除了去除硅片上的砂浆外，还进行超声溢流及脱胶等处理步骤。利用超声溢流，初步去除硅片表面的部分高分子、金属离子及小颗粒等异物；由于硅片是粘结在工装上进行预清洗，故通过脱胶处理，可使粘接硅片的胶水软化，使硅片从工装上脱离。
请参考图2，本实施方式的硅片预清洗方法共使用六个清洗槽，实施步骤为：上料、一槽浸泡，砂浆水抽取收集、二槽喷淋、三槽四槽超声溢流、五槽六槽鼓泡高温脱胶及下料。
下面详细描述各步骤实施过程。
上料，将切割完带有切割砂浆的硅片放于预清洗脱胶机的工装上，并将工装固定于预清洗脱胶机的进料口。
一槽浸泡，将预清洗脱胶机的一槽喷淋功能关闭，用水管将一槽的水放满，设置浸泡190~400秒，通常300秒即可。
砂浆水抽取收集，当所浸泡硅片数量达到预先设定的频次后，用隔膜泵将一槽中的砂浆水抽取并收集于固定的容器内。一般根据浸泡硅片的数量预先设定浸泡频次，当所浸泡硅片数量达到预先设定的频次后，将浸泡产生的砂浆水抽取并收集。例如，实际操作中，每批次浸泡硅片的数量通常是固定的，每批次硅片分别浸泡300秒，进行过几批次硅片浸泡后，一槽中的水就将不再适合对硅片浸泡处理，这时即说明所浸泡硅片数量达到预先设定的频次，允许浸泡的次数即为需要预先设定的频次，此时需要将一槽中的砂浆水抽走更换。不同情况下，预先设定的浸泡频次的具体值均可通过试验得到。
二槽喷淋，对浸泡过的硅片进行喷淋一段时间，去除浸泡后所残余的少量砂浆。喷淋采用水加压喷出水雾的方式。
三槽四槽超声溢流，利用超声和溢流，初步去除硅片表面的部分高分子、金属离子及小颗粒等异物。三槽四槽均为超声溢流，换言之，是在两个清洗槽中各进行一次超声溢流步骤。
五槽六槽鼓泡高温脱胶，利用高温，鼓泡及脱胶剂的作用，使粘接硅片的胶水软化，使硅片从工装上脱离，即脱胶步骤。脱胶步骤具体为把硅片放入在70~80℃的添加有脱胶剂的水溶液中，通气使水溶液鼓泡，以加速硅片表面胶水的脱离。脱胶剂可为草酸、乳酸等。五槽六槽均为脱胶步骤。
下料，将硅片取走。
本实施方式的硅片预清洗方法，能够方便地实现对硅片预清洗过程中所产生的多数砂浆水进行收集再循环利用，降低污水处理费用，且达到环保的目的。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种硅片预清洗方法，其特征在于，对切割后的硅片首先进行浸泡处理，浸泡结束后进行喷淋。
2.根据权利要求1所述的硅片预清洗方法，其特征在于，浸泡在水中进行，时间为190~400秒。
3.根据权利要求1所述的硅片预清洗方法，其特征在于，根据浸泡硅片的数量预先设定浸泡频次，当所浸泡硅片数量达到预先设定的频次后，将浸泡产生的砂浆水抽取并收集。
4.根据权利要求3所述的硅片预清洗方法，其特征在于，使用隔膜泵抽取浸泡产生的砂浆水。
5.根据权利要求1所述的硅片预清洗方法，其特征在于，所述喷淋采用水加压喷出水雾的方式。
6.根据权利要求1所述的硅片预清洗方法，其特征在于，喷淋完成后进行以下步骤：超声溢流及脱胶。
7.根据权利要求6所述的硅片预清洗方法，其特征在于，在两个清洗槽中各进行一次所述超声溢流步骤。
8.根据权利要求6所述的硅片预清洗方法，其特征在于，在两个清洗槽中各进行一次所述脱胶步骤。
9.根据权利要求6所述的硅片预清洗方法，其特征在于，所述脱胶步骤具体为把硅片放入在70~80℃的添加有脱胶剂的水溶液中，通气使水溶液鼓泡。
10.根据权利要求9所述的硅片预清洗方法，其特征在于，所述脱胶剂为草酸或乳酸。
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